【課題】トランジスタに用いることが可能な、低抵抗領域を有する酸化物半導体膜を提供する。また、高速動作が可能な、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを生産性高く提供する。また、高速動作が可能な、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する高性能の半導体装置を生産性高く提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上に還元性を有する膜を成膜し、次に酸化物半導体膜から還元性を有する膜へ酸素の一部を移動させ、次に還元性を有する膜を介して酸化物半導体膜に不純物を注入した後、還元性を有する膜を除去することで、酸化物半導体膜に低抵抗領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】良好なｐｎ接合を容易に形成することが可能なＺｎＯ系の酸化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この酸化物半導体素子では、ＺｎＯからなるｎ型の単結晶基板１の上面に、ＺｎＯからなるｐ型の多結晶薄膜２が形成されている。また、ｎ型の単結晶基板１の下面には、Ａｌからなる電極８が形成されており、ｐ型の多結晶薄膜２の上面には、Ａｕからなる電極９が形成されている。 （もっと読む）

【目的】ペロブスカイト構造の酸化物層をキャリア走行領域とするペロブスカイト構造の酸化物層を有する酸化物素子の製造方法及び誘電体ベーストランジスタの製造方法に関し、酸化物層の表層の導電率を調整する工程を含むペロブスカイト構造の酸化物層を有する酸化物素子の製造方法及び誘電体ベーストランジスタの製造方法を提供すること。
【構成】電子用ドープ元素がドープされたペロブスカイト構造の第一の酸化物層１７と正孔ドープ用元素がドープされたペロブスカイト構造の第二の酸化物層１８を重ねて形成する工程と、熱処理によって前記電子ドープ用元素と前記正孔ドープ用元素を相互拡散させて第一の酸化物層１７と前記第二の酸化物層１８の少なくとも界面近傍の層のキャリアを変化させる工程とを含む。 （もっと読む）