マイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造
【目的】 伝送変換損失が少ないマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造を提供すること。
【構成】 マイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造において、同軸線路の中心導体１４ａとマイクロストリップ線路の誘電体基板１１との間、または中心導体１４ａと誘電体基板１１および導電性基板１３の両基板との間に位置する誘電体のうち、中心導体１４ａと線路導体１２側の導電性基板１３面とを結ぶ領域の少なくとも一部１４ｃの誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくする。
【構成】 マイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造において、同軸線路の中心導体１４ａとマイクロストリップ線路の誘電体基板１１との間、または中心導体１４ａと誘電体基板１１および導電性基板１３の両基板との間に位置する誘電体のうち、中心導体１４ａと線路導体１２側の導電性基板１３面とを結ぶ領域の少なくとも一部１４ｃの誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくする。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波回路に使用されるマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造について、図６および図７を参照して説明する。図６は、マイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造の分解斜視図で、図７は、組立てられた状態を図６の中心線Ｂ−Ｂで断面した図である。
【０００３】１は、誘電体基板で、誘電体基板１の表面には線路導体２が形成される。また、誘電体基板１の裏面には、アルミニウムや銅などからなる導電性基板３が接している。前記線路導体２は、導電性基板３や誘電体基板１などといわゆる不平衡形マイクロストリップ線路を構成している。
【０００４】また、４は同軸線路で、中心導体４ａや中心導体４ａを取り囲む誘電体４ｂなどから構成されている。また、中心導体４ａと誘電体４ｂは、コネクタ５に取り付けられる。
【０００５】コネクタ５に取り付けられた中心導体４ａと誘電体４ｂは、導電性基板３や誘電体基板１を貫通する貫通孔６に挿入される。
【０００６】そして、中心導体４ａから延長する先端４ｃは、マイクロストリップ線路の線路導体２の端部と銅箔７で接続される。
【０００７】また、コネクタ５は、その４隅のネジ穴５ａを利用して導電性基板３の裏面にネジ５ｂで固定される。
【０００８】上記構成の場合、コネクタ５や導電性基板３が同軸線路の外導体の役目をしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造においては、マイクロ波による電界は、図７の矢印Ａで示すようにマイクロストリップ線路部分では、導電性基板３面に直角に向いている。また、同軸線路部分では、矢印Ｂに示すように中心導体４ａから横方向に放射状に出て、導電性基板１に形成された貫通孔６の内面に対し直角に向いている。
【００１０】したがって、マイクロストリップ線路部分や同軸線路部分では、マイクロ波の電界は乱されることなく良好に伝送する。
【００１１】しかし、マイクロストリップ線路と同軸線路とが接続する部分、即ち、中心導体４ａの延長部と線路導体２とが銅箔７で接続される部分の近くでは、中心導体４ａと線路導体２とがほぼ直角になっている。
【００１２】したがって、中心導体４ａと導電性基板１との距離は、接続部分に近づくにしたがって次第に大きくなる。また、中心導体４ａから見る導電性基板３面も急激に拡大する。
【００１３】このため、中心導体４ａの上端部分では、マイクロ波の電界は矢印Ｃに示すように導電性基板３面に対して直角とならず、電磁界モ−ドが乱れてしまう。
【００１４】この現象は、線路導体２のない側が顕著で、例えば中心導体４ａの上端などから点線矢印Ｄのように電磁界の一部が外部へ放出され、大きな伝送変換損失の原因となる。
【００１５】この発明は、伝送変換損失が少ないマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体基板の表面に形成された線路導体および前記誘電体基板の裏面に設けられた導電性基板からなるマイクロストリップ線路と、前記導電性基板および前記誘電体基板を貫通し、かつ誘電体で囲まれた中心導体を有し、その中心導体の延長部が前記線路導体の端部に接続する同軸線路とを具備したマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造において、前記中心導体と前記誘電体基板との間、または前記中心導体と前記誘電体基板および導電性基板の両基板との間に位置する誘電体のうち、前記中心導体と前記線路導体側の導電性基板面とを結ぶ領域の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしている。
【００１７】また、誘電体基板の表面に形成された線路導体および前記誘電体基板の裏面に設けられた導電性基板からなるマイクロストリップ線路と、前記誘電体基板と平行に配列され、誘電体で囲まれた中心導体の延長部が前記線路導体の端部に接続する同軸線路とを具備したマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造において、前記中心導体の延長部と前記線路導体との接続部の近傍で、前記同軸線路の中心導体と前記導電性基板面とを結ぶ領域の誘電体の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしている。
【００１８】また、前記中心導体の延長部と前記線路導体との接続部に近い方がそれより遠い方よりも、前記中心導体を囲む誘電体の径を小さくしている。
【００１９】
【作用】上記した本発明のマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造では、例えば、前記中心導体と前記誘電体基板との間、または前記中心導体と前記誘電体基板および導電性基板の両基板との間に位置する誘電体のうち、前記中心導体と前記線路導体側に位置する導電性基板面とを結ぶ領域の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしている。
【００２０】一般に、同軸線路の中心導体を延長し、その延長部分でマイクロストリップ線路の線路導体と接続する場合、両者の接続部に近づくにしたがって、中心導体とマイクロストリップ線路の導電性基板との距離が大きくなり、また、中心導体から見る導電性基板面も大きくなる。
【００２１】このため、両者の接続部の近くでは、マイクロ波の電磁界モ−ドが乱れ、電磁界の一部が外部へ放出される。
【００２２】しかし、本発明の構成によれば、中心導体を囲む誘電体のうち、例えば中心導体と導電性基板面とを結ぶ領域にある誘電体の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしている。
【００２３】導電性基板側の誘電体の誘電率を大きくすると、マイクロ波による電界が導電性基板側に集中する。この結果、これと反対側の空間方向に向かう電界が少なくなり、電磁界の外部への放出が防げる。
【００２４】なお、本発明においては、中心導体と導電性基板面とを結ぶ側の方が、これと反対側、例えば空間方向に向かう側に比べてマイクロ波による電界成分が大きくなるように、中心導体を囲む誘電体の条件を決定すればよく、中心導体を囲む誘電体のうち、誘電率を大きくする部分の具体的な配置、形状などは、設計条件により適宜選択されることになる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図１および図２を参照して説明する。
【００２６】図１は、この発明によるマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造の第一の実施例を示す分解斜視図で、図２は、組立てた状態を図１の中心線Ａ−Ａで断面した図である。
【００２７】１１は、誘電体基板で、誘電体基板１１の表面には線路導体１２が形成されている。また、誘電体基板１１の裏面には、アルミニウムや銅などからなる導電性基板１３が接している。前記線路導体１２は、導電性基板１３や誘電体基板１１などといわゆる不平衡形マイクロストリップ線路を形成している。また、１４は同軸線路で、中心導体１４ａや中心導体１４ａを囲む第一の誘電体１４ｂなどで構成される。
【００２８】なお、中心導体１４ａの上方部分は、例えば中心導体１４ａと平行に２分された第二の誘電体１４ｃ、１４ｄで囲まれている。
【００２９】上記した中心導体１４ａや誘電体１４ｂ、１４ｃ、１４ｄは、コネクタ１５に固定され、導電性基板１３や誘電体基板１１に形成された貫通孔１６に挿入される。なお、コネクタ１５や導電性基板１３は、同軸線路の外導体の役目をしている。
【００３０】そして、中心導体１４ａの延長部分である先端１４ｅが、マイクロストリップ線路の線路導体１２と銅箔１７で接続される。
【００３１】なお、コネクタ１５は、その４隅のネジ穴１５ａを利用して導電性基板１３の裏面にネジ１５ｂで固定される。
【００３２】上記構成の場合、マイクロストリップ線路と同軸線路との接続部分の近く、即ち、中心導体４ａの先端部分は、２分割された誘電体（１４ｃ、１４ｄ）で囲まれている。
【００３３】そして、マイクロストリップ線路に近い側の誘電体１４ｃの誘電率ε１を、これと反対側の誘電体１４ｄの誘電率ε２よりも大きく（ε１＞ε２）している。上記の構成で、マイクロ波による電界について考える。
【００３４】マイクロストリップ線路と同軸線路との接続部分から離れた領域では、マイクロ波による電界は、図２の矢印ＡやＢに示すように、導電性基板１３面に向かって直角となり、電界に乱れは生じない。したがって、マイクロ波は良好に伝送する。
【００３５】ところで、マイクロストリップ線路と同軸線路との接続部分の近くでは、マイクロストリップ線路に近い側、例えば、中心導体１４ａと線路導体１２の下方にある導電性基板１３面とを結ぶ領域の誘電体１４ｃの誘電率ε１が、これと反対側の誘電体１４ｄの誘電率ε２より大きくなっている。したがって、マイクロ波による電界は、図２の矢印Ｃに示すように誘電率の大きい誘電体１４ｃの方に集中し、それと反対方向は矢印Ｄのように少なくなる。
【００３６】このため電磁界の外部への放出が抑圧され、また、電磁界モ−ドの乱れも少なくなり、信号伝送時のＶＳＷＲも小さくなる。
【００３７】なお、マイクロストリップ線路側とこの反対側とで、誘電体の誘電率を変える領域の長さは、図２に示されるようにで導電性基板１３が位置する部分まででもよく、また、もっと短く誘電体基板１１に隣り合う部分までにしてもよい。
【００３８】次に、本発明の第二の実施例について、図３で説明する。
【００３９】２１は、導電性基板で、導電性基板２１の両面に誘電体基板２２ａ、２２ｂが形成される。また、各誘電体基板２２ａ、２２ｂ面にそれぞれ線路導体２３ａ、２３ｂが形成され、マイクロストリップ線路が上下の両面に構成される。
【００４０】また、２４が同軸線路で、中心導体２４ａや誘電体２４ｂなどで構成される。そして、同軸線路２４が、両方のマイクロストリップ線路同士を接続している。例えば、中心導体２４ａの上下の延長部が線路導体２３ａ、２３ｂと銅箔２５ａ、２５ｂで接続される。
【００４１】なお、同軸線路２４の中心導体を囲む誘電体は、その上下の両端部分で第一の実施例と同様に、マイクロストリップ線路側とこの反対側とに２分され、マイクロストリップ線路側の誘電体２６ａ１、２６ｂ１の誘電率を、その反対側の誘電体２６ａ２、２６ｂ２の誘電率より大きくしている。
【００４２】次に、本発明の第三の実施例について、図４で説明する。
【００４３】３１は誘電体基板、３２は誘電体基板３１の表面に形成された線路導体、３３は誘電体基板３１に接して設けられた導電性基板で、これらでマイクロストリップ線路が構成されている。
【００４４】そして、３４が同軸線路で、その中心導体３４ａの延長部が、マイクロストリップ線路の線路導体３２と銅箔３５で接続される。
【００４５】この場合も、第一の実施例と同様に、同軸線路３４とマイクロストリップ線路との接続部分の近くで、中心導体を囲む誘電体が中心導体に沿って２分され、マイクロストリップ線路側の誘電体３４ｂ１の誘電率が、他方の誘電体３４ｂ２の誘電率より大きくなっている。
【００４６】また、同軸線路３４とマイクロストリップ線路との接続部分の近くで、誘電体を２分して各区分ごとに誘電率を変えると同時に、中心導体を囲む誘電体の径ｒを、それより下方の部分の径Ｒより小さく（ｒ＜Ｒ）している。
【００４７】誘電体の径を小さくすると、中心導体３４ａと導電性基板３３との結合が強くなり、外部方向に向かう電磁界がそれだけ抑えられ、伝送変換損失を少なくできる。
【００４８】なお、上記した各実施例では、同軸線路とマイクロストリップ線路とは、いずれも直角方向で接続されている。
【００４９】しかし、同軸線路とマイクロストリップ線路との接続は、直角方向である必要はなく、例えば４５゜など任意のいかなる角度ででも接続できる。
【００５０】例えば、図５のように同軸線路４１とマイクロストリップ線路４２とを、平行に配置し、同軸線路４１の中心導体とマイクロストリップ線路４２の線路導体とを接続する構成でもよい。
【００５１】図５において、４１ａは中心導体、４１ｂは外部導体である。
【００５２】また、４２ａは線路導体、４２ｂは導電性基板である。
【００５３】この場合、中心導体４１ａを囲む誘電体は、例えば中心導体４１ａに沿って上下に２分され、図の下側、即ち導電性基板側に位置する方の誘電体４１ｃの誘電率の方をその反対側の誘電体４１ｄより大きくしている。
【００５４】なお、上記した各実施例では、同軸線路の誘電体を中心導体に沿って２分している。しかし、３個以上に区分し、各区分の誘電率を変える構成でもよく、また区分する位置も中心導体に沿う必要はない。
【００５５】なお、中心導体を囲む誘電体としては、空気で構成することもでき、同軸線路とマイクロストリップ線路との接続は、銅箔片でなく、金ワイヤ−などによるボンディング接続を用いることもできる。
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば、伝送変換損失が少ないマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図６】従来の例を示す分解斜視図である。
【図７】従来の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１１、２２ａ、２２ｂ、３１、４３…誘電体基板
１２、２３ａ、２３ｂ、３２、４２ａ…線路導体
１３、２１、３３、４２ｂ…導線性基板
１４ａ、２４ａ、３４ａ、４１ａ…・中心導体
１４ｂ、２４ｂ、３４ｂ１、３４ｂ２、４１ｃ、４１ｄ…誘電体
１７、２５ａ、２５ｂ、３５…銅箔
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波回路に使用されるマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造について、図６および図７を参照して説明する。図６は、マイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造の分解斜視図で、図７は、組立てられた状態を図６の中心線Ｂ−Ｂで断面した図である。
【０００３】１は、誘電体基板で、誘電体基板１の表面には線路導体２が形成される。また、誘電体基板１の裏面には、アルミニウムや銅などからなる導電性基板３が接している。前記線路導体２は、導電性基板３や誘電体基板１などといわゆる不平衡形マイクロストリップ線路を構成している。
【０００４】また、４は同軸線路で、中心導体４ａや中心導体４ａを取り囲む誘電体４ｂなどから構成されている。また、中心導体４ａと誘電体４ｂは、コネクタ５に取り付けられる。
【０００５】コネクタ５に取り付けられた中心導体４ａと誘電体４ｂは、導電性基板３や誘電体基板１を貫通する貫通孔６に挿入される。
【０００６】そして、中心導体４ａから延長する先端４ｃは、マイクロストリップ線路の線路導体２の端部と銅箔７で接続される。
【０００７】また、コネクタ５は、その４隅のネジ穴５ａを利用して導電性基板３の裏面にネジ５ｂで固定される。
【０００８】上記構成の場合、コネクタ５や導電性基板３が同軸線路の外導体の役目をしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造においては、マイクロ波による電界は、図７の矢印Ａで示すようにマイクロストリップ線路部分では、導電性基板３面に直角に向いている。また、同軸線路部分では、矢印Ｂに示すように中心導体４ａから横方向に放射状に出て、導電性基板１に形成された貫通孔６の内面に対し直角に向いている。
【００１０】したがって、マイクロストリップ線路部分や同軸線路部分では、マイクロ波の電界は乱されることなく良好に伝送する。
【００１１】しかし、マイクロストリップ線路と同軸線路とが接続する部分、即ち、中心導体４ａの延長部と線路導体２とが銅箔７で接続される部分の近くでは、中心導体４ａと線路導体２とがほぼ直角になっている。
【００１２】したがって、中心導体４ａと導電性基板１との距離は、接続部分に近づくにしたがって次第に大きくなる。また、中心導体４ａから見る導電性基板３面も急激に拡大する。
【００１３】このため、中心導体４ａの上端部分では、マイクロ波の電界は矢印Ｃに示すように導電性基板３面に対して直角とならず、電磁界モ−ドが乱れてしまう。
【００１４】この現象は、線路導体２のない側が顕著で、例えば中心導体４ａの上端などから点線矢印Ｄのように電磁界の一部が外部へ放出され、大きな伝送変換損失の原因となる。
【００１５】この発明は、伝送変換損失が少ないマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体基板の表面に形成された線路導体および前記誘電体基板の裏面に設けられた導電性基板からなるマイクロストリップ線路と、前記導電性基板および前記誘電体基板を貫通し、かつ誘電体で囲まれた中心導体を有し、その中心導体の延長部が前記線路導体の端部に接続する同軸線路とを具備したマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造において、前記中心導体と前記誘電体基板との間、または前記中心導体と前記誘電体基板および導電性基板の両基板との間に位置する誘電体のうち、前記中心導体と前記線路導体側の導電性基板面とを結ぶ領域の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしている。
【００１７】また、誘電体基板の表面に形成された線路導体および前記誘電体基板の裏面に設けられた導電性基板からなるマイクロストリップ線路と、前記誘電体基板と平行に配列され、誘電体で囲まれた中心導体の延長部が前記線路導体の端部に接続する同軸線路とを具備したマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造において、前記中心導体の延長部と前記線路導体との接続部の近傍で、前記同軸線路の中心導体と前記導電性基板面とを結ぶ領域の誘電体の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしている。
【００１８】また、前記中心導体の延長部と前記線路導体との接続部に近い方がそれより遠い方よりも、前記中心導体を囲む誘電体の径を小さくしている。
【００１９】
【作用】上記した本発明のマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造では、例えば、前記中心導体と前記誘電体基板との間、または前記中心導体と前記誘電体基板および導電性基板の両基板との間に位置する誘電体のうち、前記中心導体と前記線路導体側に位置する導電性基板面とを結ぶ領域の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしている。
【００２０】一般に、同軸線路の中心導体を延長し、その延長部分でマイクロストリップ線路の線路導体と接続する場合、両者の接続部に近づくにしたがって、中心導体とマイクロストリップ線路の導電性基板との距離が大きくなり、また、中心導体から見る導電性基板面も大きくなる。
【００２１】このため、両者の接続部の近くでは、マイクロ波の電磁界モ−ドが乱れ、電磁界の一部が外部へ放出される。
【００２２】しかし、本発明の構成によれば、中心導体を囲む誘電体のうち、例えば中心導体と導電性基板面とを結ぶ領域にある誘電体の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしている。
【００２３】導電性基板側の誘電体の誘電率を大きくすると、マイクロ波による電界が導電性基板側に集中する。この結果、これと反対側の空間方向に向かう電界が少なくなり、電磁界の外部への放出が防げる。
【００２４】なお、本発明においては、中心導体と導電性基板面とを結ぶ側の方が、これと反対側、例えば空間方向に向かう側に比べてマイクロ波による電界成分が大きくなるように、中心導体を囲む誘電体の条件を決定すればよく、中心導体を囲む誘電体のうち、誘電率を大きくする部分の具体的な配置、形状などは、設計条件により適宜選択されることになる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図１および図２を参照して説明する。
【００２６】図１は、この発明によるマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造の第一の実施例を示す分解斜視図で、図２は、組立てた状態を図１の中心線Ａ−Ａで断面した図である。
【００２７】１１は、誘電体基板で、誘電体基板１１の表面には線路導体１２が形成されている。また、誘電体基板１１の裏面には、アルミニウムや銅などからなる導電性基板１３が接している。前記線路導体１２は、導電性基板１３や誘電体基板１１などといわゆる不平衡形マイクロストリップ線路を形成している。また、１４は同軸線路で、中心導体１４ａや中心導体１４ａを囲む第一の誘電体１４ｂなどで構成される。
【００２８】なお、中心導体１４ａの上方部分は、例えば中心導体１４ａと平行に２分された第二の誘電体１４ｃ、１４ｄで囲まれている。
【００２９】上記した中心導体１４ａや誘電体１４ｂ、１４ｃ、１４ｄは、コネクタ１５に固定され、導電性基板１３や誘電体基板１１に形成された貫通孔１６に挿入される。なお、コネクタ１５や導電性基板１３は、同軸線路の外導体の役目をしている。
【００３０】そして、中心導体１４ａの延長部分である先端１４ｅが、マイクロストリップ線路の線路導体１２と銅箔１７で接続される。
【００３１】なお、コネクタ１５は、その４隅のネジ穴１５ａを利用して導電性基板１３の裏面にネジ１５ｂで固定される。
【００３２】上記構成の場合、マイクロストリップ線路と同軸線路との接続部分の近く、即ち、中心導体４ａの先端部分は、２分割された誘電体（１４ｃ、１４ｄ）で囲まれている。
【００３３】そして、マイクロストリップ線路に近い側の誘電体１４ｃの誘電率ε１を、これと反対側の誘電体１４ｄの誘電率ε２よりも大きく（ε１＞ε２）している。上記の構成で、マイクロ波による電界について考える。
【００３４】マイクロストリップ線路と同軸線路との接続部分から離れた領域では、マイクロ波による電界は、図２の矢印ＡやＢに示すように、導電性基板１３面に向かって直角となり、電界に乱れは生じない。したがって、マイクロ波は良好に伝送する。
【００３５】ところで、マイクロストリップ線路と同軸線路との接続部分の近くでは、マイクロストリップ線路に近い側、例えば、中心導体１４ａと線路導体１２の下方にある導電性基板１３面とを結ぶ領域の誘電体１４ｃの誘電率ε１が、これと反対側の誘電体１４ｄの誘電率ε２より大きくなっている。したがって、マイクロ波による電界は、図２の矢印Ｃに示すように誘電率の大きい誘電体１４ｃの方に集中し、それと反対方向は矢印Ｄのように少なくなる。
【００３６】このため電磁界の外部への放出が抑圧され、また、電磁界モ−ドの乱れも少なくなり、信号伝送時のＶＳＷＲも小さくなる。
【００３７】なお、マイクロストリップ線路側とこの反対側とで、誘電体の誘電率を変える領域の長さは、図２に示されるようにで導電性基板１３が位置する部分まででもよく、また、もっと短く誘電体基板１１に隣り合う部分までにしてもよい。
【００３８】次に、本発明の第二の実施例について、図３で説明する。
【００３９】２１は、導電性基板で、導電性基板２１の両面に誘電体基板２２ａ、２２ｂが形成される。また、各誘電体基板２２ａ、２２ｂ面にそれぞれ線路導体２３ａ、２３ｂが形成され、マイクロストリップ線路が上下の両面に構成される。
【００４０】また、２４が同軸線路で、中心導体２４ａや誘電体２４ｂなどで構成される。そして、同軸線路２４が、両方のマイクロストリップ線路同士を接続している。例えば、中心導体２４ａの上下の延長部が線路導体２３ａ、２３ｂと銅箔２５ａ、２５ｂで接続される。
【００４１】なお、同軸線路２４の中心導体を囲む誘電体は、その上下の両端部分で第一の実施例と同様に、マイクロストリップ線路側とこの反対側とに２分され、マイクロストリップ線路側の誘電体２６ａ１、２６ｂ１の誘電率を、その反対側の誘電体２６ａ２、２６ｂ２の誘電率より大きくしている。
【００４２】次に、本発明の第三の実施例について、図４で説明する。
【００４３】３１は誘電体基板、３２は誘電体基板３１の表面に形成された線路導体、３３は誘電体基板３１に接して設けられた導電性基板で、これらでマイクロストリップ線路が構成されている。
【００４４】そして、３４が同軸線路で、その中心導体３４ａの延長部が、マイクロストリップ線路の線路導体３２と銅箔３５で接続される。
【００４５】この場合も、第一の実施例と同様に、同軸線路３４とマイクロストリップ線路との接続部分の近くで、中心導体を囲む誘電体が中心導体に沿って２分され、マイクロストリップ線路側の誘電体３４ｂ１の誘電率が、他方の誘電体３４ｂ２の誘電率より大きくなっている。
【００４６】また、同軸線路３４とマイクロストリップ線路との接続部分の近くで、誘電体を２分して各区分ごとに誘電率を変えると同時に、中心導体を囲む誘電体の径ｒを、それより下方の部分の径Ｒより小さく（ｒ＜Ｒ）している。
【００４７】誘電体の径を小さくすると、中心導体３４ａと導電性基板３３との結合が強くなり、外部方向に向かう電磁界がそれだけ抑えられ、伝送変換損失を少なくできる。
【００４８】なお、上記した各実施例では、同軸線路とマイクロストリップ線路とは、いずれも直角方向で接続されている。
【００４９】しかし、同軸線路とマイクロストリップ線路との接続は、直角方向である必要はなく、例えば４５゜など任意のいかなる角度ででも接続できる。
【００５０】例えば、図５のように同軸線路４１とマイクロストリップ線路４２とを、平行に配置し、同軸線路４１の中心導体とマイクロストリップ線路４２の線路導体とを接続する構成でもよい。
【００５１】図５において、４１ａは中心導体、４１ｂは外部導体である。
【００５２】また、４２ａは線路導体、４２ｂは導電性基板である。
【００５３】この場合、中心導体４１ａを囲む誘電体は、例えば中心導体４１ａに沿って上下に２分され、図の下側、即ち導電性基板側に位置する方の誘電体４１ｃの誘電率の方をその反対側の誘電体４１ｄより大きくしている。
【００５４】なお、上記した各実施例では、同軸線路の誘電体を中心導体に沿って２分している。しかし、３個以上に区分し、各区分の誘電率を変える構成でもよく、また区分する位置も中心導体に沿う必要はない。
【００５５】なお、中心導体を囲む誘電体としては、空気で構成することもでき、同軸線路とマイクロストリップ線路との接続は、銅箔片でなく、金ワイヤ−などによるボンディング接続を用いることもできる。
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば、伝送変換損失が少ないマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図６】従来の例を示す分解斜視図である。
【図７】従来の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１１、２２ａ、２２ｂ、３１、４３…誘電体基板
１２、２３ａ、２３ｂ、３２、４２ａ…線路導体
１３、２１、３３、４２ｂ…導線性基板
１４ａ、２４ａ、３４ａ、４１ａ…・中心導体
１４ｂ、２４ｂ、３４ｂ１、３４ｂ２、４１ｃ、４１ｄ…誘電体
１７、２５ａ、２５ｂ、３５…銅箔
【特許請求の範囲】
【請求項１】 誘電体基板の表面に形成された線路導体および前記誘電体基板の裏面に設けられた導電性基板からなるマイクロストリップ線路と、前記導電性基板および前記誘電体基板を貫通し、かつ誘電体で囲まれた中心導体を有し、その中心導体の延長部が前記線路導体の端部に接続する同軸線路とを具備したマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造において、前記中心導体と前記誘電体基板との間、または前記中心導体と前記誘電体基板および導電性基板の両基板との間に位置する誘電体のうち、前記中心導体と前記線路導体側の導電性基板面とを結ぶ領域の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしたことを特徴とするマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造。
【請求項２】 誘電体基板の表面に形成された線路導体および前記誘電体基板の裏面に設けられた導電性基板からなるマイクロストリップ線路と、前記誘電体基板と平行に配列され、誘電体で囲まれた中心導体の延長部が前記線路導体の端部に接続する同軸線路とを具備したマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造において、前記中心導体の延長部と前記線路導体との接続部の近傍で、前記同軸線路の中心導体と前記導電性基板面とを結ぶ領域の誘電体の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしたことを特徴とするマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造。
【請求項３】 前記中心導体の延長部と前記線路導体との接続部に近い方がそれより遠い方よりも、前記中心導体を囲む誘電体の径が小さいことを特徴とする請求項１または請求項２記載のマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造。
【請求項１】 誘電体基板の表面に形成された線路導体および前記誘電体基板の裏面に設けられた導電性基板からなるマイクロストリップ線路と、前記導電性基板および前記誘電体基板を貫通し、かつ誘電体で囲まれた中心導体を有し、その中心導体の延長部が前記線路導体の端部に接続する同軸線路とを具備したマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造において、前記中心導体と前記誘電体基板との間、または前記中心導体と前記誘電体基板および導電性基板の両基板との間に位置する誘電体のうち、前記中心導体と前記線路導体側の導電性基板面とを結ぶ領域の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしたことを特徴とするマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造。
【請求項２】 誘電体基板の表面に形成された線路導体および前記誘電体基板の裏面に設けられた導電性基板からなるマイクロストリップ線路と、前記誘電体基板と平行に配列され、誘電体で囲まれた中心導体の延長部が前記線路導体の端部に接続する同軸線路とを具備したマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造において、前記中心導体の延長部と前記線路導体との接続部の近傍で、前記同軸線路の中心導体と前記導電性基板面とを結ぶ領域の誘電体の少なくとも一部の誘電率を、これと反対側の領域の誘電率より大きくしたことを特徴とするマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造。
【請求項３】 前記中心導体の延長部と前記線路導体との接続部に近い方がそれより遠い方よりも、前記中心導体を囲む誘電体の径が小さいことを特徴とする請求項１または請求項２記載のマイクロストリップ線路と同軸線路との接続構造。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開平６−３７５１６
【公開日】平成６年（１９９４）２月１０日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平４−１９２５６２
【出願日】平成４年（１９９２）７月２１日
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【公開日】平成６年（１９９４）２月１０日
【国際特許分類】
【出願日】平成４年（１９９２）７月２１日
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
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