説明

急速再点弧セラミック放電メタルハライドランプ

高ワット数(150W以上)セラミック放電メタルハライド(CDM)ランプの高温再点弧時間は、(a)放電管(3)の内径に対する外部バルブ(1)の直径(D2)の比率を増大することによって、或いは、(b)外部バルブを窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンのような不活性ガスで充填することによって、或いは、(a)及び(b)の両方を実施することによって減少される。(a)及び/又は(b)を(c)、即ち、放電容器(3)へのヨウ素のためのゲッタ材料の追加と組み合わせることによって、高温再点弧時間をさらに減少し得る。


【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、セラミック放電メタルハライドランプに関し、より具体的には、著しく減少された高温再点弧(hot re-strike)時間を備えるCDMランプに関する。
【背景技術】
【0002】
CDMランプは、典型的には、再点弧が起こるのを可能にする降伏電圧に達するよう十分に冷却するために、一時的な電力停止後に10〜15分を必要とする。対照的に、水晶メタルハライドランプは、典型的には、約6〜10分の範囲内の再点弧時間を示し、高圧ナトリウムランプ(HPS)は、典型的には、約1〜2分の範囲内の再点弧時間を示す。加えて、HPSランプは、電力が回復されるや否や点弧する第一の放電管と並列して、第二の非活性的な放電管を利用するときには、本質的に瞬間的な再点弧時間を示し得る。このアプローチは、より一層高い蒸気圧の故に、CDMランプでは、特に高ワット数版では、実行不能であることが分かっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明は従来技術の問題点を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明によれば、高ワット数(150W以上)CDMランプのセラミック放電容器に対する外部バルブのサイズを増大することによって、高温再点弧時間が減少されることが発見された。このサイズ差は、セラミック放電容器の内径IDに対する外部バルブの直径Dの比率であるAによってここに示される。この比率は、約5.8よりも大きくなければならず、好ましくは、少なくとも約8.7である。
【0005】
そのようなランプの外部バルブを窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、又は、キセノンの1つ又はそれよりも多くのような不活性ガスで充填することによっても高温再点弧時間が減少されることがさらに発見された。
【0006】
高温再点弧時間が上記手段の一方又は両方によって減少されるそのようなランプにおいて、Sc、Ce、又は、Naのような、ヨウ素のためのゲッタリング能力を有する金属を放電管に加えることによって、高温再点弧時間はさらに減少されることがさらに発見された。
【0007】
要約すると、高ワット数(150W以上)セラミック放電メタルハライド(CDM)ランプの高温再点弧時間は、(a)放電管の内径に対する外部バルブの直径(D)の比率を増大することによって、或いは、(b)外部バルブを窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンのような不活性ガスで充填することによって、或いは、(a)及び(b)の両方を実施することによって減少される。(a)及び/又は(b)を(c)、即ち、放電容器へのヨウ素のためのゲッタ材料の追加と組み合わせることによって、高温再点弧時間をさらに減少し得る。
【0008】
本発明の好適実施態様によれば、(a)、(b)、及び、(c)は、高ワット数(150W以上)CDMランプがもらされるよう組み合わされ、その場合には、比率Aは少なくとも12であるよう選択され、窒素ガスは、約100から500トルに圧力をもたらす量で外部バルブ内に存在するよう選択され、Sc金属は、約3.75〜6.25重量%の量で放電管の塩に加えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0009】
図1は、従来技術の高ワット数(150W以上)CDMランプを示す概略図である。ランプは、典型的には、セラミック側壁3aと、セラミック端壁3b及び3cとを有する、多結晶アルミニウム(PCA)から成る、セラミック放電容器3を備え、その容器3は内径IDを有し、イオン化充填剤を収容する放電空間11を閉じ込めている。電極4,5がプラグ6,7を通じて延在し、同様に放電容器3を支持する導体8,9からの電流を受ける。容器3は、直径D1を有し且つ一端でランプキャップ2で封止される真空外部バルブ1によって取り囲まれている。
【0010】
放電容器3のイオン化充填剤は、典型的には、Xe、Ar、又は、Krのような点火ガスを含む。イオン化充填剤は、Hg、並びに、Na、Ca、Tl、及び、Dy、Ho、Tmのような希土類のヨウ化物も含む。
【0011】
そのような従来技術のCDMランプは、米国特許第6,555,962号、6,031,332号、及び、5,973,453号に記載されており、それらの明細書の全体が参照としてここに引用される。これらのランプのための典型的な高温再点弧時間は、約10〜15分である。
【0012】
図2は、本発明の高ワット数CDMランプの1つの実施態様の概略図である。この実施態様は図1の従来技術ランプと類似しており、外部バルブ10を除き、類似の素子には同一の参照番号が付与されている。外部バルブは、D1よりも大きな直径D2によって示されているように、図1の外部バルブ1よりも大きいサイズを有する。放電容器の内径IDは不変であるので、A=D2/D1比率はD1/ID比率よりも大きい。
【0013】
図3は、7つの異なるランプ設計の様々な設計特徴に対して、高温再点弧時間を分で示す棒グラフである。ランプは、全て、真空ポンプに接続された取り外し可能な外部バルブシステム内の商業的S51型CWA安定器上で動作されるCDM400W/100Vランプであった。再点弧試験のために電力を再適用する前にランプを5秒間スイッチオフした。
【0014】
放電容器は、9.8mm×38mm(ID×IL)の標準的な寸法を備えるPCAアーク管であり、高温ガラスでPCAに封止された。放電容器はNaI、Cal、及び、希土類ヨウ化物を包含する塩混合物で荷電される。起動補助剤としてKrの少量の追加を備えるXeを点火ガスとして使用した。その外部バルブがガス充填されたランプ以外は、Hgに4.6mgを投与した。400Wの10%内までの動作を得るために、これらのランプに5〜13mgのHgを投与した。放電容器を試験前に15分間慣らした。
【0015】
一連の7つのランプ設計(1〜7が付与されている)における変数は、2つの異なる外部バルブサイズを含み、第一のものは、従来技術ランプを示し、ED18が付与され、約2 1/4インチの直径を有し、第二のものは、ED37が付与され、ED18バルブの直径のほぼ105%である約4 5/8インチの直径を有した。一部の他のバルブは真空に保たれたのに対し、他は300トルの圧力まで窒素で充填された。真空含有ランプはバリウムリングゲッタを有したのに対し、ガス充填ランプは固体状態ゲッタを有した。一部の放電容器には塩の5重量%に対応する2mgのスカンジウム金属を投与した。
【0016】
図3は、異なる変数が単独或いは異なる組み合わせのいずれかで導入されたときの高温再点弧時間における漸進的な減少を示している。棒1は、ランプ1、即ち、真空に保たれたED18外部バルブを有し且つ12.2分の高温再点弧時間を有する従来技術ランプの高温再点弧時間を示している。棒2は、ランプ2の高温再点弧時間を示しており、それはED18外部バルブをより大きなED37外部バルブと置換することによって変更されたランプ1であり、その結果、高温再点弧時間は11.7分まで減少された。棒3は、ランプ3の高温再点弧時間を示しており、それは外部バルブを窒素で充填することによって変更されたランプ1であり、その結果、高温再点弧時間は8.2分まで減少された。棒4は、ランプ4の高温再点弧時間を示しており、それはより大きなED37外部バルブを窒素充填剤と組み合わせることによって変更されたランプ1であり、その結果、高温再点弧時間は7.4分まで減少された。棒5は、ランプ5の高温再点弧時間を示しており、それはより大きなED37外部バルブを放電容器へのScの追加と組み合わせることによって変更されたランプ1であり、その結果、高温再点弧時間は6.7分まで減少された。棒6は、ランプ6の高温再点弧時間を示しており、それは窒素充填剤とScの追加とを組み合わせることによって変更されたランプ1であり、その結果、高温再点弧時間は6.4分まで減少された。棒7は、ランプ7の高温再点弧時間を示しており、それはより大きなED37外部バルブ、窒素充填剤、及び、Scの追加を組み合わせることによって変更されたランプ1であり、その結果、高温再点弧時間は4.2分まで減少された。
【0017】
これらの結果は、より大きなサイズの外被、及び、外被のガス充填の2つの設計特徴が、それぞれ高温再点弧時間の減少(それぞれ11.7分及び8.2分へ)をもたらすのに対し、これらの特徴の組み合わせが、さらなる減少(7.4分へ)をもたらし、これらの特徴のいずれかとScの追加との組み合わせが、さらなる減少(それぞれ6.7分及び6.4分へ)をもたらし、すべての3つの特徴の組み合わせが最大の減少(4.2分へ)をもたらすことを示している。
【0018】
ガス充填のみがバルブサイズの増大のみよりも幾分より大きな効果を有し、その結果、ランプ2のための12.2〜11.7分への或いは4%の減少に対し、ランプ3のための12.2〜8.2分への或いは32%の高温再点弧時間の減少をもたらすことも分かる。この効果は、より大きな外部バルブ及びScの両方を有するランプ5及び7のための高温再点弧時間を比較することによっても見られる。ガス充填剤の追加は、ランプ5のための6.7分からランプ7のための4.2分への高温再点弧時間の減少、ほぼ37%の減少をもたらす。
【0019】
図4は、ガス充填されたED37外部バルブ、並びに、1mg、2mg、及び、4mgのスカンジウム金属をそれぞれ含有する本発明のCDM400WランプのためのSc投与量をmgで示すのに対して、高温再点弧時間を分で示す棒グラフである。8〜10が付与されたランプは、上記に記載されたランプ1〜7と同様に高温再点弧時間のために構成され且つ試験された。図4は、高温再点弧時間が、1mgのScを備えるランプ8のための7.1分から4mgのScを備えるランプ10のための3.8分まで異なる。
【0020】
これらの結果を、ガス充填されたED37外被を有するがScを含有しないランプ4のための7.4分の高温再点弧時間と比較し得る。ランプ8はランプ4に対して約4%の改良を示したが、さらなる試験は不一致な結果を示した。ランプ9は、ランプ4に対して約43%のより一層大きな改良を示し、ランプ10は、約10%のより一層大きな改良を示した。しかしながら、ランプ10内のより大きな量のScは、2の因数だけランプ電圧を減少し、よって、10mgよりも多くのHgが加えられることを必要とする。
【0021】
これらの並びに他の考慮に基づけば、少なくとも約1.5mgの、且つ、約2.5以下の量のScを加えることが好ましく、約1.5よりも下では、高温再点弧時間の改良は僅か若しくは不一致になり、約2.5よりも上では、さらなる改良が得られるが、ランプ電圧の著しい降下を伴う傾向がある。
【0022】
ランプの冷却中に過剰なヨウ素を取り上げ、よって、再点弧が起こるために十分に低い降伏電圧に達する時間を減少するために、ヨウ素ゲッタが金属として加えられることが重要である。
【0023】
本発明を定めるために依存しないが、理論は、ランプ冷却中に、極めて陰性のIイオンが形成し、ランプが再点弧するために必要な自由電子の放電空間を激減することを提案する。もし過剰なHgが存在するならば、それはHgIを形成することによって過剰なヨウ化物を除去し得る。しかしながら、HgIは比較的低い温度で形成し、熱い放電ガスから凝縮する。Scのようなゲッタ金属の追加は、ScIの優先的な形成をもたらし、それは過剰なヨウ化物をより迅速に除去する。何故ならば、それはHgIよりの高い温度で形成し、熱い放電ガスを凝縮するからである。ここに示される実施態様及び実施例は、本発明及びその実際的な用途を説明し、それによって、当業者が本発明を製造し利用することを可能にするために示されている。しかしながら、当業者は前記の記載及び実施例が例証及び例のみの目的のために示されていることを認識するであろう。本発明の他の実施態様、実施態様の変更、及び、均等物、並びに、他の特徴、目的、及び、利点は、当業者に明らかであろう。よって、本発明の原理を図面、記載、及び、添付の実施態様の研究から得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】従来技術の高ワット数CDMランプの1つの実施態様を示す概略図である。
【図2】本発明の高ワット数CDMランプの1つの実施態様を示す概略図である。
【図3】従来技術の高ワット数CDMランプ及び高ワット数CDMランプの様々な実施態様の設計特徴に対して高温再点弧時間を分で示す棒グラフである。
【図4】本発明の高ワット数CDMランプの1つの実施態様のSc投与量をミリグラムで示すのに対して高温再点弧時間を分で示す棒グラフである。
【符号の説明】
【0025】
1 外部バルブ
2 ランプキャップ
3 放電容器
3a 側壁
3b 端壁
3c 端壁
4,5 電極
6,7 プラグ
8,9 導体
10 外部バルブ
11 放電空間

【特許請求の範囲】
【請求項1】
側壁と端壁とを有するセラミック放電容器を含み、該セラミック放電容器は、塩を含む充填剤を収容する放電空間を取り囲み、前記充填剤は、印可電圧の影響下でガス放電を維持可能であり、
前記端壁を通じて前記放電空間に延びる一対の電極を含み、
前記電極に電流を供給するための並びに前記セラミック放電容器を支持するための一対の導体を含み、
前記セラミック放電容器、前記電極、及び、前記導体を取り囲む外部バルブを含み、
前記外部バルブを封止するための並びに外部電源から前記導体への貫通接続をもたらすためのエンドキャップを含む、
高ワット数セラミック放電メタルハライドランプであって、
前記セラミック放電容器の内径に対する前記外部バルブの直径の比率は、5.8よりも大きいことを特徴とする、
高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項2】
前記セラミック放電容器の内径に対する前記外部バルブの直径の比率は、少なくとも8.7である、請求項1に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項3】
前記セラミック放電容器の内径に対する前記外部バルブの直径の比率は、少なくとの12である、請求項1に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項4】
不活性ガスが前記外部バルブ内に存在する、請求項1に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項5】
前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、及び、キセノンから成る群から選択される1つ又はそれよりも多くのガスである、請求項4に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項6】
前記不活性ガスは、窒素である、請求項5に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項7】
前記窒素は、約100〜500トルの範囲内の圧力で前記外部バルブ内に存在する、請求項6に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項8】
ヨウ素のためのゲッタ材料が、前記放電容器内に存在する、請求項1に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項9】
前記ゲッタ材料は、Sc、Ce、及び、Naから成る群から選択される、請求項8に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項10】
前記ゲッタ材料は、Scである、請求項9に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項11】
前記スカンジウムは、前記塩の約3.75〜6.25重量%の量で前記放電容器内に存在する、請求項10に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項12】
前記スカンジウムは、前記塩の約5重量%の量で前記放電容器内に存在する、請求項11に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項13】
前記スカンジウムは、前記放電容器内に存在する、請求項7に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項14】
前記スカンジウムは、前記塩の約3.75〜6.25重量%の量で前記放電容器内に存在する、請求項13に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項15】
前記スカンジウムは、前記塩の約5重量%の量で前記放電容器内に存在する、請求項14に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項16】
側壁と端壁とを有するセラミック放電容器を含み、該セラミック放電容器は、塩を含む充填剤を収容する放電空間を取り囲み、前記充填剤は、印可電圧の影響下でガス放電を維持可能であり、
前記端壁を通じて前記放電空間に延びる一対の電極を含み、
前記電極に電流を供給するための並びに前記セラミック放電容器を支持するための一対の導体を含み、
前記セラミック放電容器、前記電極、及び、前記導体を取り囲む外部バルブ(1)を含み、
前記外部バルブを封止するための並びに外部電源から前記導体への貫通接続をもたらすためのエンドキャップを含む、
高ワット数セラミック放電メタルハライドランプであって、
不活性ガスが、前記外部バルブ内に存在することを特徴とする、
高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項17】
前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、及び、キセノンから成る群から選択される1つ又はそれよりも多くのガスである、請求項16に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項18】
前記不活性ガスは、窒素である、請求項17に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項19】
前記窒素は、約100〜500トルの範囲内の圧力で前記外部バルブ内に存在する、請求項18に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項20】
前記セラミック放電容器の内径に対する前記外部バルブの直径の比率は、5.8よりも大きい、請求項16に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項21】
前記セラミック放電容器の内径に対する前記外部バルブの直径の比率は、少なくとも8.7である、請求項20に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項22】
前記セラミック放電容器の内径に対する前記外部バルブの直径の比率は、少なくとの12である、請求項21に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項23】
ヨウ素のためのゲッタ材料が、前記放電容器内に存在する、請求項16に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項24】
前記ゲッタ材料は、Sc、Ce、及び、Naから成る群から選択される、請求項23に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項25】
前記ゲッタ材料は、スカンジウムである、請求項24に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項26】
前記スカンジウムは、前記塩の約3.75〜6.25重量%の量で前記放電容器内に存在する、請求項25に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項27】
前記スカンジウムは、前記塩の約5重量%の量で前記放電容器内に存在する、請求項26に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項28】
前記スカンジウムは、前記放電容器内に存在する、請求項20に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項29】
前記スカンジウムは、前記塩の約3.75〜6.25重量%の量で前記放電容器内に存在する、請求項28に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。
【請求項30】
前記スカンジウムは、前記塩の約5重量%の量で前記放電容器内に存在する、請求項29に記載の高ワット数セラミック放電メタルハライドランプ。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【公表番号】特表2008−521194(P2008−521194A)
【公表日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−542434(P2007−542434)
【出願日】平成17年11月18日(2005.11.18)
【国際出願番号】PCT/IB2005/053817
【国際公開番号】WO2006/054264
【国際公開日】平成18年5月26日(2006.5.26)
【出願人】(590000248)コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ (12,071)
【Fターム(参考)】