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国際特許分類[G11B9/12]の内容

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国際特許分類[G11B9/12]に分類される特許

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【課題】近接場光を利用することで高密度な記録情報の再生を可能とする新規な信号検出装置及び信号検出方法を提供する。
【解決手段】半導体基板3と、半導体基板3上に設けられ、半導体基板3との界面近傍に近接場光を発生させる近接場光発生部1とを有する。また半導体基板3の材料のバンドギャップ・エネルギーに対し、略1/2の光子エネルギーに対応する波長の光を出力する光源9と、近接場光が発生する際に半導体基板3に生ずる光電流を検出する電流検出部4と、を備える。 (もっと読む)


【課題】近接場光を効率良く発生することが可能な光源等を提供する。
【解決手段】微小開口103の形状は、部材101に入射光106が照射されたことにより励起される表面プラズモンポラリトンの波長の半整数または整数倍に等しいまたは略等しい辺を有する形状である。または、微小開口103の形状は、その波長の半整数または整数倍から予め定められた値だけ短い長さに等しいまたは略等しい辺を有する形状である。 (もっと読む)


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