スパツタリング用ターゲツトおよびその製造方法
【構成】 本願のターゲット１１は、ターゲット材となる磁性材料１３の一方の面に非磁性体１２を接合してなることを特徴とする。また、ターゲットの製造方法は、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非磁性体を接合することを特徴とする。
【効果】 本願のターゲットによれば、磁性材料を薄厚化することができ、成膜速度を向上させることができる。また、使用する磁性材料の量を削減し経済性を向上させることができる。また、本願の製造方法によれば、該非磁性体が磁性材料に機械的強度を付与し機械加工時の反りや割れの発生を防止することができる。したがって、薄厚の磁性材料をバッキングプレート上に接合することが可能になる。これにより難加工性材料であっても、機械加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生することもなくなる。
【効果】 本願のターゲットによれば、磁性材料を薄厚化することができ、成膜速度を向上させることができる。また、使用する磁性材料の量を削減し経済性を向上させることができる。また、本願の製造方法によれば、該非磁性体が磁性材料に機械的強度を付与し機械加工時の反りや割れの発生を防止することができる。したがって、薄厚の磁性材料をバッキングプレート上に接合することが可能になる。これにより難加工性材料であっても、機械加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生することもなくなる。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜速度及び経済性を改善することができるスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気ディスクや磁気ヘッドの磁性薄膜を成膜する方法の一つにマグネトロンスパッタリングがある。
【０００３】この方法は、電場と磁場の直交するマグネトロン放電を利用したもので、基板温度の上昇を低く抑えることができ、ターゲットへ大電力を投入して成膜速度（スパッタレイト）を大きくすることができ、ミクロンオーダーの膜厚を容易に得ることができる等の利点があるために、現在では、実験室はもとより本格的な量産装置として最も多用されている薄膜形成方法の１つである。
【０００４】この方法により成膜された磁性薄膜は、従来のスピンコート等の塗布法と比べて高密度記録が可能であり、電磁変換特性に優れており、ＳＮ比が高い等、種々の優れた特徴がある。
【０００５】図５は前記マグネトロンスパッタリングに用いられるスパッタリング用ターゲット（以下、単にターゲットと略称する）１であって、略矩形状もしくは円板状のバッキングプレート（冷却板）２上に、磁性材料を該バッキングプレート２と同形状に形成した磁性体３が接合されている。
【０００６】ターゲット１の製造方法としては、前記Ｃｏ系合金のターゲットの場合は粉末冶金法が好適に用いられるが、センダストの場合は粉末冶金法の適用が難しいために溶解鋳造法が好適に用いられる。
【０００７】このターゲット１を用いてスパッタリングする場合、図６に示す様に磁石４，４を用いてターゲット１の上方に磁力線Ｍを発生させ前記ターゲット１の上方の漏洩磁束密度を大きくし、前記ターゲット１の近傍に高密度プラズマを発生させてマグネトロン放電を起こすことにより、マグネトロンスパッタリングをすることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のターゲット１を用いた場合、成膜時の成膜速度（スパッタレイト）を確保するためには、磁石４を強力にするか、または磁性体３の厚み（ｔ）を薄くする必要がある。
【０００９】しかし、磁石４が発生する磁力線をこれ以上強くすることは磁石４の特性上及び構造上難しいために、磁性体３の厚み（ｔ）を薄くするしかないのであるが、この磁性体３の厚み（ｔ）を薄くすると機械加工時に歪むために反りが生じバッキングプレート２へのハンダ付けの際に欠陥が生じ易くなり、また、機械加工性が悪いために加工時に割れが生じ易くなる。したがって、磁性体３の厚み（ｔ）を薄くすると直接バッキングプレート２へ接合することが出来なくなり、実際に磁性体３の厚みを５ｍｍ以下にすることは極めて困難である。
【００１０】本発明は、前記の事情に鑑みてなされたもので、以上の問題点を解決することができるとともに成膜速度及び経済性を改善することができるターゲットおよびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、この発明は次の様なターゲットおよびその製造方法を採用した。すなわち、請求項１記載のターゲットとしては、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に非磁性体を接合してなることを特徴としている。
【００１２】また、請求項２記載のターゲットの製造方法としては、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非磁性体を接合することを特徴としている。
【００１３】
【作用】請求項１記載のターゲットでは、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に非磁性体を接合してなることにより、磁性材料を薄厚化して成膜速度を向上させる。また、磁性材料の厚みを薄厚とすることにより、磁性材料の不使用部分を削減し経済性を向上させる。
【００１４】また、請求項２記載のターゲットの製造方法では、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非磁性体を接合することにより、該非磁性体が磁性材料に機械的強度を付与し、機械加工時の反りや割れの発生を防止する。したがって、非磁性体を介することにより薄厚の磁性材料をバッキングプレートに接合することが可能になる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明に係るターゲットの一実施例について説明する。
【００１６】図１は、ターゲット１１の断面図であって、略矩形状もしくは円板状のバッキングプレート（冷却板）２の一方の面２ａ上に非磁性体１２が接合され、該非磁性体１２の面１２ａ上に磁性体１３が一体に接合されている。
【００１７】非磁性体１２は、バッキングプレート２と同形状で大きさが該バッキングプレート２より若干小さいものである。この非磁性体１２の材料としては、例えばＴｉ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗ等の弱磁性の金属、Ｃｕ等の反磁性の金属、ステンレススチール（例えばオーステナイト系のＳＵＳ３０４）等の弱磁性の合金が好適に用いられる。
【００１８】磁性体１３は、非磁性体１２と同一の形状で厚み（ｔ1）が該非磁性体１２の厚み（ｔ2）と同等かまたはそれより厚い強磁性材料からなるものである。この磁性体１３の材料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系合金，センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）等が好適に用いられる。
【００１９】また、磁性体１３の厚み（ｔ1）と該非磁性体１２の厚み（ｔ2）の和は、従来のターゲット１の厚み（ｔ）と同一となる様に設定されている。
【００２０】次に、前記ターゲット１１を製造する方法、すなわち非磁性体１２の一方の面１２ａ上に拡散により磁性体１３を接合する方法について説明する。
【００２１】まず、ＨＩＰ処理により前記ターゲット１１を製造する方法について図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２２】まず、溶解鋳造法の一種である真空鋳造法により、Ｃｏ−９重量％Ｃｒ−３１重量％Ｐｔの組成を有する合金のインゴットを製造する。次に、ワイヤーカット放電加工等の機械加工により前記インゴットを直方体状に切断して素板２１とする。
【００２３】次に、この素板２１を直方体状のステンレススチール缶２２に挿入し、該ステンレススチール缶２２の内部を真空にし密封する。次に、ＨＩＰによりステンレススチール缶を焼結する。ＨＩＰ処理は、概ね１２００℃、１.０ｔｏｎ／ｃｍ2の下で１時間行う。
【００２４】次に、６００℃で３０分間焼鈍処理を行ない、その後所定の圧縮率Ｔで２回圧延処理を行う。
【００２５】次に、前記素板２１とステンレススチール缶２２とを一体に接合したまま略矩形状もしくは円板状に切断しその後素板２１の表面に鏡面研磨等の仕上加工を施し、その後ボンディングを行い略矩形状もしくは円板状のターゲット１１とする。
【００２６】以上により、磁性体１３（素板２１）と非磁性体１２（ステンレススチール缶２２）とを拡散により接合し一体の構造としたターゲット１１を得ることができる。
【００２７】次に、真空ホットプレス（ＨＰ）処理により前記ターゲット１１を製造する方法について図２及び図３を参照しながら説明する。
【００２８】真空鋳造法により製造されたインゴットを直方体状に切断して素板２１とし、この素板２１を同一形状のステンレススチール板２３上に重ね、真空下において所定の温度Ｔ及び所定の圧力Ｐを所定時間Ｈ保持することにより、素板２１とステンレススチール板２３とを接合する。
【００２９】ＨＰ処理の条件の一例を下記にしめす。
真 空 度 ：１×１０-2Ｔｏｒｒ加 圧 力 Ｐ：２５０ｋｇ／ｃｍ2温 度 Ｔ：１１５０℃保持時間 Ｈ：５時間
【００３０】その後、焼鈍処理、圧延処理、仕上加工、ボンディング等を施し、略矩形状もしくは円板状のターゲット１１とする。
【００３１】以上により、磁性体１３（素板２１）と非磁性体１２（ステンレススチール板２３）とを拡散により接合し一体の構造としたターゲット１１を得ることができる。
【００３２】前記ターゲット１１を用いてスパッタリングする場合、図４に示す様に磁石４，４によりターゲット１１の上方に高密度の磁力線Ｍを発生させて前記ターゲット１１の上方の漏洩磁束密度を大きくし、前記ターゲット１１の近傍に高密度プラズマを発生させて大きなイオン電流を流すことにより大電力化を図ることができ、これにより強いマグネトロン放電を起こすことができる。このとき、電子はターゲットの表面近傍を円形状もしくは略矩形状もしくは円形状の連続した軌跡を描いて運動しており、ターゲット１１の電力密度（Ｗ／ｃｍ2）を大幅に増大させることができ、最適条件の下にマグネトロンスパッタリングを行うことができる。
【００３３】表１は、上記のターゲット（実施例）と、従来のターゲット（比較例）について各々の特性を比較したものである。ここでは、ターゲットの組成はＣｏ−９重量％Ｃｒ−３１重量％Ｐｔ一種とし、このターゲットの磁性体１３の厚み（ｔ1）と非磁性体１２の厚み（ｔ2）を様々に変化させて特性を評価している。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１から明らかなように、上記実施例のターゲットは従来のものと比べて磁性体１３の厚みｔ1が薄くなるために、漏洩磁束密度Ｂが大きくなり、成膜速度（スパッタレイト）も優れていることがわかる。
【００３６】以上説明した様に、上記実施例のターゲット１１によれば、バッキングプレート２上に非磁性体１２を接合し、該非磁性体１２の面１２ａ上に磁性体１３を一体に接合したので、磁性体１３を薄厚化することができ成膜速度を向上させることができる。また、磁性体１３の厚みを薄厚とすることにより、使用する磁性材料の量を削減することができ、したがって経済性を向上させることができる。
【００３７】また、上記実施例のターゲットの製造方法によれば、非磁性体１２の面１２ａ上に拡散により磁性体１３を接合することとしたので、該非磁性体１２が磁性体１３に機械的強度を付与し、機械加工時の反りや割れの発生を防止することができる。したがって、非磁性体１２を介することにより、薄厚の磁性体１３をバッキングプレート２上に接合することが可能になる。
【００３８】これにより、例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）の様な難加工性材料であっても、機械加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生することもなくなる。
【００３９】以上により、高い成膜速度（ハイスパッタレイト）を有し経済性を改善することができるターゲットおよびその製造方法を提供することができる。
【００４０】なお、前記ターゲット１１を製造する方法、すなわち非磁性体１２の一方の面１２ａ上に拡散により磁性体１３を接合する方法としては、上述したＨＩＰ処理やＨＰ処理に限定されることなく種々の方法が適用可能であり、例えば、爆着等の方法も好適に用いることができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１記載のターゲットによれば、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に非磁性体を接合してなることとしたので、磁性材料を薄厚化することができ、成膜速度を向上させることができる。また、磁性材料の厚みを薄厚とすることにより、使用する磁性材料の量を削減することができ、したがって経済性を向上させることができる。
【００４２】また、請求項２記載のターゲットの製造方法によれば、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非磁性体を接合するので、該非磁性体が磁性材料に機械的強度を付与することができ、機械加工時の反りや割れの発生を防止することができる。したがって、非磁性体を介することにより、薄厚の磁性材料をバッキングプレート上に接合することが可能になる。
【００４３】これにより、例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）の様な難加工性材料であっても、機械加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生することもなくなる。
【００４４】以上により、高い成膜速度（ハイスパッタレイト）を有し経済性を改善することができるターゲットおよびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるターゲットの断面図である。
【図２】本発明の一実施例であるターゲットの製造方法の工程図である。
【図３】本発明の一実施例であるターゲットの製造方法の一部を示す概略説明図である。
【図４】本発明に係るターゲットの磁力線の様子を示す断面図である。
【図５】従来のターゲットの断面図である。
【図６】従来のターゲットの磁力線の様子を示す断面図である。
【符号の説明】
１１ ターゲット
２ バッキングプレート（冷却板）
１２ 非磁性体
１２ａ 面
１３ 磁性体
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜速度及び経済性を改善することができるスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気ディスクや磁気ヘッドの磁性薄膜を成膜する方法の一つにマグネトロンスパッタリングがある。
【０００３】この方法は、電場と磁場の直交するマグネトロン放電を利用したもので、基板温度の上昇を低く抑えることができ、ターゲットへ大電力を投入して成膜速度（スパッタレイト）を大きくすることができ、ミクロンオーダーの膜厚を容易に得ることができる等の利点があるために、現在では、実験室はもとより本格的な量産装置として最も多用されている薄膜形成方法の１つである。
【０００４】この方法により成膜された磁性薄膜は、従来のスピンコート等の塗布法と比べて高密度記録が可能であり、電磁変換特性に優れており、ＳＮ比が高い等、種々の優れた特徴がある。
【０００５】図５は前記マグネトロンスパッタリングに用いられるスパッタリング用ターゲット（以下、単にターゲットと略称する）１であって、略矩形状もしくは円板状のバッキングプレート（冷却板）２上に、磁性材料を該バッキングプレート２と同形状に形成した磁性体３が接合されている。
【０００６】ターゲット１の製造方法としては、前記Ｃｏ系合金のターゲットの場合は粉末冶金法が好適に用いられるが、センダストの場合は粉末冶金法の適用が難しいために溶解鋳造法が好適に用いられる。
【０００７】このターゲット１を用いてスパッタリングする場合、図６に示す様に磁石４，４を用いてターゲット１の上方に磁力線Ｍを発生させ前記ターゲット１の上方の漏洩磁束密度を大きくし、前記ターゲット１の近傍に高密度プラズマを発生させてマグネトロン放電を起こすことにより、マグネトロンスパッタリングをすることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のターゲット１を用いた場合、成膜時の成膜速度（スパッタレイト）を確保するためには、磁石４を強力にするか、または磁性体３の厚み（ｔ）を薄くする必要がある。
【０００９】しかし、磁石４が発生する磁力線をこれ以上強くすることは磁石４の特性上及び構造上難しいために、磁性体３の厚み（ｔ）を薄くするしかないのであるが、この磁性体３の厚み（ｔ）を薄くすると機械加工時に歪むために反りが生じバッキングプレート２へのハンダ付けの際に欠陥が生じ易くなり、また、機械加工性が悪いために加工時に割れが生じ易くなる。したがって、磁性体３の厚み（ｔ）を薄くすると直接バッキングプレート２へ接合することが出来なくなり、実際に磁性体３の厚みを５ｍｍ以下にすることは極めて困難である。
【００１０】本発明は、前記の事情に鑑みてなされたもので、以上の問題点を解決することができるとともに成膜速度及び経済性を改善することができるターゲットおよびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、この発明は次の様なターゲットおよびその製造方法を採用した。すなわち、請求項１記載のターゲットとしては、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に非磁性体を接合してなることを特徴としている。
【００１２】また、請求項２記載のターゲットの製造方法としては、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非磁性体を接合することを特徴としている。
【００１３】
【作用】請求項１記載のターゲットでは、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に非磁性体を接合してなることにより、磁性材料を薄厚化して成膜速度を向上させる。また、磁性材料の厚みを薄厚とすることにより、磁性材料の不使用部分を削減し経済性を向上させる。
【００１４】また、請求項２記載のターゲットの製造方法では、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非磁性体を接合することにより、該非磁性体が磁性材料に機械的強度を付与し、機械加工時の反りや割れの発生を防止する。したがって、非磁性体を介することにより薄厚の磁性材料をバッキングプレートに接合することが可能になる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明に係るターゲットの一実施例について説明する。
【００１６】図１は、ターゲット１１の断面図であって、略矩形状もしくは円板状のバッキングプレート（冷却板）２の一方の面２ａ上に非磁性体１２が接合され、該非磁性体１２の面１２ａ上に磁性体１３が一体に接合されている。
【００１７】非磁性体１２は、バッキングプレート２と同形状で大きさが該バッキングプレート２より若干小さいものである。この非磁性体１２の材料としては、例えばＴｉ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗ等の弱磁性の金属、Ｃｕ等の反磁性の金属、ステンレススチール（例えばオーステナイト系のＳＵＳ３０４）等の弱磁性の合金が好適に用いられる。
【００１８】磁性体１３は、非磁性体１２と同一の形状で厚み（ｔ1）が該非磁性体１２の厚み（ｔ2）と同等かまたはそれより厚い強磁性材料からなるものである。この磁性体１３の材料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系合金，センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）等が好適に用いられる。
【００１９】また、磁性体１３の厚み（ｔ1）と該非磁性体１２の厚み（ｔ2）の和は、従来のターゲット１の厚み（ｔ）と同一となる様に設定されている。
【００２０】次に、前記ターゲット１１を製造する方法、すなわち非磁性体１２の一方の面１２ａ上に拡散により磁性体１３を接合する方法について説明する。
【００２１】まず、ＨＩＰ処理により前記ターゲット１１を製造する方法について図１及び図２を参照しながら説明する。
【００２２】まず、溶解鋳造法の一種である真空鋳造法により、Ｃｏ−９重量％Ｃｒ−３１重量％Ｐｔの組成を有する合金のインゴットを製造する。次に、ワイヤーカット放電加工等の機械加工により前記インゴットを直方体状に切断して素板２１とする。
【００２３】次に、この素板２１を直方体状のステンレススチール缶２２に挿入し、該ステンレススチール缶２２の内部を真空にし密封する。次に、ＨＩＰによりステンレススチール缶を焼結する。ＨＩＰ処理は、概ね１２００℃、１.０ｔｏｎ／ｃｍ2の下で１時間行う。
【００２４】次に、６００℃で３０分間焼鈍処理を行ない、その後所定の圧縮率Ｔで２回圧延処理を行う。
【００２５】次に、前記素板２１とステンレススチール缶２２とを一体に接合したまま略矩形状もしくは円板状に切断しその後素板２１の表面に鏡面研磨等の仕上加工を施し、その後ボンディングを行い略矩形状もしくは円板状のターゲット１１とする。
【００２６】以上により、磁性体１３（素板２１）と非磁性体１２（ステンレススチール缶２２）とを拡散により接合し一体の構造としたターゲット１１を得ることができる。
【００２７】次に、真空ホットプレス（ＨＰ）処理により前記ターゲット１１を製造する方法について図２及び図３を参照しながら説明する。
【００２８】真空鋳造法により製造されたインゴットを直方体状に切断して素板２１とし、この素板２１を同一形状のステンレススチール板２３上に重ね、真空下において所定の温度Ｔ及び所定の圧力Ｐを所定時間Ｈ保持することにより、素板２１とステンレススチール板２３とを接合する。
【００２９】ＨＰ処理の条件の一例を下記にしめす。
真 空 度 ：１×１０-2Ｔｏｒｒ加 圧 力 Ｐ：２５０ｋｇ／ｃｍ2温 度 Ｔ：１１５０℃保持時間 Ｈ：５時間
【００３０】その後、焼鈍処理、圧延処理、仕上加工、ボンディング等を施し、略矩形状もしくは円板状のターゲット１１とする。
【００３１】以上により、磁性体１３（素板２１）と非磁性体１２（ステンレススチール板２３）とを拡散により接合し一体の構造としたターゲット１１を得ることができる。
【００３２】前記ターゲット１１を用いてスパッタリングする場合、図４に示す様に磁石４，４によりターゲット１１の上方に高密度の磁力線Ｍを発生させて前記ターゲット１１の上方の漏洩磁束密度を大きくし、前記ターゲット１１の近傍に高密度プラズマを発生させて大きなイオン電流を流すことにより大電力化を図ることができ、これにより強いマグネトロン放電を起こすことができる。このとき、電子はターゲットの表面近傍を円形状もしくは略矩形状もしくは円形状の連続した軌跡を描いて運動しており、ターゲット１１の電力密度（Ｗ／ｃｍ2）を大幅に増大させることができ、最適条件の下にマグネトロンスパッタリングを行うことができる。
【００３３】表１は、上記のターゲット（実施例）と、従来のターゲット（比較例）について各々の特性を比較したものである。ここでは、ターゲットの組成はＣｏ−９重量％Ｃｒ−３１重量％Ｐｔ一種とし、このターゲットの磁性体１３の厚み（ｔ1）と非磁性体１２の厚み（ｔ2）を様々に変化させて特性を評価している。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１から明らかなように、上記実施例のターゲットは従来のものと比べて磁性体１３の厚みｔ1が薄くなるために、漏洩磁束密度Ｂが大きくなり、成膜速度（スパッタレイト）も優れていることがわかる。
【００３６】以上説明した様に、上記実施例のターゲット１１によれば、バッキングプレート２上に非磁性体１２を接合し、該非磁性体１２の面１２ａ上に磁性体１３を一体に接合したので、磁性体１３を薄厚化することができ成膜速度を向上させることができる。また、磁性体１３の厚みを薄厚とすることにより、使用する磁性材料の量を削減することができ、したがって経済性を向上させることができる。
【００３７】また、上記実施例のターゲットの製造方法によれば、非磁性体１２の面１２ａ上に拡散により磁性体１３を接合することとしたので、該非磁性体１２が磁性体１３に機械的強度を付与し、機械加工時の反りや割れの発生を防止することができる。したがって、非磁性体１２を介することにより、薄厚の磁性体１３をバッキングプレート２上に接合することが可能になる。
【００３８】これにより、例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）の様な難加工性材料であっても、機械加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生することもなくなる。
【００３９】以上により、高い成膜速度（ハイスパッタレイト）を有し経済性を改善することができるターゲットおよびその製造方法を提供することができる。
【００４０】なお、前記ターゲット１１を製造する方法、すなわち非磁性体１２の一方の面１２ａ上に拡散により磁性体１３を接合する方法としては、上述したＨＩＰ処理やＨＰ処理に限定されることなく種々の方法が適用可能であり、例えば、爆着等の方法も好適に用いることができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１記載のターゲットによれば、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に非磁性体を接合してなることとしたので、磁性材料を薄厚化することができ、成膜速度を向上させることができる。また、磁性材料の厚みを薄厚とすることにより、使用する磁性材料の量を削減することができ、したがって経済性を向上させることができる。
【００４２】また、請求項２記載のターゲットの製造方法によれば、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非磁性体を接合するので、該非磁性体が磁性材料に機械的強度を付与することができ、機械加工時の反りや割れの発生を防止することができる。したがって、非磁性体を介することにより、薄厚の磁性材料をバッキングプレート上に接合することが可能になる。
【００４３】これにより、例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）の様な難加工性材料であっても、機械加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生することもなくなる。
【００４４】以上により、高い成膜速度（ハイスパッタレイト）を有し経済性を改善することができるターゲットおよびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるターゲットの断面図である。
【図２】本発明の一実施例であるターゲットの製造方法の工程図である。
【図３】本発明の一実施例であるターゲットの製造方法の一部を示す概略説明図である。
【図４】本発明に係るターゲットの磁力線の様子を示す断面図である。
【図５】従来のターゲットの断面図である。
【図６】従来のターゲットの磁力線の様子を示す断面図である。
【符号の説明】
１１ ターゲット
２ バッキングプレート（冷却板）
１２ 非磁性体
１２ａ 面
１３ 磁性体
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ターゲット材となる磁性材料の一方の面に非磁性体を接合してなることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
【請求項２】 ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非磁性体を接合することを特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法。
【請求項１】 ターゲット材となる磁性材料の一方の面に非磁性体を接合してなることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
【請求項２】 ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非磁性体を接合することを特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開平５−８６４６０
【公開日】平成５年（１９９３）４月６日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平３−１９２２０８
【出願日】平成３年（１９９１）７月３１日
【出願人】（０００００６２６４）三菱マテリアル株式会社 (4,417)
【公開日】平成５年（１９９３）４月６日
【国際特許分類】
【出願日】平成３年（１９９１）７月３１日
【出願人】（０００００６２６４）三菱マテリアル株式会社 (4,417)
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