プラズマディスプレイパネル
【課題】隣接する放電セル間での誤放電防止とプライミング効果を確保することが出来るとともに、発光効率を向上させることが出来るＰＤＰを提供する。
【解決手段】行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する一対の行電極Ｘ１，Ｙ１のそれぞれの放電ギャップｇ１を介してサステイン放電を行う透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａの列方向の幅が１５０μｍ以下に設定され、放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、行方向に隣接する放電セルＣ１間が、隔壁１５の縦壁１５Ｂと突条部１５Ｂａによって、この突条部１５Ｂａの両側に位置する放電セルＣ１の部分の間が遮断されているとともに、この突条部１５Ｂａの列方向の両側の部分に形成された隙間ｒ１によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間が連通されている。
【解決手段】行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する一対の行電極Ｘ１，Ｙ１のそれぞれの放電ギャップｇ１を介してサステイン放電を行う透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａの列方向の幅が１５０μｍ以下に設定され、放電空間内に封入される放電ガス中のキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、行方向に隣接する放電セルＣ１間が、隔壁１５の縦壁１５Ｂと突条部１５Ｂａによって、この突条部１５Ｂａの両側に位置する放電セルＣ１の部分の間が遮断されているとともに、この突条部１５Ｂａの列方向の両側の部分に形成された隙間ｒ１によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間が連通されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、一般に、放電ガスが封入されている放電空間を挟んで互いに対向する二枚のガラス基板のうち、一方のガラス基板側に、行方向に延びるとともに列方向に並設された複数の行電極対が配置されて誘電体層によって被覆され、他方のガラス基板側に、列方向に延びるとともに行方向に並設された複数の列電極が配置されており、放電空間の行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分に対向する部分に、赤，緑，青の蛍光体層を備えた放電セルが形成されて、この放電セルがパネル面にマトリクス状に配置された構成を備えている。
【０００３】
そして、一対のガラス基板の間の放電空間内に、体積比１〜１０パーセントのキセノンを含む放電ガスが封入されている。
【０００４】
このＰＤＰは、行電極対を構成する対になっている行電極のうちの一方の行電極と列電極との間で選択的にアドレス放電が発生されて、発光セル（対向する部分の誘電体層に壁電荷が形成されている放電セル）と非発光セル（対向する部分の誘電体層の壁電荷が消去されている放電セル）の選択が行われて、この発光セルと非発光セルとが映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【０００５】
この後、各行電極対の互いに対になっている行電極に交互にサステイン・パルスが印加されて、発光セル内においてサステイン放電が発生され、このサステイン放電によって放電空間内の放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生されて、この真空紫外線によって各発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層が励起されて可視光が発生されることにより、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【０００６】
上記のような構成のＰＤＰにおいて、行電極の寸法は、従来は以下のように設定されている。
【０００７】
すなわち、図１は、従来のＰＤＰの行電極対のうち一個の放電セルＣに対向している部分の構成を示しており、この図１において、行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する行電極ＸとＹは、それぞれ、互いに行方向に平行に延びるとともに列方向において放電ギャップｇを介して対向される帯状の透明電極Ｘａ，Ｙａと、この透明電極Ｘａ，Ｙａに接続されて行方向に延びる帯状のバス電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成されている。
【０００８】
図１中、Ｄは列電極である。
そして、この従来のＰＤＰの各行電極Ｘ，Ｙの列方向の幅ｗは、４００〜１０００μｍの値に設定されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
この従来のＰＤＰにおいて、行電極の列方向の幅が上記のように設定されているのは、以下のような理由による。
【００１０】
すなわち、ＰＤＰにおいては、サステイン放電によって放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、その主成分である波長１４７ｎｍの共鳴線によって、蛍光体層が励起されて可視光が発生されるが、この共鳴線は、放電ガス中を蛍光体層に向かって進んでゆく過程で、放電ガス中のキセノン原子と衝突し、このキセノン原子との間で吸収と放射が繰り返されることによって減衰してしまう。
【００１１】
このため、含まれているキセノンの体積比が１〜１０パーセントであるような低キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、サステイン放電時に蛍光体層に到達する共鳴線の量が少なくなり、所要の輝度を得ることが出来なくなる場合がある。
【００１２】
このため、従来のＰＤＰでは、上記のように、各行電極Ｘ，Ｙの列方向の幅ｗ（図１参照）を広く設定することによって、放電セルＣ内の広い領域でサステイン放電が発生されるようにし、このサステイン放電によって発生する真空紫外線の量（すなわち、共鳴線の量）を増加させて、蛍光体層に到達する共鳴線の量が所定値以上になるようにすることによって、所定値以上の輝度が確保されるようになっている。
【００１３】
しかしながら、上記従来のＰＤＰでは、高輝度の画面を形成するために必要な高い発光効率を得ることが出来ないという問題点を有している。
【００１４】
【特許文献１】特開平８−２２７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰが有している問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
第１発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記行電極対を構成する行電極のそれぞれの列方向の幅が１５０μｍ以下に設定され、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されていることを特徴としている。
【００１７】
第２の発明（請求項８に記載の発明）によるＰＤＰは、前記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層は、薄膜の部分と、この薄膜の部分よりも厚さが大の厚膜の部分からなり、この誘電体層の薄膜の部分は、前記対になった行電極の、放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆する誘電体層であり、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されていることを特徴としている。
【００１８】
第３の発明（請求項１５に記載の発明）によるＰＤＰは、前記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれそれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記対となった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分の行電極対を被覆する誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層が形成され、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
この発明によるＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われるサステイン放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されているとともに、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間内に、キセノンの分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定された放電ガスが封入され、行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されているＰＤＰをその最良の実施形態としている。
【００２０】
この実施形態におけるＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極間で発生されるサステイン放電が、この一対の行電極のサステイン放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されていることによって、狭奥行き放電となり、さらに、放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上される。
【００２１】
そして、行方向に隣接する単位発光領域内のそれぞれの狭奥行き放電となるサステイン放電が発生する部分の間が、行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に配置された壁部によって遮断されていることによって、サステイン放電が発生される際に、行方向に隣接する単位発光領域間での誤放電の発生が防止されるとともに、壁部の両側の隔壁と誘電体層側との間に形成された隙間によって、行方向に隣接する単位発光領域間におけるプライミング効果が発揮され、さらに、製造工程時における排気および放電ガスの導入経路が確保される。
【００２２】
さらに、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン放電を発生させるサステイン・パルスの周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスを有しているとともにサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【００２３】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この誘電体層と縦壁間に形成された隙間によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【００２４】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、壁部は、隔壁上に一体的に形成されていても良く、または、行電極対を被覆する誘電体層側に形成されていても良い。
【００２５】
この壁部が行電極対を被覆する誘電体層側に形成されている場合には、ＰＤＰの製造工程において、壁部の形成時の位置合わせ精度を向上させることが出来る。
【００２６】
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、壁部が、隔壁を形成する誘電材料と同じ材料によって形成されていてもよく、または、隔壁を形成する誘電材料とは異なる低誘電材料によって形成されていても良い。
【００２７】
壁部が隔壁と同じ誘電材料によって形成される場合には、壁部を隔壁と同時に一体成形することが出来、また、壁部が隔壁を形成する誘電材料とは異なる低誘電材料によって形成される場合には、アドレス放電を発生させる行電極と列電極間の静電容量を小さくすることが出来、これによって、アドレス放電時の消費電力を低減させることが出来るようになる。
【００２８】
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、壁部が、その中央部分が行電極のサステイン放電に関与する部分に対向され、一方の基板側から見た状態で、両端部分がそれぞれ一対の行電極から列方向外方に同じ長さだけ張り出す位置に配置されるようにし、例えば、この行電極のサステイン放電に関与する部分から列方向外方に張り出している両端部分の列方向の長さを、それぞれ３０μｍ以下に設定することが出来る。
【００２９】
これによって、行方向に隣接する単位発光領域内のそれぞれの狭奥行き放電となるサステイン放電が発生する部分の間が、壁部によって十分に遮断されることになり、サステイン放電が発生される際の行方向に隣接する単位発光領域間での誤放電の発生の防止が、十分に行われるようになる。
【００３０】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅を１５０μｍ以下に設定する構成としては、第１に、各行電極の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定される構成、第２に、行電極対を被覆する誘電体層について、各行電極の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆している誘電体層の厚さが薄く、他の部分の誘電体層の厚さが厚くなっていて、行電極の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分においてのみ放電の発生が許容される構成、第３に、対になった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分の行電極対を被覆する誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層を形成する構成等がある。
【００３１】
この第１の構成のＰＤＰは、各行電極の列方向の幅が従来のＰＤＰに比べて大幅に小さくなっていることによって電極間に形成される静電容量が大幅に減少し、その結果、無効電流の発生が減少して消費電力の低減を図ることが出来るようになる。
【００３２】
第２の構成のＰＤＰは、従来の行電極対の構成の変更が不要であるので製造工程の大きな変更を必要とせず、さらに、誘電体層の形成位置や厚さ寸法を任意に設定することによって構成出来るので、設計および製造上の自由度が増すことによって、製造コストの低廉化と製品歩留の向上を図ることが出来るようになる。
【００３３】
第３の構成のＰＤＰは、行電極間での放電の発生領域が二次電子放出層の形成位置や寸法によって自由に設定されるので、設計や製造上の自由度が増して、設計変更等に柔軟に対応することが可能になる。
【実施例１】
【００３４】
図２ないし４は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第１の実施例を示しており、図２はこの第１実施例におけるＰＤＰの一部を模式的に示す正面図、図３は図２のＶ１−Ｖ１線における断面図、図４はこの第１実施例のＰＤＰの隔壁構造を示す斜視図である。
【００３５】
この図２ないし４において、ＰＤＰ１０は、表示面である前面ガラス基板１１の背面に、行方向（図２の左右方向）に延びる複数の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、列方向（図２の上下方向）に所要の間隔を開けて等間隔に並設されている。
【００３６】
この行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する一方の行電極Ｘ１は、前面ガラス基板１１の背面にＩＴＯ等の透明導電膜によって行方向に帯状に延びるように形成された透明電極Ｘ１ａと、この透明電極Ｘ１ａの背面上に接続されて、金属膜によって形成されて列方向の幅が透明電極Ｘ１ａの列方向の幅よりも小さい帯状の行方向に延びるバス電極Ｘ１ｂとによって構成されている。
【００３７】
行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する他方の行電極Ｙ１も、行電極Ｘ１と同様に、前面ガラス基板１１の背面にＩＴＯ等の透明導電膜によって行方向に帯状に延びるように形成されて、行電極Ｘ１の透明電極Ｘ１ａと所要の間隔を開けて平行に延びるように位置された透明電極Ｙ１ａと、この透明電極Ｙ１ａの背面上に接続されて、金属膜によって形成されて列方向の幅が透明電極Ｙ１ａの列方向の幅よりも小さい帯状の行方向に延びるバス電極Ｙ１ｂとによって構成されている。
【００３８】
この行電極Ｘ１とＹ１は、前面ガラス基板１１の列方向に沿って交互に配列されており、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）において、対になっている行電極Ｘ１とＹ１の互いに対向する透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの間の所要の幅の間隔が、それぞれ、放電ギャップｇ１を構成している。
【００３９】
前面ガラス基板１１の背面には、さらに、誘電体層１２が形成されて、この誘電体層１２によって行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が被覆されている。
【００４０】
さらに、この誘電体層１２の背面の全体を覆う様に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の高γ材料からなる図示しない保護層が形成されている。
【００４１】
この前面ガラス基板１１に対して、背面ガラス基板１３が、放電空間を介して平行に対向されている。
【００４２】
そして、この背面ガラス基板１３の前面ガラス基板１１と対向する側の面上に、列方向に帯状に延びる複数の列電極Ｄ１が、行方向に所要の間隔を開けて等間隔に形成されている。
【００４３】
背面ガラス基板１３のこの面上には、さらに、列電極保護層（誘電体層）１４が形成されて、この列電極保護層１４によって列電極Ｄ１が被覆されている。
【００４４】
この列電極保護層１４上には、以下のような形状を有する隔壁１５が形成されている。
【００４５】
すなわち、この隔壁１５は、列方向において互いに隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の間の中間位置に対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる複数の横壁１５Ａと、列方向に延びるとともに行方向に所要の間隔を開けて等間隔に並設された複数の縦壁１５Ｂとによって、略格子形状に成形されている。
【００４６】
この隔壁１５によって、前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１３の間の放電空間がそれぞれ略方形形状に区画されることにより、パネル面にマトリクス状に配置された複数の放電セルＣ１が形成されており、この各放電セルＣ１の中央部分に、それぞれ、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が対向されている。
【００４７】
隔壁１５は、さらに、以下のような構成を備えている。
【００４８】
すなわち、この隔壁１５の各縦壁１５Ｂの前面ガラス基板１１に対向する端面上の中央部に、それぞれ、前面ガラス基板１１側に突出するとともに列方向に延びる突条部１５Ｂａが形成されている。
【００４９】
この突条部１５Ｂａの列方向の長さＬ１は、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の列方向の幅、すなわち、行電極Ｘ１およびＹ１とその間の放電ギャップｇ１の列方向の幅の合計の長さよりも大きく、かつ、隔壁１５の隣接する横壁１５Ａ間の長さよりも小さい寸法に設定されており、前面ガラス基板１１側から見た状態で、突条部１５Ｂａの両端部が、それぞれ行電極Ｘ１とＹ１のそれぞれの放電ギャップｇ１と反対側の縁部から列方向外方に、所定の同じ長さｄ１だけ張り出した状態になっている。
【００５０】
この実施例では、例えば、ｄ１＝０〜３０μｍに設定される。
【００５１】
この突条部１５Ｂａは、誘電体層１２を被覆する保護層の背面に当接されている。
【００５２】
そして、この突条部１５Ｂａにその両側において隣接する横壁１５Ａとの間の部分の縦壁１５Ｂは、それぞれ誘電体層１２を被覆する保護層の背面には当接されておらず、その間に隙間ｒ１が形成されていて、この隙間ｒ１を介して縦壁１５Ｂを挟んで行方向に隣接する二つの放電セルＣ１が、互いに連通されている。
【００５３】
この隙間ｒ１の幅（誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂの間の間隔）は、１ないし２０μｍに設定されるのが好ましい。
【００５４】
これは、隙間ｒ１の幅が１μｍ未満の場合には、後述するようなプライミング効果の発揮や発光効率の向上，排気通路の確保などが十分に行われなくなるためであり、一方、２０μｍよりも大きい場合には、行方向に隣接する放電セルＣ１間で誤放電が発生する虞が発生するためである。
【００５５】
なお、この突条部１５Ｂａは、後述するように、隔壁１５の本体を形成する誘電材料と同じ材料によって一体的に形成されていても良いが、隔壁１５の本体を形成する誘電材料とは別の低誘電材料によって形成されていても良い。
【００５６】
各放電セルＣ１において、この放電セルＣ１内の放電空間に面する隔壁１５の横壁１５Ａおよび縦壁１５Ｂの四つの側面と列電極保護層１４の表面には、これらの五つの面を覆うように蛍光体層１６が形成されており、この蛍光体層１６の色が各放電セルＣ１毎に三原色の赤，緑，青に色分けされて、この三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。
【００５７】
放電空間内には、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
【００５８】
上記ＰＤＰ１０の行電極Ｘ１，Ｙ１の寸法および放電ガスの構成は、以下のように設定されている。
【００５９】
すなわち、各行電極Ｘ１，Ｙ１の列方向の幅、すなわち、透明電極Ｘ１ａの列方向の幅Ｗｘ１，透明電極Ｙ１ａの列方向の幅Ｗｙ１（図２参照）が、それぞれ１５０μｍ以下に設定されている。
【００６０】
そして、放電空間内に封入される全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている。
【００６１】
このＰＤＰ１０は、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｙ１に順次スキャン・パルスが印加され、これと同時に、列電極Ｄ１に選択的にデータ・パルスが印加されて、このスキャン・パルスが印加された行電極Ｙ１とデータ・パルスが印加された列電極Ｄ１が交差している部分に形成されている放電セルＣ１内において、行電極Ｙ１と列電極Ｄ１との間でアドレス放電が発生され、このアドレス放電によって形成される発光セル（対向している部分の誘電体層１２に壁電荷が形成されている放電セルＣ１）と非発光セル（対向している部分の誘電体層１２の壁電荷が消去されている放電セルＣ１）とが、映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【００６２】
この後、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）のそれぞれ対になっている行電極Ｘ１とＹ１に交互にサステイン・パルスが印加されて、発光セル内において、透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの間で放電ギャップｇ１を介してサステイン放電が発生される。
【００６３】
そして、このサステイン放電によって、発光セル内において、放電空間内に封入されている放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生され、この真空紫外線によって発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層１６が励起されて可視光が発生されることにより、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【００６４】
このＰＤＰ１０は、各行電極Ｘ１の列方向の幅Ｗｘ１，透明電極Ｙ１の列方向の列方向の幅Ｗｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定され、放電空間内の全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、画像形成時における上記のようなサステイン放電時に、以下のような理由によって、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【００６５】
すなわち、図５は、ＰＤＰにおける行電極の列方向の幅（以下、電極幅と略称する）と発光効率との関係を示している。
【００６６】
なお、この図５は、放電セルのサイズが７００（μｍ）×３１０（μｍ）、開口部サイズが６４０（μｍ）×２５０（μｍ）の場合の測定結果を示している。
【００６７】
この図５において、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）未満の場合（図５においては、キセノン分圧が２．６７ｋＰａ（２０Ｔｏｒｒ）の場合が示されている）には、電極幅が小さくなるほど発光効率が低下している。
【００６８】
そして、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上になると、電極幅が小さくなるにしたがって、発光効率が上昇し、キセノン分圧が大きくなるほど（図５においては、キセノン分圧が１３．３３ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）の場合が示されている）、発光効率の上昇が顕著になる。
【００６９】
ＰＤＰにおいて要求される発光効率としては、２．０（ｌｍ／Ｗ）以上の値が有用な値となる。
【００７０】
したがって、この図５から、ＰＤＰ１０において、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている状態で、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下であれば、２．０（ｌｍ／Ｗ）以上の発光効率を得ることが出来ることが分かる。
【００７１】
このように、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の状態において、電極幅が小さくなるにしたがって発光効率が上昇するのは、以下の理由による。
【００７２】
図６は、放電の一般的な成長過程を示すグラフであり、図７は、従来の放電セル内におけるサステイン放電の成長過程を示す状態図である。
【００７３】
この図６および７に示されるように、前述したような画像形成時に放電セル内において発生されるサステイン放電は、タウンゼント放電−初期グロー放電−グロー放電のそれぞれの過程を経て成長してゆく。
【００７４】
ＰＤＰの画像形成時における真空紫外線の生成には、一般的に、サステイン放電の発生期間うち、初期グロー放電とグロー放電の期間が利用される。
【００７５】
そして、この真空紫外線の生成に利用される放電期間のうち、初期グロー放電期間は、空間電荷の局在化が完成する前の過程において、陰極付近に主にイオンによって形成される陰極降下部でのエネルギの損失がないため、非常に高い効率で真空紫外線が生成される。
【００７６】
この初期グロー放電期間に続くグロー放電期間では、陰極降下部の生成によって放電空間内に非常に強い電界が形成され、この強電界によって多量の高エネルギ電子が生成されて、強電界部の出口となる負グロー部において多量の真空紫外線が生成されるが、陰極降下部にエネルギの損失が生じるため、初期グロー放電期間と比べて、真空紫外線の生成効率は高くない。
【００７７】
ＰＤＰの放電セル内において発生されるサステイン放電は、一般的に、図７に示されるように、その成長過程において、行電極対の陽極側から陰極側へと立体的に成長してゆく。
【００７８】
上記ＰＤＰ１０では、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されていて、放電セルＣ１内においてサステイン放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭いために、このサステイン放電の成長領域が、放電ギャップｇ１の近傍の狭い領域（図７においてｅで示される領域）に制限される。
【００７９】
なお、このＰＤＰ１０において、放電ギャップｇ１の近傍の狭い領域において発生するサステイン放電を、以下、狭奥行き放電と呼称する。
【００８０】
この狭奥行き放電の成長領域は、前述したように非常に高い効率で真空紫外線が生成される図７の初期グロー放電の発生領域と重なる。
【００８１】
このため、ＰＤＰ１０は、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されて、サステイン放電が狭奥行き放電となることによって、真空紫外線の生成を、従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行うことが出来るようになる。
【００８２】
一方、ＰＤＰ１０において、従来と同様に、放電空間内に低キセノン分圧の放電ガスを封入して、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうちの主として波長１４７ｎｍの共鳴線によって蛍光体層１６を励起しようとすると、ＰＤＰ１０において発生される狭奥行き放電であるサステイン放電が、放電ギャップｇ１の近傍の範囲に局在化するために、この真空紫外線の共鳴線の蛍光体層１６に到達するまでの間の減衰が反って大きくなってしまう。
【００８３】
一般に、全圧が６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中においてキセノン分圧が２．６７〜３．３３ｋＰａ（２０〜２５Ｔｏｒｒ）である場合には、放電ガスから発生される真空紫外線の主成分は、波長１４７ｎｍの共鳴線であることが知られており、この共鳴線は、キセノン分圧が２．６７〜３．３３ｋＰａ（２０〜２５Ｔｏｒｒ）の条件下において放電ガス中を１００μｍ進む間に、ほぼ半分に減衰する。
【００８４】
ＰＤＰ１０においては、全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層１６の励起が行われる。
【００８５】
この真空紫外線のうちの分子線は、共鳴線のように放電ガス中を進んでゆく過程でほとんど減衰することがない。
【００８６】
従って、ＰＤＰ１０においては、サステイン放電が狭奥行き放電となって、放電ギャップｇ１の近傍の範囲に局在化される場合でも、真空紫外線が蛍光体層１６に十分に到達するので、サステイン放電が狭奥行き放電になることによって真空紫外線の生成が従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるという特性がそのまま生かされるようになり、これによって、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【００８７】
上記ＰＤＰ１０は、隔壁１５の縦壁１５Ｂ上の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）に対向する部分とこの行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の外側の両縁部から張り出した所要の範囲の部分に対向する位置に、突条部１５Ｂａが形成されて、この部分において、突条部１５Ｂａにより、縦壁１５Ｂを挟んで行方向に隣接する放電セルＣ１間の連通が遮断されている。
【００８８】
これによって、この行方向に隣接する放電セルＣ１間での放電干渉が阻止されて、サステイン放電発生時の誤放電の発生が防止される。
【００８９】
このとき、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されていることによって、行電極Ｘ１，Ｙ１間で発生されるサステイン放電が前述したような放電領域が狭い狭奥行き放電になり、真空紫外線の発生領域が従来のＰＤＰよりも小さいいわゆる点光源になることによって、突条部１５Ｂａが、縦壁１５Ｂ上の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）に対向する部分とこの行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の外側の両縁部から張り出した所要の範囲の部分に対向する位置にのみ形成されていて、この突条部１５Ｂａの両側に隙間ｒ１が形成されている場合でも、十分に行方向に隣接する放電セルＣ１間での放電干渉を防止することが出来る。
【００９０】
さらに、上記ＰＤＰ１０は、突条部１５Ｂａの列方向の両側の部分において、誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂとの間に形成された隙間ｒ１が、ＰＤＰ１０の製造工程時の放電空間内からの排気および放電空間内への放電ガスの導入経路を構成し、さらに、ＰＤＰ駆動時のサステイン放電によって発生するプライミング粒子の隣接する放電セルＣ１内への導入経路を構成する。
【００９１】
この隙間ｒ１が、行方向に隣接する放電セルＣ１間での放電干渉の防止の障害にならないことは、上述した通りである。
【００９２】
ここで、一般に、ＰＤＰにおいては、サステイン放電を発生させるためのサステイン・パルスのパルス周期が短くなる程、放電間隔が短くなることによってプライミング粒子が多く発生するため、行方向に隣接する放電セル間が連通されている場合には、放電確率の向上や放電遅れの改善等のプライミング効果が大きくなることになるが、従来のＰＤＰのように電極幅が広く放電ガス中のキセノン分圧が低い場合には、サステイン・パルス周期が短くなっても、発光効率はほとんど変化しない。
【００９３】
これに対し、上記ＰＤＰ１０は、放電空間中に高キセノンの放電ガスが封入されているとともに行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅が１５０μｍ以下に設定されていることによって、誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂとの間に形成された隙間ｒ１によってプライミング効果が発揮されるとともに、このプライミング効果を向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした際に、従来のＰＤＰに比べて、発光効率が向上される。
【００９４】
図８は、誘電体層と隔壁の縦壁の間に隙間が設けられていない場合において、電極幅が５０μｍに設定された行電極Ｘ１，Ｙ１とキセノン分圧が１３．３３ｋＰａに設定された高キセノンの放電ガスを備えて狭奥行き放電を行うＰＤＰにおけるサステイン・パルス周期と発光効率との関係と、電極幅が２５０μｍに設定された行電極とキセノン分圧が２．６７ｋＰａに設定された放電ガスを備えた従来のＰＤＰにおけるサステイン・パルス周期と発光効率との関係とを、それぞれＰＤＰを、電圧２３０Ｖのサステイン・パルスによって駆動して比較したグラフである。
【００９５】
なお、この図８の発光効率の値は、周期５０μｓｅｃで規格化されたサステイン・パルスに対する値である。
【００９６】
この図８から、誘電体層と隔壁の縦壁の間に隙間が設けられていない場合には、電極幅が２５０μｍ，放電ガス中のキセノン分圧が２．６７ｋＰａの従来のＰＤＰにおいては、サステイン・パルス周期が短くなっても発光効率はほとんど変わらないが、電極幅が５０μｍ，放電ガス中のキセノン分圧が１３．３３ｋＰａの上記ＰＤＰ１０においては、サステイン・パルス周期が短くなるほど発光効率が向上していることが分かる。
【００９７】
このように、上記ＰＤＰ１０は、行方向において隣接する放電セルＣ１間において、突条部１５Ｂａによる誤放電発生の防止効果と、隙間ｒ１による放電確率の向上および放電遅れの改善等のプライミング効果を同時に得ることが出来るとともに、このプライミング効果を向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、従来のＰＤＰよりも発光効率を向上させることが出来る。
【００９８】
図９は、誘電体層と隔壁の縦壁との間に上記のような隙間が設けられていることによるプライミング効果を確認するために行われた実験の結果を示すグラフであり、電極幅が５０μｍに設定されキセノン分圧が１３．３３ｋＰａの放電ガスが封入されているＰＤＰにおける誘電体層と隔壁の縦壁間の隙間の長さに対する発光効率と、電極幅が２５０μｍに設定されキセノン分圧が２．６７ｋＰａの放電ガスが封入されている従来のＰＤＰにおける誘電体層と隔壁の縦壁間の隙間の長さに対する発光効率が、比較して示されている。
【００９９】
なお、この図９には、隙間の長さの代わりに、前面ガラス基板側から見た状態において行電極の放電ギャップと反対側の縁部から突条部の端部が列方向外方に張り出している長さ（図２，３の張り出し長さｄ１）を横軸にとり、ｄ１の長さ６０μｍで規格化された発光効率の値が示されている。
【０１００】
この図９から分かるように、従来の電極幅が２５０μｍ，放電ガス中のキセノン分圧が２．６７ｋＰａであるＰＤＰにおいては、誘電体層と隔壁の縦壁間の隙間が長く（すなわち、縦壁上の突条部の長さが短く）なっても、発光効率はあまり変化しておらず、誘電体層と縦壁間の隙間の長さのプライミング効果に対する影響は小さいが、電極幅が５０μｍ，放電ガス中のキセノン分圧が１３．３３ｋＰａに設定されたＰＤＰにおいては、誘電体層と隔壁の縦壁間の隙間が長い（縦壁上の突条部の張り出し長さｄ１が短い）ほどプライミング効果が大きくなって、発光効率が上昇している。
【０１０１】
この両者における発光効率の差は、縦壁上の突条部の張り出し長さｄ１が３０μｍ以下の場合に顕著になっている。
【０１０２】
このように、ＰＤＰ１０は、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなるため、誘電体層１２と隔壁１５の縦壁１５Ｂ間に形成された所要の長さ以上の隙間ｒ１によって、従来のＰＤＰよりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０１０３】
さらに、このＰＤＰ１０は、隙間ｒ１によって製造工程時の排気経路が確保されて、十分な放電空間内からの排気が行われるようになることにより、ＰＤＰの寿命アップや色温度向上等のパネル特性の向上効果を得ることが出来る。
【０１０４】
さらに、上記ＰＤＰ１０は、縦壁１５Ｂと誘電体層１２を被覆する保護層との間に隙間ｒ１が形成されていることによって、この隙間ｒ１の分だけ行電極Ｙ１と列電極Ｄ１間に形成される静電容量が小さくなって、アドレス放電時の消費電力が低減される。
【０１０５】
なお、上記ＰＤＰ１０において、突条部１５Ｂａの列方向の長さＬ１は、隣接する放電セルＣ１間でのサステイン放電時の誤放電発生防止のためには長い方が良いが、プライミング効果や排気経路の確保，行電極Ｙ１と列電極Ｄ１間の静電容量の低減のためには、短い方が良い。
【０１０６】
このため、突条部１５Ｂａの長さＬ１は、前面ガラス基板１１側から見た状態で、行電極Ｘ１とＹ１のそれぞれの放電ギャップｇ１と反対側の縁部から列方向外方に張り出している突条部１５Ｂａの両端部のそれぞれの長さｄ１（図２，３参照）が、０μｍ≦ｄ１≦３０μｍの範囲に設定されるようにするのが好適と考えられる。
【０１０７】
また、この誤放電防止の為には、突条部１５Ｂａの頂部を出来るだけ平滑化して、誘電体層１２を被覆する保護層に密着させるようにするのが好ましい。
【０１０８】
なお、この突条部１５Ｂａには、隔壁１５の本体に求められる様な高反射率等の性能は求められないので、隔壁１５の本体とは別の材料によって別個に形成するようにすることも可能である。
【０１０９】
そして、突条部１５Ｂａを隔壁１５の本体に比べて低誘電率の材料によって形成することによって、行電極Ｙ１と列電極Ｄ１間の静電容量をさらに小さくすることが出来、これによって、アドレス放電時の消費電力をさらに低減させることが出来るようになる。
【０１１０】
なお、上記のような効果は、ＰＤＰの隔壁がストライプ状である場合にも得ることが出来るが、ＰＤＰ１０は、隔壁１５が略格子形状に成形されていることによって、蛍光体層１６が各放電セルＣ１をそれぞれ囲む横壁１５Ａと縦壁１５Ｂの四つの側面にも形成されて、この蛍光体層１６の表面積が増大されているので、さらに高い発光効率を得ることが出来る。
【０１１１】
さらに、上記ＰＤＰ１０は、行電極Ｘ１，Ｙ１の列方向の幅Ｗｘ１，Ｗｙ１が従来のＰＤＰに比べて大幅に小さくなっていることによって、電極間に形成される静電容量が大幅に減少し、その結果、無効電流の発生が減少して消費電力の低減を図ることが出来るようになる。
【０１１２】
なお、上記においては、ＰＤＰ１０の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、放電セルＣ１に対して、列方向において放電セルＣ１の中央位置に配置されている例が示されているが、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）は、放電セルＣ１に対して列方向においてその中央位置から上下にずれた位置に配置されていても良い。
【０１１３】
その理由は、以下の通りである。
【０１１４】
すなわち、従来のＰＤＰにおいては、前述したようにサステイン放電が放電セルの全体に拡がる奥行きの深い放電になるため、格子形状の隔壁によって区画された放電セルに対して行電極対が列方向において放電セルの中央位置から上下どちらかにずれた位置に位置されると、放電ギャップが放電セルを区画している隔壁の上下の横壁のどちらかに偏って位置されることによって、各放電セル毎に電圧マージンや輝度，発光効率等にばらつきが生じて、発光に悪影響が生じるという問題が発生するので、放電セルに対して行電極対の高い位置精度が要求される。
【０１１５】
しかしながら、上記のＰＤＰ１０では、サステイン放電が前述したような放電領域が狭い狭奥行き放電になって、真空紫外線の発生領域が、従来のＰＤＰよりも小さいいわゆる点光源になるので、壁損失などによる隔壁からの影響を受け難くなるとともに、真空紫外線の吸収が少ない波長１７２ｎｍの分子線を利用して蛍光体層１６の励起が行われるので、サステイン放電の放電領域（真空紫外線の発生領域）と蛍光体層１６との距離のばらつきによる影響が小さくなり、これによって、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の列方向の位置が中央位置からずれている場合でも、発光効率および輝度の変動はほとんど生じないからである。
【０１１６】
従って、上記ＰＤＰ１０によれば、隔壁１５が略格子形状を有していて放電セルＣ１の周囲が横壁１５Ａおよび縦壁１５Ｂによって囲まれている場合でも、放電ギャップｇ１の位置（すなわち行電極対の位置）が、列方向において放電セルの中央位置に正確に位置決めされていなくてもよくなり、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の位置精度の許容量が大きくなって、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【０１１７】
また、上記においては、行電極を構成する透明電極が、それぞれ、バス電極に沿って隣接する放電セル間において帯状に連続した形状に成形されている例が示されているが、透明電極が放電セル毎に独立して形成されてバス電極に接続された構成であっても良い。
【０１１８】
さらに、上記においては、行電極が透明電極とバス電極によって構成された例を述べたが、行電極が金属製のバス電極のみで構成され、その列方向の幅をそれぞれ１５０μｍ以下に設定する構成でもよい。
【実施例２】
【０１１９】
図１０は、この発明の実施形態の第２実施例における前面ガラス基板側の構成を示す斜視図である。
【０１２０】
前述した第１実施例においては、ＰＤＰの行方向において隣接する放電セルの間を遮蔽する突条部が隔壁の縦壁上に一体的に形成されていたのに対し、この第２実施例におけるＰＤＰは、列方向に延びる突条部２５Ｂａが、前面ガラス基板１１の背面側に形成されている。
【０１２１】
すなわち、この突条部２５Ｂａは、前面ガラス基板１１の背面の誘電体層１２を被覆する図示しない保護層上に形成されている。
【０１２２】
そして、各突条部２５Ｂａの形成位置は、それぞれ、前面ガラス基板１１側から見た状態で、中央部分が行電極対（Ｘ１，Ｙ１）と交差するとともに、ＰＤＰの製造工程において前面ガラス基板１１と背面ガラス基板が重ね合わされる際に、背面ガラス基板上に形成された隔壁の縦壁上に重なり合う位置に設定されている。
【０１２３】
ＰＤＰの他の部分の構成および突条部２５Ｂａの寸法や形状、誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁との間の隙間の幅、および、形成材料等については、第１実施例の場合と同様である。
【０１２４】
このＰＤＰは、第１実施例の場合と同様に、行電極Ｘ１，Ｙ１間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電となり、全圧が６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上されるとともに、突条部２５Ｂａによって、行方向に隣接する放電セルＣ１間でのサステイン放電時の誤放電の発生が防止される。
【０１２５】
さらに、このＰＤＰは、突条部２５Ｂａの両側に形成される隙間によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保され、そして、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスが封入されているとともに行電極Ｘ１，Ｙ１間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０１２６】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この誘電体層１２と縦壁間に形成された隙間によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０１２７】
さらに、このＰＤＰは、第１実施例の場合と比べて、突条部２５Ｂａが前面ガラス基板１１の背面側に形成されることによって、この突条部２５Ｂａが形成される際の行電極Ｘ１，Ｙ１および放電ギャップｇ１に対する位置決め精度が高くなり、この結果、突条部２５Ｂａによる隣接する放電セル間での誤放電防止効果をさらに向上させることが出来るようになる。
【０１２８】
上記ＰＤＰが有するその他の技術的効果については、第１実施例の場合と同様である。
【実施例３】
【０１２９】
図１１および１２は、この発明の実施形態における第３の実施例を示しており、図１１はこの第３実施例のＰＤＰの一部を模式的に示す正面図であり、図１２は図１１のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【０１３０】
なお、以下の説明において、前述した第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図２および３と同一の符号を用いて説明を行う。
【０１３１】
前述した第１実施例のＰＤＰが各行電極の透明電極の列方向の幅を狭めてサステイン放電が狭奥行き放電を形成するように構成されていたのに対し、この第３実施例のＰＤＰ３０は、略格子形状の隔壁１５によって区画された放電セルＣ１に対向する位置に従来のＰＤＰ（図１参照）と同様のサイズの行電極対（Ｘ２，Ｙ２）が形成され、この行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を被覆する第１誘電体層２２の放電空間に面する背面側の所要の位置に、さらに第２誘電体層２３が積層して形成されて、行電極Ｘ２，Ｙ２のそれぞれ実質的に放電を発生させる部分の列方向の幅が狭められることにより、サステイン放電が狭奥行き放電を形成するように構成されている。
【０１３２】
すなわち、ＰＤＰ３０は、前面ガラス基板１１の背面に、図１の従来のＰＤＰと同様の列方向の幅が例えば４００〜１０００μｍの帯状の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａが、互いに所要の間隔（放電ギャップｇ２）を開けて行方向に平行に延びており、この透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの背面の基端側に、それぞれ帯状のバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂが行方向に延びるように形成されて、透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａに接続されている。
【０１３３】
この行電極対（Ｘ２，Ｙ２）は、前面ガラス基板１１の背面に形成された第１誘電体層２２によって被覆されている。
【０１３４】
そして、この第１誘電体層２２の背面の、放電ギャップｇ２と、この放電ギャップｇ２を挟んで対向している行電極Ｘ２，Ｙ２の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａのそれぞれ先端から列方向において１５０μｍ以下の幅Ｗｘ２およびＷｙ２の部分とに対向する行方向に延びる帯状の部分とを除いた部分に、第２誘電体層２３が積層して形成されていて、列方向において隣接する第２誘電体層２３間に、上述した放電ギャップｇ２と透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端部の幅Ｗｘ２，Ｗｙ２の部分に対向する溝部ｈが形成されている。
【０１３５】
さらに、第１誘電体層２２と第２誘電体層２３の背面上に、これらを被覆するように、図示しない保護層が形成されている。
【０１３６】
この行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を被覆する第１誘電体層２２は、放電によって壁電荷が形成される従来のＰＤＰとほぼ同様の膜厚を有し、第２誘電体層２３は第１誘電体層２２以上の膜厚を有していて、第１誘電体層２２と第２誘電体層２３が積層されている部分の膜厚が、第１誘電体層２２の膜厚の２倍以上の放電による壁電荷がほとんど形成されることがない膜厚となるように設定されている。
【０１３７】
背面ガラス基板１３上には、第１実施例の場合と同様の構成および配置によって、列電極Ｄ１と列電極保護層１４，略格子形状の隔壁１５，赤，緑，青の蛍光体層１６が形成されている。
【０１３８】
隔壁１５の各縦壁１５Ｂの前面ガラス基板１１に対向する端面上には、その中央部に、それぞれ、前面ガラス基板１１側に突出するとともに列方向に延びる突条部２６が形成されている。
【０１３９】
この突条部２６は、縦壁１５Ｂ上に形成されて、列方向の幅が第２誘電体層２３間の溝部ｈの列方向の幅よりも大きい一段目突条部２６Ａと、この一段目突条部２６Ａ上の中央部に形成されて第２誘電体層２３間の溝部ｈと同じ列方向の幅を有する二段目突条部２６Ｂとを備えた二段形状に成形されている。 そして、二段目突条部２６Ｂが溝部ｈ内に嵌合されているとともに、この二段目突条部２６Ｂが形成されていない一段目突条部２６Ａの両端部の頂面が、それぞれ、第２誘電体層２３を被覆している保護層に当接されている。
【０１４０】
この突条部２６の一段目突条部２６Ａの列方向の長さＬ２は、溝部ｈの列方向の幅（放電ギャップｇ２の幅と透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端部分の幅Ｗｘ２，Ｗｙ２の合計）よりも大きく、かつ、隔壁１５の隣接する横壁１５Ａ間の長さよりも小さい寸法に設定されており、前面ガラス基板１１側から見た状態で、一段目突条部２６Ａの両端部分が、それぞれ溝部ｈから列方向外方に、所定の同じ長さｄ２だけ張り出した状態になっている。
【０１４１】
この実施例では、例えば、ｄ２＝０〜３０μｍに設定される。
【０１４２】
そして、この突条部２６とその両側に隣接する横壁１５Ａとの間の部分の縦壁１５Ｂは、第２誘電体層２３を被覆する保護層の背面には当接されておらず、その間に隙間ｒ２が形成されていて、この隙間ｒ２を介して縦壁１５Ｂを挟んで行方向に隣接する二つの放電セルＣ１が、それぞれ互いに連通されている。
【０１４３】
この隙間ｒ２の幅（第２誘電体層２３を被覆する保護層と縦壁１５Ｂの間の間隔）は、１ないし２０μｍに設定されるのが好ましい。
【０１４４】
これは、隙間ｒ２の幅が１μｍ未満の場合には、後述するようなプライミング効果の発揮や発光効率の向上，排気通路の確保などが十分に行われなくなるためであり、一方、２０μｍよりも大きい場合には、行方向に隣接する放電セルＣ１間で誤放電が発生する虞が発生するためである。
【０１４５】
なお、突条部２６は、第１実施例の場合と同様に、隔壁１５の本体を形成する誘電材料と同じ材料によって一体的に形成されていても良く、隔壁１５の本体を形成する誘電材料とは別の低誘電材料によって形成されていても良い。
【０１４６】
そして、放電空間内には、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスが封入されている。
【０１４７】
上記ＰＤＰ３０の行電極対（Ｘ２，Ｙ２）の各行電極Ｘ２，Ｙ２は、その列方向の幅が従来のＰＤＰとほぼ同じ寸法を有しているが、この行電極Ｘ２，Ｙ２の放電ギャップｇ２を介して互いに対向する透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ２およびＷｙ２の部分以外の部分が、積層された第１誘電体層２２と第２誘電体層２３の二層の誘電体層によって被覆されて、その部分の誘電体層の膜厚が先端部の列方向の幅Ｗｘ２およびＷｙ２の部分を被覆している誘電体層の膜厚よりも厚くなっているので、壁電荷は、第１誘電体層２２に第２誘電体層２３が積層されて膜厚が厚くなっている部分にはほとんど形成されず、透明電極Ｘ２ａとＹ２ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ２およびＷｙ２の部分を被覆している第１誘電体層２２の表面に形成される。
【０１４８】
このため、上記ＰＤＰ３０では、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）にサステイン・パルスが印加されて透明電極Ｘ２ａとＹ２ａ間で放電ギャップｇ２を介してサステイン放電が発生される際に、このサステイン放電は、ほとんど透明電極Ｘ２ａとＹ２ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ２およびＷｙ２の部分のみで行われるようになって、第１実施例と同様な狭奥行き放電になる。
【０１４９】
このＰＤＰ３０は、第１実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となり、放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上されるとともに、突条部２６によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間でのサステイン放電時の誤放電の発生が防止される。
【０１５０】
さらに、このＰＤＰは、突条部２６の両側に形成された隙間ｒ２によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保され、そして、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスが封入されているとともに行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０１５１】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この第２誘電体層２３と縦壁１５Ｂ間に形成された隙間ｒ２によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０１５２】
さらに、このＰＤＰ３０は、突条部２６が一段目突条部２６Ａと二段目突条部２６Ｂの二段形状に形成されて、二段目突条部２６Ｂが前面ガラス基板１１側に形成された溝部ｈに嵌合されることによって、製造工程時における重ね合わせの際の前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１３の位置決めが容易に行われるようになる。
【０１５３】
さらに、ＰＤＰ３０は、透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの列方向の幅が従来のＰＤＰと同様の大きさを有していてバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂが放電ギャップｇ２から離れた位置に配置されるため、蛍光体層からの発光が金属膜からなるバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂによって邪魔されるといった影響が小さくなり、発光の取出し効率が向上する。
【０１５４】
すなわち、本実施例の場合、放電ギャップに近づく程発光強度が高く、横壁に近づく程発光強度が弱まる特性がある。よって、この構成の場合、発光強度が高い部分がバス電極によって遮蔽されることなく、より高い発光効率を得ることができる、
上記ＰＤＰ３０が有するその他の技術的効果については、第１実施例の場合と同様である。
【実施例４】
【０１５５】
図１３および１４は、この発明の実施形態における第４の実施例を示しており、図１３はこの実施例のＰＤＰの一部を模式的に示す正面図であり、図１４は図１３のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【０１５６】
前述した第３実施例のＰＤＰにおいては、第２誘電体層の間の放電ギャップおよび行電極のサステイン放電を発生する部分に対向する部分に形成される溝部が行方向に延びる帯状の形状を有していたのに対し、この実施例のＰＤＰ４０は、第１誘電体層２２上に積層される第２誘電体層３３が、放電セルＣ１の開口面の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端のそれぞれ幅Ｗｘ２，Ｗｙ２の部分および放電ギャップｇ２に対向する部分に方形の孔３３ａが形成された略格子形状に成形されていて、この孔３３ａによって、行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が、孔３３ａの範囲に制約された狭奥行き放電を構成するようになっている。
【０１５７】
隔壁１５の縦壁１５Ｂは、第２誘電体層３３の孔３３ａの間の列方向に延びる帯状部分に対向されている。
【０１５８】
そして、この隔壁１５の縦壁１５Ｂ上の中央部分に、突条部３６が形成されている。
【０１５９】
このＰＤＰ４０の突条部３６の形成位置および寸法は、第３実施例の突条部の一段目突条部と同様であり、第２誘電体層３３を被覆する保護層に当接されて、行方向に隣接する放電セルＣ１の孔３３ａに対向する部分の間をそれぞれ遮断している。
【０１６０】
そして、この突条部３６の両側の縦壁１５Ｂと第２誘電体層３３を被覆する保護層との間に隙間ｒ３が形成されて、この隙間ｒ３によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間が連通されている。
【０１６１】
この隙間ｒ３の幅（第２誘電体層３３を被覆する保護層と縦壁１５Ｂの間の間隔）は、１ないし２０μｍに設定されるのが好ましい。
【０１６２】
これは、隙間ｒ３の幅が１μｍ未満の場合には、後述するようなプライミング効果の発揮や発光効率の向上，排気通路の確保などが十分に行われなくなるためであり、一方、２０μｍよりも大きい場合には、行方向に隣接する放電セルＣ１間で誤放電が発生する虞が発生するためである。
【０１６３】
このＰＤＰ４０の他の部分の構成については、前述した第３実施例のＰＤＰと同様であり、この第３実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図１２および１３において図１０および１１と同一の符号が付されている。
【０１６４】
上記ＰＤＰ４０は、第１実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となり、全圧が６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上されるとともに、突条部３６によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間でのサステイン放電時の誤放電の発生が防止される。
【０１６５】
さらに、このＰＤＰ４０は、突条部３６の両側に形成された隙間ｒ３によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保され、そして、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスを有しているとともに行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０１６６】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この第２誘電体層３３と縦壁１５Ｂ間に形成された隙間ｒ３によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０１６７】
上記ＰＤＰ４０が有するその他の技術的効果については、前述した第３実施例の場合と同様である。
【実施例５】
【０１６８】
図１４および１５は、この発明の実施形態における第５の実施例を示しており、図１４はこの第５実施例のＰＤＰ５０の一部を模式的に示す正面図であり、図１５は図１４のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【０１６９】
なお、以下の説明において、前述した第３実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図１０および１１と同一の符号を用いて説明を行う。
【０１７０】
前述した第３および第４実施例のＰＤＰが、行電極対を被覆する第１誘電体層上に形成された第２誘電体層によってサステイン放電の放電範囲が制限されることにより狭奥行き放電を形成するように構成されていたのに対し、この第５実施例のＰＤＰ５０は、略格子形状の隔壁１５によって区画された放電セルＣ１に対向する位置に従来のＰＤＰ（図１参照）と同様のサイズの行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を被覆する誘電体層１２の放電空間に面する背面側の所要の位置のみに、ＭｇＯ等の高γ材料によって、行方向に帯状に延びる二次電子放出層４３が形成されて、この二次電子放出層４３によって、透明電極Ｘ２ａとＹ２ａの間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成するようになっている。
【０１７１】
すなわち、ＰＤＰ５０は、前面ガラス基板１１の背面に、図１の従来のＰＤＰと同様の列方向の幅が例えば４００〜１０００μｍの帯状の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａが、互いに所要の間隔（放電ギャップｇ２）を開けて行方向に平行に延びており、この透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの背面の基端側に、それぞれ帯状のバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂが行方向に延びるように形成されて、透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａに接続されている。
【０１７２】
この行電極対（Ｘ２，Ｙ２）は、前面ガラス基板１１の背面に形成された誘電体層１２によって被覆されている。
【０１７３】
そして、この誘電体層１２の背面上の、放電ギャップｇ２およびこの放電ギャップｇ２を挟んで両側に位置する透明電極Ｘ２ａとＹ２ａのそれぞれの先端部分の列方向における幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分を含む部分に対向する位置のみに、ＭｇＯ等の高γ材料によって行方向に帯状に延びる二次電子放出層４３が形成されている。
【０１７４】
この二次電子放出層４３の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａと対向している部分のそれぞれの列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３は、１５０μｍ以下に設定されている。
【０１７５】
背面ガラス基板１３上には、第１実施例の場合と同様の構成および配置によって、列電極Ｄ１と列電極保護層１４，略格子形状の隔壁１５，赤，緑，青の蛍光体層１６が形成されている。
【０１７６】
隔壁１５の各縦壁１５Ｂの前面ガラス基板１１に対向する端面上には、その中央部分に、それぞれ、前面ガラス基板１１側に突出するとともに列方向に延びる突条部４６が形成されている。
【０１７７】
この突条部４６の列方向の長さＬ３は、二次電子放出層４３の列方向の幅（放電ギャップｇ２の幅と透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端部の幅Ｗｘ３，Ｗｙ３の合計）よりも大きく、かつ、隔壁１５の隣接する横壁１５Ａ間の長さよりも小さい寸法に設定されており、前面ガラス基板１１側から見た状態で、突条部４６の両端部が、それぞれ二次電子放出層４３から列方向外方に、所定の同じ長さｄ３だけ張り出した状態になっている。
【０１７８】
この実施例では、例えば、ｄ３＝０〜３０μｍに設定される。
【０１７９】
この突条部４６の前面ガラス基板１１側に対向する頂面には、列方向に沿った断面形状が二次電子放出層４３の列方向に沿った断面形状と同一の凹部４６ａが形成されていて、この凹部４６ａ内に二次電子放出層４３が嵌合されているとともに、突条部４６の凹部４６ａの列方向の両側の部分が、誘電体層１２を被覆する保護層に当接されている。
【０１８０】
そして、この突条部４６の列方向の両側において、誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂとの間に、それぞれ隙間ｒ４が形成されている。
【０１８１】
この隙間ｒ４の幅（誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂの間の間隔）は、１ないし２０μｍに設定されるのが好ましい。
【０１８２】
これは、隙間ｒ４の幅が１μｍ未満の場合には、後述するようなプライミング効果の発揮や発光効率の向上，排気通路の確保などが十分に行われなくなるためであり、一方、２０μｍよりも大きい場合には、行方向に隣接する放電セルＣ１間で誤放電が発生する虞が発生するためである。
【０１８３】
これによって、第１実施例の場合と同様に、突条部４６が形成されている部分において、この突条部４６によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間の連通が遮断されているとともに、この突条部４６の両側の隙間ｒ４によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間が連通されている。
【０１８４】
なお、この突条部４６は、第１実施例の場合と同様に、隔壁１５の本体を形成する誘電材料と同じ材料によって一体的に形成されていても良く、隔壁１５の本体を形成する誘電材料とは別の低誘電材料によって形成されていても良い。
【０１８５】
そして、放電空間内に封入される全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスのキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている。
【０１８６】
上記ＰＤＰ５０は、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）の各行電極Ｘ２，Ｙ２が、従来のＰＤＰとほぼ同じ寸法の列方向の幅を有しているが、高γ材料によって形成された二次電子放出層４３が、誘電体層１２上の放電ギャップｇ２とこの放電ギャップｇ２の両側の透明電極Ｘ２ａとＹ２ａのそれぞれの先端部分の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分に対向する位置のみに配置されていることによって、透明電極Ｘ２ａとＹ２ａ間において発生されるサステイン放電のほとんどがこの二次電子放出層４３が形成されている領域の範囲内で発生されることになり、これによって、このサステイン放電が、第１実施例で説明したような狭奥行き放電を構成するようになる。
【０１８７】
上記ＰＤＰ５０は、第１実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となり、放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上されるとともに、突条部４６によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間での誤放電の発生が防止される。
【０１８８】
さらに、このＰＤＰ５０は、突条部４６の両側に形成された隙間ｒ４によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保され、そして、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスを有しているとともに行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０１８９】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この誘電体層１２と縦壁１５Ｂ間に形成された隙間ｒ４によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０１９０】
さらに、このＰＤＰ５０の構成によれば、狭奥行き放電の発生領域が二次電子放出層４３の形成位置や寸法によって自由に設定されるので、設計や製造上の自由度が増して、設計変更等に柔軟に対応することが可能になる。
【０１９１】
上記ＰＤＰ５０が有するその他の技術的効果については、前述した第３実施例の場合と同様である。
【実施例６】
【０１９２】
図１７および１８は、この発明の実施形態における第６の実施例を示しており、図１７はこの実施例のＰＤＰの一部を模式的に示す正面図であり、図１８は図１７のＶ５−Ｖ５線における断面図である。
【０１９３】
前述した第５実施例のＰＤＰにおいては、行電極対を被覆する誘電体層の背面に形成された二次電子放出層が行方向に延びる帯状に成形されているのに対し、
この実施例のＰＤＰ６０は、誘電体層１２の背面に形成される二次電子放出層５３が、放電セルＣ１の開口面の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端のそれぞれ幅Ｗｘ３，Ｗｙ３の部分および放電ギャップｇ２に対向する方形形状に成形されていて、この方形の二次電子放出層５３によって、行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が、方形の二次電子放出層５３の範囲に制約された狭奥行き放電を構成するようになっている。
【０１９４】
隔壁１５の縦壁１５Ｂは、誘電体層１２の行方向に隣接する二次電子放出層５３の間の列方向に延びる帯状部分に対向されている。
【０１９５】
そして、この隔壁１５の縦壁１５Ｂ上の中央部分に、第５実施例の突条部と同じ列方向の幅Ｌ３を有する突条部５６が形成されていて、この突条部５６が誘電体層１２を被覆する保護層に当接されて、行方向に隣接する放電セルＣ１の間をそれぞれ遮断している。
【０１９６】
そして、この突条部５６の両側の縦壁１５Ｂと誘電体層１２を被覆する保護層との間に隙間ｒ５が形成されて、この隙間ｒ５によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間が連通されている。
【０１９７】
この隙間ｒ５の幅（誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂの間の間隔）は、１ないし２０μｍに設定されるのが好ましい。
【０１９８】
これは、隙間ｒ５の幅が１μｍ未満の場合には、後述するようなプライミング効果の発揮や発光効率の向上，排気通路の確保などが十分に行われなくなるためであり、一方、２０μｍよりも大きい場合には、行方向に隣接する放電セルＣ１間で誤放電が発生する虞が発生するためである。
【０１９９】
このＰＤＰ６０の他の部分の構成については、前述した第５実施例のＰＤＰと同様であり、この第５実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図１６および１７において図１４および１５と同一の符号が付されている。
【０２００】
上記ＰＤＰ６０は、第５実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となり、放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上されるとともに、突条部５６によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間でのサステイン放電時の誤放電の発生が防止される。
【０２０１】
さらに、このＰＤＰ６０は、突条部５６の両側に形成された隙間ｒ５によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保され、そして、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスを有しているとともに行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０２０２】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノン分圧の放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この誘電体層１２と縦壁１５Ｂ間に形成された隙間ｒ５によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０２０３】
さらに、このＰＤＰ６０の構成によれば、狭奥行き放電の発生領域が二次電子放出層５３の形成位置や寸法によって自由に設定されるので、設計や製造上の自由度が増して、設計変更等に柔軟に対応することが可能になる。
【０２０４】
上記ＰＤＰ６０が有するその他の技術的効果については、前述した第３実施例の場合と同様である。
【０２０５】
上記各実施例のＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われるサステイン放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されているとともに、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間内に、キセノンの分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定された放電ガスが封入され、行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されているＰＤＰを、その上位概念の実施形態としている。
【０２０６】
この上位概念を構成する実施形態のＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極間で発生されるサステイン放電が、この一対の行電極のサステイン放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されていることによって狭奥行き放電となり、放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上される。
【０２０７】
そして、行方向に隣接する単位発光領域内のそれぞれの狭奥行き放電となるサステイン放電が発生する部分の間が、行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に配置された壁部によって遮断されていることによって、サステイン放電が発生される際に、行方向に隣接する単位発光領域間での誤放電の発生が防止されるとともに、壁部の両側の隔壁と誘電体層側との間に形成された隙間によって、行方向に隣接する単位発光領域間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保される。
【０２０８】
さらに、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン放電を発生させるパルスの周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスが封入されているとともにサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０２０９】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この誘電体層と縦壁間に形成された隙間によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【０２１０】
【図１】従来のＰＤＰの構成を示す正面図である。
【図２】この発明の実施形態の第１実施例を示す正面図である。
【図３】図２のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図４】同実施例におけるＰＤＰの隔壁を示す斜視図である。
【図５】ＰＤＰにおける電極の幅と発光効率との関係を示すグラブである。
【図６】ＰＤＰにおける放電の一般的成長過程を示すグラブである。
【図７】ＰＤＰの放電セル内におけるサステイン放電の成長過程を示す状態図である。
【図８】ＰＤＰにおけるサステイン・パルス周期と発光効率の関係を示すグラフである。
【図９】同実施例のＰＤＰにおける隙間の長さと発光効率の関係を従来例と比較して示すグラフである。
【図１０】この発明の実施形態の第２実施例を示す斜視図である。
【図１１】この発明の実施形態の第３実施例を示す正面図である。
【図１２】図１１のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図１３】この発明の実施形態の第４実施例を示す正面図である。
【図１４】図１３のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【図１５】この発明の実施形態の第５実施例を示す正面図である。
【図１６】図１５のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【図１７】この発明の実施形態の第６実施例を示す正面図である。
【図１８】図１７のＶ５−Ｖ５線における断面図である。
【符号の説明】
【０２１１】
１０，３０，４０，５０，６０
…ＰＤＰ
１１ …前面ガラス基板（一方の基板）
１２，２２ …誘電体層
１３ …背面ガラス基板（他方の基板）
１５ …隔壁
１５Ａ …横壁
１５Ｂ …縦壁（隔壁）
１５Ｂａ …突条部（壁部）
１６ …蛍光体層
２２ …第１誘電体層（誘電体層）
２３，３３ …第２誘電体層（誘電体層）
２５Ｂａ，２６，３６，４６，５６
…突条部（壁部）
３３ａ …孔
４３，５３ …二次電子放出層
４６ａ …凹部
Ｃ１ …放電セル（単位発光領域）
Ｄ１ …列電極
Ｌ１，Ｌ２、Ｌ３ …突条部の列方向の幅
Ｘ１，Ｙ１，Ｘ２，Ｙ２ …行電極
Ｗｘ１，Ｗｙ１，Ｗｘ２，Ｗｙ２，Ｗｘ３，Ｗｙ３
…電極の幅
ｄ１，ｄ２，ｄ３ …張出部分の長さ
ｈ …溝部
ｒ１，ｒ２，ｒ３，ｒ４，ｒ５
…隙間
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、一般に、放電ガスが封入されている放電空間を挟んで互いに対向する二枚のガラス基板のうち、一方のガラス基板側に、行方向に延びるとともに列方向に並設された複数の行電極対が配置されて誘電体層によって被覆され、他方のガラス基板側に、列方向に延びるとともに行方向に並設された複数の列電極が配置されており、放電空間の行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分に対向する部分に、赤，緑，青の蛍光体層を備えた放電セルが形成されて、この放電セルがパネル面にマトリクス状に配置された構成を備えている。
【０００３】
そして、一対のガラス基板の間の放電空間内に、体積比１〜１０パーセントのキセノンを含む放電ガスが封入されている。
【０００４】
このＰＤＰは、行電極対を構成する対になっている行電極のうちの一方の行電極と列電極との間で選択的にアドレス放電が発生されて、発光セル（対向する部分の誘電体層に壁電荷が形成されている放電セル）と非発光セル（対向する部分の誘電体層の壁電荷が消去されている放電セル）の選択が行われて、この発光セルと非発光セルとが映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【０００５】
この後、各行電極対の互いに対になっている行電極に交互にサステイン・パルスが印加されて、発光セル内においてサステイン放電が発生され、このサステイン放電によって放電空間内の放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生されて、この真空紫外線によって各発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層が励起されて可視光が発生されることにより、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【０００６】
上記のような構成のＰＤＰにおいて、行電極の寸法は、従来は以下のように設定されている。
【０００７】
すなわち、図１は、従来のＰＤＰの行電極対のうち一個の放電セルＣに対向している部分の構成を示しており、この図１において、行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する行電極ＸとＹは、それぞれ、互いに行方向に平行に延びるとともに列方向において放電ギャップｇを介して対向される帯状の透明電極Ｘａ，Ｙａと、この透明電極Ｘａ，Ｙａに接続されて行方向に延びる帯状のバス電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成されている。
【０００８】
図１中、Ｄは列電極である。
そして、この従来のＰＤＰの各行電極Ｘ，Ｙの列方向の幅ｗは、４００〜１０００μｍの値に設定されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
この従来のＰＤＰにおいて、行電極の列方向の幅が上記のように設定されているのは、以下のような理由による。
【００１０】
すなわち、ＰＤＰにおいては、サステイン放電によって放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、その主成分である波長１４７ｎｍの共鳴線によって、蛍光体層が励起されて可視光が発生されるが、この共鳴線は、放電ガス中を蛍光体層に向かって進んでゆく過程で、放電ガス中のキセノン原子と衝突し、このキセノン原子との間で吸収と放射が繰り返されることによって減衰してしまう。
【００１１】
このため、含まれているキセノンの体積比が１〜１０パーセントであるような低キセノン分圧の放電ガスが封入されているＰＤＰにおいては、サステイン放電時に蛍光体層に到達する共鳴線の量が少なくなり、所要の輝度を得ることが出来なくなる場合がある。
【００１２】
このため、従来のＰＤＰでは、上記のように、各行電極Ｘ，Ｙの列方向の幅ｗ（図１参照）を広く設定することによって、放電セルＣ内の広い領域でサステイン放電が発生されるようにし、このサステイン放電によって発生する真空紫外線の量（すなわち、共鳴線の量）を増加させて、蛍光体層に到達する共鳴線の量が所定値以上になるようにすることによって、所定値以上の輝度が確保されるようになっている。
【００１３】
しかしながら、上記従来のＰＤＰでは、高輝度の画面を形成するために必要な高い発光効率を得ることが出来ないという問題点を有している。
【００１４】
【特許文献１】特開平８−２２７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰが有している問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
第１発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記行電極対を構成する行電極のそれぞれの列方向の幅が１５０μｍ以下に設定され、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されていることを特徴としている。
【００１７】
第２の発明（請求項８に記載の発明）によるＰＤＰは、前記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層は、薄膜の部分と、この薄膜の部分よりも厚さが大の厚膜の部分からなり、この誘電体層の薄膜の部分は、前記対になった行電極の、放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆する誘電体層であり、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されていることを特徴としている。
【００１８】
第３の発明（請求項１５に記載の発明）によるＰＤＰは、前記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれそれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記対となった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分の行電極対を被覆する誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層が形成され、前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
この発明によるＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われるサステイン放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されているとともに、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間内に、キセノンの分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定された放電ガスが封入され、行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されているＰＤＰをその最良の実施形態としている。
【００２０】
この実施形態におけるＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極間で発生されるサステイン放電が、この一対の行電極のサステイン放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されていることによって、狭奥行き放電となり、さらに、放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上される。
【００２１】
そして、行方向に隣接する単位発光領域内のそれぞれの狭奥行き放電となるサステイン放電が発生する部分の間が、行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に配置された壁部によって遮断されていることによって、サステイン放電が発生される際に、行方向に隣接する単位発光領域間での誤放電の発生が防止されるとともに、壁部の両側の隔壁と誘電体層側との間に形成された隙間によって、行方向に隣接する単位発光領域間におけるプライミング効果が発揮され、さらに、製造工程時における排気および放電ガスの導入経路が確保される。
【００２２】
さらに、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン放電を発生させるサステイン・パルスの周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスを有しているとともにサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【００２３】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この誘電体層と縦壁間に形成された隙間によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【００２４】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、壁部は、隔壁上に一体的に形成されていても良く、または、行電極対を被覆する誘電体層側に形成されていても良い。
【００２５】
この壁部が行電極対を被覆する誘電体層側に形成されている場合には、ＰＤＰの製造工程において、壁部の形成時の位置合わせ精度を向上させることが出来る。
【００２６】
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、壁部が、隔壁を形成する誘電材料と同じ材料によって形成されていてもよく、または、隔壁を形成する誘電材料とは異なる低誘電材料によって形成されていても良い。
【００２７】
壁部が隔壁と同じ誘電材料によって形成される場合には、壁部を隔壁と同時に一体成形することが出来、また、壁部が隔壁を形成する誘電材料とは異なる低誘電材料によって形成される場合には、アドレス放電を発生させる行電極と列電極間の静電容量を小さくすることが出来、これによって、アドレス放電時の消費電力を低減させることが出来るようになる。
【００２８】
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、壁部が、その中央部分が行電極のサステイン放電に関与する部分に対向され、一方の基板側から見た状態で、両端部分がそれぞれ一対の行電極から列方向外方に同じ長さだけ張り出す位置に配置されるようにし、例えば、この行電極のサステイン放電に関与する部分から列方向外方に張り出している両端部分の列方向の長さを、それぞれ３０μｍ以下に設定することが出来る。
【００２９】
これによって、行方向に隣接する単位発光領域内のそれぞれの狭奥行き放電となるサステイン放電が発生する部分の間が、壁部によって十分に遮断されることになり、サステイン放電が発生される際の行方向に隣接する単位発光領域間での誤放電の発生の防止が、十分に行われるようになる。
【００３０】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われる放電に関与する部分の列方向の幅を１５０μｍ以下に設定する構成としては、第１に、各行電極の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定される構成、第２に、行電極対を被覆する誘電体層について、各行電極の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆している誘電体層の厚さが薄く、他の部分の誘電体層の厚さが厚くなっていて、行電極の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分においてのみ放電の発生が許容される構成、第３に、対になった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分の行電極対を被覆する誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層を形成する構成等がある。
【００３１】
この第１の構成のＰＤＰは、各行電極の列方向の幅が従来のＰＤＰに比べて大幅に小さくなっていることによって電極間に形成される静電容量が大幅に減少し、その結果、無効電流の発生が減少して消費電力の低減を図ることが出来るようになる。
【００３２】
第２の構成のＰＤＰは、従来の行電極対の構成の変更が不要であるので製造工程の大きな変更を必要とせず、さらに、誘電体層の形成位置や厚さ寸法を任意に設定することによって構成出来るので、設計および製造上の自由度が増すことによって、製造コストの低廉化と製品歩留の向上を図ることが出来るようになる。
【００３３】
第３の構成のＰＤＰは、行電極間での放電の発生領域が二次電子放出層の形成位置や寸法によって自由に設定されるので、設計や製造上の自由度が増して、設計変更等に柔軟に対応することが可能になる。
【実施例１】
【００３４】
図２ないし４は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第１の実施例を示しており、図２はこの第１実施例におけるＰＤＰの一部を模式的に示す正面図、図３は図２のＶ１−Ｖ１線における断面図、図４はこの第１実施例のＰＤＰの隔壁構造を示す斜視図である。
【００３５】
この図２ないし４において、ＰＤＰ１０は、表示面である前面ガラス基板１１の背面に、行方向（図２の左右方向）に延びる複数の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、列方向（図２の上下方向）に所要の間隔を開けて等間隔に並設されている。
【００３６】
この行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する一方の行電極Ｘ１は、前面ガラス基板１１の背面にＩＴＯ等の透明導電膜によって行方向に帯状に延びるように形成された透明電極Ｘ１ａと、この透明電極Ｘ１ａの背面上に接続されて、金属膜によって形成されて列方向の幅が透明電極Ｘ１ａの列方向の幅よりも小さい帯状の行方向に延びるバス電極Ｘ１ｂとによって構成されている。
【００３７】
行電極対（Ｘ１，Ｙ１）を構成する他方の行電極Ｙ１も、行電極Ｘ１と同様に、前面ガラス基板１１の背面にＩＴＯ等の透明導電膜によって行方向に帯状に延びるように形成されて、行電極Ｘ１の透明電極Ｘ１ａと所要の間隔を開けて平行に延びるように位置された透明電極Ｙ１ａと、この透明電極Ｙ１ａの背面上に接続されて、金属膜によって形成されて列方向の幅が透明電極Ｙ１ａの列方向の幅よりも小さい帯状の行方向に延びるバス電極Ｙ１ｂとによって構成されている。
【００３８】
この行電極Ｘ１とＹ１は、前面ガラス基板１１の列方向に沿って交互に配列されており、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）において、対になっている行電極Ｘ１とＹ１の互いに対向する透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの間の所要の幅の間隔が、それぞれ、放電ギャップｇ１を構成している。
【００３９】
前面ガラス基板１１の背面には、さらに、誘電体層１２が形成されて、この誘電体層１２によって行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が被覆されている。
【００４０】
さらに、この誘電体層１２の背面の全体を覆う様に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の高γ材料からなる図示しない保護層が形成されている。
【００４１】
この前面ガラス基板１１に対して、背面ガラス基板１３が、放電空間を介して平行に対向されている。
【００４２】
そして、この背面ガラス基板１３の前面ガラス基板１１と対向する側の面上に、列方向に帯状に延びる複数の列電極Ｄ１が、行方向に所要の間隔を開けて等間隔に形成されている。
【００４３】
背面ガラス基板１３のこの面上には、さらに、列電極保護層（誘電体層）１４が形成されて、この列電極保護層１４によって列電極Ｄ１が被覆されている。
【００４４】
この列電極保護層１４上には、以下のような形状を有する隔壁１５が形成されている。
【００４５】
すなわち、この隔壁１５は、列方向において互いに隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の間の中間位置に対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる複数の横壁１５Ａと、列方向に延びるとともに行方向に所要の間隔を開けて等間隔に並設された複数の縦壁１５Ｂとによって、略格子形状に成形されている。
【００４６】
この隔壁１５によって、前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１３の間の放電空間がそれぞれ略方形形状に区画されることにより、パネル面にマトリクス状に配置された複数の放電セルＣ１が形成されており、この各放電セルＣ１の中央部分に、それぞれ、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が対向されている。
【００４７】
隔壁１５は、さらに、以下のような構成を備えている。
【００４８】
すなわち、この隔壁１５の各縦壁１５Ｂの前面ガラス基板１１に対向する端面上の中央部に、それぞれ、前面ガラス基板１１側に突出するとともに列方向に延びる突条部１５Ｂａが形成されている。
【００４９】
この突条部１５Ｂａの列方向の長さＬ１は、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の列方向の幅、すなわち、行電極Ｘ１およびＹ１とその間の放電ギャップｇ１の列方向の幅の合計の長さよりも大きく、かつ、隔壁１５の隣接する横壁１５Ａ間の長さよりも小さい寸法に設定されており、前面ガラス基板１１側から見た状態で、突条部１５Ｂａの両端部が、それぞれ行電極Ｘ１とＹ１のそれぞれの放電ギャップｇ１と反対側の縁部から列方向外方に、所定の同じ長さｄ１だけ張り出した状態になっている。
【００５０】
この実施例では、例えば、ｄ１＝０〜３０μｍに設定される。
【００５１】
この突条部１５Ｂａは、誘電体層１２を被覆する保護層の背面に当接されている。
【００５２】
そして、この突条部１５Ｂａにその両側において隣接する横壁１５Ａとの間の部分の縦壁１５Ｂは、それぞれ誘電体層１２を被覆する保護層の背面には当接されておらず、その間に隙間ｒ１が形成されていて、この隙間ｒ１を介して縦壁１５Ｂを挟んで行方向に隣接する二つの放電セルＣ１が、互いに連通されている。
【００５３】
この隙間ｒ１の幅（誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂの間の間隔）は、１ないし２０μｍに設定されるのが好ましい。
【００５４】
これは、隙間ｒ１の幅が１μｍ未満の場合には、後述するようなプライミング効果の発揮や発光効率の向上，排気通路の確保などが十分に行われなくなるためであり、一方、２０μｍよりも大きい場合には、行方向に隣接する放電セルＣ１間で誤放電が発生する虞が発生するためである。
【００５５】
なお、この突条部１５Ｂａは、後述するように、隔壁１５の本体を形成する誘電材料と同じ材料によって一体的に形成されていても良いが、隔壁１５の本体を形成する誘電材料とは別の低誘電材料によって形成されていても良い。
【００５６】
各放電セルＣ１において、この放電セルＣ１内の放電空間に面する隔壁１５の横壁１５Ａおよび縦壁１５Ｂの四つの側面と列電極保護層１４の表面には、これらの五つの面を覆うように蛍光体層１６が形成されており、この蛍光体層１６の色が各放電セルＣ１毎に三原色の赤，緑，青に色分けされて、この三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。
【００５７】
放電空間内には、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
【００５８】
上記ＰＤＰ１０の行電極Ｘ１，Ｙ１の寸法および放電ガスの構成は、以下のように設定されている。
【００５９】
すなわち、各行電極Ｘ１，Ｙ１の列方向の幅、すなわち、透明電極Ｘ１ａの列方向の幅Ｗｘ１，透明電極Ｙ１ａの列方向の幅Ｗｙ１（図２参照）が、それぞれ１５０μｍ以下に設定されている。
【００６０】
そして、放電空間内に封入される全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている。
【００６１】
このＰＤＰ１０は、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｙ１に順次スキャン・パルスが印加され、これと同時に、列電極Ｄ１に選択的にデータ・パルスが印加されて、このスキャン・パルスが印加された行電極Ｙ１とデータ・パルスが印加された列電極Ｄ１が交差している部分に形成されている放電セルＣ１内において、行電極Ｙ１と列電極Ｄ１との間でアドレス放電が発生され、このアドレス放電によって形成される発光セル（対向している部分の誘電体層１２に壁電荷が形成されている放電セルＣ１）と非発光セル（対向している部分の誘電体層１２の壁電荷が消去されている放電セルＣ１）とが、映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【００６２】
この後、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）のそれぞれ対になっている行電極Ｘ１とＹ１に交互にサステイン・パルスが印加されて、発光セル内において、透明電極Ｘ１ａとＹ１ａの間で放電ギャップｇ１を介してサステイン放電が発生される。
【００６３】
そして、このサステイン放電によって、発光セル内において、放電空間内に封入されている放電ガス中のキセノンから真空紫外線が発生され、この真空紫外線によって発光セル内の赤，緑，青の蛍光体層１６が励起されて可視光が発生されることにより、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【００６４】
このＰＤＰ１０は、各行電極Ｘ１の列方向の幅Ｗｘ１，透明電極Ｙ１の列方向の列方向の幅Ｗｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定され、放電空間内の全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、画像形成時における上記のようなサステイン放電時に、以下のような理由によって、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【００６５】
すなわち、図５は、ＰＤＰにおける行電極の列方向の幅（以下、電極幅と略称する）と発光効率との関係を示している。
【００６６】
なお、この図５は、放電セルのサイズが７００（μｍ）×３１０（μｍ）、開口部サイズが６４０（μｍ）×２５０（μｍ）の場合の測定結果を示している。
【００６７】
この図５において、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）未満の場合（図５においては、キセノン分圧が２．６７ｋＰａ（２０Ｔｏｒｒ）の場合が示されている）には、電極幅が小さくなるほど発光効率が低下している。
【００６８】
そして、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上になると、電極幅が小さくなるにしたがって、発光効率が上昇し、キセノン分圧が大きくなるほど（図５においては、キセノン分圧が１３．３３ｋＰａ（１００Ｔｏｒｒ）の場合が示されている）、発光効率の上昇が顕著になる。
【００６９】
ＰＤＰにおいて要求される発光効率としては、２．０（ｌｍ／Ｗ）以上の値が有用な値となる。
【００７０】
したがって、この図５から、ＰＤＰ１０において、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている状態で、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下であれば、２．０（ｌｍ／Ｗ）以上の発光効率を得ることが出来ることが分かる。
【００７１】
このように、放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の状態において、電極幅が小さくなるにしたがって発光効率が上昇するのは、以下の理由による。
【００７２】
図６は、放電の一般的な成長過程を示すグラフであり、図７は、従来の放電セル内におけるサステイン放電の成長過程を示す状態図である。
【００７３】
この図６および７に示されるように、前述したような画像形成時に放電セル内において発生されるサステイン放電は、タウンゼント放電−初期グロー放電−グロー放電のそれぞれの過程を経て成長してゆく。
【００７４】
ＰＤＰの画像形成時における真空紫外線の生成には、一般的に、サステイン放電の発生期間うち、初期グロー放電とグロー放電の期間が利用される。
【００７５】
そして、この真空紫外線の生成に利用される放電期間のうち、初期グロー放電期間は、空間電荷の局在化が完成する前の過程において、陰極付近に主にイオンによって形成される陰極降下部でのエネルギの損失がないため、非常に高い効率で真空紫外線が生成される。
【００７６】
この初期グロー放電期間に続くグロー放電期間では、陰極降下部の生成によって放電空間内に非常に強い電界が形成され、この強電界によって多量の高エネルギ電子が生成されて、強電界部の出口となる負グロー部において多量の真空紫外線が生成されるが、陰極降下部にエネルギの損失が生じるため、初期グロー放電期間と比べて、真空紫外線の生成効率は高くない。
【００７７】
ＰＤＰの放電セル内において発生されるサステイン放電は、一般的に、図７に示されるように、その成長過程において、行電極対の陽極側から陰極側へと立体的に成長してゆく。
【００７８】
上記ＰＤＰ１０では、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されていて、放電セルＣ１内においてサステイン放電が拡がる奥行きが従来のＰＤＰに比べて狭いために、このサステイン放電の成長領域が、放電ギャップｇ１の近傍の狭い領域（図７においてｅで示される領域）に制限される。
【００７９】
なお、このＰＤＰ１０において、放電ギャップｇ１の近傍の狭い領域において発生するサステイン放電を、以下、狭奥行き放電と呼称する。
【００８０】
この狭奥行き放電の成長領域は、前述したように非常に高い効率で真空紫外線が生成される図７の初期グロー放電の発生領域と重なる。
【００８１】
このため、ＰＤＰ１０は、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されて、サステイン放電が狭奥行き放電となることによって、真空紫外線の生成を、従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行うことが出来るようになる。
【００８２】
一方、ＰＤＰ１０において、従来と同様に、放電空間内に低キセノン分圧の放電ガスを封入して、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうちの主として波長１４７ｎｍの共鳴線によって蛍光体層１６を励起しようとすると、ＰＤＰ１０において発生される狭奥行き放電であるサステイン放電が、放電ギャップｇ１の近傍の範囲に局在化するために、この真空紫外線の共鳴線の蛍光体層１６に到達するまでの間の減衰が反って大きくなってしまう。
【００８３】
一般に、全圧が６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中においてキセノン分圧が２．６７〜３．３３ｋＰａ（２０〜２５Ｔｏｒｒ）である場合には、放電ガスから発生される真空紫外線の主成分は、波長１４７ｎｍの共鳴線であることが知られており、この共鳴線は、キセノン分圧が２．６７〜３．３３ｋＰａ（２０〜２５Ｔｏｒｒ）の条件下において放電ガス中を１００μｍ進む間に、ほぼ半分に減衰する。
【００８４】
ＰＤＰ１０においては、全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中のキセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されていることによって、この放電ガス中のキセノンから発生する真空紫外線のうち、主として波長１７２ｎｍの分子線によって蛍光体層１６の励起が行われる。
【００８５】
この真空紫外線のうちの分子線は、共鳴線のように放電ガス中を進んでゆく過程でほとんど減衰することがない。
【００８６】
従って、ＰＤＰ１０においては、サステイン放電が狭奥行き放電となって、放電ギャップｇ１の近傍の範囲に局在化される場合でも、真空紫外線が蛍光体層１６に十分に到達するので、サステイン放電が狭奥行き放電になることによって真空紫外線の生成が従来のＰＤＰと比べて非常に高い効率で行われるという特性がそのまま生かされるようになり、これによって、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【００８７】
上記ＰＤＰ１０は、隔壁１５の縦壁１５Ｂ上の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）に対向する部分とこの行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の外側の両縁部から張り出した所要の範囲の部分に対向する位置に、突条部１５Ｂａが形成されて、この部分において、突条部１５Ｂａにより、縦壁１５Ｂを挟んで行方向に隣接する放電セルＣ１間の連通が遮断されている。
【００８８】
これによって、この行方向に隣接する放電セルＣ１間での放電干渉が阻止されて、サステイン放電発生時の誤放電の発生が防止される。
【００８９】
このとき、行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅Ｗｘ１およびＷｙ１がそれぞれ１５０μｍ以下に設定されていることによって、行電極Ｘ１，Ｙ１間で発生されるサステイン放電が前述したような放電領域が狭い狭奥行き放電になり、真空紫外線の発生領域が従来のＰＤＰよりも小さいいわゆる点光源になることによって、突条部１５Ｂａが、縦壁１５Ｂ上の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）に対向する部分とこの行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の外側の両縁部から張り出した所要の範囲の部分に対向する位置にのみ形成されていて、この突条部１５Ｂａの両側に隙間ｒ１が形成されている場合でも、十分に行方向に隣接する放電セルＣ１間での放電干渉を防止することが出来る。
【００９０】
さらに、上記ＰＤＰ１０は、突条部１５Ｂａの列方向の両側の部分において、誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂとの間に形成された隙間ｒ１が、ＰＤＰ１０の製造工程時の放電空間内からの排気および放電空間内への放電ガスの導入経路を構成し、さらに、ＰＤＰ駆動時のサステイン放電によって発生するプライミング粒子の隣接する放電セルＣ１内への導入経路を構成する。
【００９１】
この隙間ｒ１が、行方向に隣接する放電セルＣ１間での放電干渉の防止の障害にならないことは、上述した通りである。
【００９２】
ここで、一般に、ＰＤＰにおいては、サステイン放電を発生させるためのサステイン・パルスのパルス周期が短くなる程、放電間隔が短くなることによってプライミング粒子が多く発生するため、行方向に隣接する放電セル間が連通されている場合には、放電確率の向上や放電遅れの改善等のプライミング効果が大きくなることになるが、従来のＰＤＰのように電極幅が広く放電ガス中のキセノン分圧が低い場合には、サステイン・パルス周期が短くなっても、発光効率はほとんど変化しない。
【００９３】
これに対し、上記ＰＤＰ１０は、放電空間中に高キセノンの放電ガスが封入されているとともに行電極Ｘ１，Ｙ１の電極幅が１５０μｍ以下に設定されていることによって、誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂとの間に形成された隙間ｒ１によってプライミング効果が発揮されるとともに、このプライミング効果を向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした際に、従来のＰＤＰに比べて、発光効率が向上される。
【００９４】
図８は、誘電体層と隔壁の縦壁の間に隙間が設けられていない場合において、電極幅が５０μｍに設定された行電極Ｘ１，Ｙ１とキセノン分圧が１３．３３ｋＰａに設定された高キセノンの放電ガスを備えて狭奥行き放電を行うＰＤＰにおけるサステイン・パルス周期と発光効率との関係と、電極幅が２５０μｍに設定された行電極とキセノン分圧が２．６７ｋＰａに設定された放電ガスを備えた従来のＰＤＰにおけるサステイン・パルス周期と発光効率との関係とを、それぞれＰＤＰを、電圧２３０Ｖのサステイン・パルスによって駆動して比較したグラフである。
【００９５】
なお、この図８の発光効率の値は、周期５０μｓｅｃで規格化されたサステイン・パルスに対する値である。
【００９６】
この図８から、誘電体層と隔壁の縦壁の間に隙間が設けられていない場合には、電極幅が２５０μｍ，放電ガス中のキセノン分圧が２．６７ｋＰａの従来のＰＤＰにおいては、サステイン・パルス周期が短くなっても発光効率はほとんど変わらないが、電極幅が５０μｍ，放電ガス中のキセノン分圧が１３．３３ｋＰａの上記ＰＤＰ１０においては、サステイン・パルス周期が短くなるほど発光効率が向上していることが分かる。
【００９７】
このように、上記ＰＤＰ１０は、行方向において隣接する放電セルＣ１間において、突条部１５Ｂａによる誤放電発生の防止効果と、隙間ｒ１による放電確率の向上および放電遅れの改善等のプライミング効果を同時に得ることが出来るとともに、このプライミング効果を向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、従来のＰＤＰよりも発光効率を向上させることが出来る。
【００９８】
図９は、誘電体層と隔壁の縦壁との間に上記のような隙間が設けられていることによるプライミング効果を確認するために行われた実験の結果を示すグラフであり、電極幅が５０μｍに設定されキセノン分圧が１３．３３ｋＰａの放電ガスが封入されているＰＤＰにおける誘電体層と隔壁の縦壁間の隙間の長さに対する発光効率と、電極幅が２５０μｍに設定されキセノン分圧が２．６７ｋＰａの放電ガスが封入されている従来のＰＤＰにおける誘電体層と隔壁の縦壁間の隙間の長さに対する発光効率が、比較して示されている。
【００９９】
なお、この図９には、隙間の長さの代わりに、前面ガラス基板側から見た状態において行電極の放電ギャップと反対側の縁部から突条部の端部が列方向外方に張り出している長さ（図２，３の張り出し長さｄ１）を横軸にとり、ｄ１の長さ６０μｍで規格化された発光効率の値が示されている。
【０１００】
この図９から分かるように、従来の電極幅が２５０μｍ，放電ガス中のキセノン分圧が２．６７ｋＰａであるＰＤＰにおいては、誘電体層と隔壁の縦壁間の隙間が長く（すなわち、縦壁上の突条部の長さが短く）なっても、発光効率はあまり変化しておらず、誘電体層と縦壁間の隙間の長さのプライミング効果に対する影響は小さいが、電極幅が５０μｍ，放電ガス中のキセノン分圧が１３．３３ｋＰａに設定されたＰＤＰにおいては、誘電体層と隔壁の縦壁間の隙間が長い（縦壁上の突条部の張り出し長さｄ１が短い）ほどプライミング効果が大きくなって、発光効率が上昇している。
【０１０１】
この両者における発光効率の差は、縦壁上の突条部の張り出し長さｄ１が３０μｍ以下の場合に顕著になっている。
【０１０２】
このように、ＰＤＰ１０は、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなるため、誘電体層１２と隔壁１５の縦壁１５Ｂ間に形成された所要の長さ以上の隙間ｒ１によって、従来のＰＤＰよりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０１０３】
さらに、このＰＤＰ１０は、隙間ｒ１によって製造工程時の排気経路が確保されて、十分な放電空間内からの排気が行われるようになることにより、ＰＤＰの寿命アップや色温度向上等のパネル特性の向上効果を得ることが出来る。
【０１０４】
さらに、上記ＰＤＰ１０は、縦壁１５Ｂと誘電体層１２を被覆する保護層との間に隙間ｒ１が形成されていることによって、この隙間ｒ１の分だけ行電極Ｙ１と列電極Ｄ１間に形成される静電容量が小さくなって、アドレス放電時の消費電力が低減される。
【０１０５】
なお、上記ＰＤＰ１０において、突条部１５Ｂａの列方向の長さＬ１は、隣接する放電セルＣ１間でのサステイン放電時の誤放電発生防止のためには長い方が良いが、プライミング効果や排気経路の確保，行電極Ｙ１と列電極Ｄ１間の静電容量の低減のためには、短い方が良い。
【０１０６】
このため、突条部１５Ｂａの長さＬ１は、前面ガラス基板１１側から見た状態で、行電極Ｘ１とＹ１のそれぞれの放電ギャップｇ１と反対側の縁部から列方向外方に張り出している突条部１５Ｂａの両端部のそれぞれの長さｄ１（図２，３参照）が、０μｍ≦ｄ１≦３０μｍの範囲に設定されるようにするのが好適と考えられる。
【０１０７】
また、この誤放電防止の為には、突条部１５Ｂａの頂部を出来るだけ平滑化して、誘電体層１２を被覆する保護層に密着させるようにするのが好ましい。
【０１０８】
なお、この突条部１５Ｂａには、隔壁１５の本体に求められる様な高反射率等の性能は求められないので、隔壁１５の本体とは別の材料によって別個に形成するようにすることも可能である。
【０１０９】
そして、突条部１５Ｂａを隔壁１５の本体に比べて低誘電率の材料によって形成することによって、行電極Ｙ１と列電極Ｄ１間の静電容量をさらに小さくすることが出来、これによって、アドレス放電時の消費電力をさらに低減させることが出来るようになる。
【０１１０】
なお、上記のような効果は、ＰＤＰの隔壁がストライプ状である場合にも得ることが出来るが、ＰＤＰ１０は、隔壁１５が略格子形状に成形されていることによって、蛍光体層１６が各放電セルＣ１をそれぞれ囲む横壁１５Ａと縦壁１５Ｂの四つの側面にも形成されて、この蛍光体層１６の表面積が増大されているので、さらに高い発光効率を得ることが出来る。
【０１１１】
さらに、上記ＰＤＰ１０は、行電極Ｘ１，Ｙ１の列方向の幅Ｗｘ１，Ｗｙ１が従来のＰＤＰに比べて大幅に小さくなっていることによって、電極間に形成される静電容量が大幅に減少し、その結果、無効電流の発生が減少して消費電力の低減を図ることが出来るようになる。
【０１１２】
なお、上記においては、ＰＤＰ１０の行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、放電セルＣ１に対して、列方向において放電セルＣ１の中央位置に配置されている例が示されているが、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）は、放電セルＣ１に対して列方向においてその中央位置から上下にずれた位置に配置されていても良い。
【０１１３】
その理由は、以下の通りである。
【０１１４】
すなわち、従来のＰＤＰにおいては、前述したようにサステイン放電が放電セルの全体に拡がる奥行きの深い放電になるため、格子形状の隔壁によって区画された放電セルに対して行電極対が列方向において放電セルの中央位置から上下どちらかにずれた位置に位置されると、放電ギャップが放電セルを区画している隔壁の上下の横壁のどちらかに偏って位置されることによって、各放電セル毎に電圧マージンや輝度，発光効率等にばらつきが生じて、発光に悪影響が生じるという問題が発生するので、放電セルに対して行電極対の高い位置精度が要求される。
【０１１５】
しかしながら、上記のＰＤＰ１０では、サステイン放電が前述したような放電領域が狭い狭奥行き放電になって、真空紫外線の発生領域が、従来のＰＤＰよりも小さいいわゆる点光源になるので、壁損失などによる隔壁からの影響を受け難くなるとともに、真空紫外線の吸収が少ない波長１７２ｎｍの分子線を利用して蛍光体層１６の励起が行われるので、サステイン放電の放電領域（真空紫外線の発生領域）と蛍光体層１６との距離のばらつきによる影響が小さくなり、これによって、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の列方向の位置が中央位置からずれている場合でも、発光効率および輝度の変動はほとんど生じないからである。
【０１１６】
従って、上記ＰＤＰ１０によれば、隔壁１５が略格子形状を有していて放電セルＣ１の周囲が横壁１５Ａおよび縦壁１５Ｂによって囲まれている場合でも、放電ギャップｇ１の位置（すなわち行電極対の位置）が、列方向において放電セルの中央位置に正確に位置決めされていなくてもよくなり、放電セルＣ１に対する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の位置精度の許容量が大きくなって、製造工程における製品歩留の向上による製造コストの低下に寄与することが出来るようになる。
【０１１７】
また、上記においては、行電極を構成する透明電極が、それぞれ、バス電極に沿って隣接する放電セル間において帯状に連続した形状に成形されている例が示されているが、透明電極が放電セル毎に独立して形成されてバス電極に接続された構成であっても良い。
【０１１８】
さらに、上記においては、行電極が透明電極とバス電極によって構成された例を述べたが、行電極が金属製のバス電極のみで構成され、その列方向の幅をそれぞれ１５０μｍ以下に設定する構成でもよい。
【実施例２】
【０１１９】
図１０は、この発明の実施形態の第２実施例における前面ガラス基板側の構成を示す斜視図である。
【０１２０】
前述した第１実施例においては、ＰＤＰの行方向において隣接する放電セルの間を遮蔽する突条部が隔壁の縦壁上に一体的に形成されていたのに対し、この第２実施例におけるＰＤＰは、列方向に延びる突条部２５Ｂａが、前面ガラス基板１１の背面側に形成されている。
【０１２１】
すなわち、この突条部２５Ｂａは、前面ガラス基板１１の背面の誘電体層１２を被覆する図示しない保護層上に形成されている。
【０１２２】
そして、各突条部２５Ｂａの形成位置は、それぞれ、前面ガラス基板１１側から見た状態で、中央部分が行電極対（Ｘ１，Ｙ１）と交差するとともに、ＰＤＰの製造工程において前面ガラス基板１１と背面ガラス基板が重ね合わされる際に、背面ガラス基板上に形成された隔壁の縦壁上に重なり合う位置に設定されている。
【０１２３】
ＰＤＰの他の部分の構成および突条部２５Ｂａの寸法や形状、誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁との間の隙間の幅、および、形成材料等については、第１実施例の場合と同様である。
【０１２４】
このＰＤＰは、第１実施例の場合と同様に、行電極Ｘ１，Ｙ１間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電となり、全圧が６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上されるとともに、突条部２５Ｂａによって、行方向に隣接する放電セルＣ１間でのサステイン放電時の誤放電の発生が防止される。
【０１２５】
さらに、このＰＤＰは、突条部２５Ｂａの両側に形成される隙間によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保され、そして、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスが封入されているとともに行電極Ｘ１，Ｙ１間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０１２６】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この誘電体層１２と縦壁間に形成された隙間によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０１２７】
さらに、このＰＤＰは、第１実施例の場合と比べて、突条部２５Ｂａが前面ガラス基板１１の背面側に形成されることによって、この突条部２５Ｂａが形成される際の行電極Ｘ１，Ｙ１および放電ギャップｇ１に対する位置決め精度が高くなり、この結果、突条部２５Ｂａによる隣接する放電セル間での誤放電防止効果をさらに向上させることが出来るようになる。
【０１２８】
上記ＰＤＰが有するその他の技術的効果については、第１実施例の場合と同様である。
【実施例３】
【０１２９】
図１１および１２は、この発明の実施形態における第３の実施例を示しており、図１１はこの第３実施例のＰＤＰの一部を模式的に示す正面図であり、図１２は図１１のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【０１３０】
なお、以下の説明において、前述した第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図２および３と同一の符号を用いて説明を行う。
【０１３１】
前述した第１実施例のＰＤＰが各行電極の透明電極の列方向の幅を狭めてサステイン放電が狭奥行き放電を形成するように構成されていたのに対し、この第３実施例のＰＤＰ３０は、略格子形状の隔壁１５によって区画された放電セルＣ１に対向する位置に従来のＰＤＰ（図１参照）と同様のサイズの行電極対（Ｘ２，Ｙ２）が形成され、この行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を被覆する第１誘電体層２２の放電空間に面する背面側の所要の位置に、さらに第２誘電体層２３が積層して形成されて、行電極Ｘ２，Ｙ２のそれぞれ実質的に放電を発生させる部分の列方向の幅が狭められることにより、サステイン放電が狭奥行き放電を形成するように構成されている。
【０１３２】
すなわち、ＰＤＰ３０は、前面ガラス基板１１の背面に、図１の従来のＰＤＰと同様の列方向の幅が例えば４００〜１０００μｍの帯状の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａが、互いに所要の間隔（放電ギャップｇ２）を開けて行方向に平行に延びており、この透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの背面の基端側に、それぞれ帯状のバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂが行方向に延びるように形成されて、透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａに接続されている。
【０１３３】
この行電極対（Ｘ２，Ｙ２）は、前面ガラス基板１１の背面に形成された第１誘電体層２２によって被覆されている。
【０１３４】
そして、この第１誘電体層２２の背面の、放電ギャップｇ２と、この放電ギャップｇ２を挟んで対向している行電極Ｘ２，Ｙ２の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａのそれぞれ先端から列方向において１５０μｍ以下の幅Ｗｘ２およびＷｙ２の部分とに対向する行方向に延びる帯状の部分とを除いた部分に、第２誘電体層２３が積層して形成されていて、列方向において隣接する第２誘電体層２３間に、上述した放電ギャップｇ２と透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端部の幅Ｗｘ２，Ｗｙ２の部分に対向する溝部ｈが形成されている。
【０１３５】
さらに、第１誘電体層２２と第２誘電体層２３の背面上に、これらを被覆するように、図示しない保護層が形成されている。
【０１３６】
この行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を被覆する第１誘電体層２２は、放電によって壁電荷が形成される従来のＰＤＰとほぼ同様の膜厚を有し、第２誘電体層２３は第１誘電体層２２以上の膜厚を有していて、第１誘電体層２２と第２誘電体層２３が積層されている部分の膜厚が、第１誘電体層２２の膜厚の２倍以上の放電による壁電荷がほとんど形成されることがない膜厚となるように設定されている。
【０１３７】
背面ガラス基板１３上には、第１実施例の場合と同様の構成および配置によって、列電極Ｄ１と列電極保護層１４，略格子形状の隔壁１５，赤，緑，青の蛍光体層１６が形成されている。
【０１３８】
隔壁１５の各縦壁１５Ｂの前面ガラス基板１１に対向する端面上には、その中央部に、それぞれ、前面ガラス基板１１側に突出するとともに列方向に延びる突条部２６が形成されている。
【０１３９】
この突条部２６は、縦壁１５Ｂ上に形成されて、列方向の幅が第２誘電体層２３間の溝部ｈの列方向の幅よりも大きい一段目突条部２６Ａと、この一段目突条部２６Ａ上の中央部に形成されて第２誘電体層２３間の溝部ｈと同じ列方向の幅を有する二段目突条部２６Ｂとを備えた二段形状に成形されている。 そして、二段目突条部２６Ｂが溝部ｈ内に嵌合されているとともに、この二段目突条部２６Ｂが形成されていない一段目突条部２６Ａの両端部の頂面が、それぞれ、第２誘電体層２３を被覆している保護層に当接されている。
【０１４０】
この突条部２６の一段目突条部２６Ａの列方向の長さＬ２は、溝部ｈの列方向の幅（放電ギャップｇ２の幅と透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端部分の幅Ｗｘ２，Ｗｙ２の合計）よりも大きく、かつ、隔壁１５の隣接する横壁１５Ａ間の長さよりも小さい寸法に設定されており、前面ガラス基板１１側から見た状態で、一段目突条部２６Ａの両端部分が、それぞれ溝部ｈから列方向外方に、所定の同じ長さｄ２だけ張り出した状態になっている。
【０１４１】
この実施例では、例えば、ｄ２＝０〜３０μｍに設定される。
【０１４２】
そして、この突条部２６とその両側に隣接する横壁１５Ａとの間の部分の縦壁１５Ｂは、第２誘電体層２３を被覆する保護層の背面には当接されておらず、その間に隙間ｒ２が形成されていて、この隙間ｒ２を介して縦壁１５Ｂを挟んで行方向に隣接する二つの放電セルＣ１が、それぞれ互いに連通されている。
【０１４３】
この隙間ｒ２の幅（第２誘電体層２３を被覆する保護層と縦壁１５Ｂの間の間隔）は、１ないし２０μｍに設定されるのが好ましい。
【０１４４】
これは、隙間ｒ２の幅が１μｍ未満の場合には、後述するようなプライミング効果の発揮や発光効率の向上，排気通路の確保などが十分に行われなくなるためであり、一方、２０μｍよりも大きい場合には、行方向に隣接する放電セルＣ１間で誤放電が発生する虞が発生するためである。
【０１４５】
なお、突条部２６は、第１実施例の場合と同様に、隔壁１５の本体を形成する誘電材料と同じ材料によって一体的に形成されていても良く、隔壁１５の本体を形成する誘電材料とは別の低誘電材料によって形成されていても良い。
【０１４６】
そして、放電空間内には、キセノン分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスが封入されている。
【０１４７】
上記ＰＤＰ３０の行電極対（Ｘ２，Ｙ２）の各行電極Ｘ２，Ｙ２は、その列方向の幅が従来のＰＤＰとほぼ同じ寸法を有しているが、この行電極Ｘ２，Ｙ２の放電ギャップｇ２を介して互いに対向する透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ２およびＷｙ２の部分以外の部分が、積層された第１誘電体層２２と第２誘電体層２３の二層の誘電体層によって被覆されて、その部分の誘電体層の膜厚が先端部の列方向の幅Ｗｘ２およびＷｙ２の部分を被覆している誘電体層の膜厚よりも厚くなっているので、壁電荷は、第１誘電体層２２に第２誘電体層２３が積層されて膜厚が厚くなっている部分にはほとんど形成されず、透明電極Ｘ２ａとＹ２ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ２およびＷｙ２の部分を被覆している第１誘電体層２２の表面に形成される。
【０１４８】
このため、上記ＰＤＰ３０では、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）にサステイン・パルスが印加されて透明電極Ｘ２ａとＹ２ａ間で放電ギャップｇ２を介してサステイン放電が発生される際に、このサステイン放電は、ほとんど透明電極Ｘ２ａとＹ２ａの先端部の列方向の幅Ｗｘ２およびＷｙ２の部分のみで行われるようになって、第１実施例と同様な狭奥行き放電になる。
【０１４９】
このＰＤＰ３０は、第１実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となり、放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上されるとともに、突条部２６によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間でのサステイン放電時の誤放電の発生が防止される。
【０１５０】
さらに、このＰＤＰは、突条部２６の両側に形成された隙間ｒ２によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保され、そして、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスが封入されているとともに行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０１５１】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この第２誘電体層２３と縦壁１５Ｂ間に形成された隙間ｒ２によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０１５２】
さらに、このＰＤＰ３０は、突条部２６が一段目突条部２６Ａと二段目突条部２６Ｂの二段形状に形成されて、二段目突条部２６Ｂが前面ガラス基板１１側に形成された溝部ｈに嵌合されることによって、製造工程時における重ね合わせの際の前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１３の位置決めが容易に行われるようになる。
【０１５３】
さらに、ＰＤＰ３０は、透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの列方向の幅が従来のＰＤＰと同様の大きさを有していてバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂが放電ギャップｇ２から離れた位置に配置されるため、蛍光体層からの発光が金属膜からなるバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂによって邪魔されるといった影響が小さくなり、発光の取出し効率が向上する。
【０１５４】
すなわち、本実施例の場合、放電ギャップに近づく程発光強度が高く、横壁に近づく程発光強度が弱まる特性がある。よって、この構成の場合、発光強度が高い部分がバス電極によって遮蔽されることなく、より高い発光効率を得ることができる、
上記ＰＤＰ３０が有するその他の技術的効果については、第１実施例の場合と同様である。
【実施例４】
【０１５５】
図１３および１４は、この発明の実施形態における第４の実施例を示しており、図１３はこの実施例のＰＤＰの一部を模式的に示す正面図であり、図１４は図１３のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【０１５６】
前述した第３実施例のＰＤＰにおいては、第２誘電体層の間の放電ギャップおよび行電極のサステイン放電を発生する部分に対向する部分に形成される溝部が行方向に延びる帯状の形状を有していたのに対し、この実施例のＰＤＰ４０は、第１誘電体層２２上に積層される第２誘電体層３３が、放電セルＣ１の開口面の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端のそれぞれ幅Ｗｘ２，Ｗｙ２の部分および放電ギャップｇ２に対向する部分に方形の孔３３ａが形成された略格子形状に成形されていて、この孔３３ａによって、行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が、孔３３ａの範囲に制約された狭奥行き放電を構成するようになっている。
【０１５７】
隔壁１５の縦壁１５Ｂは、第２誘電体層３３の孔３３ａの間の列方向に延びる帯状部分に対向されている。
【０１５８】
そして、この隔壁１５の縦壁１５Ｂ上の中央部分に、突条部３６が形成されている。
【０１５９】
このＰＤＰ４０の突条部３６の形成位置および寸法は、第３実施例の突条部の一段目突条部と同様であり、第２誘電体層３３を被覆する保護層に当接されて、行方向に隣接する放電セルＣ１の孔３３ａに対向する部分の間をそれぞれ遮断している。
【０１６０】
そして、この突条部３６の両側の縦壁１５Ｂと第２誘電体層３３を被覆する保護層との間に隙間ｒ３が形成されて、この隙間ｒ３によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間が連通されている。
【０１６１】
この隙間ｒ３の幅（第２誘電体層３３を被覆する保護層と縦壁１５Ｂの間の間隔）は、１ないし２０μｍに設定されるのが好ましい。
【０１６２】
これは、隙間ｒ３の幅が１μｍ未満の場合には、後述するようなプライミング効果の発揮や発光効率の向上，排気通路の確保などが十分に行われなくなるためであり、一方、２０μｍよりも大きい場合には、行方向に隣接する放電セルＣ１間で誤放電が発生する虞が発生するためである。
【０１６３】
このＰＤＰ４０の他の部分の構成については、前述した第３実施例のＰＤＰと同様であり、この第３実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図１２および１３において図１０および１１と同一の符号が付されている。
【０１６４】
上記ＰＤＰ４０は、第１実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となり、全圧が６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上されるとともに、突条部３６によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間でのサステイン放電時の誤放電の発生が防止される。
【０１６５】
さらに、このＰＤＰ４０は、突条部３６の両側に形成された隙間ｒ３によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保され、そして、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスを有しているとともに行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０１６６】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この第２誘電体層３３と縦壁１５Ｂ間に形成された隙間ｒ３によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０１６７】
上記ＰＤＰ４０が有するその他の技術的効果については、前述した第３実施例の場合と同様である。
【実施例５】
【０１６８】
図１４および１５は、この発明の実施形態における第５の実施例を示しており、図１４はこの第５実施例のＰＤＰ５０の一部を模式的に示す正面図であり、図１５は図１４のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【０１６９】
なお、以下の説明において、前述した第３実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図１０および１１と同一の符号を用いて説明を行う。
【０１７０】
前述した第３および第４実施例のＰＤＰが、行電極対を被覆する第１誘電体層上に形成された第２誘電体層によってサステイン放電の放電範囲が制限されることにより狭奥行き放電を形成するように構成されていたのに対し、この第５実施例のＰＤＰ５０は、略格子形状の隔壁１５によって区画された放電セルＣ１に対向する位置に従来のＰＤＰ（図１参照）と同様のサイズの行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を被覆する誘電体層１２の放電空間に面する背面側の所要の位置のみに、ＭｇＯ等の高γ材料によって、行方向に帯状に延びる二次電子放出層４３が形成されて、この二次電子放出層４３によって、透明電極Ｘ２ａとＹ２ａの間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成するようになっている。
【０１７１】
すなわち、ＰＤＰ５０は、前面ガラス基板１１の背面に、図１の従来のＰＤＰと同様の列方向の幅が例えば４００〜１０００μｍの帯状の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａが、互いに所要の間隔（放電ギャップｇ２）を開けて行方向に平行に延びており、この透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの背面の基端側に、それぞれ帯状のバス電極Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂが行方向に延びるように形成されて、透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａに接続されている。
【０１７２】
この行電極対（Ｘ２，Ｙ２）は、前面ガラス基板１１の背面に形成された誘電体層１２によって被覆されている。
【０１７３】
そして、この誘電体層１２の背面上の、放電ギャップｇ２およびこの放電ギャップｇ２を挟んで両側に位置する透明電極Ｘ２ａとＹ２ａのそれぞれの先端部分の列方向における幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分を含む部分に対向する位置のみに、ＭｇＯ等の高γ材料によって行方向に帯状に延びる二次電子放出層４３が形成されている。
【０１７４】
この二次電子放出層４３の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａと対向している部分のそれぞれの列方向の幅Ｗｘ３およびＷｙ３は、１５０μｍ以下に設定されている。
【０１７５】
背面ガラス基板１３上には、第１実施例の場合と同様の構成および配置によって、列電極Ｄ１と列電極保護層１４，略格子形状の隔壁１５，赤，緑，青の蛍光体層１６が形成されている。
【０１７６】
隔壁１５の各縦壁１５Ｂの前面ガラス基板１１に対向する端面上には、その中央部分に、それぞれ、前面ガラス基板１１側に突出するとともに列方向に延びる突条部４６が形成されている。
【０１７７】
この突条部４６の列方向の長さＬ３は、二次電子放出層４３の列方向の幅（放電ギャップｇ２の幅と透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端部の幅Ｗｘ３，Ｗｙ３の合計）よりも大きく、かつ、隔壁１５の隣接する横壁１５Ａ間の長さよりも小さい寸法に設定されており、前面ガラス基板１１側から見た状態で、突条部４６の両端部が、それぞれ二次電子放出層４３から列方向外方に、所定の同じ長さｄ３だけ張り出した状態になっている。
【０１７８】
この実施例では、例えば、ｄ３＝０〜３０μｍに設定される。
【０１７９】
この突条部４６の前面ガラス基板１１側に対向する頂面には、列方向に沿った断面形状が二次電子放出層４３の列方向に沿った断面形状と同一の凹部４６ａが形成されていて、この凹部４６ａ内に二次電子放出層４３が嵌合されているとともに、突条部４６の凹部４６ａの列方向の両側の部分が、誘電体層１２を被覆する保護層に当接されている。
【０１８０】
そして、この突条部４６の列方向の両側において、誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂとの間に、それぞれ隙間ｒ４が形成されている。
【０１８１】
この隙間ｒ４の幅（誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂの間の間隔）は、１ないし２０μｍに設定されるのが好ましい。
【０１８２】
これは、隙間ｒ４の幅が１μｍ未満の場合には、後述するようなプライミング効果の発揮や発光効率の向上，排気通路の確保などが十分に行われなくなるためであり、一方、２０μｍよりも大きい場合には、行方向に隣接する放電セルＣ１間で誤放電が発生する虞が発生するためである。
【０１８３】
これによって、第１実施例の場合と同様に、突条部４６が形成されている部分において、この突条部４６によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間の連通が遮断されているとともに、この突条部４６の両側の隙間ｒ４によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間が連通されている。
【０１８４】
なお、この突条部４６は、第１実施例の場合と同様に、隔壁１５の本体を形成する誘電材料と同じ材料によって一体的に形成されていても良く、隔壁１５の本体を形成する誘電材料とは別の低誘電材料によって形成されていても良い。
【０１８５】
そして、放電空間内に封入される全圧６６．７ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の放電ガスのキセノン分圧が、６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上に設定されている。
【０１８６】
上記ＰＤＰ５０は、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）の各行電極Ｘ２，Ｙ２が、従来のＰＤＰとほぼ同じ寸法の列方向の幅を有しているが、高γ材料によって形成された二次電子放出層４３が、誘電体層１２上の放電ギャップｇ２とこの放電ギャップｇ２の両側の透明電極Ｘ２ａとＹ２ａのそれぞれの先端部分の幅Ｗｘ３およびＷｙ３の部分に対向する位置のみに配置されていることによって、透明電極Ｘ２ａとＹ２ａ間において発生されるサステイン放電のほとんどがこの二次電子放出層４３が形成されている領域の範囲内で発生されることになり、これによって、このサステイン放電が、第１実施例で説明したような狭奥行き放電を構成するようになる。
【０１８７】
上記ＰＤＰ５０は、第１実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となり、放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上されるとともに、突条部４６によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間での誤放電の発生が防止される。
【０１８８】
さらに、このＰＤＰ５０は、突条部４６の両側に形成された隙間ｒ４によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保され、そして、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスを有しているとともに行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０１８９】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この誘電体層１２と縦壁１５Ｂ間に形成された隙間ｒ４によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０１９０】
さらに、このＰＤＰ５０の構成によれば、狭奥行き放電の発生領域が二次電子放出層４３の形成位置や寸法によって自由に設定されるので、設計や製造上の自由度が増して、設計変更等に柔軟に対応することが可能になる。
【０１９１】
上記ＰＤＰ５０が有するその他の技術的効果については、前述した第３実施例の場合と同様である。
【実施例６】
【０１９２】
図１７および１８は、この発明の実施形態における第６の実施例を示しており、図１７はこの実施例のＰＤＰの一部を模式的に示す正面図であり、図１８は図１７のＶ５−Ｖ５線における断面図である。
【０１９３】
前述した第５実施例のＰＤＰにおいては、行電極対を被覆する誘電体層の背面に形成された二次電子放出層が行方向に延びる帯状に成形されているのに対し、
この実施例のＰＤＰ６０は、誘電体層１２の背面に形成される二次電子放出層５３が、放電セルＣ１の開口面の透明電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａの先端のそれぞれ幅Ｗｘ３，Ｗｙ３の部分および放電ギャップｇ２に対向する方形形状に成形されていて、この方形の二次電子放出層５３によって、行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が、方形の二次電子放出層５３の範囲に制約された狭奥行き放電を構成するようになっている。
【０１９４】
隔壁１５の縦壁１５Ｂは、誘電体層１２の行方向に隣接する二次電子放出層５３の間の列方向に延びる帯状部分に対向されている。
【０１９５】
そして、この隔壁１５の縦壁１５Ｂ上の中央部分に、第５実施例の突条部と同じ列方向の幅Ｌ３を有する突条部５６が形成されていて、この突条部５６が誘電体層１２を被覆する保護層に当接されて、行方向に隣接する放電セルＣ１の間をそれぞれ遮断している。
【０１９６】
そして、この突条部５６の両側の縦壁１５Ｂと誘電体層１２を被覆する保護層との間に隙間ｒ５が形成されて、この隙間ｒ５によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間が連通されている。
【０１９７】
この隙間ｒ５の幅（誘電体層１２を被覆する保護層と縦壁１５Ｂの間の間隔）は、１ないし２０μｍに設定されるのが好ましい。
【０１９８】
これは、隙間ｒ５の幅が１μｍ未満の場合には、後述するようなプライミング効果の発揮や発光効率の向上，排気通路の確保などが十分に行われなくなるためであり、一方、２０μｍよりも大きい場合には、行方向に隣接する放電セルＣ１間で誤放電が発生する虞が発生するためである。
【０１９９】
このＰＤＰ６０の他の部分の構成については、前述した第５実施例のＰＤＰと同様であり、この第５実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図１６および１７において図１４および１５と同一の符号が付されている。
【０２００】
上記ＰＤＰ６０は、第５実施例の場合と同様に、サステイン放電が狭奥行き放電となり、放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上されるとともに、突条部５６によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間でのサステイン放電時の誤放電の発生が防止される。
【０２０１】
さらに、このＰＤＰ６０は、突条部５６の両側に形成された隙間ｒ５によって、行方向に隣接する放電セルＣ１間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保され、そして、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン・パルス周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスを有しているとともに行電極Ｘ２，Ｙ２間で発生されるサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０２０２】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノン分圧の放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この誘電体層１２と縦壁１５Ｂ間に形成された隙間ｒ５によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【０２０３】
さらに、このＰＤＰ６０の構成によれば、狭奥行き放電の発生領域が二次電子放出層５３の形成位置や寸法によって自由に設定されるので、設計や製造上の自由度が増して、設計変更等に柔軟に対応することが可能になる。
【０２０４】
上記ＰＤＰ６０が有するその他の技術的効果については、前述した第３実施例の場合と同様である。
【０２０５】
上記各実施例のＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極のそれぞれの放電ギャップを介して行われるサステイン放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されているとともに、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間内に、キセノンの分圧が６．６７ｋＰａ以上に設定された放電ガスが封入され、行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されているＰＤＰを、その上位概念の実施形態としている。
【０２０６】
この上位概念を構成する実施形態のＰＤＰは、行電極対を構成する一対の行電極間で発生されるサステイン放電が、この一対の行電極のサステイン放電に関与する部分の列方向の幅が１５０μｍ以下に設定されていることによって狭奥行き放電となり、放電ガス中に分圧が６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）以上の高キセノンを含んでいることによって、発光効率が向上される。
【０２０７】
そして、行方向に隣接する単位発光領域内のそれぞれの狭奥行き放電となるサステイン放電が発生する部分の間が、行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に配置された壁部によって遮断されていることによって、サステイン放電が発生される際に、行方向に隣接する単位発光領域間での誤放電の発生が防止されるとともに、壁部の両側の隔壁と誘電体層側との間に形成された隙間によって、行方向に隣接する単位発光領域間におけるプライミング効果が発揮されるとともに、製造工程時において排気および放電ガスの導入経路が確保される。
【０２０８】
さらに、このプライミング効果をさらに向上させるためにサステイン放電を発生させるパルスの周期を短くした場合に、高キセノンの放電ガスが封入されているとともにサステイン放電が狭奥行き放電を構成することによって、従来のＰＤＰに比べて、発光効率を向上させることが出来る。
【０２０９】
さらに、狭奥行き放電を行うとともに高キセノンの放電ガスが封入されていることによって、誘電体層と隔壁の縦壁間に形成された隙間によるプライミング効果への影響が大きくなり、この誘電体層と縦壁間に形成された隙間によって、従来よりも高い発光効率を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【０２１０】
【図１】従来のＰＤＰの構成を示す正面図である。
【図２】この発明の実施形態の第１実施例を示す正面図である。
【図３】図２のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図４】同実施例におけるＰＤＰの隔壁を示す斜視図である。
【図５】ＰＤＰにおける電極の幅と発光効率との関係を示すグラブである。
【図６】ＰＤＰにおける放電の一般的成長過程を示すグラブである。
【図７】ＰＤＰの放電セル内におけるサステイン放電の成長過程を示す状態図である。
【図８】ＰＤＰにおけるサステイン・パルス周期と発光効率の関係を示すグラフである。
【図９】同実施例のＰＤＰにおける隙間の長さと発光効率の関係を従来例と比較して示すグラフである。
【図１０】この発明の実施形態の第２実施例を示す斜視図である。
【図１１】この発明の実施形態の第３実施例を示す正面図である。
【図１２】図１１のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図１３】この発明の実施形態の第４実施例を示す正面図である。
【図１４】図１３のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【図１５】この発明の実施形態の第５実施例を示す正面図である。
【図１６】図１５のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【図１７】この発明の実施形態の第６実施例を示す正面図である。
【図１８】図１７のＶ５−Ｖ５線における断面図である。
【符号の説明】
【０２１１】
１０，３０，４０，５０，６０
…ＰＤＰ
１１ …前面ガラス基板（一方の基板）
１２，２２ …誘電体層
１３ …背面ガラス基板（他方の基板）
１５ …隔壁
１５Ａ …横壁
１５Ｂ …縦壁（隔壁）
１５Ｂａ …突条部（壁部）
１６ …蛍光体層
２２ …第１誘電体層（誘電体層）
２３，３３ …第２誘電体層（誘電体層）
２５Ｂａ，２６，３６，４６，５６
…突条部（壁部）
３３ａ …孔
４３，５３ …二次電子放出層
４６ａ …凹部
Ｃ１ …放電セル（単位発光領域）
Ｄ１ …列電極
Ｌ１，Ｌ２、Ｌ３ …突条部の列方向の幅
Ｘ１，Ｙ１，Ｘ２，Ｙ２ …行電極
Ｗｘ１，Ｗｙ１，Ｗｘ２，Ｗｙ２，Ｗｘ３，Ｗｙ３
…電極の幅
ｄ１，ｄ２，ｄ３ …張出部分の長さ
ｈ …溝部
ｒ１，ｒ２，ｒ３，ｒ４，ｒ５
…隙間
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記行電極対を構成する行電極のそれぞれの列方向の幅が１５０μｍ以下に設定され、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記壁部が隔壁上に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記壁部が、行電極対を被覆する誘電体層側に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料と同じ材料によって形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料とは異なる低誘電材料によって形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記壁部が、その中央部分に行電極対を構成する一対の行電極と放電ギャップに対向され、一方の基板側から見た状態で、両端部分がそれぞれ一対の行電極から列方向外方に同じ長さだけ張り出す位置に配置されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記壁部の一方の基板側から見た状態で行電極から列方向外方に張り出している両端部分の列方向の長さが、それぞれ３０μｍ以下に設定されている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層は、薄膜の部分と、この薄膜の部分よりも厚さが大の厚膜の部分からなり、この誘電体層の薄膜の部分は、前記対になった行電極の、放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆する誘電体層であり、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記誘電体層の薄膜の部分が行方向に延びる帯状に形成され、壁部が隔壁側に位置される列方向の長さが長い一段目部分と一方の基板側に位置される列方向の長さが短い二段目部分とを有し、この壁部の二段目部分が、誘電体層の薄膜部分と厚膜部分とによって薄膜部分上に形成される溝部内に嵌合されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記誘電体層の薄膜部分が各単位発光領域毎に島状に形成され、厚膜部分がこの薄膜部分を囲む略格子形状に成形されており、壁部が、行方向に隣接する誘電体層の島状の薄膜部分の間に位置する厚膜部分と隔壁との間に位置されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料と同じ材料によって形成されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料とは異なる低誘電材料によって形成されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記壁部が、その列方向における中央位置が誘電体層の薄膜部分の列方向における中央位置に行方向においてほぼ一致し、一方の基板側から見た状態で、壁部の両端部分がそれぞれ誘電体層の薄膜部分よりも列方向外方に同じ長さだけ張り出す位置に配置されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記壁部の一方の基板側から見た状態で誘電体層の薄膜部分から列方向外方に張り出している両端部分の列方向の長さが、それぞれ３０μｍ以下に設定されている請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれそれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記対になった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分の行電極対を被覆する誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層が形成され、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記二次電子放出層が行方向に延びる帯状に形成され、壁部の誘電体層に対向する部分に凹部が形成されて、この凹部内に二次電子放出層が嵌合されている請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記二次電子放出層が各単位発光領域毎に島状に形成され、壁部が、行方向に隣接する島状の二次電子放出層の間に位置する誘電体層と隔壁との間に位置されている請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料と同じ材料によって形成されている請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料とは異なる低誘電材料によって形成されている請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記壁部が、その列方向における中央位置が二次電子放出層の列方向における中央位置に行方向においてほぼ一致し、一方の基板側から見た状態で、壁部の両端部分がそれぞれ二次電子放出層よりも列方向外方に同じ長さだけ張り出す位置に配置されている請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記壁部の一方の基板側から見た状態で二次電子放出層から列方向外方に張り出している両端部分の列方向の長さが、それぞれ３０μｍ以下に設定されている請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記行電極対を構成する行電極のそれぞれの列方向の幅が１５０μｍ以下に設定され、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記壁部が隔壁上に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記壁部が、行電極対を被覆する誘電体層側に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料と同じ材料によって形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料とは異なる低誘電材料によって形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記壁部が、その中央部分に行電極対を構成する一対の行電極と放電ギャップに対向され、一方の基板側から見た状態で、両端部分がそれぞれ一対の行電極から列方向外方に同じ長さだけ張り出す位置に配置されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記壁部の一方の基板側から見た状態で行電極から列方向外方に張り出している両端部分の列方向の長さが、それぞれ３０μｍ以下に設定されている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層は、薄膜の部分と、この薄膜の部分よりも厚さが大の厚膜の部分からなり、この誘電体層の薄膜の部分は、前記対になった行電極の、放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分を被覆する誘電体層であり、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記誘電体層の薄膜の部分が行方向に延びる帯状に形成され、壁部が隔壁側に位置される列方向の長さが長い一段目部分と一方の基板側に位置される列方向の長さが短い二段目部分とを有し、この壁部の二段目部分が、誘電体層の薄膜部分と厚膜部分とによって薄膜部分上に形成される溝部内に嵌合されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記誘電体層の薄膜部分が各単位発光領域毎に島状に形成され、厚膜部分がこの薄膜部分を囲む略格子形状に成形されており、壁部が、行方向に隣接する誘電体層の島状の薄膜部分の間に位置する厚膜部分と隔壁との間に位置されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料と同じ材料によって形成されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料とは異なる低誘電材料によって形成されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記壁部が、その列方向における中央位置が誘電体層の薄膜部分の列方向における中央位置に行方向においてほぼ一致し、一方の基板側から見た状態で、壁部の両端部分がそれぞれ誘電体層の薄膜部分よりも列方向外方に同じ長さだけ張り出す位置に配置されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記壁部の一方の基板側から見た状態で誘電体層の薄膜部分から列方向外方に張り出している両端部分の列方向の長さが、それぞれ３０μｍ以下に設定されている請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板側に配置されて行方向に延び列方向に並設されているとともに、それぞれ放電ギャップを介して互いに対向する対になった行電極によって構成される複数の行電極対と、一方の基板側に形成されて行電極対を被覆する誘電体層と、他方の基板側に配置されて列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とを備え、この列電極と行電極対が交差する部分の放電空間にそれそれ単位発光領域が形成され、一対の基板の間に少なくとも行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁が配置され、放電空間内にキセノンを含む放電ガスが封入されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記対になった行電極のそれぞれの放電ギャップ側の先端部分の列方向の幅１５０μｍ以下の部分および放電ギャップに対向する部分の行電極対を被覆する誘電体層上に、高γ材料によって二次電子放出層が形成され、
前記放電ガス中のキセノンの分圧が、６．６７ｋＰａ以上に設定され、
前記行方向に隣接する単位発光領域間を区画する隔壁の行電極対に対向する部分と誘電体層との間に、行電極対の列方向の幅よりも大きく単位発光領域の列方向の幅よりも小さい所要の列方向の幅を有する壁部が形成されて、この壁部により、行方向に隣接する単位発光領域の壁部の両側に位置する部分の間が遮断されているとともに、列方向において壁部の両側の部分の隔壁と誘電体層側との間に隙間が形成されて、この隙間によって行方向に隣接する単位発光領域間が連通されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記二次電子放出層が行方向に延びる帯状に形成され、壁部の誘電体層に対向する部分に凹部が形成されて、この凹部内に二次電子放出層が嵌合されている請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記二次電子放出層が各単位発光領域毎に島状に形成され、壁部が、行方向に隣接する島状の二次電子放出層の間に位置する誘電体層と隔壁との間に位置されている請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料と同じ材料によって形成されている請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記壁部が、隔壁を形成する誘電材料とは異なる低誘電材料によって形成されている請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記壁部が、その列方向における中央位置が二次電子放出層の列方向における中央位置に行方向においてほぼ一致し、一方の基板側から見た状態で、壁部の両端部分がそれぞれ二次電子放出層よりも列方向外方に同じ長さだけ張り出す位置に配置されている請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記壁部の一方の基板側から見た状態で二次電子放出層から列方向外方に張り出している両端部分の列方向の長さが、それぞれ３０μｍ以下に設定されている請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２００７−３１１１２９（Ｐ２００７−３１１１２９Ａ）
【公開日】平成１９年１１月２９日（２００７．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１３７９７１（Ｐ２００６−１３７９７１）
【出願日】平成１８年５月１７日（２００６．５．１７）
【出願人】（５０３４１１５７６）株式会社次世代ＰＤＰ開発センター (65)
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月２９日（２００７．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月１７日（２００６．５．１７）
【出願人】（５０３４１１５７６）株式会社次世代ＰＤＰ開発センター (65)
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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