【課題】反射型フォトマスクを用いる露光装置の検査のための露光装置検査用マスク及び露光装置検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、露光光に対して反射性の主面を有する基板１０と、主面に設けられた第１パターン部６０ａと、を備えた露光装置検査用マスクが提供される。第１パターン部は、主面に設けられ、主面に対して平行な第１方向に沿って所定のピッチで周期的に配列し露光光に対して吸収性を有する複数の第１吸収層３１ａを含む第１下層３０ａと、第１下層の基板とは反対の側に設けられ、第１方向に沿って上記ピッチで周期的に配列し、複数の第１吸収層のそれぞれの少なくとも一部を露出させ、露光光に対する反射率が第１吸収層よりも高い複数の第１反射層４０ａと、を含む。 （もっと読む）

【課題】露光光の反射率と反射光の位相差とが精度良く制御されたマスクエンハンサ構造を有するＥＵＶ用フォトマスクを用いて、微細な転写パターンの寸法精度を向上する。
【解決手段】反射型フォトマスクは、位相シフト部９と、位相シフト部９の外側に位置する反射部１１と、位相シフト部９と反射部１１との間に位置する半吸光部１２とを備えている。半吸光部１２は、露光光を反射する第１の多層膜２と、第１の中間層３と、第２の多層膜４と、第２の中間層５と、第３の多層膜６とを含んでいる。位相シフト部９は、第３の多層膜６、第２の中間層５、第２の多層膜４及び第１の中間層３から露出する第１の多層膜２である。反射部１１は、第３の多層膜６及び第２の中間層５から露出する第２の多層膜４である。 （もっと読む）

【課題】反射層に損傷を与えず、修正痕を残さずに吸収体パターンを精度良く補正し、位相欠陥の影響をなくして良好な転写パターンが得られる反射型マスクの位相欠陥補正方法および製造方法を提供する。
【解決手段】反射型マスクブランクの吸収体層上にハードマスク層を設け、ブランク欠陥用のアライメントマークを作成し、ブランクの表面欠陥検査を行い、表面欠陥の位置をマスクブランク欠陥情報として記録する工程と、ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、前記欠陥情報に基づき、ＡＦＭを用いて表面欠陥の位置と大きさを計測する工程と、補正すべきハードマスクパターンを選定し、補正位置と補正量を決定する工程と、欠陥修正装置によりハードマスクパターンを補正する工程と、補正したハードマスクパターンをマスクにして吸収体パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ露光用マスクの洗浄時期を適切に判定することができ、パターン転写精度の向上及び露光装置のスループット向上に寄与する。
【解決手段】 露光装置にセットされたＥＵＶ露光用マスクの洗浄時期を管理するためのＥＵＶ露光用マスクの管理方法であって、マスクに設けられたアライメントマーク２１に対しＥＵＶ光を照射し、マスクからの反射光を検出することにより、マーク２１の異なる２方向にそれぞれ対応するマークプロファイル信号を得るステップＳ３と、得られた各マークプロファイル信号から、マークの異なる２方向の寸法をそれぞれ測定するステップＳ４と、測定された異なる２方向の寸法の差分を算出するステップＳ５と、算出された差分の大きさに基づいてマスクの洗浄時期を判定するステップＳ６とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、吸収層の側面において下部が上部よりも欠落している場合に、その欠陥を補修し、信頼性の高い反射型マスクを得ることが可能であり、さらには歩留まりの向上を図ることが可能な反射型マスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第１吸収層と上記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有し、上記吸収層積層体の側面にて上記第１吸収層が上記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する反射型マスクの、上記側面欠陥部に位置する上記吸収層積層体を除去する側面欠陥部除去工程と、上記吸収層積層体が除去された側面欠陥部除去部に堆積膜を形成する堆積膜形成工程とを有する補修工程を備えることを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、吸収層の側面において下部が上部よりも欠落している場合に、その欠陥を補修し、信頼性の高い反射型マスクを得ることが可能であり、さらには歩留まりの向上を図ることが可能な反射型マスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第１吸収層と上記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有し、上記吸収層積層体の側面にて上記第１吸収層が上記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する反射型マスクの、上記側面欠陥部に位置する上記第２吸収層上に堆積膜を形成する補修工程を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】基板１と基板１上に設けられた多層反射膜２と、多層反射膜２上に設けられた光吸収層４、５を具備し、光吸収層４、５がタンタルを含有する複数の層からなり、多層反射膜２に近いほうの層に含まれるタンタルの含有率が、その後に積層して形成した層のタンタル含有率よりも高い反射型フォトマスクブランク１０において、ＥＵＶ光による露光時およびＤＵＶ光による検査時において反射領域に対して良好なコントラストが得られ、電子線でのパターン露光によるチャージアップのない反射型フォトマスクブランクおよびそれを用いた反射型フォトマスク並びにそれを用いたパターン転写方法を提供する。
【解決手段】タンタルを含有する複数の層４、５の上に、タンタル以外の金属を主成分として含有する層６をさらに積層してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成されている膜と、裏面に形成されている膜との導通を消失させることにより、反射層や吸収層を作成する際における層表面や層中へのパーティクルの付着を防止でき、結果的に欠点を減少させることが可能な反射層付き基板およびＥＵＶマスクブランクの提供。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される反射層付き基板であって、前記反射層が形成されている面とは反対の面に、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層を有し、かつ前記反射層と前記チャック層とは導通がないことを特徴とする反射層付き基板。 （もっと読む）

【課題】計算量・精度を改善したフレアマップ作成方法を提供すること。
【解決手段】レイアウトをｊ個の領域ｍに区画化し、ｊ個の領域ｍに対応するｊ個の評価値ｖを求めて評価マップを作成するために、レイアウトを複数の領域Ｍにより分割する回数を決定し（Ｓ１）、レイアウトを複数の領域Ｍを分割し、その際、領域Ｍは領域ｍより大きく、ｊ個の領域ｍ中のｋ個の領域ｍｋを複数の領域Ｍ中のｋ個の領域Ｍｋと中心を一致させ（Ｓ３）、領域Ｍの各々について、領域Ｍ内のレイアウトのパターン密度Ｄを求め（Ｓ４）、複数の領域Ｍの点像分布関数Ｆと前記Ｄとの積の畳み込みを計算し、ｋ個の領域Ｍｋの各々の評価値Ｖｋを算出し（Ｓ５）、工程Ｓ２−Ｓ５は工程Ｓ１で決定された回数（Ｎ）繰り返され、Ｎ回の工程Ｓ５で得られたＮ個の前記Ｖｋを合成する（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】初期のＥＵＶ光線反射率が高く、かつ、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されたＥＵＶマスクブランク、および該ＥＵＶマスクブランクの製造に使用される機能膜付基板の提供。
【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、該反射層を保護する保護層１３とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板であって、前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層１２ｂの膜厚ｔ_Si（ｎｍ）、および、前記保護層の膜厚ｔ_Ru（ｎｍ）が下記式（１）、（２）を満たすことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。−０．４９４×ｔ_Ru＋４．３０≦ｔ_Si≦−０．４９４×ｔ_Ru＋５．７０（１）２．５ｎｍ≦ｔ_Ru≦３．５ｎｍ（２） （もっと読む）