国際特許分類[H01L23/15]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体または他の固体装置の細部 (40,832) | マウント,例.分離できない絶縁基板 (9,861) | 材料またはその電気特性に特徴のあるもの (925) | セラミックまたはガラス基板 (243)
国際特許分類[H01L23/15]に分類される特許
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低誘電率ガラスセラミック多層配線基板およびその製造方法
【目的】 低誘電率ガラスセラミック多層配線基板の表面にメッキを施したり、I/Oピンをろう付けする際に発生していたクラックを防止し、しかも信号伝搬特性を損ねることなく信頼性の高いガラスセラミック多層配線基板を得る。
【構成】 ドクターブレード法で得た比誘電率の異なる2種のグリーンシートにスクリーン印刷法でメタライズした後、低誘電率のセラミック層を内層部に、また機械的強度の比較的高い高誘電率のセラミック層を基板の表裏両外層部に積層して焼成したサンドイッチ構造となっている。
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半導体素子用パッケージ
半導体素子用パッケージ
【目的】ムライトセラミックで構成され、且つ高速性および高放熱性に優れた大チップ搭載可能な半導体素子用パッケージを低コストで実現させる。
【構成】ムライトセラミックからなる配線基板13の半導体素子が搭載される基板部に高熱伝導性のサーマルビア15を設けることにより、半導体素子11から発生する熱を放熱フィン17を介して半導体素子用パッケージの外気へと効率良く伝え、放熱する。また、タングステンやモリブデンを主成分としたサーマルビアは、ムライトセラミックの積層型のパッケージを形成する際のグリーンシート積層工法を利用して同時に形成できるため、低コストで実現できる。さらにタングステンやモリブデンはムライトと熱膨張整合性が良いため熱機械的信頼性が高い。
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