【課題】鋳型底面に種結晶を配置し、供給されたシリコン半導体材料の融液を種結晶を用いて結晶化させるシリコン半導体インゴットの製造方法において、結晶化開始にあたり、種結晶の溶融のタイミングが検知容易な種結晶を提供する。
【解決手段】シリコン融液５を保持した鋳型３の内底面全体に配置したシリコン種結晶７に関し、該シリコン種結晶７表面の少なくとも一部をシリコンより融点の高いシリカ薄膜８で覆うことにより、半導体材料の融点以上の温度であっても種結晶を固体として維持できる。その後、薄膜が溶融する過程における半導体融液の温度上昇を検知して、薄膜及び種結晶の溶融開始を把握する。 （もっと読む）

【課題】 いわゆるナトリウムフラックス法を用いて窒化ガリウムの単結晶を得るようにした結晶育成装置において、高品質で大きな結晶を育成できるようにする。
【解決手段】 金属ナトリウムおよびガリウムの出発原料を耐圧窯１ａにおいて溶融し、その融液３にガス供給部２から供給したガスに含まれる窒素原子を溶け込ませ、種結晶９を成長させるようにした結晶育成装置において、結晶固定部１５を舟形に形成し、その浮力によって種結晶９を液面付近の一定深さに保持する。したがって、結晶が成長し、液面が下がっても自動的に種結晶９も下がり、液面からの距離を自動的に一定に保つことができ、複雑な高さ制御が不要である。また、前記結晶固定部１５を融液３の液面上に浮上させるにあたって、前記融液３に前記出発原料以外の比重の重い材料を入れておく必要もない。これによって、安価に、高速で、高品質な結晶を再現性よく育成することができる。 （もっと読む）

【課題】 内部透過率などの光学特性に優れた結晶を再現性よく製造することができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶性物質の原料から単結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記単結晶の成長の基点となる種結晶に含まれる不純物の濃度を検出するステップと、前記検出ステップで検出された前記不純物の濃度が、前記原料の不純物の濃度以下である前記種結晶を前記坩堝に収納するステップと、前記収納ステップで前記坩堝に収納された前記種結晶を介して前記単結晶を成長させるステップとを有することを特徴とする結晶製造方法を提供する。 （もっと読む）