【課題】高密度データ記憶のための媒体を提供する。
【解決手段】データ記憶媒体は、マルチフェロイック薄膜と、マルチフェロイック薄膜中に形成された強磁性記憶ドメインとを含む。マルチフェロイック薄膜は、ＢｉＦｅＯ_３又は任意のその他の強誘電性および反強磁性材料の少なくとも１つを含むように形成される。強磁性記憶ドメインは、イオン注入プロセスによってマルチフェロイック薄膜中に形成される。データ記憶媒体を採用したデータ記憶システムもまた提供される。 （もっと読む）

【課題】電界によって分極と磁化を誘起し、その強度と方向を制御できるメモリ素子を提供する。
【解決手段】メモリ素子において、マルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、上下の金属電極２，２′に電界を印加するように配置し、上下の金属電極２，２′間に誘起される電荷、磁化を利用する。データの書き込みは、特定の選択されたビット線４とワード線５の間に印加する電圧による電界で分極を発生させることにより実現する。データの読み出しは、保持されている電気分極に起因する電圧強度で０もしくは１を判定すればよい。データの消去は、そのメモリセル３へ印加する電圧の符号を先に印加した電圧と反転させ、一定の強度を与えればよい。一方、分極発生すると同時に磁化６が発生する。この磁化６は磁界７をメモリセル３の外部に及ぼす。このことからメモリセル３の情報に相応した磁界を発生し得るアクティブ型メモリ素子を提供することができる。 （もっと読む）