【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】ブロック１１には、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。 （もっと読む）

【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。このことにより、ブロック１１に、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。 （もっと読む）

単結晶スピネルブール、ウェハ、基板およびそれらを含む能動デバイスが開示される。１つの態様において、このような物品は改良された収率により表される、減少した機械的応力および/またはひずみを有する。さらに、単結晶スピネルは非化学量論的組成を有し、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの波長範囲にわたる透明性窓を有する。 （もっと読む）

単結晶スピネルブール、ウェハ、基板およびそれらを含む能動デバイスが開示される。機械的応力および/またはひずみが減少した、このような物品は改良された収率により表される。 （もっと読む）

単結晶スピネルウェハが開示され、前面および裏面；ならびに第１および第２平面を持つ外周部を含む。ある態様において、単結晶スピネルウェハは特定の結晶学的配向を有し、そして平面は所望の面配置に沿って延びるように与えられる。平面はへき開面およびへき開面のへき開方向を確認するのに有利でありうる。 （もっと読む）