電圧制御発振器（ＶＣＯ）に対するＲＦバッファ回路は、出力電圧波形の位相を選択的にフリップするために、ダイナミックバイアス回路を含んでいる。ＣＭＯＳインプリメンテーションにおいて、ＰＭＯＳ／ＮＭＯＳペアは、出力パス内に採用される。ハイ（電圧）スイングモード状態の最中に、出力の位相は、出力波形がＰＭＯＳ／ＮＭＯＳペアのゲートに出現する電圧に対して同相となるようにフリップされる。本技術は、それによって、ゲート−ドレイン間電圧を減少させ、低位相ノイズ及び低消費電力にしたがった構成内のＭＯＳデバイスの改善された信頼性を許容する。
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【課題】従来の電力増幅装置は、増幅する信号レベルに応じて電源電圧を変化させることにより、電力消費削減を図っていたが、回路が複雑でコストがかかり、さらにホームシアターシステムに利用した場合、音声に遅延が生じることから映像との同期ずれが生じてしまう。
【解決手段】低域用電力増幅回路と中・高域用電力増幅回路の入力信号の音量を調整するボリュームと、音量を制御するとともにボリューム位置検出信号を出力するボリューム制御回路と、低域電力増幅回路の出力信号の振幅を検出する信号レベル検出回路と、低域用電力増幅回路と中・高域用電力増幅回路に電源を供給する電圧可変電源回路と、信号レベル検出回路の検出結果とボリューム制御回路から出力されるボリューム位置検出信号に基づいて、電圧可変電源回路の電圧を制御する電源電圧制御回路とを構成することにより、電力消費の削減及び音声遅延の回避を達成する。 （もっと読む）

【課題】製品適用への必須条件である温度変化などの環境変化時の抵抗調整を自動で行うことができる技術を提供する。
【解決手段】半導体回路において、非線形の抵抗特性を持つ回路と同一の特性を持つインピーダンス調整回路４０は、基準抵抗との動作点をフィードバック制御で自動的に求める動作点算出回路５０と、この動作点算出回路５０で求めた動作点でのインピーダンスを算出するインピーダンス算出回路６０とを有する。さらに、インピーダンス算出回路６０で算出されたインピーダンスが所定範囲内に入っているか否かを判断するインピーダンス判定回路を有する。これらの動作点算出回路５０、インピーダンス算出回路６０およびインピーダンス判定回路は、それぞれＨｉｇｈ側インピーダンス調整用とＬｏｗ側インピーダンス調整用とを有する。 （もっと読む）

【課題】 増幅器の入力インピーダンスに制限を加えず、入力オフセット電圧Ｖｏｆｓによる増幅段数の制限をなくし、信号入力経路に悪影響を及ぼすことがないようにした四端子二重絶縁ゲート電界トランジスタを用いたＣＭＯＳ増幅器、それを用いた多入力ＣＭＯＳ増幅器、高利得多入力ＣＭＯＳ増幅器、高利得高安定多入力ＣＭＯＳ増幅器および多入力ＣＭＯＳ差動増幅器を提供することにある。
【解決手段】 Ｐ形およびＮ形の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを用い、それぞれのドレインを共通接続して出力端子とし、それぞれの第一のゲートを接続して第一の入力端子とし、それぞれの第二のゲートを接続して第二の入力端子とするＣＭＯＳ増幅器を構成する。このＣＭＯＳ増幅器を複数個用い、その各出力端子を接続して一つの出力端子とし、各ＣＭＯＳ増幅器の入力端子は同複数個の２倍の独立した入力端子として用いて多入力ＣＭＯＳ増幅器を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣオフセットの除去及びゲイン制御を可能とし、カットオフ周波数を上昇し、動作周波数帯域制限を緩和する。
【解決手段】入力端子101と、ＶＤＤとＧＮＤとの間に、バイアス電流供給回路102と、ＰＭＯＳトランジスタ103と、ＮＭＯＳトランジスタ104及びＮＭＯＳトランジスタ105を直列に接続し、ＮＭＯＳトランジスタ105のゲートに最適電圧を供給するＤＣオフセット補正回路106とからなるＣＭＯＳインバータ回路107を有し、ＰＭＯＳトランジスタ103のドレインとＮＭＯＳトランジスタ104のドレインの接続点と、ゲートに制御電圧Ｖｇ１が供給されるＮＭＯＳトランジスタ113と、ゲートに制御電圧Ｖｇ２が供給されソースがＮＭＯＳトランジスタ113のドレインに接続されたＮＭＯＳトランジスタ111とからなるゲート接地回路115のＮＭＯＳトランジスタ113ドレインとＮＭＯＳトランジスタ114ソースの接続点との間にコンデンサ108が接続された回路構成とする。 （もっと読む）

Ｉ²Ｃバス応用向けのエッジレート制御回路装置(300)が、受信信号の状態遷移に応答する第１回路段(10, M1, M3)を具えている。さらに、第２回路段(310, 25, 20, 35, 45, M4, ESD)が受信信号の状態遷移に応答し、第２回路段は、受信信号の状態遷移に応答して起動されてＩ²Ｃバス用のエッジ遷移信号を供給する駆動回路(M4)、及びこの駆動回路を制御してエッジ遷移信号の遷移レートを調整すべく構成された調整回路(310, R1, R2, M0, M2)を含み、この遷移レートは第１回路段における受信信号の遷移レートより大きく、かつＩ²Ｃバス上での通信用に指定された最小遷移レートより大きく最大遷移レートより小さい。
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【課題】 低電圧で安定した増幅作用を行い得る反転増幅器を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＯＳ型回路のＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のソースＳｐ・ゲートＧｐ間にゲートバイアス発生手段としてのバイアス電源５をバイアス抵抗Ｒｂを介して接続し、このときのバイアス電源５を、（ＶＴＰ＋αｐ（≧βｐ））≦電源電圧ＶＤＤの直流電圧源とした。
ここで、ＶＴＰは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の閾値電圧、αｐは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の動作電圧、βｐはＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のゲートＧｐ・ソースＳｐ間にバイアス電圧（ＶＴＰ＋αｐ）が印加されているときにドレン電流Ｉｄｐが飽和するのに必要なドレン電圧である。 （もっと読む）