国際特許分類［H01L21/205］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置 (97,574) | 不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期律表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 基板上への半導体材料の析出，例．エピタキシャル成長 (11,073) | 固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの，すなわち化学的析出を用いるもの (7,439)
国際特許分類［H01L21/205］に分類される特許
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半導体基板の製造方法
縦型熱処理装置
処理装置
ａ−ｓｉｃ：Ｈ薄膜の形成方法
プラズマ処理装置
熱処理装置
成膜装置
反応器チャンバー自己清掃方法
偏光解析データからの空間的に変化する誘電性関数の抽出
半導体薄膜(10)の成長中に得られた偏光解析データから誘電率を求め、求めた誘電率を利用して成長環境を調整することにより、成長膜の組成を制御する装置およびその方法。三相モデルでの薄膜の厚さに関する疑似誘導関数の導関数の式を使用し、その式は膜の厚さの最初の位数に対して完全である。式は、均一薄膜の誘電関数に関して二次であり、さらに薄膜の下層にある均一基板(12)の誘電関数に依存する。測定された疑似誘電関数値は、基板の誘電関数に代入すると、式は薄膜の誘電関数を解く。 （もっと読む）
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