【課題】ナノ結晶を利用した情報記録媒体とその製造方法、及び情報記録装置を提供する。
【解決手段】導電層と、導電層上に形成される下部絶縁層と、下部絶縁層上に形成されるものであって、電荷をトラップしうる導電性のナノ結晶を含むナノ結晶層と、ナノ結晶層上に形成される上部絶縁層と、を備える情報記録媒体である。前記ナノ結晶層は、単一層または複合層で形成される。前記導電性のナノ結晶は、金属または半導体で形成される。前記金属は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｏｓ、Ｐｈ、Ｉｒ、Ｔａ、Ａｕ及びＡｇからなるグループから選択された少なくとも一つの金属ナノ粒子である。 （もっと読む）

【課題】情報の書き込みおよび読み取り方法ならびにそれに基づく装置を提供する。
【解決手段】情報の記憶および読み取りの記憶装置および方法が開示される。また、少なくとも２つの分極大きさと少なくとも２つの分極方向でコード化された情報の記憶方法が開示され、分極大きさが情報コード化のための第１チャネルを提供し、分極方向が情報コード化のための第２チャネルを提供する。 （もっと読む）

【課題】
高速・高感度・高分解能の読み出しセンサー、これを用いたヘッド及び情報記録装置を提供すること。
【解決手段】
半導体部材と、この半導体部材の記録媒体対向部に設けられた第１及び第２の第１導電型不純物領域２，３と、第１導電型不純物領域２，３の間の記録媒体対向部の領域に設けられ、記録媒体に情報として蓄えられた電荷に基づく電位変化により導電性が変化する半導体領域１と、第１導電型不純物領域２，３にそれぞれ接続された配線４，５とを備え、半導体領域１の導電性の変化により記録媒体の情報の読み出しを行うことを特徴とする読み出しセンサー。半導体部材は、記録媒体対向部よりも内側に後退した後退部を備え、第１導電型不純物領域２，３のそれぞれと配線４，５との接続部が、後退部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】記録時と同等の低い電圧値により高速で効率的な消去を行うことが可能であり、高密度、大容量で且つ記録保持時間の長い情報記録装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１の一面上に形成された第１の絶縁層１２と、前記第１の絶縁層１２上に形成された電荷蓄積機能を有する第２の絶縁層１３と、前記半導体基板の他面上に形成された電極層１５と、前記第１、第２の絶縁層を貫通し、前記半導体基板１１中にその底部が配置される絶縁領域１６と、を備えてなる記録媒体１０と、前記記録媒体１０に対して浮上または接触した状態で電圧を印加するための電極４２とを備える。前記半導体基板１１と前記第１の絶縁層１２との界面から前記絶縁領域の底部までの深さＷ１が、空乏層の最大深さＷ_maxよりも深い。 （もっと読む）

【課題】記録密度を小さくする。
【解決手段】記録再生ヘッドは、積層された第１の導電層２０１、第１の絶縁層２０２及び第２の導電層２０３を含み、第１の導電層２０１及び第２の導電層２０３は、第１の絶縁層２０２に電界を印加可能となるように形成され、かつ記録媒体１００に電子を注入可能となるように形成される。 （もっと読む）