【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタにＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層においてチャネル保護膜と重なる領域の膜厚が導電膜と接する領域の膜厚よりも厚くなる特徴的な構造とする。 （もっと読む）

【目的】 ＳＯＩ型半導体装置において、電極間及び配線間のクロストークを防止し、素子の高集積化を可能とする。
【構成】 表面絶縁層を有する基体１０１上に半導体層を有するいわゆるＳＯＩ型半導体装置であって、配線層１０５が形成されている領域に対応する領域１０２ｂにおいて、前記絶縁層の膜厚を、前記半導体層が形成されている領域に対応する領域１０２ａの膜厚よりも薄くすることにより、電極間および配線間のクロストークを防止し、素子を高集積化することができる。 （もっと読む）