【課題】高い効率で電子を放出し得るダイヤモンド電子放出素子を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板（１）と、前記ダイヤモンド基板上に形成され、第１の濃度でｐ型不純物を含有する高濃度ｐ型ダイヤモンド層（２）と、前記高濃度ｐ型ダイヤモンド層の上に形成され、前記第１の濃度より小さい第２の濃度でｐ型不純物を含有する低濃度ｐ型ダイヤモンド層（３）と、前記低濃度ｐ型ダイヤモンド層の一部に形成されたｎ型半導体領域（５）と、前記低濃度ｐ型ダイヤモンド層および前記ｎ型半導体領域の上に跨って形成され、前記低濃度ｐ型ダイヤモンド層および前記ｎ型半導体領域が部分的に露出された開口部を有する絶縁層（７）と、前記絶縁層の上に形成されたゲート電極（８）と、前記開口部に延出して前記絶縁膜の下に配置された電子放出抑制領域（６）と、前記開口部の表面を覆う水素終端面（９）とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子線励起ディスプレーなど次世代の電子装置に広く応用される高効率、低電圧で動作し、容易に集積化できる電子放出素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。表面電極下の表面ＧａＮ層を電子放出部の表面ＧａＮより厚くすることにより、電子放出部のみに共鳴トンネルを生じさせ、効率的な電子放出がおこなえる。 （もっと読む）

【課題】電子線励起ディスプレイなど次世代の電子装置に広く応用される高効率、低電圧で動作し、容易に集積化できる電子放出素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界を効率的に素子表面部に加えて電子放出を行う電子放出素子及び光電素子に関するもので、素子構造は、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ及びＧａＮの３層構造からなり、素子の外部の電極を用いずにＧａＮ表面に電子引き出し用電極を配置することにより、低い駆動電圧で動作する電子放出源となる窒化物半導体電子放出素子。 （もっと読む）