【課題】高い制御技術や長い処理時間を必要としない、低コストで高品質なシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウエハを提供する。安価なＳＯＩウエハにより、消費電力を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の第一は、半導体基板上に、第一の絶縁層と、当該絶縁層上に形成された単結晶半導体層と、当該単結晶半導体層上に形成された半導体ナノ結晶層と、当該半導体ナノ結晶層上に形成された第二の絶縁層を有する多層ウエハ構造体に於いて、第二の絶縁層側からレーザー照射を行い、第二の絶縁層とその他の多層ウエハ構造体を分離せしめることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の発熱に起因する半導体集積回路装置の温度上昇を低減する。
【解決手段】多層配線構造を備えた半導体集積回路装置において、多層配線構造を構成する接続孔及び金属配線層と同じ導電材料からなり、信号伝送用の接続孔及び金属配線層（領域Ｃ参照）とは異なる経路で上層側に延びる熱伝導部３３，３５，３７を備えている（領域Ａ，Ｅ，Ｆ参照）。領域Ａにおいて、完全空乏型ＳＯＩトランジスタのゲート動作により発生した熱は、コンタクト層１９、メタル配線層Ｍ１、ビア層２１、メタル配線層Ｍ２に伝導され、さらに熱伝導部３３を介して最上層のメタル配線層Ｍ６まで伝導され、絶縁層１７の上面側から放熱される。これにより、半導体集積回路装置の温度上昇を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧トランジスタにおけるコレクタ抵抗、ベース抵抗、又はドレイン抵抗を低抵抗化して高速化を達成し、高耐圧化と高速化を両立させることが可能なバイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、及び相補型バイポーラトランジスタ並びにこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 高耐圧Ｖ−ＮＰＮトランジスタ３５はＳＯＩ基板を用いた誘電体分離構造となっている。素子分離用のトレンチ溝内にはＡＳＳＧ膜２８が充填されている。ＡＳＳＧ膜２８に含有されているＡｓが隣接する厚さ１５μｍ程度のＮ型コレクタ領域２５に拡散して、Ｎ⁺ 型コレクタプラグ層２９が形成されている。そして、このＮ⁺ 型コレクタプラグ層２９によってＮ型コレクタ領域２５底面部のＮ⁺ 型コレクタ埋め込み層２４とＮ型コレクタ領域２５表面のＮ⁺ 型コレクタコンタクト領域２１とが接続され、コレクタ抵抗が低抵抗化されている。 （もっと読む）

【課題】 溝分離用の酸化膜の縁部の窪みを低減する。
【解決手段】 パッド酸化膜２と窒化膜３とが形成された基板１の素子分離領域に溝２１を形成し、この溝２１に素子分離用のシリコン酸化膜５をＣＶＤなどにより形成する。このシリコン酸化膜５を表面が窒化膜３と面一になる程度まで硬質の研磨パッドを用いたＣＭＰにより研磨して平坦化し、次に、軟質な研磨パッドを用いたＣＭＰにより、シリコン酸化膜５の中央部が縁部よりも低くなるように加工する。続いて、シリコン窒化膜３をエッチングにより除去し、さらに、パッド酸化膜２を除去すると共にシリコン酸化膜５が基板１とほぼ面一となるようにシリコン酸化膜をエッチングする。 （もっと読む）

【目的】 トレンチ素子分離技術を利用する場合において、トレンチエッジに窪みが形成される問題、及びこれに伴うトランジスタ特性上の問題を解決した素子分離方法、素子分離構造、この素子分離技術を利用した半導体装置の提供。
【構成】 ■素子間にトレンチ１を形成して該トレンチ１にＳｉＯ₂ 等の絶縁材２を埋め込んで素子間分離を行う際、絶縁材２を埋め込んだトレンチ１の上縁部に窪み４を形成し、該窪みに前記絶縁材２とエッチング比のとれるＳｉ₃ Ｎ₄ 等の絶縁材料５を埋め込む。■半導体基板３に拡散層とゲート構造を備える素子を少なくとも１つ備え、素子間にトレンチ１を形成して該トレンチ１に絶縁材２を埋め込んで素子間分離を行い、絶縁材２を埋め込んだトレンチ１の上縁部に該絶縁材２とエッチング比のとれる絶縁材料５を形成し、該材料５は拡散層に影響を及ぼす位置を避けて形成する。 （もっと読む）

【目的】 ポリシリコン膜を有しない張り合わせによるＳＯＩ構造の半導体基板を得る。その製造工程を簡略化する。
【構成】 活性層基板Ａの少なくとも片面に段差を有する酸化シリコン膜１３を形成し、酸化シリコン膜１３を、コロイダルシリカを主成分とする研磨剤を用いて剛体定盤により研磨する。研磨された接合面１３ａに支持基板Ｂの鏡面を重ね合わせてこれらを張り合わせ、ＳＯＩ構造のシリコンウェーハを得る。接合用に形成されていた酸化シリコン膜上のポリシリコン層を省略することができる。湿式コロイダル法の真球コロイダルシリカを用い、まず平均粒径７０ｎｍの研磨剤を用い、二酸化シリコン膜表面の平坦化研磨を行う。研磨レートを高めかつ大きな段差の除去を行う。次に、平均粒径が３０ｎｍのコロイダルシリカの研磨剤で研磨する。 （もっと読む）

【目的】 光透過性基板等の絶縁性基板上に、結晶性が単結晶ウェハー並に優れたＳｉあるいは化合物半導体単結晶層を得るうえで、生産性、均一性、制御性、コストの面において卓越した半導体基板の作製方法を提案する。
【構成】 多孔質層１２を有する第１の基体１１の前記多孔質層１２上に非多孔質単結晶半導体層１３を形成する工程（ａ），（ｂ）、前記非多孔質単結晶半導体層１３を第２の基体（１４，１５）と貼り合わせる工程（ｃ）、前記貼り合わせて構成された基体を前記多孔質層１２において分離する工程（ｄ）、前記分離された第２の基体（１４，１５，１３）上に配された多孔質層１２を除去する工程（ｅ）、及び前記分離された第１の基体１１を構成する多孔質層１２を除去する工程を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。 （もっと読む）