国際特許分類［H01L21/38］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置 (97,574) | 不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない２１／０６，２１／１６および２１／１８に分類されない半導体本体を有する装置 (844) | 半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料，例．ドーピング材料，電極材料，の拡散 (6)
国際特許分類［H01L21/38］の下位に属する分類
気相から固体へのまたは固体から気相への拡散を用いるもの (1)
固相，例．ドープされた酸化物層，から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの (4)
液相から固体へのまたは固体から液相への拡散を用いるもの，例．合金拡散法
国際特許分類［H01L21/38］に分類される特許
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ｎ型半導体ダイヤモンドおよびその製造方法
【課題】ダイヤモンド半導体膜へのＶ族元素のドーピング効率を向上させて、電子素子への実用に供することが可能なダイヤモンドのｎ型半導体膜を提供する。
【解決手段】気体におけるＡｓと炭素Ｃとの比率（Ａｓ／（Ａｓ＋Ｃ））が２ｐｐｍ〜５０００００ｐｐｍの範囲になるように炭素を含む原料ガスとＡｓドーパントガスを用い、マイクロ波パワーが３５０Ｗから７５０Ｗの範囲にあり、基板表面温度が７００℃から９００℃の範囲にあり、Ａｓ流量が１マイクロモル毎分から７５０マイクロモル毎分までの範囲にあるマイクロ波プラズマ化学気相堆積（ＣＶＤ）法によりｎ型ダイヤモンドが得られる。マイクロ波パワーが３５０Ｗから７５０Ｗの範囲で、移動度は２００ｃｍ2／（Ｖｓ）程度になり、ｎ型伝導が実現さる。ドーパントとしてＡｓの代わりにＳｂを用いても同様の効果が得られる。
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