説明

国際特許分類[G01N1/36]の内容

物理学 (1,541,580) | 測定;試験 (294,940) | 材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析 (128,275) | サンプリング;調査用標本の調製 (6,162) | 調査用標本の調製 (2,313) | 試料の埋め込みまたは類似の取付け (322)

国際特許分類[G01N1/36]に分類される特許

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【課題】 半導体結晶等の試料を溶解することなく、その試料に含まれる不純物を濃縮する方法およびこれに用いる不純物濃縮装置及びこの不純物が濃縮された試料中の不純物を、迅速、簡便かつ高感度に分析する方法およびそれに係る不純物分析装置を提供する。
【解決手段】 半導体結晶試料11にレーザ発振器13により所定の強度のレーザ光を所定の位置に繰り返し照射して、半導体結晶試料11に含まれる不純物を濃縮する。その後、半導体結晶試料11の濃縮部分に含まれる不純物を所定の物理分析手段で高感度に分析する。また、必要に応じて半導体結晶試料の表面に酸化膜等のレーザ光に対して透明な絶縁膜を形成してからレーザ光照射により濃縮する。 (もっと読む)


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