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国際特許分類[H01L21/47]の内容

国際特許分類[H01L21/47]に分類される特許

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【課題】基板の裏面洗浄を確実に行うことができる洗浄方法、塗布方法、現像方法及び回転処理装置を提供する。
【解決手段】一方面に基板1を周縁部が突出した状態で保持すると共に、前記一方面3の面内方向で回転される回転部材21と、前記回転部材21に設けられて洗浄液100を前記基板1の前記回転部材21に保持された保持面2側に供給する洗浄ノズル26と、前記洗浄ノズル26に前記洗浄液100を供給する洗浄液供給部27と、を具備する回転保持治具20を用いて、前記基板1を回転させながら前記洗浄ノズル26から前記基板1の前記保持面2aに前記洗浄液100を供給して、前記基板1の前記保持面2aを洗浄する。 (もっと読む)


【課題】 十分な信頼性および電子素子特性が得られ、低コストかつ容易に微細なパターンの形成が可能となる電子素子、その製造方法、該電子素子を有する表示装置および演算装置を提供すること。
【解決手段】 ポリイミド材料を絶縁材料として有する電子素子において、前記ポリイミド材料のイミド化率が80%以上であり、かつ前記ポリイミド材料中に残存するジカルボン酸無水物が3%以下である電子素子と、ポリイミド材料を絶縁材料として有する絶縁層を備えた電子素子の製造方法において、前記ポリイミド材料を使用するとともに、前記絶縁層が、ポリイミド材料の前駆体を塗布し加熱することにより形成され、前記加熱が、湿度1%以下の低湿度環境下で行われる方法と、前記電子素子を用いたことを特徴とする表示装置および演算装置。 (もっと読む)


【課題】 電子特性及び信頼性の優れた有機半導体素子を提供する。
【解決手段】
ペンタセン薄膜と、このペンタセン薄膜を覆って保護する保護層とを、シリコン基板上に形成して、トランジスタを形成した。この保護層は、プラズマ重合法によりナフタレンを重合して得られる絶縁性のナフタレン重合体薄膜である。 (もっと読む)


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