フタロシアニン結晶、電子写真感光体、並びにそれを用いた電子写真感光体カートリッジ及び画像形成装置
【課題】高い感度を有し、且つ、使用環境の湿度変化に対する感度の変動が少なく、太陽電池、電子ペーパー、電子写真感光体等の材料として好適に用いることのできる、優れたフタロシアニン結晶を提供する。
【解決手段】フタロシアニン結晶前駆体を芳香族アルデヒド化合物に接触させることにより結晶型を変換する工程を経て得られるフタロシアニン結晶である。
【解決手段】フタロシアニン結晶前駆体を芳香族アルデヒド化合物に接触させることにより結晶型を変換する工程を経て得られるフタロシアニン結晶である。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
導電性支持体上に膜厚が35±2.5μmの感光層を有する電子写真感光体において、温度25℃、相対湿度50%rhにおける半減露光量E1/2が下記式(1)を満たし、且つ、温度25℃、相対湿度50%rhにおける光減衰曲線と温度25℃、相対湿度10%rhにおける光減衰曲線とを比較したときに、半減露光量E1/2の0倍以上10倍以下の露光量の範囲において、同じ露光量における表面電位の差の絶対値が50V未満であることを特徴とする電子写真感光体。
E1/2 ≦ 0.059 (1)
(上記式(1)において、E1/2は、感光体の表面電位V0の絶対値|V0|を550Vから275Vまで減衰させるのに必要とする780nmの波長の光の露光量(μJ/cm2)を表す。)
【請求項2】
導電性支持体上に膜厚が30±2.5μmの感光層を有する電子写真感光体において、温度25℃、相対湿度50%rhにおける半減露光量E1/2が下記式(2)を満たし、且つ、温度25℃、相対湿度50%rhにおける光減衰曲線と温度25℃、相対湿度10%rhにおける光減衰曲線とを比較したときに、半減露光量E1/2の0倍以上10倍以下の露光量の範囲において、同じ露光量における表面電位の差の絶対値が50V未満であることを特徴とする電子写真感光体。
E1/2 ≦ 0.061 (2)
(上記式(2)において、E1/2は、感光体の表面電位V0の絶対値|V0|を550Vから275Vまで減衰させるのに必要とされる波長780nmの光の露光量(μJ/cm2)を表わす。)
【請求項3】
導電性支持体上に膜厚が25±2.5μmの感光層を有する電子写真感光体において、温度25℃、相対湿度50%rhにおける半減露光量E1/2が下記式(3)を満たし、且つ、温度25℃、相対湿度50%rhにおける光減衰曲線と温度25℃、相対湿度10%rhにおける光減衰曲線とを比較したときに、半減露光量E1/2の0倍以上10倍以下の露光量の範囲において、同じ露光量における表面電位の差の絶対値が50V未満であることを特徴とする電子写真感光体。
E1/2 ≦ 0.066 (3)
(上記式(3)において、E1/2は、感光体の表面電位V0の絶対値|V0|を550Vから275Vまで減衰させるのに必要とされる波長780nmの光の露光量(μJ/cm2)を表わす。)
【請求項4】
導電性支持体上に膜厚が20±2.5μmの感光層を有する電子写真感光体において、温度25℃、相対湿度50%rhにおける半減露光量E1/2が下記式(4)を満たし、且つ、温度25℃、相対湿度50%rhにおける光減衰曲線と温度25℃、相対湿度10%rhにおける光減衰曲線とを比較したときに、半減露光量E1/2の0倍以上10倍以下の露光量の範囲において、同じ露光量における表面電位の差の絶対値が50V未満であることを特徴とする電子写真感光体。
E1/2 ≦ 0.079 (4)
(上記式(4)において、E1/2は、感光体の表面電位V0の絶対値|V0|を550Vから275Vまで減衰させるのに必要とされる波長780nmの光の露光量(μJ/cm2)を表わす。)
【請求項5】
導電性支持体上に膜厚が15±2.5μmの感光層を有する電子写真感光体において、温度25℃、相対湿度50%rhにおける半減露光量E1/2が下記式(5)を満たし、且つ、温度25℃、相対湿度50%rhにおける光減衰曲線と温度25℃、相対湿度10%rhにおける光減衰曲線とを比較したときに、半減露光量E1/2の0倍以上10倍以下の露光量の範囲において、同じ露光量における表面電位の差の絶対値が50V未満であることを特徴とする電子写真感光体。
E1/2 ≦ 0.090 (5)
(上記式(5)において、E1/2は、感光体の表面電位V0の絶対値|V0|を550Vから275Vまで減衰させるのに必要とされる波長780nmの光の露光量(μJ/cm2)を表わす。)
【請求項6】
該感光層がオキシチタニウムフタロシアニンを含有することを特徴とする、請求項1〜5の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項7】
請求項1〜6の何れか一項に記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電部、帯電した該電子写真感光体を露光させ静電潜像を形成する露光部、該電子写真感光体上に形成された静電潜像を現像する現像部、該電子写真感光体上をクリーニングするクリーニング部のうち、少なくとも一つとを備えることを特徴とする電子写真感光体カートリッジ。
【請求項8】
請求項1〜6の何れか一項に記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電部、帯電した該電子写真感光体を露光させ静電潜像を形成する露光部、及び該電子写真感光体上に形成された静電潜像を現像する現像部とを備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項1】
導電性支持体上に膜厚が35±2.5μmの感光層を有する電子写真感光体において、温度25℃、相対湿度50%rhにおける半減露光量E1/2が下記式(1)を満たし、且つ、温度25℃、相対湿度50%rhにおける光減衰曲線と温度25℃、相対湿度10%rhにおける光減衰曲線とを比較したときに、半減露光量E1/2の0倍以上10倍以下の露光量の範囲において、同じ露光量における表面電位の差の絶対値が50V未満であることを特徴とする電子写真感光体。
E1/2 ≦ 0.059 (1)
(上記式(1)において、E1/2は、感光体の表面電位V0の絶対値|V0|を550Vから275Vまで減衰させるのに必要とする780nmの波長の光の露光量(μJ/cm2)を表す。)
【請求項2】
導電性支持体上に膜厚が30±2.5μmの感光層を有する電子写真感光体において、温度25℃、相対湿度50%rhにおける半減露光量E1/2が下記式(2)を満たし、且つ、温度25℃、相対湿度50%rhにおける光減衰曲線と温度25℃、相対湿度10%rhにおける光減衰曲線とを比較したときに、半減露光量E1/2の0倍以上10倍以下の露光量の範囲において、同じ露光量における表面電位の差の絶対値が50V未満であることを特徴とする電子写真感光体。
E1/2 ≦ 0.061 (2)
(上記式(2)において、E1/2は、感光体の表面電位V0の絶対値|V0|を550Vから275Vまで減衰させるのに必要とされる波長780nmの光の露光量(μJ/cm2)を表わす。)
【請求項3】
導電性支持体上に膜厚が25±2.5μmの感光層を有する電子写真感光体において、温度25℃、相対湿度50%rhにおける半減露光量E1/2が下記式(3)を満たし、且つ、温度25℃、相対湿度50%rhにおける光減衰曲線と温度25℃、相対湿度10%rhにおける光減衰曲線とを比較したときに、半減露光量E1/2の0倍以上10倍以下の露光量の範囲において、同じ露光量における表面電位の差の絶対値が50V未満であることを特徴とする電子写真感光体。
E1/2 ≦ 0.066 (3)
(上記式(3)において、E1/2は、感光体の表面電位V0の絶対値|V0|を550Vから275Vまで減衰させるのに必要とされる波長780nmの光の露光量(μJ/cm2)を表わす。)
【請求項4】
導電性支持体上に膜厚が20±2.5μmの感光層を有する電子写真感光体において、温度25℃、相対湿度50%rhにおける半減露光量E1/2が下記式(4)を満たし、且つ、温度25℃、相対湿度50%rhにおける光減衰曲線と温度25℃、相対湿度10%rhにおける光減衰曲線とを比較したときに、半減露光量E1/2の0倍以上10倍以下の露光量の範囲において、同じ露光量における表面電位の差の絶対値が50V未満であることを特徴とする電子写真感光体。
E1/2 ≦ 0.079 (4)
(上記式(4)において、E1/2は、感光体の表面電位V0の絶対値|V0|を550Vから275Vまで減衰させるのに必要とされる波長780nmの光の露光量(μJ/cm2)を表わす。)
【請求項5】
導電性支持体上に膜厚が15±2.5μmの感光層を有する電子写真感光体において、温度25℃、相対湿度50%rhにおける半減露光量E1/2が下記式(5)を満たし、且つ、温度25℃、相対湿度50%rhにおける光減衰曲線と温度25℃、相対湿度10%rhにおける光減衰曲線とを比較したときに、半減露光量E1/2の0倍以上10倍以下の露光量の範囲において、同じ露光量における表面電位の差の絶対値が50V未満であることを特徴とする電子写真感光体。
E1/2 ≦ 0.090 (5)
(上記式(5)において、E1/2は、感光体の表面電位V0の絶対値|V0|を550Vから275Vまで減衰させるのに必要とされる波長780nmの光の露光量(μJ/cm2)を表わす。)
【請求項6】
該感光層がオキシチタニウムフタロシアニンを含有することを特徴とする、請求項1〜5の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項7】
請求項1〜6の何れか一項に記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電部、帯電した該電子写真感光体を露光させ静電潜像を形成する露光部、該電子写真感光体上に形成された静電潜像を現像する現像部、該電子写真感光体上をクリーニングするクリーニング部のうち、少なくとも一つとを備えることを特徴とする電子写真感光体カートリッジ。
【請求項8】
請求項1〜6の何れか一項に記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電部、帯電した該電子写真感光体を露光させ静電潜像を形成する露光部、及び該電子写真感光体上に形成された静電潜像を現像する現像部とを備えることを特徴とする画像形成装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【公開番号】特開2013−33264(P2013−33264A)
【公開日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−204901(P2012−204901)
【出願日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【分割の表示】特願2007−73260(P2007−73260)の分割
【原出願日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【出願人】(000005968)三菱化学株式会社 (4,356)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【分割の表示】特願2007−73260(P2007−73260)の分割
【原出願日】平成19年3月20日(2007.3.20)
【出願人】(000005968)三菱化学株式会社 (4,356)
【Fターム(参考)】
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