光電変換装置
【課題】本発明は、光電効率を向上させることができる光電変換装置を開示する。
【解決手段】本発明による光電変換装置において、順次に積層された第１および第２光電変換ユニットを含み、第１光電変換ユニットは第１エネルギーバンドギャップを有し、第２光電変換ユニットは第１エネルギーバンドギャップと異なる第２エネルギーバンドギャップを有する。第１および第２光電変換ユニットの間には前記第１光電変換ユニットよりも小さい屈折率を有する中間ユニットが介される。中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および第１中間層と交互的に配置され、第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層を含む。
【解決手段】本発明による光電変換装置において、順次に積層された第１および第２光電変換ユニットを含み、第１光電変換ユニットは第１エネルギーバンドギャップを有し、第２光電変換ユニットは第１エネルギーバンドギャップと異なる第２エネルギーバンドギャップを有する。第１および第２光電変換ユニットの間には前記第１光電変換ユニットよりも小さい屈折率を有する中間ユニットが介される。中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および第１中間層と交互的に配置され、第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置に関し、特に、光電効率を向上させることができる光電変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電変換装置は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する素子であり、前記光電変換素子は、外部から提供される光のエネルギーを吸収して光電効果を奏する光電変換層を備える。光電変換層は、光のエネルギーを吸収して光電作用（ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｅｆｆｅｃｔ）を起こして自由電子を発生させて電流を発生させる。
【０００３】
光電変換装置の光電効率は、光電変換装置に提供される光の量に対比した光電変換装置から出力される電流の量で決定される。
【０００４】
従来の光電変換装置は、光電効率を向上させるためにエネルギーバンドギャップが異なる２つ以上の光電変換層を積層する積層型構造を採用している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、光電効率を向上させるための光電変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面による光電変換装置は、基板上に備えられ、第１エネルギーバンドギャップを有する第１光電変換ユニット、前記第１エネルギーバンドギャップと異なる第２エネルギーバンドギャップを有し、前記第１光電変換ユニット上部に備えられる第２光電変換ユニット、および前記第１および第２光電変換ユニットの間に介され、前記第１光電変換ユニットよりも小さい屈折率を有する中間ユニットを含む。
【０００７】
前記中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および前記第１中間層と交互的に配置され、前記第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層を含む。
【０００８】
本発明の他の一側面による光電変換装置は、複数のセル領域を有する基板および前記複数のセル領域にそれぞれ対応して前記基板上に備えられ、互いに直列連結された複数の光電変換セルを含む。
【０００９】
各光電変換セルは、前記基板上に備えられた第１電極層、前記第１電極層上に備えられ、第１エネルギーバンドギャップを有する第１光電変換ユニット、前記第１エネルギーバンドギャップと異なる第２エネルギーバンドギャップを有し、前記第１光電変換ユニット上部に備えられる第２光電変換ユニット、前記第１および第２光電変換ユニットの間に介され、前記第１光電変換ユニットよりも小さい屈折率を有する中間ユニット、および前記第２光電変換ユニット上に備えられた第２電極層を含む。
【００１０】
前記中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および前記第１中間層と交互的に配置され、前記第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層を含む。
【発明の効果】
【００１１】
前述のように、前記中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および前記第１中間層と交互的に配置され、前記第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層からなることによって、第１光電変換ユニットの光電効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態による光電変換装置を示す図面である。
【図２】波長による第１および第２光電変換ユニットの光吸収率を示すグラフである。
【図３】図１に示されたＲ１部分を拡大して示す断面図である。
【図４】二酸化炭素の濃度による屈折率の変化を示すグラフである。
【図５】屈折率による膜内酸素濃度を示すグラフである。
【図６Ａ】二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度による酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（％）を示すグラフである。
【図６Ｂ】二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度による酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（％）を示すグラフである。
【図６Ｃ】二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度による酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（％）を示すグラフである。
【図６Ｄ】二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度による酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（％）を示すグラフである。
【図６Ｅ】二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度による酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（％）を示すグラフである。
【図７】３重膜構造を有する中間層形成時における酸素濃度の変化を示すグラフである。
【図８】本発明の第２実施形態による中間層の構造を示す断面図である。
【図９Ａ】本発明の他の実施形態による光電変換装置を示す断面図である。
【図９Ｂ】本発明の他の実施形態による光電変換装置を示す断面図である。
【図９Ｃ】本発明の他の実施形態による光電変換装置を示す断面図である。
【図９Ｄ】本発明の他の実施形態による光電変換装置を示す断面図である。
【図１０】複数の光電変換セルを含む光電変換装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１４】
各図面を説明しながら類似する参照符号を類似する構成要素に対して使用した。添付した図面において、構造物のサイズは本発明の明確性のために実際より拡大して示した。第１、第２などの用語は多様な構成要素の説明に使用され得るが、前記構成要素は前記用語により限定されてはならない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないながら第１構成要素は第２構成要素として命名されてもよく、類似しているように、第２構成要素も第１構成要素として命名されてもよい。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【００１５】
本出願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであり、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加の可能性を予め排除しないと理解しなければならない。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるというとき、これは他の部分の「直上」にある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。反対に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「下」にあるというとき、これは他の部分の「直下」にある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
【００１６】
以下、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態をより詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態による光電変換装置を示す図面であり、図２は、波長による第１および第２光電変換ユニットの光吸収率を示すグラフである。図２において、第１グラフ（Ｇ１）は第１光電変換ユニットの波長による光吸収率を示し、第２グラフ（Ｇ２）は第２光電変換ユニットの波長による光吸収率を示し、第３グラフ（Ｇ３）は第１および第２グラフ（Ｇ１、Ｇ２）の合計を示す。
【００１８】
図１を参照すれば、光電変換装置１００は、基板１０、第１電極層１１、第１および第２光電変換ユニット２０、４０、および第２電極層１３を含む。前記基板１０上には前記第１電極層１１が備えられ、前記第１および第２電極層１１、１３の間には前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０が介される。
【００１９】
前記第１電極層１１には、透明導電膜、例えば、酸化錫（ＳｎＯ２）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を使用することができる。前記第２電極層１３は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）およびクロム（Ｃｒ）の少なくともいずれか一つを含む金属物質からなることができる。
【００２０】
一方、前記第１光電変換ユニット２０は、前記第１電極層１１上に備えられ、前記第１光電変換ユニット２０の上には前記第２光電変換ユニット４０が備えられる。前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０の間には中間ユニット３０が介される。
【００２１】
前記第１光電変換ユニット２０は、１．７〜１．８ｅＶのエネルギーバンドギャップを有し、第１グラフ（Ｇ１）に示されたように短波長の光を吸収する。前記第２光電変換ユニット４０は、前記第１光電変換ユニット２０よりも小さいエネルギーバンドギャップ（例えば１．１〜１．２ｅＶ）を有し、第２グラフ（Ｇ２）に示されたように長波長の光を吸収する。このように、エネルギーバンドギャップが異なる二つの光電変換ユニット２０、４０を積層して波長帯が異なる光をそれぞれ吸収することによって光電変換装置１００の全体光吸収率を向上させることができる。
【００２２】
再び図１を参照すれば、前記第１光電変換ユニット２０は、前記第１電極層１１上に順次に積層される第１型導電層２１、第１真性シリコン層２３および第２型導電層２２を含む。前記第１光電変換ユニット２０は、非晶質シリコンからなることができる。具体的に、前記第１型導電層２１は、非結晶質シリコンにホウ素（Ｂ）をドーピングして正孔（ｈｏｌｅ）の数字が増加するように形成されたＰ型導電層であってもよい。また、前記第２型導電層２２は、非結晶質シリコンにリン（Ｐ）をドーピングして電子の数字が増加するように形成されたＮ型導電層であってもよい。
【００２３】
前記第１真性シリコン層２３は、非結晶質シリコン層からなり、前記第１型導電層２１および第２型導電層２２の間に介される。
【００２４】
前記第１真性シリコン層２３は、電子と正孔の個数がほぼ同等な状態で形成され、前記第１真性シリコン層２３は外部から光を受けると、前記第１真性シリコン層２３を構成するシリコン原子は光のエネルギーを吸収する。前記シリコン原子が光を吸収すると、前記シリコン原子の最外側電子は励起されて電子−正孔対が形成される。また、前記電子−正孔対が生成された状態で前記第１型導電層２１を陰極にバイアシングし、前記第２型導電層２２を陽極にバイアシングすると、前記正孔は前記第１型導電層２１側へ移動する。ここで、「バイアシング」とは、一定の電流と電圧を作るように直流電圧を印加する全ての方法を意味する。
【００２５】
前記第１光電変換ユニット２０の厚さは最大０．５μｍに設定され得る。非結晶質シリコンからなる第１真性シリコン層２３は厚さが増加しても光電効率がそれに比例して向上しない特性を有するため、前記第１光電変換ユニット２０の厚さはほぼ０．５μｍ以下に設定される。
【００２６】
一方、前記第２光電変換ユニット４０は、前記中間ユニット３０上に順次に積層される第３型導電層４１、第２真性シリコン層４３および第４型導電層４２を含む。前記第２光電変換ユニット４０は、複数の結晶を含む結晶質シリコンからなってもよい。具体的に、前記第３型導電層４１は、結晶質シリコンにホウ素（Ｂ）をドーピングして正孔（ｈｏｌｅ）の数字が増加するように形成されたＰ型導電層であってもよい。また、前記第４型導電層４２は、非結晶質または結晶質シリコンにリン（Ｐ）をドーピングして電子の数字が増加するように形成されたＮ型導電層であってもよい。
【００２７】
前記第２真性シリコン層４３は、結晶質シリコン層からなる。前記結晶質シリコン層を構成する各結晶の直径は、１μｍ以下であるマイクロ結晶であってもよい。前記各結晶の直径は、プラズマ化学気相蒸着法により成膜時、ＲＦパワー、工程圧力、Ｈ２／ＳｉＨ４流量比により調節され得る。また、前記各結晶の直径は、非結晶質シリコンに対して熱処理工程を行って前記非結晶質シリコンを結晶化させる時、前記熱処理工程の工程温度によって調節され得る。
【００２８】
本発明の一例として、前記第２真性シリコン層４３は前記第１真性シリコン層２３よりも相対的に大きい厚さを有する。
【００２９】
前記第１および第２光電変換素子２０、４０で発生される光電効果のメカニズムをより詳細に説明する。まず、外部から供給された光は前記第１光電変換ユニット２０へ入射される。そうすると、前記第１真性シリコン層２３は前記光の中の短波長の光を吸収して第１次光電効果を起こして電子−正孔対を生成する。また、前記第１真性シリコン層２３に吸収されずに前記第２真性シリコン層４３側へ進行する長波長の光は、前記第２真性シリコン層４３で第２次光電効果を起こして電子−正孔対を生成する。
【００３０】
非結晶質シリコンからなる前記第１真性シリコン層２３は、結晶質シリコンからなる前記第２真性シリコン層４３よりも光エネルギー吸収率が約３倍〜１０倍程度優れている。
【００３１】
本発明の一実施形態において、前記非結晶質シリコンからなる前記第１光電変換ユニット２０の光電効率を向上させるために、前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０の間には前記中間ユニット３０が介される。前記中間ユニット３０は、前記第１光電変換ユニット２０で吸収されない光の一部を反射して前記第１光電変換ユニット２０へ再入射させる。そのためには、前記中間ユニット３０は、前記第１光電変換ユニット２０よりも小さい屈折率を有する複数の層を含むことができる。
【００３２】
本発明の一例として、前記中間ユニット３０は、シリコン系物質からなる複数の層を含む。例えば、前記中間ユニット３０は、ＳｉＯｘ：Ｈ、ＳｉＣｘ：Ｈ、およびＳｉＮｘ：Ｈのうちのいずれか一つを含むことができる。
【００３３】
前記中間ユニット３０は、反応ガスとしてシラン（Ｓｉｌａｎｅ）ガス（ＳｉＨ４）、二酸化炭素（ＣＯ２）、水素ガス（Ｈ２）、およびホスフィン（Ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ガス（ＰＨ３）（またはジボラン（Ｄｉｂｏｒａｎｅ）ガス（Ｂ２Ｈ６））を使用し、未結晶層製造条件であるＨ２／ＳｉＨ４比下で、ＣＯ２／ＳｉＨ４比を２〜１０程度の範囲内に設定してプラズマ化学気相蒸着法により形成することができる。この時、プラズマ生成条件には容量結合型の平行平板電極、１０〜１００ＭＨｚの電源周波数、５０〜５００ｍＷ／ｃｍ２のパワー密度、５０〜２０００Ｐａの圧力、および１５０〜２５０℃の基板温度などが該当し得る。
【００３４】
このような条件下で形成された前記中間ユニット３０は、屈折率が増加することに伴って電気伝導度が増加する特性を有する。
【００３５】
つまり、前記中間ユニット３０は、屈折率が増加すれば電気伝導度は増加し、屈折率が減少すれば電気伝導度は減少する特性を有する。
【００３６】
前記中間ユニット３０は、前記第１光電変換ユニット２０の屈折率よりも小さい平均屈折率を有してこそ前記第１光電変換ユニット２０から出力された光を一部反射して前記第１光電変換ユニット２０へ再入射させることができる。しかし、前記中間ユニット３０の平均屈折率が減少すれば、短波長反射度が増加して前記第１光電変換ユニット２０の光吸収率は向上するが、電気伝導度は減少する。結果的に、前記光電変換装置１００の曲線印字（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）が減少して光電変換効率の改善効果が減少する。したがって、前記中間ユニット３０の電気伝導度を補完しながら屈折率を減少するために、前記中間ユニット３０は、高屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層３１、および前記第１中間層３１よりも小さい低屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層３２を含む。
【００３７】
図３は、図１に示されたＲ１部分を拡大して示す断面図である。
【００３８】
図３を参照すれば、前記中間ユニット３０は、高屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層３１、および低屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層３２を含む。前記第１中間層３１と前記第２中間層３２は交互的に配置され、Ｎ型またはＰ型を有する非結晶質シリコン酸化膜（ｎ＋ａ−ＳｉＯｘ、ｐ＋ａ−ＳｉＯｘ）からなることができる。Ｎ型非結晶質シリコン酸化膜（ｎ＋ａ−ＳｉＯｘ）はリン（Ｐ）のような不純物でドーピングされて形成され、Ｐ型非結晶質シリコン酸化膜（ｐ＋ａ−ＳｉＯｘ）はホウ素（Ｂ）のような不純物でドーピングされて形成され得る。ここで、前記第１および第２中間層３１、３２の膜内不純物濃度は、１ａｔ％以下である。本発明の一例として、図３では前記中間ユニット３０が３つの第１中間層３１と２つの第２中間層３２を含んで５重膜構造を有するが、５つの中間層が全てＮ型非結晶質シリコン酸化膜（ａ−ＳｉＯｘ）からなる構造を示した。
【００３９】
前記第１中間層３１は、２．３〜３．０範囲の屈折率を有し、前記第２中間層３２は、１．６〜２．１範囲の屈折率を有する。したがって、前記中間ユニット３０へ入射された光（Ｌ１）中の一部は前記第２中間層３２と前記第１中間層３１との間の屈折率の差異により前記第１光電変換ユニット２０側へ反射される。したがって、前記第１光電変換ユニット２０の光吸収率が増加される。
【００４０】
また、前記第１中間層３１は、前記第２中間層３２よりも結晶化度が高いため、相対的に高い電気伝導度を有する。本発明の一例として、前記第１中間層３１は、１０−３／Ωｃｍ以上の電気伝導度を有し、前記第２中間層３２は、１０−４／Ωｃｍ以下の電気伝導度を有する。
【００４１】
前記電気伝導度が高い前記第１中間層３１は、前記中間ユニット３０の最外側に位置して前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０にそれぞれ直接的に接触することができる。具体的に、前記電気伝導度が高い前記第１中間層３１のうち、前記中間ユニット３０の下側最外側に位置した第１中間層３１は、前記第１光電変換ユニット２０の第２型導電層（Ｎ型導電層）に接触され、前記中間ユニット３０の上側最外側に位置した第１中間層３１は、前記第２光電変換ユニット４０の第３型導電層（Ｐ型導電層）に接触される。このように、電気伝導度が高い第１中間層３１を前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０にそれぞれ接触させると、前記光電変換装置１００の直列抵抗が減少して曲線印字（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）が向上することができる。また、前記第１中間層３１は、１０Å〜５００Åの厚さを有し、前記第２中間層３２は、５０Å〜１５００Åの厚さを有することができる。特に、前記第１中間層３１は、５０Å〜２００Åの厚さを有し、前記第２中間層３２は、５０Å〜２００Åの厚さを有することができる。
【００４２】
このように、前記第１中間層３１と前記第２中間層３２が交互的に配置されて形成された前記中間ユニット３０の平均屈折率（ｎａ）は、下記数式１を満たす。
【００４３】
【数１】
・・・（１）
【００４４】
ここで、前記中間ユニット３０がｋ個（ｋは、２以上の整数）の層を含む場合、ｎ１、ｎ１…ｎｋは、前記中間ユニット３０に含まれた層のそれぞれの屈折率であり、ｄ１、ｄ１…ｄｋは、前記中間ユニット３０に含まれた層のそれぞれの厚さである。
【００４５】
本発明の第１実施形態において、前記中間ユニット３０は、３つの第１中間層３１と２つの第２中間層３２からなることができる。この場合、前記第１中間層３１のそれぞれは２．５５の屈折率を有し、前記第２中間層３２のそれぞれは１．７の屈折率を有し、最下側第１中間層および最上側第１中間層は１５０Åの厚さを有し、前記最下側第１中間層および前記最上側第１中間層の間に位置する層が１００Åの厚さを有することができる。
【００４６】
この場合、前記中間ユニット３０は、６００Åの厚さを有することができ、前記数式１によってほぼ２．２７の平均屈折率を有することができる。
【００４７】
前記中間ユニット３０の厚さが１０００Å以下の場合、前記中間ユニット３０によって前記第１光電変換ユニット２０へ反射される短波長の光反射能力（Δｎ）は、下記数式２で表され得る。
【００４８】
【数２】
【００４９】
ここで、ｎ１は、第１光電変換ユニット２０の屈折率であり、ｎ２は、中間ユニット３０の平均屈折率であり、ｄは、中間ユニット３０の総厚さ（×１００Å）である。
【００５０】
このような条件下で、前記第１光電変換ユニット２０の屈折率を４と仮定すれば、前記第１実施形態による前記中間ユニット３０の光反射能力は１０．４と測定された。前記第１実施形態による前記中間ユニット３０の光反射効率は、前記中間ユニット３０が１．９の屈折率と５００Åの厚さを有する低屈折率層一つを採用した比較例の光反射能力（ほぼ１０．５）と類似していると示された。
【００５１】
以下、表１には第１実施形態と比較例の光電効率、開放電圧（Ｖｏｃ）、曲線印字（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）（ＦＦ）および短絡電流密度（ｓｈｏｒｔ−ｃｉｒｃｕｉｔ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ）（Ｉｓｃ）を示している。
【００５２】
【表１】
【００５３】
表１を参照すれば、電気伝導度が高い第１中間層３１を含む前記第１実施形態の場合、比較例よりも高い光電効率を奏することが示された。具体的に、前記第１実施形態の光電効率は１１．６７％と示された反面、比較例の光電効率は１１．１４％と示された。また、前記第１実施形態の曲線印字（ＦＦ）は、比較例の曲線印字よりも高く示された。具体的に、前記比較例の曲線印字（ＦＦ）は、６５．７７％と示された反面、第１実施形態の曲線印字（ＦＦ）は６９．６５％とより高く示された。
【００５４】
前記開放電圧（Ｖｏｃ）と短絡電流密度（Ｉｓｃ）は前記比較例と前記第１実施形態でほぼ同等な値と示された。
【００５５】
結果的に、前記第１実施形態は、前記比較例と類似する光反射能力を有しながら、前記比較例よりも高い光電効率および高い曲線印字（ＦＦ）を有することが分かる。
【００５６】
図３に示されているように、本発明では光散乱を向上させるために前記中間ユニット３０の表面はエンボシング構造を有することができる。
【００５７】
一方、前記中間ユニット３０に含まれた層のそれぞれの屈折率は、ＣＯ２／ＳｉＨ４比により調節され得る。
【００５８】
図４は、プラズマ工程で使用される反応ガス中の二酸化炭素の濃度によるシリコン酸化膜の屈折率の変化を示すグラフであり、図５は、屈折率によるシリコン酸化膜中の酸素濃度を示すグラフである。但し、図４および図５では、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ：Ｈ）からなる中間ユニット３０を形成する過程で６３３ｎｍの波長を有する光を基準に二酸化炭素の濃度による屈折率を測定した。なお、他のガス濃度、即ちシランガス、水素ガス、およびホスフィンガス濃度は、それぞれ１０ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍである。本実施形態では、屈折率の測定には、分光エリプソメータ（モデル名：ＵＶＩＳＥＬ、Ｈｏｒｉｂａ ＪＯＢＩＮ ＹＶＯＮ社製）を用いた。また、膜内の酸素、炭素、及びシリコンの濃度の測定は、Ｘ線光電子器（モデル名：ＰＨＩ ＱＵＡＮＴＥＲＡ、ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ，Ｉｎｃ．社製）を用いたＸ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）により行われた。膜内の各原子の濃度は、膜内の総原子数に対する各原子の原子数比、即ちａｔ％（原子％、原子濃度）で示される。
【００５９】
図４を参照すれば、前記中間ユニット３０を製造するためのプラズマ工程条件で前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を増加させると、屈折率が減少することが示された。したがって、前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を変化させながら、前記中間ユニット３０に備えられる層の屈折率を調節することができる。つまり、２．３〜３．０の屈折率を有する前記第１中間層３１を形成するために、前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度は３５ｓｃｃｍ以下に減少させ、１．７〜２．１の屈折率を有する前記第２中間層３２を形成するために、前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度は４５ｓｃｃｍ〜７０ｓｃｃｍに増加させる。
【００６０】
前記中間ユニット３０の膜内酸素濃度（ａｔ％）は、前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度により決定される。したがって、図５に示されているように、屈折率が増加するほど膜内酸度濃度（ａｔ％）は減少する。
【００６１】
２．３〜３．０の屈折率を有する前記第１中間層３１を形成するためには、膜内酸素濃度を第１領域（Ａ１）に含まれた値（例えば、４０ａｔ％以下の値）に設定する。また、１．７〜２．１の屈折率を有する前記第２中間層３２を形成するためには、膜内酸素濃度を第２領域（Ａ２）に含まれた値（例えば、４０ａｔ％〜７０ａｔ％の値）に設定する。
【００６２】
図６Ａ〜図６Ｅは、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の膜内での原子濃度（％）とプラズマ工程での蒸着時間との対応関係を二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度毎に示すグラフである。但し、図６Ａは、二酸化炭素（ＣＯ２）が３５ｓｃｃｍの濃度を有する場合、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、図６Ｂは、二酸化炭素（ＣＯ２）が４５ｓｃｃｍの濃度を有する場合、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、図６Ｃは、二酸化炭素（ＣＯ２）が５５ｓｃｃｍの濃度を有する場合、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、図６Ｄは、二酸化炭素（ＣＯ２）が６５ｓｃｃｍの濃度を有する場合、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、図６Ｅは、二酸化炭素（ＣＯ２）が７５ｓｃｃｍの濃度を有する場合、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示す。図６Ａ〜６Ｅにおいて、他のガス濃度、即ちシランガス、水素ガス、およびホスフィンガス濃度は、それぞれ１０ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍである。
【００６３】
なお、図６Ａ〜図６Ｅにおいて、プラズマＣＶＤ工程条件は、総中間ユニット厚さ（膜厚さ）１，０００Å、蒸着温度１８３℃、蒸着パワー４００Ｗ、工程圧力９，０００Ｔｏｒｒであった。また、図６Ａ〜６Ｅの蒸着時間は、それぞれ８１０秒、７６７秒、７５８秒、７４６秒、７３５秒であった。
【００６４】
図６Ａ〜図６Ｅにおいて、第４グラフ（Ｇ４）はシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、第５グラフ（Ｇ５）は酸素（Ｏ１ｓ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、第６グラフ（Ｇ６）は炭素（Ｃ１ｓ）の原子濃度（ａｔ％）を示す。
【００６５】
図６Ａ〜図６Ｅを参照すれば、二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度が３５ｓｃｃｍから７５ｓｃｃｍまで増加するほど酸素濃度（ａｔ％）は増加するが、シリコン濃度（ａｔ％）は減少することが示された。
【００６６】
二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を４５ｓｃｃｍ以上に増加させると、前記酸度濃度（ａｔ％）を４０ａｔ％以上に増加すると示された。反面、前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を３５ｓｃｃｍ以下に減少させると、前記酸度濃度（ａｔ％）が４０ａｔ％以下に減少すると示された。
【００６７】
したがって、蒸着時間及び二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を調節することによって、前記中間ユニット３０に含まれた層のそれぞれの屈折率を調節することができる。
【００６８】
図７は、３重膜構造を有する中間層形成時における酸素濃度の変化を示すグラフである。即ち、図７は、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の膜内での原子濃度（％）とプラズマ工程での蒸着時間との対応関係を示すグラフである。二点差線のグラフはシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、一点鎖線のグラフは酸素（Ｏ１ｓ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、実践のグラフは炭素（Ｃ１ｓ）の原子濃度（ａｔ％）を示す。なお、各ガス濃度、即ちシランガス、二酸化炭素ガス、水素ガス、およびホスフィンガス濃度は、それぞれ１０ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍである。
【００６９】
なお、図５、図６Ａ〜６Ｅ及び図７の分析は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）により厚さ方向にイオンスパッタリング（Ｉｏｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）を通じて行われた。イオンスパッタリング時にｃｒｏｓｓ−ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎにより各層の境界での組成変化が実際より徐々に現れると観測され得る。
【００７０】
図７を参照すれば、１００Åの厚さを有する第２中間層３２、１００Åの厚さを有する第１中間層３１および１００Åの厚さを有する第２中間層３２が順次に積層された３重膜構造の中間ユニット３０形成時、酸素濃度は蒸着開始後ほぼ６分間に５５ａｔ％から３０ａｔ％まで減少してから６分以降から１０分まで徐々に上昇すると示された。
【００７１】
したがって、酸素濃度（ａｔ％）の変化を通じて前記中間ユニット３０が３重膜構造からなることを確認することができる。つまり、第１区間（ｔ１）では第２中間層３２が形成され、第２区間（ｔ２）では第１中間層３１が形成され、第３区間（ｔ３）では再び第２中間層３２が形成されることを確認することができる。
【００７２】
図８は、本発明の第２実施形態による中間層の構造を示す断面図である。
【００７３】
図８を参照すれば、本発明の第２実施形態による中間ユニット３０は、高屈折率を有する第１中間層３１と低屈折率を有する第２中間層３２が交互的に配置されて５重膜構造を有することができる。ここで、前記第２中間層３２は、前記中間ユニット３０の最外側に位置して前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０とそれぞれ直接的に接触され得る。
【００７４】
また、前記中間ユニット３０内で前記第２中間層３２の個数は前記第１中間層３１の個数よりも多い。前記中間ユニット３０へ入射された光（Ｌ１）中の一部は、前記第２中間層３２と前記第１中間層３１との間の屈折率の差異により前記第１光電変換ユニット２０側へ反射される。特に、前記第２中間層３２の個数が前記第１中間層３１の個数より多ければ、前記第１中間層３１の個数が前記第２中間層３２の個数より多い場合よりも入射された光（Ｌ１）の反射効率が向上し得、その結果、前記第１光電変換ユニット２０の光吸収率が増加し得る。
【００７５】
結果的に、前記中間ユニット３０の直列抵抗を減少させるためにまたはコンタクト抵抗を向上させるために、前記第１実施形態のように前記第１中間層３１が前記中間ユニット３０の最外側に配置されてもよい。
【００７６】
図３および図８では、前記中間ユニット３０が５重膜構造からなる構造のみを示したが、ここに限定されず、２重膜、３重膜、４重膜またはそれ以上の膜構造を有することができる。
【００７７】
図９Ａ〜図９Ｄは、本発明の他の実施形態による光電変換装置を示す断面図である。
【００７８】
図９Ａを参照すれば、本発明の第３実施形態による中間ユニット３０は、高屈折率を有する第１ｎ型中間層３１−ｎと低屈折率を有する第２ｎ型中間層３２−ｎが交互的に配置されて５重膜構造を有することができる。ここで、前記中間ユニット３０の最外側に位置した前記第１および第２ｎ型中間層３１−ｎ、３２−ｎは、前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０とそれぞれ直接的に接触され得る。
【００７９】
特に、前記第１ｎ型中間層３１−ｎがＮ型非結晶質シリコン酸化膜（ｎ＋ａ−ＳｉＯｘ）からなる場合、前記第１光電変換ユニット２０で第１型導電層２１が省略され得る。したがって、前記中間ユニット３０の最外側に位置する前記第１ｎ型中間層３１−ｎは、前記第１光電変換ユニット２０の第１真性シリコン層２３に直接的にコンタクトされ得る。
【００８０】
図９Ｂを参照すれば、本発明の第４実施形態による中間ユニット３１は、高屈折率を有する第１ｎ型中間層３１−ｎ、低屈折率を有する第２ｎ型中間層３２−ｎ、および高屈折率を有する第１ｐ型中間層３１−ｐを含む６重膜構造を有することができる。ここで、前記中間ユニット３１の最下側には前記第１ｎ型中間層３１−ｎが備えられて前記第１光電変換ユニット２０と直接的に接触され、前記中間ユニット３１の最上側には前記第１ｐ型中間層３１−ｐが備えられて前記第２光電変換ユニット４０と直接的に接触され得る。
【００８１】
特に、前記第１ｐ型中間層３１−ｐがＰ型非結晶質シリコン酸化膜（ｐ＋ａ−ＳｉＯｘ）からなる場合、前記第２光電変換ユニット４０で第２型導電層４１が省略され得る。したがって、前記中間ユニット３１の最外側に位置する前記第１ｐ型中間層３１−ｐは、前記第２光電変換ユニット４０の第２真性シリコン層４３に直接的にコンタクトされ得る。
【００８２】
図９Ｃを参照すれば、本発明の第５実施形態による中間ユニット３２は、高屈折率を有する第１ｎ型中間層３１−ｎ、低屈折率を有する第２ｎ型中間層３２−ｎ、および高屈折率を有する第１ｐ型中間層３１−ｐを含む５重膜構造を有することができる。ここで、前記中間ユニット３２の最下側には前記第１ｎ型中間層３１−ｎが備えられて前記第１光電変換ユニット２０と直接的に接触され、前記中間ユニット３２の最上側には前記第１ｐ型中間層３１−ｐが備えられて前記第２光電変換ユニット４０と直接的に接触され得る。
【００８３】
特に、前記第１ｐ型中間層３１−ｐがＰ型非結晶質シリコン酸化膜（ｐ＋ａ−ＳｉＯｘ）からなる場合、前記第２光電変換ユニット４０で第２型導電層４１が省略され得る。したがって、前記中間ユニット３２の最外側に位置する前記第１ｐ型中間層３１−ｐは、前記第２光電変換ユニット４０の第２真性シリコン層４３に直接的にコンタクトされ得る。
【００８４】
また、前記中間ユニット３２の前記第１ｎ型中間層３１−ｎがＮ型非結晶質シリコン酸化膜（ｎ＋ａ−ＳｉＯｘ）からなる場合、前記第１光電変換ユニット２０で第１型導電層２１が省略され得る。したがって、前記中間ユニット３２の最外側に位置する前記第１ｎ型中間層３１−ｎは、前記第１光電変換ユニット２０の第１真性シリコン層２３に直接的にコンタクトされ得る。
【００８５】
図９Ｄを参照すれば、本発明の第６実施形態による中間ユニット３３は、高屈折率を有する第１ｎ型中間層３１−ｎ、高屈折率を有する第１ｐ型中間層３１−ｐ、低屈折率を有する第２ｎ型中間層３２−ｎ、および低屈折率を有する第２ｐ型中間層３２−ｐを含む６重膜構造を有することができる。
【００８６】
ここで、前記中間ユニット３３の６重膜のうちの上部３重膜は、Ｐ型中間層（つまり、第１Ｐ型中間層および第２Ｐ型中間層３１−ｐ、３２−ｐ）からなり、下部３重膜はＮ型中間層（つまり、第１Ｎ型中間層および第２Ｎ型中間層３１−ｎ、３２−ｎ）からなる。
【００８７】
特に、前記中間ユニット３３の最下側には前記第１ｎ型中間層３１−ｎが備えられて前記第１光電変換ユニット２０と直接的に接触され、前記中間ユニット３３の最上側には前記第１ｐ型中間層３１−ｐが備えられて前記第２光電変換ユニット４０と直接的に接触され得る。また、前記上部３重膜の最下側には前記第１Ｐ型中間層が備えられ、前記下部３重膜の最上側には前記第１Ｎ型中間層が備えられて前記上部３重膜と前記下部３重膜の接合部にはＰ−Ｎ接合が形成され得る。
【００８８】
図１０は、複数の光電変換セルを含む光電変換装置を示す断面図である。
【００８９】
図１０を参照すれば、光電変換装置２００は、複数のセル領域を有する基板１０を含む。前記基板１０上には前記複数のセル領域にそれぞれ対応して複数の光電変換セル１００が備えられる。前記複数の光電変換セル１００は互いに直列連結される。
【００９０】
各光電変換セル１００は、図１に示された光電変換素子と類似する構造を有する。しかし、図１０に示された各光電変換セル１００は、隣接するセルと直列連結されるためにビアホール５０ａを有するという側面から図１の光電変換素子と異なる。
【００９１】
具体的に、光電変換セル１００のそれぞれは、第１電極層１１、前記第１電極層１１上に順次に積層されて外部から提供された光を吸収する第１および第２光電変換ユニット２０、４０、および前記第２光電変換ユニット４０上に備えられた第２電極層１３を備える。
【００９２】
前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０の間には、前記第１光電変換ユニットの光電効率を向上させるための中間ユニット３０がさらに備えられる。前記中間ユニット３０は、図４に示された中間ユニットと同一の構造を有するため省略する。
【００９３】
前記第１電極層１１は、第１分離溝１１ａによってセル領域単位に分離され、前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０、前記中間ユニット３０および前記第２電極層１３は、第２分離溝１３ａによってセル領域単位に分離される。前記第１および第２分離溝１１ａ、１３ａは、レーザー工程を通じて形成され得る。
【００９４】
また、前記第１光電変換ユニット２０、前記中間ユニット３０および前記第２光電変換ユニット４０をレーザー工程を通じてパターニングし、隣接する光電変換セルの第１電極層１１を露出させるためのビアホール５０ａを形成することができる。したがって、前記第２電極層１３は、前記ビアホール５０ａを通じて前記隣接光電変換セルの前記第１電極層１１に電気的に連結される。このような方式により前記複数の光電変換セル１００は直列連結される。
【００９５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００９６】
１００…光電変換装置
１０…基板
１１…第１電極層
１３…第２電極層
２０…第１光電変換ユニット
３０…中間ユニット
３１…高屈折率層
３２…低屈折率層
４０…第２光電変換ユニット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置に関し、特に、光電効率を向上させることができる光電変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電変換装置は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する素子であり、前記光電変換素子は、外部から提供される光のエネルギーを吸収して光電効果を奏する光電変換層を備える。光電変換層は、光のエネルギーを吸収して光電作用（ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｅｆｆｅｃｔ）を起こして自由電子を発生させて電流を発生させる。
【０００３】
光電変換装置の光電効率は、光電変換装置に提供される光の量に対比した光電変換装置から出力される電流の量で決定される。
【０００４】
従来の光電変換装置は、光電効率を向上させるためにエネルギーバンドギャップが異なる２つ以上の光電変換層を積層する積層型構造を採用している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、光電効率を向上させるための光電変換装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面による光電変換装置は、基板上に備えられ、第１エネルギーバンドギャップを有する第１光電変換ユニット、前記第１エネルギーバンドギャップと異なる第２エネルギーバンドギャップを有し、前記第１光電変換ユニット上部に備えられる第２光電変換ユニット、および前記第１および第２光電変換ユニットの間に介され、前記第１光電変換ユニットよりも小さい屈折率を有する中間ユニットを含む。
【０００７】
前記中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および前記第１中間層と交互的に配置され、前記第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層を含む。
【０００８】
本発明の他の一側面による光電変換装置は、複数のセル領域を有する基板および前記複数のセル領域にそれぞれ対応して前記基板上に備えられ、互いに直列連結された複数の光電変換セルを含む。
【０００９】
各光電変換セルは、前記基板上に備えられた第１電極層、前記第１電極層上に備えられ、第１エネルギーバンドギャップを有する第１光電変換ユニット、前記第１エネルギーバンドギャップと異なる第２エネルギーバンドギャップを有し、前記第１光電変換ユニット上部に備えられる第２光電変換ユニット、前記第１および第２光電変換ユニットの間に介され、前記第１光電変換ユニットよりも小さい屈折率を有する中間ユニット、および前記第２光電変換ユニット上に備えられた第２電極層を含む。
【００１０】
前記中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および前記第１中間層と交互的に配置され、前記第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層を含む。
【発明の効果】
【００１１】
前述のように、前記中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および前記第１中間層と交互的に配置され、前記第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層からなることによって、第１光電変換ユニットの光電効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態による光電変換装置を示す図面である。
【図２】波長による第１および第２光電変換ユニットの光吸収率を示すグラフである。
【図３】図１に示されたＲ１部分を拡大して示す断面図である。
【図４】二酸化炭素の濃度による屈折率の変化を示すグラフである。
【図５】屈折率による膜内酸素濃度を示すグラフである。
【図６Ａ】二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度による酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（％）を示すグラフである。
【図６Ｂ】二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度による酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（％）を示すグラフである。
【図６Ｃ】二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度による酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（％）を示すグラフである。
【図６Ｄ】二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度による酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（％）を示すグラフである。
【図６Ｅ】二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度による酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（％）を示すグラフである。
【図７】３重膜構造を有する中間層形成時における酸素濃度の変化を示すグラフである。
【図８】本発明の第２実施形態による中間層の構造を示す断面図である。
【図９Ａ】本発明の他の実施形態による光電変換装置を示す断面図である。
【図９Ｂ】本発明の他の実施形態による光電変換装置を示す断面図である。
【図９Ｃ】本発明の他の実施形態による光電変換装置を示す断面図である。
【図９Ｄ】本発明の他の実施形態による光電変換装置を示す断面図である。
【図１０】複数の光電変換セルを含む光電変換装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１４】
各図面を説明しながら類似する参照符号を類似する構成要素に対して使用した。添付した図面において、構造物のサイズは本発明の明確性のために実際より拡大して示した。第１、第２などの用語は多様な構成要素の説明に使用され得るが、前記構成要素は前記用語により限定されてはならない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないながら第１構成要素は第２構成要素として命名されてもよく、類似しているように、第２構成要素も第１構成要素として命名されてもよい。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【００１５】
本出願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであり、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加の可能性を予め排除しないと理解しなければならない。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるというとき、これは他の部分の「直上」にある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。反対に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「下」にあるというとき、これは他の部分の「直下」にある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
【００１６】
以下、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態をより詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態による光電変換装置を示す図面であり、図２は、波長による第１および第２光電変換ユニットの光吸収率を示すグラフである。図２において、第１グラフ（Ｇ１）は第１光電変換ユニットの波長による光吸収率を示し、第２グラフ（Ｇ２）は第２光電変換ユニットの波長による光吸収率を示し、第３グラフ（Ｇ３）は第１および第２グラフ（Ｇ１、Ｇ２）の合計を示す。
【００１８】
図１を参照すれば、光電変換装置１００は、基板１０、第１電極層１１、第１および第２光電変換ユニット２０、４０、および第２電極層１３を含む。前記基板１０上には前記第１電極層１１が備えられ、前記第１および第２電極層１１、１３の間には前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０が介される。
【００１９】
前記第１電極層１１には、透明導電膜、例えば、酸化錫（ＳｎＯ２）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を使用することができる。前記第２電極層１３は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）およびクロム（Ｃｒ）の少なくともいずれか一つを含む金属物質からなることができる。
【００２０】
一方、前記第１光電変換ユニット２０は、前記第１電極層１１上に備えられ、前記第１光電変換ユニット２０の上には前記第２光電変換ユニット４０が備えられる。前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０の間には中間ユニット３０が介される。
【００２１】
前記第１光電変換ユニット２０は、１．７〜１．８ｅＶのエネルギーバンドギャップを有し、第１グラフ（Ｇ１）に示されたように短波長の光を吸収する。前記第２光電変換ユニット４０は、前記第１光電変換ユニット２０よりも小さいエネルギーバンドギャップ（例えば１．１〜１．２ｅＶ）を有し、第２グラフ（Ｇ２）に示されたように長波長の光を吸収する。このように、エネルギーバンドギャップが異なる二つの光電変換ユニット２０、４０を積層して波長帯が異なる光をそれぞれ吸収することによって光電変換装置１００の全体光吸収率を向上させることができる。
【００２２】
再び図１を参照すれば、前記第１光電変換ユニット２０は、前記第１電極層１１上に順次に積層される第１型導電層２１、第１真性シリコン層２３および第２型導電層２２を含む。前記第１光電変換ユニット２０は、非晶質シリコンからなることができる。具体的に、前記第１型導電層２１は、非結晶質シリコンにホウ素（Ｂ）をドーピングして正孔（ｈｏｌｅ）の数字が増加するように形成されたＰ型導電層であってもよい。また、前記第２型導電層２２は、非結晶質シリコンにリン（Ｐ）をドーピングして電子の数字が増加するように形成されたＮ型導電層であってもよい。
【００２３】
前記第１真性シリコン層２３は、非結晶質シリコン層からなり、前記第１型導電層２１および第２型導電層２２の間に介される。
【００２４】
前記第１真性シリコン層２３は、電子と正孔の個数がほぼ同等な状態で形成され、前記第１真性シリコン層２３は外部から光を受けると、前記第１真性シリコン層２３を構成するシリコン原子は光のエネルギーを吸収する。前記シリコン原子が光を吸収すると、前記シリコン原子の最外側電子は励起されて電子−正孔対が形成される。また、前記電子−正孔対が生成された状態で前記第１型導電層２１を陰極にバイアシングし、前記第２型導電層２２を陽極にバイアシングすると、前記正孔は前記第１型導電層２１側へ移動する。ここで、「バイアシング」とは、一定の電流と電圧を作るように直流電圧を印加する全ての方法を意味する。
【００２５】
前記第１光電変換ユニット２０の厚さは最大０．５μｍに設定され得る。非結晶質シリコンからなる第１真性シリコン層２３は厚さが増加しても光電効率がそれに比例して向上しない特性を有するため、前記第１光電変換ユニット２０の厚さはほぼ０．５μｍ以下に設定される。
【００２６】
一方、前記第２光電変換ユニット４０は、前記中間ユニット３０上に順次に積層される第３型導電層４１、第２真性シリコン層４３および第４型導電層４２を含む。前記第２光電変換ユニット４０は、複数の結晶を含む結晶質シリコンからなってもよい。具体的に、前記第３型導電層４１は、結晶質シリコンにホウ素（Ｂ）をドーピングして正孔（ｈｏｌｅ）の数字が増加するように形成されたＰ型導電層であってもよい。また、前記第４型導電層４２は、非結晶質または結晶質シリコンにリン（Ｐ）をドーピングして電子の数字が増加するように形成されたＮ型導電層であってもよい。
【００２７】
前記第２真性シリコン層４３は、結晶質シリコン層からなる。前記結晶質シリコン層を構成する各結晶の直径は、１μｍ以下であるマイクロ結晶であってもよい。前記各結晶の直径は、プラズマ化学気相蒸着法により成膜時、ＲＦパワー、工程圧力、Ｈ２／ＳｉＨ４流量比により調節され得る。また、前記各結晶の直径は、非結晶質シリコンに対して熱処理工程を行って前記非結晶質シリコンを結晶化させる時、前記熱処理工程の工程温度によって調節され得る。
【００２８】
本発明の一例として、前記第２真性シリコン層４３は前記第１真性シリコン層２３よりも相対的に大きい厚さを有する。
【００２９】
前記第１および第２光電変換素子２０、４０で発生される光電効果のメカニズムをより詳細に説明する。まず、外部から供給された光は前記第１光電変換ユニット２０へ入射される。そうすると、前記第１真性シリコン層２３は前記光の中の短波長の光を吸収して第１次光電効果を起こして電子−正孔対を生成する。また、前記第１真性シリコン層２３に吸収されずに前記第２真性シリコン層４３側へ進行する長波長の光は、前記第２真性シリコン層４３で第２次光電効果を起こして電子−正孔対を生成する。
【００３０】
非結晶質シリコンからなる前記第１真性シリコン層２３は、結晶質シリコンからなる前記第２真性シリコン層４３よりも光エネルギー吸収率が約３倍〜１０倍程度優れている。
【００３１】
本発明の一実施形態において、前記非結晶質シリコンからなる前記第１光電変換ユニット２０の光電効率を向上させるために、前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０の間には前記中間ユニット３０が介される。前記中間ユニット３０は、前記第１光電変換ユニット２０で吸収されない光の一部を反射して前記第１光電変換ユニット２０へ再入射させる。そのためには、前記中間ユニット３０は、前記第１光電変換ユニット２０よりも小さい屈折率を有する複数の層を含むことができる。
【００３２】
本発明の一例として、前記中間ユニット３０は、シリコン系物質からなる複数の層を含む。例えば、前記中間ユニット３０は、ＳｉＯｘ：Ｈ、ＳｉＣｘ：Ｈ、およびＳｉＮｘ：Ｈのうちのいずれか一つを含むことができる。
【００３３】
前記中間ユニット３０は、反応ガスとしてシラン（Ｓｉｌａｎｅ）ガス（ＳｉＨ４）、二酸化炭素（ＣＯ２）、水素ガス（Ｈ２）、およびホスフィン（Ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ）ガス（ＰＨ３）（またはジボラン（Ｄｉｂｏｒａｎｅ）ガス（Ｂ２Ｈ６））を使用し、未結晶層製造条件であるＨ２／ＳｉＨ４比下で、ＣＯ２／ＳｉＨ４比を２〜１０程度の範囲内に設定してプラズマ化学気相蒸着法により形成することができる。この時、プラズマ生成条件には容量結合型の平行平板電極、１０〜１００ＭＨｚの電源周波数、５０〜５００ｍＷ／ｃｍ２のパワー密度、５０〜２０００Ｐａの圧力、および１５０〜２５０℃の基板温度などが該当し得る。
【００３４】
このような条件下で形成された前記中間ユニット３０は、屈折率が増加することに伴って電気伝導度が増加する特性を有する。
【００３５】
つまり、前記中間ユニット３０は、屈折率が増加すれば電気伝導度は増加し、屈折率が減少すれば電気伝導度は減少する特性を有する。
【００３６】
前記中間ユニット３０は、前記第１光電変換ユニット２０の屈折率よりも小さい平均屈折率を有してこそ前記第１光電変換ユニット２０から出力された光を一部反射して前記第１光電変換ユニット２０へ再入射させることができる。しかし、前記中間ユニット３０の平均屈折率が減少すれば、短波長反射度が増加して前記第１光電変換ユニット２０の光吸収率は向上するが、電気伝導度は減少する。結果的に、前記光電変換装置１００の曲線印字（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）が減少して光電変換効率の改善効果が減少する。したがって、前記中間ユニット３０の電気伝導度を補完しながら屈折率を減少するために、前記中間ユニット３０は、高屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層３１、および前記第１中間層３１よりも小さい低屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層３２を含む。
【００３７】
図３は、図１に示されたＲ１部分を拡大して示す断面図である。
【００３８】
図３を参照すれば、前記中間ユニット３０は、高屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層３１、および低屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層３２を含む。前記第１中間層３１と前記第２中間層３２は交互的に配置され、Ｎ型またはＰ型を有する非結晶質シリコン酸化膜（ｎ＋ａ−ＳｉＯｘ、ｐ＋ａ−ＳｉＯｘ）からなることができる。Ｎ型非結晶質シリコン酸化膜（ｎ＋ａ−ＳｉＯｘ）はリン（Ｐ）のような不純物でドーピングされて形成され、Ｐ型非結晶質シリコン酸化膜（ｐ＋ａ−ＳｉＯｘ）はホウ素（Ｂ）のような不純物でドーピングされて形成され得る。ここで、前記第１および第２中間層３１、３２の膜内不純物濃度は、１ａｔ％以下である。本発明の一例として、図３では前記中間ユニット３０が３つの第１中間層３１と２つの第２中間層３２を含んで５重膜構造を有するが、５つの中間層が全てＮ型非結晶質シリコン酸化膜（ａ−ＳｉＯｘ）からなる構造を示した。
【００３９】
前記第１中間層３１は、２．３〜３．０範囲の屈折率を有し、前記第２中間層３２は、１．６〜２．１範囲の屈折率を有する。したがって、前記中間ユニット３０へ入射された光（Ｌ１）中の一部は前記第２中間層３２と前記第１中間層３１との間の屈折率の差異により前記第１光電変換ユニット２０側へ反射される。したがって、前記第１光電変換ユニット２０の光吸収率が増加される。
【００４０】
また、前記第１中間層３１は、前記第２中間層３２よりも結晶化度が高いため、相対的に高い電気伝導度を有する。本発明の一例として、前記第１中間層３１は、１０−３／Ωｃｍ以上の電気伝導度を有し、前記第２中間層３２は、１０−４／Ωｃｍ以下の電気伝導度を有する。
【００４１】
前記電気伝導度が高い前記第１中間層３１は、前記中間ユニット３０の最外側に位置して前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０にそれぞれ直接的に接触することができる。具体的に、前記電気伝導度が高い前記第１中間層３１のうち、前記中間ユニット３０の下側最外側に位置した第１中間層３１は、前記第１光電変換ユニット２０の第２型導電層（Ｎ型導電層）に接触され、前記中間ユニット３０の上側最外側に位置した第１中間層３１は、前記第２光電変換ユニット４０の第３型導電層（Ｐ型導電層）に接触される。このように、電気伝導度が高い第１中間層３１を前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０にそれぞれ接触させると、前記光電変換装置１００の直列抵抗が減少して曲線印字（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）が向上することができる。また、前記第１中間層３１は、１０Å〜５００Åの厚さを有し、前記第２中間層３２は、５０Å〜１５００Åの厚さを有することができる。特に、前記第１中間層３１は、５０Å〜２００Åの厚さを有し、前記第２中間層３２は、５０Å〜２００Åの厚さを有することができる。
【００４２】
このように、前記第１中間層３１と前記第２中間層３２が交互的に配置されて形成された前記中間ユニット３０の平均屈折率（ｎａ）は、下記数式１を満たす。
【００４３】
【数１】
・・・（１）
【００４４】
ここで、前記中間ユニット３０がｋ個（ｋは、２以上の整数）の層を含む場合、ｎ１、ｎ１…ｎｋは、前記中間ユニット３０に含まれた層のそれぞれの屈折率であり、ｄ１、ｄ１…ｄｋは、前記中間ユニット３０に含まれた層のそれぞれの厚さである。
【００４５】
本発明の第１実施形態において、前記中間ユニット３０は、３つの第１中間層３１と２つの第２中間層３２からなることができる。この場合、前記第１中間層３１のそれぞれは２．５５の屈折率を有し、前記第２中間層３２のそれぞれは１．７の屈折率を有し、最下側第１中間層および最上側第１中間層は１５０Åの厚さを有し、前記最下側第１中間層および前記最上側第１中間層の間に位置する層が１００Åの厚さを有することができる。
【００４６】
この場合、前記中間ユニット３０は、６００Åの厚さを有することができ、前記数式１によってほぼ２．２７の平均屈折率を有することができる。
【００４７】
前記中間ユニット３０の厚さが１０００Å以下の場合、前記中間ユニット３０によって前記第１光電変換ユニット２０へ反射される短波長の光反射能力（Δｎ）は、下記数式２で表され得る。
【００４８】
【数２】
【００４９】
ここで、ｎ１は、第１光電変換ユニット２０の屈折率であり、ｎ２は、中間ユニット３０の平均屈折率であり、ｄは、中間ユニット３０の総厚さ（×１００Å）である。
【００５０】
このような条件下で、前記第１光電変換ユニット２０の屈折率を４と仮定すれば、前記第１実施形態による前記中間ユニット３０の光反射能力は１０．４と測定された。前記第１実施形態による前記中間ユニット３０の光反射効率は、前記中間ユニット３０が１．９の屈折率と５００Åの厚さを有する低屈折率層一つを採用した比較例の光反射能力（ほぼ１０．５）と類似していると示された。
【００５１】
以下、表１には第１実施形態と比較例の光電効率、開放電圧（Ｖｏｃ）、曲線印字（Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）（ＦＦ）および短絡電流密度（ｓｈｏｒｔ−ｃｉｒｃｕｉｔ ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ）（Ｉｓｃ）を示している。
【００５２】
【表１】
【００５３】
表１を参照すれば、電気伝導度が高い第１中間層３１を含む前記第１実施形態の場合、比較例よりも高い光電効率を奏することが示された。具体的に、前記第１実施形態の光電効率は１１．６７％と示された反面、比較例の光電効率は１１．１４％と示された。また、前記第１実施形態の曲線印字（ＦＦ）は、比較例の曲線印字よりも高く示された。具体的に、前記比較例の曲線印字（ＦＦ）は、６５．７７％と示された反面、第１実施形態の曲線印字（ＦＦ）は６９．６５％とより高く示された。
【００５４】
前記開放電圧（Ｖｏｃ）と短絡電流密度（Ｉｓｃ）は前記比較例と前記第１実施形態でほぼ同等な値と示された。
【００５５】
結果的に、前記第１実施形態は、前記比較例と類似する光反射能力を有しながら、前記比較例よりも高い光電効率および高い曲線印字（ＦＦ）を有することが分かる。
【００５６】
図３に示されているように、本発明では光散乱を向上させるために前記中間ユニット３０の表面はエンボシング構造を有することができる。
【００５７】
一方、前記中間ユニット３０に含まれた層のそれぞれの屈折率は、ＣＯ２／ＳｉＨ４比により調節され得る。
【００５８】
図４は、プラズマ工程で使用される反応ガス中の二酸化炭素の濃度によるシリコン酸化膜の屈折率の変化を示すグラフであり、図５は、屈折率によるシリコン酸化膜中の酸素濃度を示すグラフである。但し、図４および図５では、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ：Ｈ）からなる中間ユニット３０を形成する過程で６３３ｎｍの波長を有する光を基準に二酸化炭素の濃度による屈折率を測定した。なお、他のガス濃度、即ちシランガス、水素ガス、およびホスフィンガス濃度は、それぞれ１０ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍである。本実施形態では、屈折率の測定には、分光エリプソメータ（モデル名：ＵＶＩＳＥＬ、Ｈｏｒｉｂａ ＪＯＢＩＮ ＹＶＯＮ社製）を用いた。また、膜内の酸素、炭素、及びシリコンの濃度の測定は、Ｘ線光電子器（モデル名：ＰＨＩ ＱＵＡＮＴＥＲＡ、ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ，Ｉｎｃ．社製）を用いたＸ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）により行われた。膜内の各原子の濃度は、膜内の総原子数に対する各原子の原子数比、即ちａｔ％（原子％、原子濃度）で示される。
【００５９】
図４を参照すれば、前記中間ユニット３０を製造するためのプラズマ工程条件で前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を増加させると、屈折率が減少することが示された。したがって、前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を変化させながら、前記中間ユニット３０に備えられる層の屈折率を調節することができる。つまり、２．３〜３．０の屈折率を有する前記第１中間層３１を形成するために、前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度は３５ｓｃｃｍ以下に減少させ、１．７〜２．１の屈折率を有する前記第２中間層３２を形成するために、前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度は４５ｓｃｃｍ〜７０ｓｃｃｍに増加させる。
【００６０】
前記中間ユニット３０の膜内酸素濃度（ａｔ％）は、前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度により決定される。したがって、図５に示されているように、屈折率が増加するほど膜内酸度濃度（ａｔ％）は減少する。
【００６１】
２．３〜３．０の屈折率を有する前記第１中間層３１を形成するためには、膜内酸素濃度を第１領域（Ａ１）に含まれた値（例えば、４０ａｔ％以下の値）に設定する。また、１．７〜２．１の屈折率を有する前記第２中間層３２を形成するためには、膜内酸素濃度を第２領域（Ａ２）に含まれた値（例えば、４０ａｔ％〜７０ａｔ％の値）に設定する。
【００６２】
図６Ａ〜図６Ｅは、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の膜内での原子濃度（％）とプラズマ工程での蒸着時間との対応関係を二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度毎に示すグラフである。但し、図６Ａは、二酸化炭素（ＣＯ２）が３５ｓｃｃｍの濃度を有する場合、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、図６Ｂは、二酸化炭素（ＣＯ２）が４５ｓｃｃｍの濃度を有する場合、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、図６Ｃは、二酸化炭素（ＣＯ２）が５５ｓｃｃｍの濃度を有する場合、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、図６Ｄは、二酸化炭素（ＣＯ２）が６５ｓｃｃｍの濃度を有する場合、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、図６Ｅは、二酸化炭素（ＣＯ２）が７５ｓｃｃｍの濃度を有する場合、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示す。図６Ａ〜６Ｅにおいて、他のガス濃度、即ちシランガス、水素ガス、およびホスフィンガス濃度は、それぞれ１０ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍである。
【００６３】
なお、図６Ａ〜図６Ｅにおいて、プラズマＣＶＤ工程条件は、総中間ユニット厚さ（膜厚さ）１，０００Å、蒸着温度１８３℃、蒸着パワー４００Ｗ、工程圧力９，０００Ｔｏｒｒであった。また、図６Ａ〜６Ｅの蒸着時間は、それぞれ８１０秒、７６７秒、７５８秒、７４６秒、７３５秒であった。
【００６４】
図６Ａ〜図６Ｅにおいて、第４グラフ（Ｇ４）はシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、第５グラフ（Ｇ５）は酸素（Ｏ１ｓ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、第６グラフ（Ｇ６）は炭素（Ｃ１ｓ）の原子濃度（ａｔ％）を示す。
【００６５】
図６Ａ〜図６Ｅを参照すれば、二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度が３５ｓｃｃｍから７５ｓｃｃｍまで増加するほど酸素濃度（ａｔ％）は増加するが、シリコン濃度（ａｔ％）は減少することが示された。
【００６６】
二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を４５ｓｃｃｍ以上に増加させると、前記酸度濃度（ａｔ％）を４０ａｔ％以上に増加すると示された。反面、前記二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を３５ｓｃｃｍ以下に減少させると、前記酸度濃度（ａｔ％）が４０ａｔ％以下に減少すると示された。
【００６７】
したがって、蒸着時間及び二酸化炭素（ＣＯ２）の濃度を調節することによって、前記中間ユニット３０に含まれた層のそれぞれの屈折率を調節することができる。
【００６８】
図７は、３重膜構造を有する中間層形成時における酸素濃度の変化を示すグラフである。即ち、図７は、酸素（Ｏ１ｓ）、炭素（Ｃ１ｓ）およびシリコン（Ｓｉ２ｐ）の膜内での原子濃度（％）とプラズマ工程での蒸着時間との対応関係を示すグラフである。二点差線のグラフはシリコン（Ｓｉ２ｐ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、一点鎖線のグラフは酸素（Ｏ１ｓ）の原子濃度（ａｔ％）を示し、実践のグラフは炭素（Ｃ１ｓ）の原子濃度（ａｔ％）を示す。なお、各ガス濃度、即ちシランガス、二酸化炭素ガス、水素ガス、およびホスフィンガス濃度は、それぞれ１０ｓｃｃｍ、４０００ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍである。
【００６９】
なお、図５、図６Ａ〜６Ｅ及び図７の分析は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）により厚さ方向にイオンスパッタリング（Ｉｏｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）を通じて行われた。イオンスパッタリング時にｃｒｏｓｓ−ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎにより各層の境界での組成変化が実際より徐々に現れると観測され得る。
【００７０】
図７を参照すれば、１００Åの厚さを有する第２中間層３２、１００Åの厚さを有する第１中間層３１および１００Åの厚さを有する第２中間層３２が順次に積層された３重膜構造の中間ユニット３０形成時、酸素濃度は蒸着開始後ほぼ６分間に５５ａｔ％から３０ａｔ％まで減少してから６分以降から１０分まで徐々に上昇すると示された。
【００７１】
したがって、酸素濃度（ａｔ％）の変化を通じて前記中間ユニット３０が３重膜構造からなることを確認することができる。つまり、第１区間（ｔ１）では第２中間層３２が形成され、第２区間（ｔ２）では第１中間層３１が形成され、第３区間（ｔ３）では再び第２中間層３２が形成されることを確認することができる。
【００７２】
図８は、本発明の第２実施形態による中間層の構造を示す断面図である。
【００７３】
図８を参照すれば、本発明の第２実施形態による中間ユニット３０は、高屈折率を有する第１中間層３１と低屈折率を有する第２中間層３２が交互的に配置されて５重膜構造を有することができる。ここで、前記第２中間層３２は、前記中間ユニット３０の最外側に位置して前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０とそれぞれ直接的に接触され得る。
【００７４】
また、前記中間ユニット３０内で前記第２中間層３２の個数は前記第１中間層３１の個数よりも多い。前記中間ユニット３０へ入射された光（Ｌ１）中の一部は、前記第２中間層３２と前記第１中間層３１との間の屈折率の差異により前記第１光電変換ユニット２０側へ反射される。特に、前記第２中間層３２の個数が前記第１中間層３１の個数より多ければ、前記第１中間層３１の個数が前記第２中間層３２の個数より多い場合よりも入射された光（Ｌ１）の反射効率が向上し得、その結果、前記第１光電変換ユニット２０の光吸収率が増加し得る。
【００７５】
結果的に、前記中間ユニット３０の直列抵抗を減少させるためにまたはコンタクト抵抗を向上させるために、前記第１実施形態のように前記第１中間層３１が前記中間ユニット３０の最外側に配置されてもよい。
【００７６】
図３および図８では、前記中間ユニット３０が５重膜構造からなる構造のみを示したが、ここに限定されず、２重膜、３重膜、４重膜またはそれ以上の膜構造を有することができる。
【００７７】
図９Ａ〜図９Ｄは、本発明の他の実施形態による光電変換装置を示す断面図である。
【００７８】
図９Ａを参照すれば、本発明の第３実施形態による中間ユニット３０は、高屈折率を有する第１ｎ型中間層３１−ｎと低屈折率を有する第２ｎ型中間層３２−ｎが交互的に配置されて５重膜構造を有することができる。ここで、前記中間ユニット３０の最外側に位置した前記第１および第２ｎ型中間層３１−ｎ、３２−ｎは、前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０とそれぞれ直接的に接触され得る。
【００７９】
特に、前記第１ｎ型中間層３１−ｎがＮ型非結晶質シリコン酸化膜（ｎ＋ａ−ＳｉＯｘ）からなる場合、前記第１光電変換ユニット２０で第１型導電層２１が省略され得る。したがって、前記中間ユニット３０の最外側に位置する前記第１ｎ型中間層３１−ｎは、前記第１光電変換ユニット２０の第１真性シリコン層２３に直接的にコンタクトされ得る。
【００８０】
図９Ｂを参照すれば、本発明の第４実施形態による中間ユニット３１は、高屈折率を有する第１ｎ型中間層３１−ｎ、低屈折率を有する第２ｎ型中間層３２−ｎ、および高屈折率を有する第１ｐ型中間層３１−ｐを含む６重膜構造を有することができる。ここで、前記中間ユニット３１の最下側には前記第１ｎ型中間層３１−ｎが備えられて前記第１光電変換ユニット２０と直接的に接触され、前記中間ユニット３１の最上側には前記第１ｐ型中間層３１−ｐが備えられて前記第２光電変換ユニット４０と直接的に接触され得る。
【００８１】
特に、前記第１ｐ型中間層３１−ｐがＰ型非結晶質シリコン酸化膜（ｐ＋ａ−ＳｉＯｘ）からなる場合、前記第２光電変換ユニット４０で第２型導電層４１が省略され得る。したがって、前記中間ユニット３１の最外側に位置する前記第１ｐ型中間層３１−ｐは、前記第２光電変換ユニット４０の第２真性シリコン層４３に直接的にコンタクトされ得る。
【００８２】
図９Ｃを参照すれば、本発明の第５実施形態による中間ユニット３２は、高屈折率を有する第１ｎ型中間層３１−ｎ、低屈折率を有する第２ｎ型中間層３２−ｎ、および高屈折率を有する第１ｐ型中間層３１−ｐを含む５重膜構造を有することができる。ここで、前記中間ユニット３２の最下側には前記第１ｎ型中間層３１−ｎが備えられて前記第１光電変換ユニット２０と直接的に接触され、前記中間ユニット３２の最上側には前記第１ｐ型中間層３１−ｐが備えられて前記第２光電変換ユニット４０と直接的に接触され得る。
【００８３】
特に、前記第１ｐ型中間層３１−ｐがＰ型非結晶質シリコン酸化膜（ｐ＋ａ−ＳｉＯｘ）からなる場合、前記第２光電変換ユニット４０で第２型導電層４１が省略され得る。したがって、前記中間ユニット３２の最外側に位置する前記第１ｐ型中間層３１−ｐは、前記第２光電変換ユニット４０の第２真性シリコン層４３に直接的にコンタクトされ得る。
【００８４】
また、前記中間ユニット３２の前記第１ｎ型中間層３１−ｎがＮ型非結晶質シリコン酸化膜（ｎ＋ａ−ＳｉＯｘ）からなる場合、前記第１光電変換ユニット２０で第１型導電層２１が省略され得る。したがって、前記中間ユニット３２の最外側に位置する前記第１ｎ型中間層３１−ｎは、前記第１光電変換ユニット２０の第１真性シリコン層２３に直接的にコンタクトされ得る。
【００８５】
図９Ｄを参照すれば、本発明の第６実施形態による中間ユニット３３は、高屈折率を有する第１ｎ型中間層３１−ｎ、高屈折率を有する第１ｐ型中間層３１−ｐ、低屈折率を有する第２ｎ型中間層３２−ｎ、および低屈折率を有する第２ｐ型中間層３２−ｐを含む６重膜構造を有することができる。
【００８６】
ここで、前記中間ユニット３３の６重膜のうちの上部３重膜は、Ｐ型中間層（つまり、第１Ｐ型中間層および第２Ｐ型中間層３１−ｐ、３２−ｐ）からなり、下部３重膜はＮ型中間層（つまり、第１Ｎ型中間層および第２Ｎ型中間層３１−ｎ、３２−ｎ）からなる。
【００８７】
特に、前記中間ユニット３３の最下側には前記第１ｎ型中間層３１−ｎが備えられて前記第１光電変換ユニット２０と直接的に接触され、前記中間ユニット３３の最上側には前記第１ｐ型中間層３１−ｐが備えられて前記第２光電変換ユニット４０と直接的に接触され得る。また、前記上部３重膜の最下側には前記第１Ｐ型中間層が備えられ、前記下部３重膜の最上側には前記第１Ｎ型中間層が備えられて前記上部３重膜と前記下部３重膜の接合部にはＰ−Ｎ接合が形成され得る。
【００８８】
図１０は、複数の光電変換セルを含む光電変換装置を示す断面図である。
【００８９】
図１０を参照すれば、光電変換装置２００は、複数のセル領域を有する基板１０を含む。前記基板１０上には前記複数のセル領域にそれぞれ対応して複数の光電変換セル１００が備えられる。前記複数の光電変換セル１００は互いに直列連結される。
【００９０】
各光電変換セル１００は、図１に示された光電変換素子と類似する構造を有する。しかし、図１０に示された各光電変換セル１００は、隣接するセルと直列連結されるためにビアホール５０ａを有するという側面から図１の光電変換素子と異なる。
【００９１】
具体的に、光電変換セル１００のそれぞれは、第１電極層１１、前記第１電極層１１上に順次に積層されて外部から提供された光を吸収する第１および第２光電変換ユニット２０、４０、および前記第２光電変換ユニット４０上に備えられた第２電極層１３を備える。
【００９２】
前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０の間には、前記第１光電変換ユニットの光電効率を向上させるための中間ユニット３０がさらに備えられる。前記中間ユニット３０は、図４に示された中間ユニットと同一の構造を有するため省略する。
【００９３】
前記第１電極層１１は、第１分離溝１１ａによってセル領域単位に分離され、前記第１および第２光電変換ユニット２０、４０、前記中間ユニット３０および前記第２電極層１３は、第２分離溝１３ａによってセル領域単位に分離される。前記第１および第２分離溝１１ａ、１３ａは、レーザー工程を通じて形成され得る。
【００９４】
また、前記第１光電変換ユニット２０、前記中間ユニット３０および前記第２光電変換ユニット４０をレーザー工程を通じてパターニングし、隣接する光電変換セルの第１電極層１１を露出させるためのビアホール５０ａを形成することができる。したがって、前記第２電極層１３は、前記ビアホール５０ａを通じて前記隣接光電変換セルの前記第１電極層１１に電気的に連結される。このような方式により前記複数の光電変換セル１００は直列連結される。
【００９５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００９６】
１００…光電変換装置
１０…基板
１１…第１電極層
１３…第２電極層
２０…第１光電変換ユニット
３０…中間ユニット
３１…高屈折率層
３２…低屈折率層
４０…第２光電変換ユニット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に備えられ、第１エネルギーバンドギャップを有する第１光電変換ユニット；
前記第１エネルギーバンドギャップと異なる第２エネルギーバンドギャップを有し、前記第１光電変換ユニット上部に備えられる第２光電変換ユニット；および
前記第１および第２光電変換ユニットの間に介され、前記第１光電変換ユニットよりも小さい屈折率を有する中間ユニットを含み、
前記中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および前記第１中間層と交互的に配置され、前記第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層を含むことを特徴とする、光電変換装置。
【請求項２】
前記第１中間層は、前記第２中間層よりも高い電気伝導度を有することを特徴とする、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第１および第２中間層は、Ｎ型またはＰ型不純物でドーピングされた層であることを特徴とする、請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１および第２中間層のそれぞれの膜内不純物濃度は、１ａｔ％以下であることを特徴とする、請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第１中間層は、前記中間ユニットの最外側にそれぞれ位置して前記第１および第２光電変換ユニットとそれぞれ直接的に接触される二つのＮ型中間層を含むことを特徴とする、請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第１光電変換ユニットは、非晶質シリコンからなる第１真性シリコン層、前記第１真性シリコン層と前記基板との間に介された第１型導電層、および前記第１真性シリコン層上に具備された第２型導電層を含み、
前記第２光電変換ユニットは、複数の結晶を含む結晶質シリコンからなる第２真性シリコン層、前記第２真性シリコン層と前記中間ユニットとの間に介された第３型導電層、および前記第２真性シリコン層上に備えられた第４型導電層を含むことを特徴とする、請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第１中間層は、前記中間ユニットの最外側にそれぞれ位置して前記第１および第２光電変換ユニットとそれぞれ直接的に接触されるＮ型中間層およびＰ型中間層を含むことを特徴とする、請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第１光電変換ユニットは、非晶質シリコンからなり、前記Ｎ型中間層と接触する第１真性シリコン層を含み、
前記第２光電変換ユニットは、複数の結晶を含む結晶質シリコンからなり、前記Ｐ型中間層と接触する第２真性シリコン層を含むことを特徴とする、請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第１および第２中間層は、ＳｉＯｘ：Ｈ、ＳｉＣｘ：Ｈ、およびＳｉＮｘ：Ｈのうちのいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第１中間層は、２．３〜３．０範囲の屈折率を有し、前記第２中間層は、１．６〜２．１範囲の屈折率を有することを特徴とする、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第１中間層は、１０−３／Ωｃｍ以上の電気伝導度を有し、前記第２中間層は、１０−４／Ωｃｍ以下の電気伝導度を有することを特徴とする、請求項１０に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記第１中間層は、１０Å〜５００Åの厚さを有し、前記第２中間層は、５０Å〜１５００Åの厚さを有することを特徴とする、請求項１０に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記第１中間層は、４０ａｔ％以下の酸素濃度を有し、前記第２中間層は、４０ａｔ％〜７０ａｔ％の酸素濃度を有することを特徴とする、請求項１０に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記中間ユニットの屈折率（ｎａ）は、
【数１】
と定義され、
ここで、前記中間ユニットは、ｋ（２以上の整数）個の層からなり、ｎ１〜ｎｋは、前記中間ユニットに含まれたｋ個の層のそれぞれの屈折率を示し、ｄ１〜ｄｋは、前記中間ユニットに含まれたｋ個の層のそれぞれの厚さを示すことを特徴とする、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記中間ユニットは、１．７〜２．５の屈折率を有し、１００Å〜１５００Åの厚さを有することを特徴とする、請求項１４に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
複数のセル領域を有する基板および前記複数のセル領域にそれぞれ対応して前記基板上に備えられ、互いに直列連結された複数の光電変換セルを含む光電変換装置において、
各光電変換セルは、
前記基板上に備えられた第１電極層；
前記第１電極層上に備えられ、第１エネルギーバンドギャップを有する第１光電変換ユニット；
前記第１エネルギーバンドギャップと異なる第２エネルギーバンドギャップを有し、前記第１光電変換ユニット上部に備えられる第２光電変換ユニット；
前記第１および第２光電変換ユニットの間に介され、前記第１光電変換ユニットよりも小さい屈折率を有する中間ユニット；および
前記第２光電変換ユニット上に備えられた第２電極層を含み、
前記中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および前記第１中間層と交互的に配置され、前記第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層を含むことを特徴とする、光電変換装置。
【請求項１７】
前記第１中間層は、前記第２中間層よりも高い電気伝導度を有し、
前記第１中間層は、前記中間ユニットの最外側にそれぞれ位置する二つの最外層からなり、前記第１および第２光電変換ユニットとそれぞれ直接的に接触されることを特徴とする、請求項１６に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記第１光電変換ユニットは、非晶質シリコンからなる第１真性シリコン層、前記第１真性シリコン層と前記基板との間に介された第１型導電層、および前記第１真性シリコン層上に備えられた第２型導電層を含み、
前記第２光電変換ユニットは、複数の結晶を含む結晶質シリコンからなる第２真性シリコン層、前記第２真性シリコン層と前記中間ユニットとの間に介された第３型導電層、および前記第２真性シリコン層上に備えられた第４型導電層を含むことを特徴とする、請求項１７に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
前記中間ユニットの屈折率（ｎａ）は、
【数２】
と定義され、
ここで、前記中間ユニットは、ｋ（２以上の整数）個の層からなり、ｎ１〜ｎｋは、前記中間ユニットに含まれたｋ個の層のそれぞれの屈折率を示し、ｄ１〜ｄｋは、前記中間ユニットに含まれたｋ個の層のそれぞれの厚さを示すことを特徴とする、請求項１６に記載の光電変換装置。
【請求項２０】
前記中間ユニットは、１．７〜２．５の屈折率を有し、１００Å〜１５００Åの厚さを有することを特徴とする、請求項１９に記載の光電変換装置。
【請求項２１】
前記第１電極層は、第１分離溝により前記セル領域単位に分離され、前記第１および第２光電変換ユニット、前記中間ユニットおよび前記第２電極層は、第２分離溝により前記セル領域単位に分離されることを特徴とする、請求項１９に記載の光電変換装置。
【請求項２２】
前記各光電変換セルには、前記第２光電変換ユニット、前記中間ユニットおよび前記第１光電変換ユニットを順次に貫通して隣接する光電変換セルの第１電極層を露出させるビアホールが形成され、
前記第２電極層は、前記ビアホールを通じて前記隣接光電変換セルの前記第１電極層に電気的に連結されることを特徴とする、請求項２１に記載の光電変換装置。
【請求項１】
基板上に備えられ、第１エネルギーバンドギャップを有する第１光電変換ユニット；
前記第１エネルギーバンドギャップと異なる第２エネルギーバンドギャップを有し、前記第１光電変換ユニット上部に備えられる第２光電変換ユニット；および
前記第１および第２光電変換ユニットの間に介され、前記第１光電変換ユニットよりも小さい屈折率を有する中間ユニットを含み、
前記中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および前記第１中間層と交互的に配置され、前記第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層を含むことを特徴とする、光電変換装置。
【請求項２】
前記第１中間層は、前記第２中間層よりも高い電気伝導度を有することを特徴とする、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第１および第２中間層は、Ｎ型またはＰ型不純物でドーピングされた層であることを特徴とする、請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１および第２中間層のそれぞれの膜内不純物濃度は、１ａｔ％以下であることを特徴とする、請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第１中間層は、前記中間ユニットの最外側にそれぞれ位置して前記第１および第２光電変換ユニットとそれぞれ直接的に接触される二つのＮ型中間層を含むことを特徴とする、請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第１光電変換ユニットは、非晶質シリコンからなる第１真性シリコン層、前記第１真性シリコン層と前記基板との間に介された第１型導電層、および前記第１真性シリコン層上に具備された第２型導電層を含み、
前記第２光電変換ユニットは、複数の結晶を含む結晶質シリコンからなる第２真性シリコン層、前記第２真性シリコン層と前記中間ユニットとの間に介された第３型導電層、および前記第２真性シリコン層上に備えられた第４型導電層を含むことを特徴とする、請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第１中間層は、前記中間ユニットの最外側にそれぞれ位置して前記第１および第２光電変換ユニットとそれぞれ直接的に接触されるＮ型中間層およびＰ型中間層を含むことを特徴とする、請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第１光電変換ユニットは、非晶質シリコンからなり、前記Ｎ型中間層と接触する第１真性シリコン層を含み、
前記第２光電変換ユニットは、複数の結晶を含む結晶質シリコンからなり、前記Ｐ型中間層と接触する第２真性シリコン層を含むことを特徴とする、請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第１および第２中間層は、ＳｉＯｘ：Ｈ、ＳｉＣｘ：Ｈ、およびＳｉＮｘ：Ｈのうちのいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第１中間層は、２．３〜３．０範囲の屈折率を有し、前記第２中間層は、１．６〜２．１範囲の屈折率を有することを特徴とする、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第１中間層は、１０−３／Ωｃｍ以上の電気伝導度を有し、前記第２中間層は、１０−４／Ωｃｍ以下の電気伝導度を有することを特徴とする、請求項１０に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記第１中間層は、１０Å〜５００Åの厚さを有し、前記第２中間層は、５０Å〜１５００Åの厚さを有することを特徴とする、請求項１０に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記第１中間層は、４０ａｔ％以下の酸素濃度を有し、前記第２中間層は、４０ａｔ％〜７０ａｔ％の酸素濃度を有することを特徴とする、請求項１０に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記中間ユニットの屈折率（ｎａ）は、
【数１】
と定義され、
ここで、前記中間ユニットは、ｋ（２以上の整数）個の層からなり、ｎ１〜ｎｋは、前記中間ユニットに含まれたｋ個の層のそれぞれの屈折率を示し、ｄ１〜ｄｋは、前記中間ユニットに含まれたｋ個の層のそれぞれの厚さを示すことを特徴とする、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記中間ユニットは、１．７〜２．５の屈折率を有し、１００Å〜１５００Åの厚さを有することを特徴とする、請求項１４に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
複数のセル領域を有する基板および前記複数のセル領域にそれぞれ対応して前記基板上に備えられ、互いに直列連結された複数の光電変換セルを含む光電変換装置において、
各光電変換セルは、
前記基板上に備えられた第１電極層；
前記第１電極層上に備えられ、第１エネルギーバンドギャップを有する第１光電変換ユニット；
前記第１エネルギーバンドギャップと異なる第２エネルギーバンドギャップを有し、前記第１光電変換ユニット上部に備えられる第２光電変換ユニット；
前記第１および第２光電変換ユニットの間に介され、前記第１光電変換ユニットよりも小さい屈折率を有する中間ユニット；および
前記第２光電変換ユニット上に備えられた第２電極層を含み、
前記中間ユニットは、第１屈折率を有する少なくとも一つの第１中間層、および前記第１中間層と交互的に配置され、前記第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有する少なくとも一つの第２中間層を含むことを特徴とする、光電変換装置。
【請求項１７】
前記第１中間層は、前記第２中間層よりも高い電気伝導度を有し、
前記第１中間層は、前記中間ユニットの最外側にそれぞれ位置する二つの最外層からなり、前記第１および第２光電変換ユニットとそれぞれ直接的に接触されることを特徴とする、請求項１６に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記第１光電変換ユニットは、非晶質シリコンからなる第１真性シリコン層、前記第１真性シリコン層と前記基板との間に介された第１型導電層、および前記第１真性シリコン層上に備えられた第２型導電層を含み、
前記第２光電変換ユニットは、複数の結晶を含む結晶質シリコンからなる第２真性シリコン層、前記第２真性シリコン層と前記中間ユニットとの間に介された第３型導電層、および前記第２真性シリコン層上に備えられた第４型導電層を含むことを特徴とする、請求項１７に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
前記中間ユニットの屈折率（ｎａ）は、
【数２】
と定義され、
ここで、前記中間ユニットは、ｋ（２以上の整数）個の層からなり、ｎ１〜ｎｋは、前記中間ユニットに含まれたｋ個の層のそれぞれの屈折率を示し、ｄ１〜ｄｋは、前記中間ユニットに含まれたｋ個の層のそれぞれの厚さを示すことを特徴とする、請求項１６に記載の光電変換装置。
【請求項２０】
前記中間ユニットは、１．７〜２．５の屈折率を有し、１００Å〜１５００Åの厚さを有することを特徴とする、請求項１９に記載の光電変換装置。
【請求項２１】
前記第１電極層は、第１分離溝により前記セル領域単位に分離され、前記第１および第２光電変換ユニット、前記中間ユニットおよび前記第２電極層は、第２分離溝により前記セル領域単位に分離されることを特徴とする、請求項１９に記載の光電変換装置。
【請求項２２】
前記各光電変換セルには、前記第２光電変換ユニット、前記中間ユニットおよび前記第１光電変換ユニットを順次に貫通して隣接する光電変換セルの第１電極層を露出させるビアホールが形成され、
前記第２電極層は、前記ビアホールを通じて前記隣接光電変換セルの前記第１電極層に電気的に連結されることを特徴とする、請求項２１に記載の光電変換装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図６Ｅ】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図６Ｅ】
【図７】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−２３５０８５（Ｐ２０１２−２３５０８５Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１６６９０（Ｐ２０１２−１６６９０）
【出願日】平成２４年１月３０日（２０１２．１．３０）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ−ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１月３０日（２０１２．１．３０）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ−ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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