【課題】動作温度や環境温度等の上昇に伴う素子特性や信頼性の低下等を抑制する、パワー半導体素子や熱電素子等の実装基板として用いられるセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス回路基板１は、セラミックス基板２の表面２ａに接合された金属回路板３を有する。セラミックス基板２の表面２ａには、金属回路板３を囲うように金属枠体５が接合されている。金属枠体５は少なくとも角部がＲ形状を有する枠形状を備えている。セラミックス回路基板１の金属回路板３上にはパワー半導体素子や熱電素子等の電子部品が実装される。実装部品は金属枠体５上に蓋体を接合して気密封止される。 （もっと読む）

【課題】高い使用温度で使用された場合であっても回路基板からの電子部品やベース板等の剥離が抑制され、信頼性に優れた電子部品搭載回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミックス基板の両面に金属板が接合された回路基板と、前記回路基板の少なくとも一方の金属板に接合された電子部品とを有する電子部品搭載回路基板の製造方法であって、前記電子部品は、少なくとも１２５℃で動作可能である電子部品であり、前記金属板に塗布された前記電子部品搭載回路基板の使用温度よりも高い融点を有するろう材に接触、配置された後、前記融点前後に加熱されることにより接合されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）