【課題】大容量で、信頼性が高く、少ない工程数で製造可能なメモリ用シフトレジスタを提供する。
【解決手段】一の実施形態によれば、メモリ用シフトレジスタは、基板の主面に平行な第１方向に延び、前記第１方向に垂直な第２方向に向かい合う第１及び第２の制御電極を備える。さらに、前記レジスタは、前記第１及び第２の制御電極間において、前記第１の制御電極側に一列に設けられた複数の第１の浮遊電極を備える。さらに、前記レジスタは、前記第１及び第２の制御電極間において、前記第２の制御電極側に一列に設けられた複数の第２の浮遊電極を備える。さらに、前記第１及び第２の浮遊電極の各々は、前記第１方向に垂直な平面に対し、鏡面非対称な平面形状を有する。 （もっと読む）

【課題】メモリベクトルを記憶できる新しいメモリ構造を作る。
【解決手段】メモリ（＃１，Ｑi〜＃Ｍ，Ｑi）の各記憶場所は、大きなベクトルの長さに適合した長さを有しかつ情報の入力および／または出力からメモリ内に深く入るように配置される。これにより各ベクトルは、メモリ（メモリプレーンＭＩのメモリフィールドＦ１）の入力および／また出力にベクトルの始点をもつ連続順で、非分割記憶される。アドレス指定がメモリへの入力および／または出力に行なわれる。メモリの記憶場所に（および該記憶場所から）中継されないシーケンスで情報を入力および出力するための、シフトレジスタのように機能する手段（１ＩＢ〜ＭＩＢ、１ＵＢ〜ＭＵＢ）が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ＣＣＤレジスタの出力側の位相がＣＣＤレジスタの伝搬遅延の影響を受けない様にすると共にこのＣＣＤレジスタの出力側の位相とリセットパルスの位相とを容易に合わせることができる様にすることを目的とする。
【解決手段】 フローティングディフュージョンアンプ１を有するＣＣＤレジスタに於いて、このＣＣＤレジスタを駆動する駆動パルスＰ₁ ，Ｐ₂ の給電部をこのフローティングディフュージョンアンプ１側及びこのフローティングディフュージョンアンプ１側と反対側の双方に設けたものである。 （もっと読む）

【目的】 ＣＣＤレジスタの出力側の位相がＣＣＤレジスタの伝搬遅延の影響を受けない様にすると共にこのＣＣＤレジスタの出力側の位相とリセットパルスの位相とを容易に合わせることができる様にすることを目的とする。
【構成】 フローティングディフュージョンアンプ１を有するＣＣＤレジスタに於いて、駆動パルスＰ₁ ，Ｐ₂ の給電部をこのフローティングディフュージョンアンプ１側に設けたものである。 （もっと読む）