【目的】 ワイヤボンディング方式、ＴＡＢ方式を採用しないで、配線長の極めて短い電気特性の良好な小型、薄型で高密度で、しかも低コスト、高信頼性のスタックモジュール半導体パッケージの構造および製造方法を提供する。
【構成】 配線導体３が形成されたセラミックキャリア基板もしくはフレキシブルキャリアフィルム２に微小バンプ４を介してＬＳＩチップ１が実装されている。封止樹脂７を注入して、チップを研磨により薄くし、配線導体３から電気的に接続されたスルーホール５を介してバンプ４で各キャリアフィルムを接続し、三次元スタックモジュールを構成する。 （もっと読む）

【目的】 基板の両面に半導体素子を搭載して基板面を有効に利用して実装密度を上げることができ、且つ放熱の良好なマルチチップ・モジュール用基板を得ることを目的とする。
【構成】 放熱用の金属板２３を少なくとも２枚のアルミナ積層基板２１、２２で挟んで同時焼成して一体化し、両面に半導体素子２６を実装した基板２０と、内部にサーマルビア３２を有し且つ前記基板２０を実装した際に基板２０の金属板２３の少なくとも一部が該サーマルビア３２に接続するように構成したセラミックパッケージ２９と、前記サーマルビア３２に接続するように該セラミックパッケージ２９に取付けられた放熱部材３６とを含んでなることを特徴とするマルチチップ・モジュールである。 （もっと読む）

【目的】 現行の半導体モジュールの構成要素の変更を最小限にとどめながら、モジュールの熱抵抗を低減、高い配線接続信頼性、さらにはサイズのコンパクト化と配線インダクタンスの低減を目的とする。
【構成】モジュール基板たる金属板１０３の表面に絶縁板１０４を有し、その絶縁板の表面にある電極たる金属膜１０５に対し、パワーデバイスチップ１０１の活性領域面側の表面にある電極１１５を、半田１１０などで直接接続することで配線信頼性が向上し、かつ、活性領域で発生する熱をパワーデバイスチップ自体を通さず直接モジュール側に伝えるのでモジュールの熱抵抗が低減する。 （もっと読む）

【目的】外形を小形化し、スイッチングを高速化しても、効率の低下を防ぐ。
【構成】冷却水で冷却されるブロック10Ａの表面に絶縁板３Ａ，３Ｂを設ける。絶縁板の表面には、Ｐ側端子５Ａの電極板部４Ａを密着固定し、絶縁板３Ｂの表面には、電極板４Ｂを密着固定する。電極板部４Ａと電極板４Ｂの表面には、ＩＧＢＴ１とフライホイールダイオード２を隣接して設ける。電極板部４Ａの外側端部と電極板４Ｂの外側端部には、ゲート電極板６Ａをそれぞれ設ける。 （もっと読む）