国際特許分類[H01B19/02]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択 (29,859) | 碍子または絶縁物体を製造するために特に使用される装置または方法 (97) | 乾燥;含浸 (2)
国際特許分類[H01B19/02]に分類される特許
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ダイヤモンド被覆構造体及びその製造方法
【課題】 ダイヤモンド皮膜と多孔性基材表面との間にボイドがないか、極めて少なく、また、多孔性基材表面にダイヤモンドの連続的な皮膜が形成された、生産性良く製造できるダイヤモンド被覆構造体、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のダイヤモンド被覆構造体は、多孔性基材が、一次粒子径が1〜20nmのナノダイヤモンド粒子を核として成長したダイヤモンド皮膜によって被覆されている。本発明のダイヤモンド被覆構造体は、一次粒子径が1〜20nmのナノダイヤモンド粒子を主体とする分散溶液を多孔性基材に付着させた後、ナノダイヤモンド粒子を核として成長させて製造できる。
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低誘電率絶縁体材料層の形成方法及び該方法で形成された層又はパターン
【課題】 塗布法又は印刷法により有機電子素子を形成するために用いる低誘電率絶縁材料層を低温で形成する方法、該方法で形成された層又はパターン及び有機電子素子を提供する。
【解決手段】 (a)基材上又は該電子素子を構成する導電層乃至は半導体層上に、フルオロポリマー分散体からなる第一の絶縁層形成材料を塗布又は印刷する工程、(b)フルオロポリマー分散体の乾燥皮膜を形成する工程、(c)フルオロカーボン共重合体溶液からなる第二の絶縁層形成材料を前記乾燥皮膜上に塗布又は印刷する工程、(d)フルオロカーボン共重合体溶液の乾燥皮膜を形成する工程を有する低誘電率絶縁体材料層の形成方法。
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