エレクトロクロミックミラー
【課題】反射膜に銀を用いても、エレクトロクロミック膜の変色が抑制されたエレクトロクロミックミラーを得る。
【解決手段】本エレクトロクロミックミラー１０では、エレクトロクロミック膜１６と、銀を含む導電性反射膜１８と、仕事関数が銀以下である金属からなる保護膜３６とを設けているため、エレクトロクロミック膜１６への銀の拡散が抑制され、エレクトロクロミック膜１６の黄変を抑制することができる。
【解決手段】本エレクトロクロミックミラー１０では、エレクトロクロミック膜１６と、銀を含む導電性反射膜１８と、仕事関数が銀以下である金属からなる保護膜３６とを設けているため、エレクトロクロミック膜１６への銀の拡散が抑制され、エレクトロクロミック膜１６の黄変を抑制することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、車両の後方確認用としてアウタミラーやインナミラーに用いられて電圧を印加することにより反射率を可変できるエレクトロクロミックミラーに関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１に開示されたエレクトロクロミックミラーでは、エレクトロクロミック膜と反射膜の間に透明なリチウムイオン透過膜が設けられている。これにより反射膜に含まれる銀がエレクトロクロミック膜に拡散することを防止し、エレクトロクロミック膜が着色することを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−８７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、エレクトロクロミック膜の着色は抑制できるものの、透明なリチウムイオン透過膜は一般に導電性が低く、十分な着色消色性を得ることが難しい場合があった。
本発明は、上記事実を考慮して、着色消色性を良好に保ちつつエレクトロクロミック膜の変色が抑制されたエレクトロクロミックミラーを得ることが目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーは、還元反応することで着色されるエレクトロクロミック膜と、前記エレクトロクロミック膜の厚さ方向一方の側に形成されて前記エレクトロクロミック膜を透過した光を反射すると共に導電性を有し、銀または銀を含む合金により形成された導電性反射膜と、前記導電性反射膜の厚さ方向一方の側で前記エレクトロクロミック膜とは反対側に設けられ、仕事関数が銀以下である金属を含んで形成された保護膜と、前記保護膜の厚さ方向一方の側で前記導電性反射膜とは反対側に設けられた導電性を有する導電性膜と、前記導電性膜の前記導電性反射膜の側で活性炭を含めて形成された導電性を有するカーボン膜と、リチウムイオンを含めて構成されて前記保護膜と前記導電性膜との間に封入され、前記導電性膜を正とし、前記導電性反射膜または前記保護膜を負として電圧を印加することで前記リチウムイオンが前記エレクトロクロミック膜の側へ移動して、前記エレクトロクロミック膜の還元反応に供される電解液と、を備えている。
【０００６】
請求項１に記載の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーでは、仕事関数が銀以下である金属を含めて形成された保護膜により、エレクトロクロミック膜への銀イオンの拡散を抑制し、エレクトロクロミック膜の変色が抑制される。
【０００７】
請求項２に記載の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーは、請求項１に記載の本発明において、前記銀よりも仕事関数が小さい金属は、モース硬度が４以下であることを特徴としている。
【０００８】
請求項２に記載の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーでは、モース硬度が４以下の金属を含んで形成された保護膜により、前記導電性反射膜の耐久性が向上し、導電性反射膜の白濁化が抑制される。
【０００９】
請求項３に記載の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーは、請求項１または請求項２に記載の発明において、前記銀よりも仕事関数が小さい金属は、ビスマスまたはスズであることを特徴としている。
【００１０】
請求項３の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーでは、ビスマスまたはスズを含んで形成された保護膜により、前記導電性反射膜の耐久性がさらに向上し、導電性反射膜の白濁化がより効果的に抑制される。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、本発明にかかるエレクトロクロミックミラーでは、エレクトロクロミック膜の変色が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のエレクトロクロミックミラーの構成例の概略を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１には本発明にかかるエレクトロクロミックミラーの構成の一例が概略的な断面図により示されている。
図１に示されるように、エレクトロクロミックミラー１０は表面側基板１２を備えている。表面側基板１２はガラス等により形成された透明の基板本体１４を備えている。前記基板本体１４を構成する材質は、ミラーの表面を構成するのに適する透明性（透光性）を有するものであれば特に制限はない。例えば、ガラス（無機ガラス）や樹脂を挙げることができる。
【００１４】
この基板本体１４の厚さ方向一方（図１の矢印Ｗ方向）側の面にはエレクトロクロミック膜１６が形成されている。エレクトロクロミック膜１６は、例えば、三酸化タングステン（ＷＯ３）や三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、又は、このような酸化物が含まれる混合物により形成されており、特に、本発明においては、三酸化タングステンによりエレクトロクロミック膜１６が形成されていることが好ましい。
また基板本体１４の厚さ方向に沿ったエレクトロクロミック膜１６の厚さには、特に制限はなく、例えば、３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲で設定することができる。本発明においては反射率低下の観点から、エレクトロクロミック膜１６の厚さは４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
前記基板本体上にエレクトロクロミック膜を形成する方法としては、特に制限なく通常用いられる方法を適用することができる。例えば、蒸着法、スパッタリング法等を挙げることができる。
【００１６】
このエレクトロクロミック膜１６の基板本体１４とは反対側の面には導電性反射膜１８が形成されている。この導電性反射膜１８は、導電性を有し、且つ、リチウムイオンの透過が可能な光沢を有する反射膜であって、銀または銀を含む合金から形成される。前記銀を含む合金は銀を主体としてその他の金属（好ましくは、カチオン透過性の高い金属材料）を含んで構成される。前記銀を含む合金を構成する銀以外の金属としては、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）等を挙げることができ、中でもパラジウム（Ｐｄ）を含む合金であることが好ましい。かかる態様であることで導電性反射膜のカチオン透過性が向上し、応答速度が向上する。
また、基板本体１４の厚さ方向に沿った導電性反射膜１８の厚さには特に制限はく、例えば、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で設定することができる。本発明においては、導電性と反射率の観点から、導電性反射膜１８の厚さは、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
前記導電性反射膜は、種々の物理的または化学的蒸着法によって作製（成膜）することができる。例えば、銀を含むターゲット材料を用意し、そのターゲット材料を用いて種々のスパッタリングを行なうことによって銀を含む導電性反射膜を前記エレクトロクロミック膜上に形成することができる。
【００１８】
また導電性反射膜１８のエレクトロクロミック膜１６とは反対側の面には保護膜３６が形成されている。この保護膜３６は、仕事関数が銀以下である金属を含むが、仕事関数が銀以下である金属のみからなることが好ましい。ここで仕事関数は、物質表面において、表面から１個の電子を無限遠まで取り出すのに必要な最小エネルギーを意味する。
保護膜３６が、仕事関数が銀以下ある金属を含んで形成されていることにより、導電性保護膜１８に含まれる銀のエレクトロクロミック膜１６中へ拡散が抑制され、銀によるエレクトロクロミック膜１６の変色を抑制することができる。
【００１９】
このことは例えば、以下のように考えることができる。エレクトロクロミック膜１６は銀よりも仕事関数が大きい物質（例えば、三酸化タングステン）で構成されるため、エレクトロクロミック膜１６と導電性反射膜１８の境界においては、導電性反射膜１８に含まれる銀原子の電子がエレクトロクロミック膜１６を構成する物質に捕獲され、銀原子が銀イオンになりやすい状態におかれている。銀イオンは銀原子よりも容易に移動できるため、エレクトロクロミック膜１６中へ拡散した銀イオンによりエレクトロクロミック膜の変色が発生しやすい。
これに対して、本発明においては導電性反射膜１８のエレクトロクロミック膜１６とは反対側の面に、仕事関数が銀以下である金属を含む保護膜３６が形成されているため、保護膜３６に含まれる金属原子からエレクトロクロミック膜１６と導電性反射膜１８の境界で生成する銀イオンに電子が供給され、導電性反射膜１８に含まれる銀のイオン化を抑制すると考えることができる。
【００２０】
前記保護膜３６に含まれる銀の仕事関数（４．６３ｅＶ）と比べて、仕事関数が銀以下である金属としては、ビスマス（Ｂｉ、４．３４ｅＶ）、スズ（Ｓｎ、４．４２ｅＶ）、モリブデン（Ｍｏ、４．５７ｅＶ）、アンチモン（Ｓｂ、４．６３ｅＶ）、ガリウム（Ｇａ、４．３２ｅＶ）、亜鉛（Ｚｎ、４．２７ｅＶ）、クロム（Ｃｒ、４．５０ｅＶ）、ニオブ（Ｎｂ、４．３３）、バナジウム（Ｖ、４．３０ｅＶ）、チタン（Ｔｉ、４．３３ｅＶ）、タングステン（Ｗ、４．６３ｅＶ）、セシウム（Ｃｓ、４．５０ｅＶ）、ホウ素（Ｂ、４．４５ｅＶ）、タンタル（Ｔａ、４．３０）等を挙げることができる。
中でも、エレクトロクロミック膜１６の変色抑制の観点から、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）であることが好ましい。
【００２１】
また本発明における保護膜３６に含まれる、仕事関数が銀以下である金属は、モース硬度が４以下であることが好ましい。モース硬度が４以下の金属を含んで保護膜３６を構成することで、導電性反射膜１８の白濁化を抑制することができる。これは例えば、保護膜３６がモース硬度４以下の軟らかい金属を含んで構成されることで、本発明のエレクトロクロミックミラーの繰返し使用による保護膜３６と面を接して構成される導電性反射膜１８における微細なひび割れ（クラック）の発生を抑制できるためと考えることができる。
仕事関数が銀以下であり、モース硬度が４以下である金属としては、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、セシウム（Ｃｓ）等を挙げることができ、中でもビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）であることが好ましい。
【００２２】
前記保護膜３６の厚さには特に制限はく、例えば、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で設定することができる。本発明においては、エレクトロクロミック膜１６の変色抑制と導電性反射膜１８の白濁化抑制の観点から、保護膜３６の厚さは、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
前記保護膜３６は、前記導電性反射膜１８と同様に、種々の物理的または化学的蒸着法によって作製（成膜）することができる。例えば、仕事関数が銀以下である金属（好ましくは、モース硬度が４以下の金属）を含むターゲット材料を用意し、そのターゲット材料を用いて種々のスパッタリングを行なうことによって、仕事関数が銀以下である金属を含む保護膜３６を前記導電性反射膜１８上に形成することができる。
【００２４】
以上の構成の表面側基板１２の厚さ方向一方の側には裏面側基板２４が表面側基板１２と対向するように設けられている。裏面側基板２４はガラス等により形成された透明の基板本体２６を備えている。この基板本体２６の厚さ方向他方、すなわち、表面側基板１２の側の面には導電性膜２８が形成されている。導電性膜２８は、クロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）等の金属や、インジウムチンオキサイド（Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ、所謂「ＩＴＯ」）や酸化スズ（ＳｎＯ２）、フッ素ドープ酸化スズ（ＳｎＯ２：Ｆ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ２）等、更にはこれらの混合物により形成されていることが好ましい。
前記導電性膜２８は、前記導電性反射膜１８と同様に、種々の物理的または化学的蒸着法によって作製（成膜）することができる。
【００２５】
この導電性膜２８の表面側基板１２の側の面には導電性を有するカーボン膜３０が形成されている。カーボン膜３０はグラファイト、カーボンブラック、及び活性炭から選ばれる少なくとも１種を含んで形成されるが、活性炭が５０重量パーセント以上含まれていることが好ましい。カーボン材料として活性炭を含むことで、電極の表面積が増大し、電子（電流）の流れがよりスムーズになり電圧ロスも少なくなる。また活性炭表面は、水素イオンを容易に発生させ得る触媒の好適な担持場所にもなる。
さらに、グラファイト等のカーボン材料を含むことによって、当該電極層における水素イオン吸収能を向上させ、電圧の印加を解除した際にエレクトロクロミック膜から電解液への水素イオンの移行を促進することができる。さらに、活性炭やグラファイトとともにカーボンブラックを含むことにより、カーボン電極を構成する主要構成要素（活性炭、グラファイト等）同士の電気的接触度合いを向上させることができる。
前記カーボン膜３０は、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、およびアクリル樹脂等の合成樹脂材の少なくとも１種をバインダーとしてさらに含んでいることが好ましい。
【００２６】
基板本体２６の厚さ方向に沿ったカーボン膜３０の厚さ寸法は、５０μｍ以上であることが好ましい。
また前記カーボン膜３０の形成方法としては、例えば、数種のカーボン材料（例えば、上述した活性炭、グラファイト及びカーボンブラック）を適当なバインダー（例えば、カルボキシメチルセルロースのようなセルロース系バインダー、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の合成樹脂系バインダー）とともに混合し、ドクターブレード法のような周知の方法によって、導電性膜２８が形成された裏面側基板２６上に塗布し、適当な温度（例えば１５０〜２００℃）で加熱することによって成膜して形成することができる。
【００２７】
以上の構成の表面側基板１２と裏面側基板２４との間には所定の隙間が形成されていると共に、表面側基板１２の外周部と裏面側基板２４の外周部との間は封止材３２により封止されている。表面側基板１２、裏面側基板２４、及び封止材３２により囲まれた空間内には電解液３４が封入されている。電解液３４は、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ジエチルカーボネート、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド等、又はこれらの混合物により形成された溶媒を有しており、特に、本発明においてはプロピレンカーボネートが溶媒として用いられていることが好ましい。
【００２８】
前記電解質３４は、前記溶媒の他に、過塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ４）、六フッ化リン酸リチウム（ＬｉＰＦ６）、四フッ化ホウ酸リチウム（ＬｉＢＦ４）、リチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（ＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２）、リチウムビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド（ＬｉＮ（ＳＯ２Ｃ２Ｆ５）２）、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム（ＬｉＣＦ３ＳＯ３）等やこれらの混合物を電解質として有しており、特に、本発明においては、過塩素酸リチウムが電解質として用いられていることが好ましい。
【００２９】
さらに、以上の構成のエレクトロクロミックミラー１０の導電性膜２８は、回路４０を構成するスイッチ４２に接続されている。スイッチ４２は、ＯＮ状態で接続される端子に車両に搭載されるバッテリー等で構成され定格電圧が１．３Ｖ程度の直流電源４４の正極が接続されている。この直流電源４４の負極は導電性反射膜１８に接続されている。また、スイッチ４２がＯＦＦ状態で接続される端子は、上記の直流電源４４を介さずに導電性反射膜１８に接続されており、ＯＦＦ状態では導電性反射膜１８と導電性膜２８とが短絡される。
また、図示しないが、直流電源４４の負極が保護膜３６に接続され、スイッチ４２がＯＦＦ状態で接続される端子は、上記の直流電源４４を介さずに保護膜３６に接続されており、ＯＦＦ状態では保護膜３６と導電性膜２８とが短絡される態様であってもよい。
【００３０】
以上の構成のエレクトロクロミックミラー１０では、スイッチ４２のＯＦＦ状態では、エレクトロクロミック膜１６が略透明となっており、このため、基板本体１４のエレクトロクロミック膜１６とは反対側から入射した光は、基板本体１４、エレクトロクロミック膜１６を透過して導電性反射膜１８にて反射される。さらに、導電性反射膜１８にて反射された光はエレクトロクロミック膜１６、基板本体１４を透過する。本発明にかかるエレクトロクロミックミラーにおいて、光の反射率に特に制限はなく、例えば、５５パーセント程度とすることができる。
【００３１】
一方、スイッチ４２をＯＮ状態に切り替えると、回路４０を導電性反射膜１８の側に移動した電子（ｅ−）がエレクトロクロミック膜１６に侵入すると共に、電解液３４の電解質を構成するリチウムイオン（Ｌｉ＋）が、保護膜３６と導電性反射膜１８を透過してエレクトロクロミック膜１６に侵入する。これにより、エレクトロクロミック膜１６では以下の式１の還元反応が生じ、所謂タングステンブロンズと称される青色のＬｉｘＷＯ３がエレクトロクロミック膜１６で形成される。
Ｌｉ＋＋ｅ−＋ＷＯ３→ＬｉｘＷＯ３・・・（式１）
このようにしてエレクトロクロミック膜１６が青色に着色されることでエレクトロクロミック膜１６が着色される前では５５パーセント程度であった反射率が例えば、７パーセント程度まで低下する。
【００３２】
さらに、以上の還元反応が生じる際には、カーボン膜３０を構成する炭素から直流電源４４の側へ電子（ｅ−）が移動し、これにより、電解質を構成する塩に由来する負イオン、例えば、過塩素酸リチウムの負イオン（ＣｌＯ４−）がカーボン膜３０の側へ移動する。これにより、上記の還元反応に対する以下の式２のような補償反応が生じる。
ＣｌＯ４−＋Ｃ−ｅ−→Ｃ＋・ＣｌＯ４−・・・（式２）
【００３３】
また、カーボン膜３０には、活性炭のみならず、グラファイトとカーボンインクが含まれており、これにより、カーボン膜３０は充分な導電性が付与され、カーボン膜３０における反応を早くできる。
さらに、カーボン膜３０を備えることにより、エレクトロクロミック膜１６を着色するに際して印加する電圧を低くできる。このため、スイッチ４２をＯＦＦ状態にして導電性反射膜１８と導電性膜２８とを短絡させると上記の式１及び式２とは逆向きの反応が生じ、エレクトロクロミック膜１６が素早く消色される。
【００３４】
以上のようなエレクトロクロミックミラー１０を、例えば、車両における後方確認用のインナミラー（ルームミラー）やアウタミラー（ドアミラーやフェンダーミラー）等のミラー本体に用いると、昼間時にはスイッチ４２をＯＦＦ状態で維持して高い反射率で後方を確認でき、夜間時等に後方の車両がヘッドライトを点灯させている場合には、スイッチ４２をＯＮ状態に切り換えてエレクトロクロミック膜１６を着色し、反射率を低下させることで、ヘッドライトの反射光を低減でき、眩しさが低下する。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３６】
＜実施例１＞
８５×１１４ｍｍのガラス基板上に、以下のようにしてエレクトロクロミック膜を形成した。即ち、市販の真空蒸着装置を用いて、三酸化タングステン（ＷＯ３）を蒸着し、厚さ５００ｎｍの三酸化タングステンからなるエレクトロクロミック膜をガラス基板上に形成した。
次に、上記得られたエレクトロクロミック膜に接して導電性光反射膜を形成した。即ち、上記エレクトロクロミック膜の形成において、三酸化タングステン（ＷＯ３）の代わりに銀（Ａｇ）を用いて、エレクトロクロミック膜上に厚さ５０ｎｍの導電性反射膜を形成した。
次に、上記得られた導電性反射膜に接して保護膜を形成した。即ち、上記導電性反射膜の形成において、銀の代わりにスズ（Ｓｎ）を用いて、導電性反射膜上に厚さ５０ｎｍのスズからなる保護膜を形成した。
【００３７】
その一方、上記表面側基板と同じガラス基板を裏面側基板としても採用し、その表面に厚さ２００ｎｍのクロム（Ｃｒ）からなる導電性膜を、上記と同様にして蒸着により形成した。
次いでクロムからなる導電性膜上に、カーボン電極膜を形成した。即ち、グラファイト１０質量％、カーボンブラック１０質量％、活性炭７０質量％及びポリイミド系バインダー１０質量％からなるカーボン材料を適量の水と混合し、得られた混合材料を基板表面にドクターブレード法により塗布した。その後、１８０℃で１時間加熱し、厚さ約５０μｍのカーボン電極膜を形成した。
【００３８】
こうして得られたカーボン電極膜の表面の周縁部にエポキシ系樹脂から成るシール材を塗布し、その内部に電解液を約０．２ｍｍの厚さに塗布した。本実施例に係る電解液は、非プロトン溶媒であるプロピレンカーボネートに、濃度１００ｍＭとなるように過塩素酸リチウムを加えたものを使用した。
次いで、エレクトロクロミック膜、導電性反射膜および保護膜を備える表側面基板を重ね合わせ、上記シール材で封止することによって図１に示す構造を有するエレクトロクロミックミラーを得た。
【００３９】
＜実施例２〜７、比較例１〜２＞
実施例１において、導電性反射膜を構成する金属と保護膜を構成する金属とを下記表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にしてエレクトロクロミックミラーを得た。
【００４０】
＜実施例８＞
実施例１において、導電性反射膜を構成する金属としてＡｇ３７（三菱マテリアル社製、銀合金Ｎｏ３７）を用いてスパッタリングで導電性反射膜を形成し、保護膜を、クロム（Ｃｒ）を用いて形成したこと以外は、実施例１と同様にしてエレクトロクロミックミラーを得た。
【００４１】
＜比較例３＞
実施例１において、導電性反射膜を構成する金属としてＡｇＢｉ（Ｂｉ添加銀合金）を用いてスパッタリングで導電性反射膜を形成し、保護膜を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にしてエレクトロクロミックミラーを得た。
【００４２】
＜評価＞
（変色および白濁）
得られたエレクトロクロミックミラーについて、以下のようにしてエレクトロクロミック膜の変色および白濁を評価した。結果を表１に示した。
得られたエレクトロクロミックミラーの導電性反射膜が負極、導電性膜が正極となるように１．３Ｖの直流電源を接続し、スイッチのＯＮ／ＯＦＦを１００回繰り返した後、目視にてエレクトロクロミック膜および導電性反射膜を観察し、下記評価基準に従って評価した。
〜評価基準〜
○：エレクトロクロミック膜の変色が認められず、２４時間経過以降も導電性反射膜の白濁が認められなかった。
△：エレクトロクロミック膜の変色は認められなかったが、２４時間経過後に導電性反射膜の白濁が認められた。
×：エレクトロクロミック膜の変色が認められ、導電性反射膜の白濁も認められた。
【００４３】
（反射率）
得られたエレクトロクロミックミラーの電圧未印加時の反射率（ＤＡＹ反射率（％））と電圧印加時の反射率（ＮＩＧＨＴ反射率（％））とを分光反射率計を用いて測定した。結果を表１に示した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
表１から、仕事関数が銀以下である金属を用いて保護膜を構成することで、変色を抑制できることが分かる。さらにモース硬度が４未満の金属を用いて保護膜を構成することでミラーの白濁化も抑制できることが分かる。
【符号の説明】
【００４６】
１０ エレクトロクロミックミラー
１６ エレクトロクロミック膜
１８ 導電性反射膜
２８ 導電性膜
３０ カーボン膜
３４ 電解液
３６ 保護膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、車両の後方確認用としてアウタミラーやインナミラーに用いられて電圧を印加することにより反射率を可変できるエレクトロクロミックミラーに関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１に開示されたエレクトロクロミックミラーでは、エレクトロクロミック膜と反射膜の間に透明なリチウムイオン透過膜が設けられている。これにより反射膜に含まれる銀がエレクトロクロミック膜に拡散することを防止し、エレクトロクロミック膜が着色することを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−８７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、エレクトロクロミック膜の着色は抑制できるものの、透明なリチウムイオン透過膜は一般に導電性が低く、十分な着色消色性を得ることが難しい場合があった。
本発明は、上記事実を考慮して、着色消色性を良好に保ちつつエレクトロクロミック膜の変色が抑制されたエレクトロクロミックミラーを得ることが目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーは、還元反応することで着色されるエレクトロクロミック膜と、前記エレクトロクロミック膜の厚さ方向一方の側に形成されて前記エレクトロクロミック膜を透過した光を反射すると共に導電性を有し、銀または銀を含む合金により形成された導電性反射膜と、前記導電性反射膜の厚さ方向一方の側で前記エレクトロクロミック膜とは反対側に設けられ、仕事関数が銀以下である金属を含んで形成された保護膜と、前記保護膜の厚さ方向一方の側で前記導電性反射膜とは反対側に設けられた導電性を有する導電性膜と、前記導電性膜の前記導電性反射膜の側で活性炭を含めて形成された導電性を有するカーボン膜と、リチウムイオンを含めて構成されて前記保護膜と前記導電性膜との間に封入され、前記導電性膜を正とし、前記導電性反射膜または前記保護膜を負として電圧を印加することで前記リチウムイオンが前記エレクトロクロミック膜の側へ移動して、前記エレクトロクロミック膜の還元反応に供される電解液と、を備えている。
【０００６】
請求項１に記載の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーでは、仕事関数が銀以下である金属を含めて形成された保護膜により、エレクトロクロミック膜への銀イオンの拡散を抑制し、エレクトロクロミック膜の変色が抑制される。
【０００７】
請求項２に記載の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーは、請求項１に記載の本発明において、前記銀よりも仕事関数が小さい金属は、モース硬度が４以下であることを特徴としている。
【０００８】
請求項２に記載の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーでは、モース硬度が４以下の金属を含んで形成された保護膜により、前記導電性反射膜の耐久性が向上し、導電性反射膜の白濁化が抑制される。
【０００９】
請求項３に記載の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーは、請求項１または請求項２に記載の発明において、前記銀よりも仕事関数が小さい金属は、ビスマスまたはスズであることを特徴としている。
【００１０】
請求項３の本発明にかかるエレクトロクロミックミラーでは、ビスマスまたはスズを含んで形成された保護膜により、前記導電性反射膜の耐久性がさらに向上し、導電性反射膜の白濁化がより効果的に抑制される。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、本発明にかかるエレクトロクロミックミラーでは、エレクトロクロミック膜の変色が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のエレクトロクロミックミラーの構成例の概略を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１には本発明にかかるエレクトロクロミックミラーの構成の一例が概略的な断面図により示されている。
図１に示されるように、エレクトロクロミックミラー１０は表面側基板１２を備えている。表面側基板１２はガラス等により形成された透明の基板本体１４を備えている。前記基板本体１４を構成する材質は、ミラーの表面を構成するのに適する透明性（透光性）を有するものであれば特に制限はない。例えば、ガラス（無機ガラス）や樹脂を挙げることができる。
【００１４】
この基板本体１４の厚さ方向一方（図１の矢印Ｗ方向）側の面にはエレクトロクロミック膜１６が形成されている。エレクトロクロミック膜１６は、例えば、三酸化タングステン（ＷＯ３）や三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、又は、このような酸化物が含まれる混合物により形成されており、特に、本発明においては、三酸化タングステンによりエレクトロクロミック膜１６が形成されていることが好ましい。
また基板本体１４の厚さ方向に沿ったエレクトロクロミック膜１６の厚さには、特に制限はなく、例えば、３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲で設定することができる。本発明においては反射率低下の観点から、エレクトロクロミック膜１６の厚さは４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１５】
前記基板本体上にエレクトロクロミック膜を形成する方法としては、特に制限なく通常用いられる方法を適用することができる。例えば、蒸着法、スパッタリング法等を挙げることができる。
【００１６】
このエレクトロクロミック膜１６の基板本体１４とは反対側の面には導電性反射膜１８が形成されている。この導電性反射膜１８は、導電性を有し、且つ、リチウムイオンの透過が可能な光沢を有する反射膜であって、銀または銀を含む合金から形成される。前記銀を含む合金は銀を主体としてその他の金属（好ましくは、カチオン透過性の高い金属材料）を含んで構成される。前記銀を含む合金を構成する銀以外の金属としては、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）等を挙げることができ、中でもパラジウム（Ｐｄ）を含む合金であることが好ましい。かかる態様であることで導電性反射膜のカチオン透過性が向上し、応答速度が向上する。
また、基板本体１４の厚さ方向に沿った導電性反射膜１８の厚さには特に制限はく、例えば、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で設定することができる。本発明においては、導電性と反射率の観点から、導電性反射膜１８の厚さは、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
前記導電性反射膜は、種々の物理的または化学的蒸着法によって作製（成膜）することができる。例えば、銀を含むターゲット材料を用意し、そのターゲット材料を用いて種々のスパッタリングを行なうことによって銀を含む導電性反射膜を前記エレクトロクロミック膜上に形成することができる。
【００１８】
また導電性反射膜１８のエレクトロクロミック膜１６とは反対側の面には保護膜３６が形成されている。この保護膜３６は、仕事関数が銀以下である金属を含むが、仕事関数が銀以下である金属のみからなることが好ましい。ここで仕事関数は、物質表面において、表面から１個の電子を無限遠まで取り出すのに必要な最小エネルギーを意味する。
保護膜３６が、仕事関数が銀以下ある金属を含んで形成されていることにより、導電性保護膜１８に含まれる銀のエレクトロクロミック膜１６中へ拡散が抑制され、銀によるエレクトロクロミック膜１６の変色を抑制することができる。
【００１９】
このことは例えば、以下のように考えることができる。エレクトロクロミック膜１６は銀よりも仕事関数が大きい物質（例えば、三酸化タングステン）で構成されるため、エレクトロクロミック膜１６と導電性反射膜１８の境界においては、導電性反射膜１８に含まれる銀原子の電子がエレクトロクロミック膜１６を構成する物質に捕獲され、銀原子が銀イオンになりやすい状態におかれている。銀イオンは銀原子よりも容易に移動できるため、エレクトロクロミック膜１６中へ拡散した銀イオンによりエレクトロクロミック膜の変色が発生しやすい。
これに対して、本発明においては導電性反射膜１８のエレクトロクロミック膜１６とは反対側の面に、仕事関数が銀以下である金属を含む保護膜３６が形成されているため、保護膜３６に含まれる金属原子からエレクトロクロミック膜１６と導電性反射膜１８の境界で生成する銀イオンに電子が供給され、導電性反射膜１８に含まれる銀のイオン化を抑制すると考えることができる。
【００２０】
前記保護膜３６に含まれる銀の仕事関数（４．６３ｅＶ）と比べて、仕事関数が銀以下である金属としては、ビスマス（Ｂｉ、４．３４ｅＶ）、スズ（Ｓｎ、４．４２ｅＶ）、モリブデン（Ｍｏ、４．５７ｅＶ）、アンチモン（Ｓｂ、４．６３ｅＶ）、ガリウム（Ｇａ、４．３２ｅＶ）、亜鉛（Ｚｎ、４．２７ｅＶ）、クロム（Ｃｒ、４．５０ｅＶ）、ニオブ（Ｎｂ、４．３３）、バナジウム（Ｖ、４．３０ｅＶ）、チタン（Ｔｉ、４．３３ｅＶ）、タングステン（Ｗ、４．６３ｅＶ）、セシウム（Ｃｓ、４．５０ｅＶ）、ホウ素（Ｂ、４．４５ｅＶ）、タンタル（Ｔａ、４．３０）等を挙げることができる。
中でも、エレクトロクロミック膜１６の変色抑制の観点から、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）であることが好ましい。
【００２１】
また本発明における保護膜３６に含まれる、仕事関数が銀以下である金属は、モース硬度が４以下であることが好ましい。モース硬度が４以下の金属を含んで保護膜３６を構成することで、導電性反射膜１８の白濁化を抑制することができる。これは例えば、保護膜３６がモース硬度４以下の軟らかい金属を含んで構成されることで、本発明のエレクトロクロミックミラーの繰返し使用による保護膜３６と面を接して構成される導電性反射膜１８における微細なひび割れ（クラック）の発生を抑制できるためと考えることができる。
仕事関数が銀以下であり、モース硬度が４以下である金属としては、ビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、セシウム（Ｃｓ）等を挙げることができ、中でもビスマス（Ｂｉ）、スズ（Ｓｎ）であることが好ましい。
【００２２】
前記保護膜３６の厚さには特に制限はく、例えば、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で設定することができる。本発明においては、エレクトロクロミック膜１６の変色抑制と導電性反射膜１８の白濁化抑制の観点から、保護膜３６の厚さは、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
前記保護膜３６は、前記導電性反射膜１８と同様に、種々の物理的または化学的蒸着法によって作製（成膜）することができる。例えば、仕事関数が銀以下である金属（好ましくは、モース硬度が４以下の金属）を含むターゲット材料を用意し、そのターゲット材料を用いて種々のスパッタリングを行なうことによって、仕事関数が銀以下である金属を含む保護膜３６を前記導電性反射膜１８上に形成することができる。
【００２４】
以上の構成の表面側基板１２の厚さ方向一方の側には裏面側基板２４が表面側基板１２と対向するように設けられている。裏面側基板２４はガラス等により形成された透明の基板本体２６を備えている。この基板本体２６の厚さ方向他方、すなわち、表面側基板１２の側の面には導電性膜２８が形成されている。導電性膜２８は、クロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）等の金属や、インジウムチンオキサイド（Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ、所謂「ＩＴＯ」）や酸化スズ（ＳｎＯ２）、フッ素ドープ酸化スズ（ＳｎＯ２：Ｆ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ２）等、更にはこれらの混合物により形成されていることが好ましい。
前記導電性膜２８は、前記導電性反射膜１８と同様に、種々の物理的または化学的蒸着法によって作製（成膜）することができる。
【００２５】
この導電性膜２８の表面側基板１２の側の面には導電性を有するカーボン膜３０が形成されている。カーボン膜３０はグラファイト、カーボンブラック、及び活性炭から選ばれる少なくとも１種を含んで形成されるが、活性炭が５０重量パーセント以上含まれていることが好ましい。カーボン材料として活性炭を含むことで、電極の表面積が増大し、電子（電流）の流れがよりスムーズになり電圧ロスも少なくなる。また活性炭表面は、水素イオンを容易に発生させ得る触媒の好適な担持場所にもなる。
さらに、グラファイト等のカーボン材料を含むことによって、当該電極層における水素イオン吸収能を向上させ、電圧の印加を解除した際にエレクトロクロミック膜から電解液への水素イオンの移行を促進することができる。さらに、活性炭やグラファイトとともにカーボンブラックを含むことにより、カーボン電極を構成する主要構成要素（活性炭、グラファイト等）同士の電気的接触度合いを向上させることができる。
前記カーボン膜３０は、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、およびアクリル樹脂等の合成樹脂材の少なくとも１種をバインダーとしてさらに含んでいることが好ましい。
【００２６】
基板本体２６の厚さ方向に沿ったカーボン膜３０の厚さ寸法は、５０μｍ以上であることが好ましい。
また前記カーボン膜３０の形成方法としては、例えば、数種のカーボン材料（例えば、上述した活性炭、グラファイト及びカーボンブラック）を適当なバインダー（例えば、カルボキシメチルセルロースのようなセルロース系バインダー、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の合成樹脂系バインダー）とともに混合し、ドクターブレード法のような周知の方法によって、導電性膜２８が形成された裏面側基板２６上に塗布し、適当な温度（例えば１５０〜２００℃）で加熱することによって成膜して形成することができる。
【００２７】
以上の構成の表面側基板１２と裏面側基板２４との間には所定の隙間が形成されていると共に、表面側基板１２の外周部と裏面側基板２４の外周部との間は封止材３２により封止されている。表面側基板１２、裏面側基板２４、及び封止材３２により囲まれた空間内には電解液３４が封入されている。電解液３４は、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ジエチルカーボネート、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド等、又はこれらの混合物により形成された溶媒を有しており、特に、本発明においてはプロピレンカーボネートが溶媒として用いられていることが好ましい。
【００２８】
前記電解質３４は、前記溶媒の他に、過塩素酸リチウム（ＬｉＣｌＯ４）、六フッ化リン酸リチウム（ＬｉＰＦ６）、四フッ化ホウ酸リチウム（ＬｉＢＦ４）、リチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（ＬｉＮ（ＳＯ２ＣＦ３）２）、リチウムビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド（ＬｉＮ（ＳＯ２Ｃ２Ｆ５）２）、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム（ＬｉＣＦ３ＳＯ３）等やこれらの混合物を電解質として有しており、特に、本発明においては、過塩素酸リチウムが電解質として用いられていることが好ましい。
【００２９】
さらに、以上の構成のエレクトロクロミックミラー１０の導電性膜２８は、回路４０を構成するスイッチ４２に接続されている。スイッチ４２は、ＯＮ状態で接続される端子に車両に搭載されるバッテリー等で構成され定格電圧が１．３Ｖ程度の直流電源４４の正極が接続されている。この直流電源４４の負極は導電性反射膜１８に接続されている。また、スイッチ４２がＯＦＦ状態で接続される端子は、上記の直流電源４４を介さずに導電性反射膜１８に接続されており、ＯＦＦ状態では導電性反射膜１８と導電性膜２８とが短絡される。
また、図示しないが、直流電源４４の負極が保護膜３６に接続され、スイッチ４２がＯＦＦ状態で接続される端子は、上記の直流電源４４を介さずに保護膜３６に接続されており、ＯＦＦ状態では保護膜３６と導電性膜２８とが短絡される態様であってもよい。
【００３０】
以上の構成のエレクトロクロミックミラー１０では、スイッチ４２のＯＦＦ状態では、エレクトロクロミック膜１６が略透明となっており、このため、基板本体１４のエレクトロクロミック膜１６とは反対側から入射した光は、基板本体１４、エレクトロクロミック膜１６を透過して導電性反射膜１８にて反射される。さらに、導電性反射膜１８にて反射された光はエレクトロクロミック膜１６、基板本体１４を透過する。本発明にかかるエレクトロクロミックミラーにおいて、光の反射率に特に制限はなく、例えば、５５パーセント程度とすることができる。
【００３１】
一方、スイッチ４２をＯＮ状態に切り替えると、回路４０を導電性反射膜１８の側に移動した電子（ｅ−）がエレクトロクロミック膜１６に侵入すると共に、電解液３４の電解質を構成するリチウムイオン（Ｌｉ＋）が、保護膜３６と導電性反射膜１８を透過してエレクトロクロミック膜１６に侵入する。これにより、エレクトロクロミック膜１６では以下の式１の還元反応が生じ、所謂タングステンブロンズと称される青色のＬｉｘＷＯ３がエレクトロクロミック膜１６で形成される。
Ｌｉ＋＋ｅ−＋ＷＯ３→ＬｉｘＷＯ３・・・（式１）
このようにしてエレクトロクロミック膜１６が青色に着色されることでエレクトロクロミック膜１６が着色される前では５５パーセント程度であった反射率が例えば、７パーセント程度まで低下する。
【００３２】
さらに、以上の還元反応が生じる際には、カーボン膜３０を構成する炭素から直流電源４４の側へ電子（ｅ−）が移動し、これにより、電解質を構成する塩に由来する負イオン、例えば、過塩素酸リチウムの負イオン（ＣｌＯ４−）がカーボン膜３０の側へ移動する。これにより、上記の還元反応に対する以下の式２のような補償反応が生じる。
ＣｌＯ４−＋Ｃ−ｅ−→Ｃ＋・ＣｌＯ４−・・・（式２）
【００３３】
また、カーボン膜３０には、活性炭のみならず、グラファイトとカーボンインクが含まれており、これにより、カーボン膜３０は充分な導電性が付与され、カーボン膜３０における反応を早くできる。
さらに、カーボン膜３０を備えることにより、エレクトロクロミック膜１６を着色するに際して印加する電圧を低くできる。このため、スイッチ４２をＯＦＦ状態にして導電性反射膜１８と導電性膜２８とを短絡させると上記の式１及び式２とは逆向きの反応が生じ、エレクトロクロミック膜１６が素早く消色される。
【００３４】
以上のようなエレクトロクロミックミラー１０を、例えば、車両における後方確認用のインナミラー（ルームミラー）やアウタミラー（ドアミラーやフェンダーミラー）等のミラー本体に用いると、昼間時にはスイッチ４２をＯＦＦ状態で維持して高い反射率で後方を確認でき、夜間時等に後方の車両がヘッドライトを点灯させている場合には、スイッチ４２をＯＮ状態に切り換えてエレクトロクロミック膜１６を着色し、反射率を低下させることで、ヘッドライトの反射光を低減でき、眩しさが低下する。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３６】
＜実施例１＞
８５×１１４ｍｍのガラス基板上に、以下のようにしてエレクトロクロミック膜を形成した。即ち、市販の真空蒸着装置を用いて、三酸化タングステン（ＷＯ３）を蒸着し、厚さ５００ｎｍの三酸化タングステンからなるエレクトロクロミック膜をガラス基板上に形成した。
次に、上記得られたエレクトロクロミック膜に接して導電性光反射膜を形成した。即ち、上記エレクトロクロミック膜の形成において、三酸化タングステン（ＷＯ３）の代わりに銀（Ａｇ）を用いて、エレクトロクロミック膜上に厚さ５０ｎｍの導電性反射膜を形成した。
次に、上記得られた導電性反射膜に接して保護膜を形成した。即ち、上記導電性反射膜の形成において、銀の代わりにスズ（Ｓｎ）を用いて、導電性反射膜上に厚さ５０ｎｍのスズからなる保護膜を形成した。
【００３７】
その一方、上記表面側基板と同じガラス基板を裏面側基板としても採用し、その表面に厚さ２００ｎｍのクロム（Ｃｒ）からなる導電性膜を、上記と同様にして蒸着により形成した。
次いでクロムからなる導電性膜上に、カーボン電極膜を形成した。即ち、グラファイト１０質量％、カーボンブラック１０質量％、活性炭７０質量％及びポリイミド系バインダー１０質量％からなるカーボン材料を適量の水と混合し、得られた混合材料を基板表面にドクターブレード法により塗布した。その後、１８０℃で１時間加熱し、厚さ約５０μｍのカーボン電極膜を形成した。
【００３８】
こうして得られたカーボン電極膜の表面の周縁部にエポキシ系樹脂から成るシール材を塗布し、その内部に電解液を約０．２ｍｍの厚さに塗布した。本実施例に係る電解液は、非プロトン溶媒であるプロピレンカーボネートに、濃度１００ｍＭとなるように過塩素酸リチウムを加えたものを使用した。
次いで、エレクトロクロミック膜、導電性反射膜および保護膜を備える表側面基板を重ね合わせ、上記シール材で封止することによって図１に示す構造を有するエレクトロクロミックミラーを得た。
【００３９】
＜実施例２〜７、比較例１〜２＞
実施例１において、導電性反射膜を構成する金属と保護膜を構成する金属とを下記表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にしてエレクトロクロミックミラーを得た。
【００４０】
＜実施例８＞
実施例１において、導電性反射膜を構成する金属としてＡｇ３７（三菱マテリアル社製、銀合金Ｎｏ３７）を用いてスパッタリングで導電性反射膜を形成し、保護膜を、クロム（Ｃｒ）を用いて形成したこと以外は、実施例１と同様にしてエレクトロクロミックミラーを得た。
【００４１】
＜比較例３＞
実施例１において、導電性反射膜を構成する金属としてＡｇＢｉ（Ｂｉ添加銀合金）を用いてスパッタリングで導電性反射膜を形成し、保護膜を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にしてエレクトロクロミックミラーを得た。
【００４２】
＜評価＞
（変色および白濁）
得られたエレクトロクロミックミラーについて、以下のようにしてエレクトロクロミック膜の変色および白濁を評価した。結果を表１に示した。
得られたエレクトロクロミックミラーの導電性反射膜が負極、導電性膜が正極となるように１．３Ｖの直流電源を接続し、スイッチのＯＮ／ＯＦＦを１００回繰り返した後、目視にてエレクトロクロミック膜および導電性反射膜を観察し、下記評価基準に従って評価した。
〜評価基準〜
○：エレクトロクロミック膜の変色が認められず、２４時間経過以降も導電性反射膜の白濁が認められなかった。
△：エレクトロクロミック膜の変色は認められなかったが、２４時間経過後に導電性反射膜の白濁が認められた。
×：エレクトロクロミック膜の変色が認められ、導電性反射膜の白濁も認められた。
【００４３】
（反射率）
得られたエレクトロクロミックミラーの電圧未印加時の反射率（ＤＡＹ反射率（％））と電圧印加時の反射率（ＮＩＧＨＴ反射率（％））とを分光反射率計を用いて測定した。結果を表１に示した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
表１から、仕事関数が銀以下である金属を用いて保護膜を構成することで、変色を抑制できることが分かる。さらにモース硬度が４未満の金属を用いて保護膜を構成することでミラーの白濁化も抑制できることが分かる。
【符号の説明】
【００４６】
１０ エレクトロクロミックミラー
１６ エレクトロクロミック膜
１８ 導電性反射膜
２８ 導電性膜
３０ カーボン膜
３４ 電解液
３６ 保護膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
還元反応することで着色されるエレクトロクロミック膜と、
前記エレクトロクロミック膜の厚さ方向一方の側に形成されて前記エレクトロクロミック膜を透過した光を反射すると共に導電性を有し、銀または銀を含む合金により形成された導電性反射膜と、
前記導電性反射膜の厚さ方向一方の側で前記エレクトロクロミック膜とは反対側に設けられ、仕事関数が銀以下である金属を含んで形成された保護膜と、
前記保護膜の厚さ方向一方の側で前記導電性反射膜とは反対側に設けられた導電性を有する導電性膜と、
前記導電性膜の前記導電性反射膜の側で活性炭を含めて形成された導電性を有するカーボン膜と、
リチウムイオンを含めて構成されて前記保護膜と前記導電性膜との間に封入され、前記導電性膜を正とし、前記導電性反射膜または前記保護膜を負として電圧を印加することで前記リチウムイオンが前記エレクトロクロミック膜の側へ移動して、前記エレクトロクロミック膜の還元反応に供される電解液と、
を備えるエレクトロクロミックミラー。
【請求項２】
前記銀よりも仕事関数が小さい金属は、モース硬度が４以下である請求項１に記載のエレクトロクロミックミラー。
【請求項３】
前記銀よりも仕事関数が小さい金属は、ビスマスまたはスズである請求項１または請求項２に記載のエレクトロクロミックミラー。
【請求項１】
還元反応することで着色されるエレクトロクロミック膜と、
前記エレクトロクロミック膜の厚さ方向一方の側に形成されて前記エレクトロクロミック膜を透過した光を反射すると共に導電性を有し、銀または銀を含む合金により形成された導電性反射膜と、
前記導電性反射膜の厚さ方向一方の側で前記エレクトロクロミック膜とは反対側に設けられ、仕事関数が銀以下である金属を含んで形成された保護膜と、
前記保護膜の厚さ方向一方の側で前記導電性反射膜とは反対側に設けられた導電性を有する導電性膜と、
前記導電性膜の前記導電性反射膜の側で活性炭を含めて形成された導電性を有するカーボン膜と、
リチウムイオンを含めて構成されて前記保護膜と前記導電性膜との間に封入され、前記導電性膜を正とし、前記導電性反射膜または前記保護膜を負として電圧を印加することで前記リチウムイオンが前記エレクトロクロミック膜の側へ移動して、前記エレクトロクロミック膜の還元反応に供される電解液と、
を備えるエレクトロクロミックミラー。
【請求項２】
前記銀よりも仕事関数が小さい金属は、モース硬度が４以下である請求項１に記載のエレクトロクロミックミラー。
【請求項３】
前記銀よりも仕事関数が小さい金属は、ビスマスまたはスズである請求項１または請求項２に記載のエレクトロクロミックミラー。
【図１】
【公開番号】特開２０１１−９５４０６（Ｐ２０１１−９５４０６Ａ）
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２４７９１２（Ｐ２００９−２４７９１２）
【出願日】平成２１年１０月２８日（２００９．１０．２８）
【出願人】（０００００３５５１）株式会社東海理化電機製作所 (3,198)
【出願人】（５０４１３９６６２）国立大学法人名古屋大学 (996)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１０月２８日（２００９．１０．２８）
【出願人】（０００００３５５１）株式会社東海理化電機製作所 (3,198)
【出願人】（５０４１３９６６２）国立大学法人名古屋大学 (996)
【Ｆターム（参考）】
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