【課題】大電流量の電子ビームの発生を抑制して電子源の損傷を防止できるＸ線源を提供する。
【解決手段】Ｘ線源10は、透過ターゲット17を備えた真空容器14内に、電子源22を収納する。電源回路12の高電圧電源29から電子源22に高電圧を印加し、電子源22から透過ターゲット17に照射する電子ビーム21を発生させる。高電圧電源29と電子源22との間に保護手段36を設置し、保護手段36により電子ビーム電流量を制限する。 （もっと読む）

【課題】微小焦点Ｘ線管の陽極の温度上昇による焦点の移動量を制御可能とする。
【解決手段】Ｘ線管10には、微小焦点32を形成するための陰極12と陽極14を加熱するためにのみ用いられるエミッション陰極13の2つの陰極と、陽極14の2つの陰極12、13と対向する位置に第1のターゲット18と第2のターゲット19の2つのターゲットが設けられている。エミッション陰極13によって第2のターゲットに形成される焦点33の大きさは微小焦点32の大きさよりも大きくなっている。大きなエミッション陰極電流が得られるエミッション陰極13と微小焦点の陰極12を共用し、このエミッション陰極電流を制御することにより、従来の微小焦点Ｘ線管よりも大きなＸ線管電流を流して、陽極温度を素早く上昇し、また陽極温度を高温に維持する。その結果焦点移動量の変動を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】 曝射開始時の曝射量の不安定さを軽減することにより、被曝量をさらに軽減した技術を提供する。
【解決手段】 Ｘ線管に高電圧を印加するための高電圧電源とＸ線管のフィラメント電流を制御信号にしたがって制御するフィラメント電源部とを含むＸ線発生部とを有し、予め、Ｘ線管のフィラメント及びフィラメント電源部を含むフィラメント系の応答時間τを記憶しておき、Ｘ線発生部が被検体の周囲を回転周期Ｔｋ（位相：２π／Ｔｋ×ｔ）で回転するのに対して、Ｘ線制御部は、フィラメント電源部に、高電圧を印加する前に周期Ｔｘ（＝Ｔｋ／２）で前記応答時間τだけ早く変化する（位相：２π／Ｔｘ×（ｔ＋τ））フィラメント電流を印加させ、高電圧を印加後に周期Ｔｘで変化する管電流（位相：２π／Ｔｘ×ｔ）を流すよう制御することによって、Ｘ線の強度を変えて曝射する。 （もっと読む）

【課題】 過大な安全係数をもたせずにＸ線管にオーバーロードプロテクトをかけること。
【解決手段】 Ｘ線管１の温度を測定する温度センサ５と、Ｘ線管に設定される管電圧と管電流およびＸ線の曝射時間に基づき、Ｘ線管の温度上昇値を予測演算する演算器６と、この演算器で予測された温度上昇値と温度センサで測定される現在のＸ線管温度との和が、Ｘ線管の使用限界温度を越えないように、Ｘ線管のＸ線曝射休止時間を制御するＸ線制御装置７とを具備した。
これにより、Ｘ線管が限界温度に達するか否かを、実際に稼動中のＸ線管の温度と、Ｘ線の曝射条件に基づき演算した温度上昇値とから判定するので、過大な安全係数を加味せずに、Ｘ線管の実力ぎりぎりまで稼動させることができる。 （もっと読む）

Ｘ線システムの線量率（照射ｋＶ管電圧）を制御する制御器であり、ここで実際の線量率が測定されると共に、最適線量率と比較され、結果となる差分値がモジュール２０（例えばＰＩＤモジュール）に供給され、該モジュールは、前記差分値を最小化するように、前記線量率を（前記照射ｋＶ電圧を調整することにより）調整するように構成される。照射の前に入力されるべきプリセットパラメータは、必要とされない。
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ｘ線源アセンブリは、アセンブリに供給される電力レベルに基づいて電子が入射するスポットを有するアノードと、スポットで生成される発散Ｘ線を受け取り、アセンブリから出力Ｘ線を送るように結合された光学系とを含む。Ｘ線源アセンブリの動作中に出力Ｘ線の強度を動的に維持する制御系であって、アセンブリに供給される電力レベルを変更することにより、Ｘ線源アセンブリの少なくとも１つの動作条件が変化しても出力強度を維持する制御系が提供される。制御系は、例えばアセンブリに関連する電源を制御することにより、アセンブリに供給される電力レベルを変化させる少なくとも１つのアクチュエータを含むことができる。制御系は、出力強度を維持するためにアノードの温度および／または位置も変更することができる。

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