【課題】歪が十分に緩和された半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上面に複数の帯状の溝部１０Ａが設けられている。複数の溝部１０Ａは、リッジ部２７との対向部分（帯状領域２７Ａ）の両脇に、帯状領域２７Ａに沿って設けられている。各溝部１０Ａの、共振器方向の長さＬ₁は、共振器長をＬ₃としたときに、Ｌ₃／２よりも短くなっている。基板１０の上面には、溝部１０Ａによってリッジ部２７の延在方向から挟まれた領域（溝未形成方形領域１０Ｂ）が存在している。各溝未形成方形領域１０Ｂの、共振器方向の長さＬ₂は、Ｌ₃／３以下となっている。 （もっと読む）

【課題】ファーフィールドパターンのアスペクト比を調整可能なIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】レーザダイオードＬＤでは、活性層６９の屈折率がブロック層７６のIII族構成元素それぞれのモル比によって規定される単結晶III族窒化物半導体の屈折率より大きい。レーザダイオードＬＤにおいて、活性層６９がｎ型III族窒化物半導体クラッド層６５と及びｐ型III族窒化物半導体クラッド層７３との間に配置されると共に活性層６９の第１の部分６９ａ及びブロック層７６が法線軸Ｎｘに交差する基準面に沿って配列されるので、２つのクラッド層６５、７３及びブロック層７６の利用により、活性層６９の上下左右に低屈折率の領域を配置できる。 （もっと読む）

【課題】柱状構造近傍の絶縁保護膜の剥離を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１２と、バッファ層１４を含むｎ型の下部ＤＢＲ１６と、活性層２０と、ｐ型の上部ＤＢＲ２２と、上部ＤＢＲ２２から下部ＤＢＲ１６至る半導体層をエッチングして形成されたポストＰと、ポストＰの底部において絶縁保護膜２６の開口部２６Ｂを介してバッファ層１４に至るコンタクト溝３２と、バッファ層１４に電気的に接続されるｎ側電極３４と、ポストＰの頂部において絶縁保護膜２６の開口部２６Ａを介して上部ＤＢＲ２２に電気的に接続されるｐ側電極２８と、コンタクト溝３２とポストＰとの間の下部ＤＢＲ１６に形成された絶縁保護膜の剥離を防止する剥離防止溝５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの高い半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、（１）ＩｎＰ基板上に、第１導電型のＩｎＰクラッド層、活性層、第２導電型のＩｎＰクラッド層、及び、キャップ層を形成する工程と、（２）キャップ層上に、誘電体膜を形成する工程と、（３）誘電体膜をマスクとして、エッチングにより、第１導電型のクラッド層、活性層、及び、第２導電型のＩｎＰクラッド層を含むメサ構造を形成する工程と、（４）メサ構造の側面に埋込層を形成する工程と、（５）誘電体膜を除去する工程と、（６）前記メサ構造上のキャップ層を除去する工程と、（７）キャップ層を除去する工程により生成された生産物をふっ酸を含む溶液に浸漬する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥をより低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】基板法線方向から見て閉じた形状の窪み１０４が表面に設けられた基板１０２と、少なくとも窪み１０４の内面１０５、１０６、１０７からの結晶成長によって基板１０２の表面上に形成された半導体層１０３とを備えた半導体装置である。半導体層１０３は、基板１０２に設けられた窪み１０４の内部に位置する３枚の側面１０５、１０６および１０７からの結晶成長によって形成されているため、基板１０２の主面の法線方向とは異なる方向に半導体層１０３が結晶成長して欠陥が１カ所に集合するようになり、その結果、３枚の側面１０５、１０６および１０７の上部にある半導体層１０３の欠陥密度を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの特性において良好な温度特性、高い偏光比、乱れのないＦＦＰ、高いキンク光出力の全てを満足し得る半導体レーザを実現する。
【解決手段】ｎ型クラッド層と、活性層と、ストライプ状のリッジと、リッジの一方の側に存在する第１の溝及び他方の側に存在する第２の溝をそれぞれ挟んで設けられたウィング領域とを有するｐ型クラッド層とを備える。前端面の反射率Ｒｆ、共振器端面の後端面の反射率Ｒｒ、前端面近傍領域における第１の溝の幅の最小値Ｗ１及び第２の溝の幅の最小値Ｗ２、後端面における第１の溝の幅Ｗ３及び前記第２の溝の幅Ｗ４とすると、Ｒｆ＜Ｒｒ、Ｗ１＜Ｗ３、及び、Ｗ２＜Ｗ４の関係式が成立し、前端面におけるリッジの幅Ｗｆ、後端面におけるリッジの幅Ｗｒとすると、Ｗｆ＞Ｗｒの関係式が成立し、リッジは、前端面側から後端面側に向かって幅が減少する領域を含む。 （もっと読む）

【課題】内部電流狭窄層を有する埋込型の窒化物半導体レーザ装置において、電気抵抗の上昇に伴う動作電圧の増大を抑制して、安定な動作特性が得られるようにする。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板１００上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０２、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０３、活性層１０４、ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０５、ｎ型不純物を含むＡｌＧａＮ第１電流狭窄層１０６、ｎ型不純物を含むＡｌＧａＮ第２電流狭窄層１０７、ｐ型ＧａＮ第１再成長層１０８、及びｐ型ＡｌＧａＮ第２再成長層１０９が順次形成されている。第１電流狭窄層１０６はストライプ状の第１開口部１１１を有する。第２電流狭窄層１０７は、第１開口部１１１と接続し且つ活性層１０４から離れるに従って拡がっていく第２開口部１１２を有する。第１開口部１１１の側壁の基板主面に対する傾斜角は５８°よりも大きく、第２開口部１１２の側壁の基板主面に対する傾斜角は５８°以下である。 （もっと読む）

【課題】基板が発光波長に対して透明である場合に確認される基板由来の導波モードが関わる発振波長の強度変調を抑制し、優れた光出力直線性と外部共振器との結合特性を示す発光素子を提供すること。
【解決手段】発光波長に対して透明な基板１、該基板上に形成され該基板と同じ導電型を示す第１導電型クラッド層４、および該第１導電型クラッド層上に形成された活性層構造５を有する屈折率導波型の発光素子であって、前記基板と前記第１導電型クラッド層の間に第１導電型低屈折率層３が形成されており、かつ、前記基板の発光波長に対する屈折率ｎ_sub、前記第１導電型クラッド層の発光波長に対する平均屈折率の実数部分ｎ_clad1、および前記第１導電型低屈折率層の発光波長に対する平均屈折率ｎ_LIL1が以下の関係式（式１）を満足することを特徴とする発光素子。 （式１） ｎ_sub ＞ ｎ_clad1 ＞ ｎ_LIL1 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でレーザ光を検知することの可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザ装置１０では、半導体層２２のうちｐ側電極３３と対応する受光領域Ｌ３で、発光光の一部が吸収され電流信号に変換される。電流信号の大きさは、出射されるレーザ光の出力の大きさと所定の相関関係を有するので、例えば、電流信号を光出力モニタ信号として光出力演算回路に入力することにより、出射されるレーザ光の出力の大きさをその光出力演算回路で演算することができる。つまり、半導体レーザ装置１０は、受光領域に光検出機構を内蔵する半導体レーザ２０を備えており、光検出機構を半導体レーザとは別個に設ける必要がない。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザ装置において、高速性と高信頼性を同時に実現する。
【解決手段】 半導体基板10と、該半導体基板10上に積層された下部クラッド層2と、該下部クラッド層2の上側に積層された活性層3と、該活性層3の上側に積層されて、共振器軸に沿って延びるストライプ状リッジをなす上部クラッド層6と、ストライプ状リッジの両側に形成されて、該ストライプ状リッジ領域に選択的に電流注入させる電流阻止層9と、上部クラッド層6および電流阻止層9の上方に形成されて電極と接触する、上部クラッド層と同一の導電性を有する半導体層10と、該半導体層10の上において、少なくともストライプ状リッジの上方領域を除いて積層された誘電体絶縁層20と、該誘電体絶縁層20の全面または一部領域、および半導体層の10上に形成された電極21とを備えてなる半導体レーザ装置において、半導体層10の不純物濃度を１×10¹⁸／ｃｍ³以下とする。 （もっと読む）