湿式処理装置
【課題】帯状基板の上面の一部の変色等、処理異常が発生を防止し、帯状基板の処理工程の歩留まりを向上させることを低減することができる湿式処理装置を提供する。
【解決手段】帯状基板２上の表面処理をするための処理液体３ａを貯留するとともに、帯状基板２の搬入口６と、帯状基板２の搬出口７と、搬入口６と搬出口７の間で、かつ処理液体３ａの液中に配置された移送ローラ１１と、を有する処理槽４を有する湿式処理装置１において、移送ローラ１１と搬出口７の間で、かつ帯状基板２の上部に配置され、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂを噴出する噴出パイプを有することを特徴とする湿式処理装置。
【解決手段】帯状基板２上の表面処理をするための処理液体３ａを貯留するとともに、帯状基板２の搬入口６と、帯状基板２の搬出口７と、搬入口６と搬出口７の間で、かつ処理液体３ａの液中に配置された移送ローラ１１と、を有する処理槽４を有する湿式処理装置１において、移送ローラ１１と搬出口７の間で、かつ帯状基板２の上部に配置され、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂを噴出する噴出パイプを有することを特徴とする湿式処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルムをはじめとする帯状基板等、被めっき材の表面を液体にてそのフィルム表面の処理を施す、または、めっき処理を施す湿式処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の湿式処理装置の構成は以下のようになっていた。
すなわち、帯状基板上の表面処理をするための処理液体を貯留するとともに、前記帯状基板の搬入口と、前記帯状基板の搬出口と、前記搬入口と前記搬出口の間で、かつ前記処理液体の液中に配置された移送ローラとを有するものとなっていた（例えば、これに類似する技術は下記特許文献１や下記特許文献２に記載されている）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１６２１２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記従来例における課題は、帯状基板が処理槽で湿式処理（たとえば無電界めっき）後に、処理槽内の処理液体より引き上げられた際、帯状基板の上面に処理液が残存し、そのことによって、帯状基板の上面に一部に変色等、処理異常が発生していた。
すなわち、上記従来例においては帯状基板の上面に一部に変色等、処理異常のため、この帯状基板の処理工程の歩留まりが悪化していた。
【０００５】
そこで、本発明は、帯状基板の上面に残存した処理液を落とすことによって、帯状基板の処理工程の歩留まりを向上させることを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そしてこの目的を達成するために本発明は、帯状基板上の表面処理をするための処理液体を貯留するとともに、前記帯状基板の搬入口と、前記帯状基板の搬出口と、前記搬入口と前記搬出口の間で、かつ前記処理液体の液中に配置された移送ローラと、を有する処理槽を有する湿式処理装置において、前記移送ローラと前記搬出口の間で、かつ前記帯状基板の上部に配置され、前記処理液体と同一種類の液体を噴出する噴出パイプを有する、ことを特徴とする湿式処理装置。これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【０００７】
以上のように本発明は、前記移送ローラと前記搬出口の間で、かつ前記帯状基板の上部に配置され、前記処理液体と同一種類の液体を噴出する噴出パイプを設けることによって、帯状基板の上面に残存した処理液を落とすことができる。
【０００８】
すなわち、本発明においては、前記移送ローラと前記搬出口の間で、かつ前記帯状基板の上部に配置され、前記処理液体と同一種類の液体を噴出する噴出パイプを設けることによって、帯状基板の上面に残存した処理液を落とすことができ、帯状基板の上面の一部の変色等、処理異常が発生を防止することができたので、その結果として、帯状基板の処理工程の歩留まりを向上させることができるのである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る湿式処理装置の構成を示す斜視図
【図２】図１の破線Ｂ−Ｂの断面図
【図３】本発明の一実施形態に係る湿式処理装置を用いた表面処理システムで製造する金属薄膜基板の構成図
【図４】本発明の一実施形態に係る湿式処理装置を用いた表面処理システムの構成図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に述べる実施形態は、本発明を限定するものではない。
【００１１】
〔１〕実施の形態１
［湿式処理装置の構成］
図１は本実施形態の湿式処理装置１の構成を示す斜視図を示すものである。また、図２は、図１の破線Ｂ−Ｂの断面図を示すものである。なお、図１、図２の矢印Ａは、帯状基板２が移動する方向（すなわち、搬入や搬出される方向）を示すものである。
【００１２】
図１、図２に示すように、湿式処理装置１は、帯状基板２上の表面処理をするための処理液体３ａを貯留する処理槽４を配置している。また、処理槽４は、帯状基板２が搬入される側の壁面である搬入側壁面５に搬入口６と、帯状基板２が搬入される側の壁面である搬出側壁面７に搬出口８を配置している。
【００１３】
また、搬入口６の外側には、帯状基板２を矢印Ａの方向に搬入する搬入ローラ９、及び、搬出口８の処理槽５の外側には、帯状基板２を矢印Ａの方向に搬出するための搬出ローラ１０、処理槽４内の処理液体３ａの液中に、帯状基板２を移送させるための移送ローラ１１を配置している。
【００１４】
また、図１、図２に示すように、搬入口６、移送ローラ１１、搬出口８が一直線上に配置していないのは、帯状基板２が処理槽４内部の処理液体３ａ中に滞在する時間（すなわち、帯状基板２の処理時間）を稼ぎ、湿式処理装置１をより小型にする事により、後述する湿式処理装置１を用いた表面処理システム１３（後述の図３）の設置面積を狭くし、設備投資に対する生産効率を上げるためである。
【００１５】
そこで、移送ローラ１１と搬出口８の間で、かつ帯状基板２の上部に配置され、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂを噴出する噴出パイプ１２を配置している。
【００１６】
ここで、本実施形態においては、この噴出パイプ１２から噴出される処理液体３ａと同一種類の液体３ｂの濃度は、処理液体３ａの濃度は１０％薄いものを用いた。また、本実施形態においては、この噴出パイプ１２から噴出される処理液体３ａと同一種類の液体３ｂの温度は、処理液体３ａの温度と同一の温度のものを用いた。
【００１７】
このような構成にすることによって、噴出パイプ１２を、移送ローラ１１と搬出口８の間で、かつ帯状基板２の上部に配置し、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂを噴出することによって、帯状基板２の上面に残存した処理液を落とすことができ、その結果として、帯状基板の処理工程の歩留まりを向上させることを低減することができる。
【００１８】
また、実施形態における処理液体３ａと、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂの温度は同一のものを用い、濃度は異なるものを用いたが、処理槽４と噴出パイプ１２との間に循環装置を設置することによって、処理液体３ａを循環させて噴出パイプ１２から噴出させる（すなわち、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂとを全く同一とする）としてもよい。このように、理液体３ａを循環させて噴出パイプ１２から噴出させることによって、処理槽４内部の処理液体３ａの濃度、温度等の状態をより安定化させることができ、その結果、湿式処理装置１をもちいた製造工程の管理がより容易にすることが出来る。
【００１９】
また、処理液体と同一種類の液体３ｂが、帯状基板２が処理液体２の液面から出る境界線（図１中のＣ−Ｃ線、図２のＣに相当）に噴出されることがより好ましい。
ここで、この湿式処理装置１による液体処理の例としては、（１）帯状基板２上のアルカリ処理、（２）帯状基板２上の湿式めっき法によるニッケルリン（Ｎｉ−Ｐ）薄膜の形成等、様々な液体処理に適応可能である。
【００２０】
また、この湿式処理装置１で使用される処理液体３ａとしては、用途（液体処理の種類）に応じて選択される。例えば、前述（１）帯状基板２上のアルカリ処理の場合は、アルカリ水溶液（水酸化カリウム等）を用い、（２）帯状基板３上の湿式めっき法によるニッケルリン（Ｎｉ−Ｐ）薄膜の形成の場合は無電界ニッケルリンめっき液を用いればよい。
【００２１】
また、帯状基板２は、特に限定されず、例えば、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＴＥＲＥＰＨＴＨＡＬＡＴＥ、略称ＰＥＴ）、樹脂シート等が挙げられる。
【００２２】
また、本実施形態においては、搬入ローラ９と搬出ローラ１０は、処理槽４の外側に配置しているが、搬入ローラ９と搬出ローラ１０は、処理槽４の内側に設置してもよい。
【００２３】
［実施例：湿式処理装置を用いた表面処理システム］
図３は、実施の形態１における湿式処理装置を用いた表面処理システムで製造する金属薄膜基板の構成図を示すものである。本実施形態におけるは帯状基板２として帯状のポリイミド基板１４を用いた。なお、本実施の形態においては、金属薄膜版１５は、ポリイミド基板１４の両面に表面処理層１６を形成し、更に、表面処理層１６上（両面）にニッケルリン（ＮＩ−Ｐ）層１７を形成している。
図４は、実施の形態１における湿式処理装置を用いた表面処理システムの構成図を示すものである。
【００２４】
ロール状に巻かれた巻出しロール１８から搬出された帯状のポリイミド基板１４が、脱脂槽１９、アルカリ処理槽２０、触媒槽２１、還元槽２２、無電界ニッケルリンめっき槽２３、乾燥槽２４にて処理を施され、図３に示す金属薄膜基板１５が形成される。その後、この金属薄膜基板１５は、巻取りロール２５にロール状に巻き取られる。
【００２５】
ここで、洗浄槽２６は、前述の脱脂槽１９、アルカリ処理槽２０、触媒槽２１、還元槽２２、無電界ニッケルリンめっき槽２３、乾燥槽２４の間に配置され、それぞれのところで、ポリイミド基板１４の表面を純水にて洗浄する工程である。
【００２６】
また、図４中のＳ１は前処理工程、Ｓ２は表面処理層形成工程、Ｓ３はニッケルリン層形成工程、Ｓ４は乾燥工程を示し、それぞれ液体処理に関しては、後述する。
【００２７】
また、本実施の形態１において、図１に示す湿式処理装置は、図３中の無電界ニッケルリンめっき槽２３に用いられている。
【００２８】
以上が実施の形態１における湿式処理装置を用いた表面処理システム１３の構成である。なお、本実施の形態においては、図３に示すように、ポリイミド基板１４帯状基板３に相当）の両面に薄膜形成（液体処理した場合に相当）を行なった例を示している。
【００２９】
それでは、以下に、図４中のＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４に関して説明する。
【００３０】
（Ｓ１：前処理工程）
ステップＳ１においては、脱脂槽１９にてポリイミド基板１４表面（本実施の形態においては両面）に付着している異物及び油分などを除去する。
【００３１】
（Ｓ２：表面処理工程）
次に、ポリイミド基板１４の表面処理を行い、そのポリイミド基板１４上に表面処理層を形成する。まず、ポリイミド基板１４の表面を、アルカリ処理槽２０にて、アルカリ性水溶液にポリイミド基板１５の表面を浸ける。このアルカリ処理槽２０によって、ポリイミド基板２表面のイミド環がアルカリ加水分解し、カルボン酸が生成される。
【００３２】
その後、ポリイミド基板１４を、触媒槽２１に貯留された金属触媒を含む水溶液に浸漬させる。ニッケルリンめっきの触媒となり得るものならどのような触媒を用いても良いが、特にパラジウム触媒が好ましく用いられる。触媒付与工程における触媒の濃度、処理時間、温度等の諸条件は、適宜変更可能である。このことにより、触媒が、ポリイミド基板１５の表面に付与される。
【００３３】
さらに、ポリイミド基板１４を、還元槽２２に貯留された、ポリイミド基板１４の表面に付与された金属触媒を還元させる還元剤に浸漬させる。このことにより、アルカリ処理層に付与された触媒が還元される。還元処理溶液における還元剤の濃度、処理時間、温度等の諸条件は適宜変更可能である。
【００３４】
以上のように、この表面処理工程によって、表面処理層１６が形成される。
【００３５】
（Ｓ３：ニッケルリン層形成工程）
次に、ポリイミド基板１４上（両面）の表面処理層１６上（両面）に、無電界めっき法によってニッケルリン層１７を形成する。
【００３６】
以上のように、このニッケルリン形成工程によって、ニッケルリン層１７が形成される。
【００３７】
（Ｓ４：乾燥工程）
次に、ポリイミド基板１４上（両面）の表面処理層１６上（両面）にニッケルリン層１７（両面）に形成された金属薄膜基板１４（Ｓ３後のポリイミド基板１５に相当）を、乾燥槽２４にて、金属薄膜基板１４（Ｓ３後のポリイミド基板１５に相当）上の水分を除去する（すなわち乾燥させる）。本実施の形態においての乾燥条件は、乾燥槽２４の内部の温度（乾燥温度）を１２０℃、乾燥時間を２分とした。
【００３８】
この乾燥工程が必要な理由は、金属薄膜基板１４（Ｓ３後のポリイミド基板１５に相当）を巻取りロール２５にてロール状に巻き取るため、表面に水分が残っている場合は、その後の工程（例えば、金属薄膜基板１４上に、銅薄膜を形成する工程）にて、ロール上の金属薄膜基板１４（Ｓ３後のポリイミド基板１５に相当）が、帯状にするのを困難になることを防止するためと、更に、ニッケルリン層１７の表面の酸化防止のためである。
【００３９】
以上が本発明の一実施形態である湿式処理装置１を用いた表面処理システム１３の一実施例である。
【００４０】
本発明は、移送ローラ１１と搬出口８の間で、かつ帯状基板２の上部に配置され、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂを噴出する噴出パイプを設けることによって、帯状基板の上面に残存した処理液を落とすことができる。
【００４１】
すなわち、本発明においては、移送ローラ１１と搬出口８の間で、かつ帯状基板２の上部に配置され、前記処理液体と同一種類の液体を噴出する噴出パイプを設けることによって、帯状基板の上面に残存した処理液を落とすことができ、帯状基板の上面の一部の変色等、処理異常が発生を防止することができるので、その結果として、帯状基板の処理工程の歩留まりを向上させることができるのである。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の積層板の製造方法によれば、湿式処理装置、たとえば、携帯電話等、電子機器に用いられるフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を製造するための湿式めっき装置等に有用である。
【符号の説明】
【００４３】
１ 湿式処理装置
２ 帯状基板
３ａ 処理液体、３ｂ 処理液体３ａと同一の液体
４ 処理槽
５ 搬入側壁面
６ 搬入口
７ 搬出側壁面
８ 搬出口
９ 搬入ローラ
１０ 搬出ローラ
１１ 移送ローラ
１２ 噴出パイプ
１３ 表面処理システム
１４ ポリイミド基板
１５ 金属薄膜基板
１６ 表面処理層
１７ ニッケルリン層
１８ ロール
１９ 脱脂槽
２０ 第一のアルカリ処理槽
２１ 触媒槽
２２ 還元槽
２３ 無電界ニッケルリンめっき槽
２４ 乾燥槽
２５ ロール
２６ 洗浄層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルムをはじめとする帯状基板等、被めっき材の表面を液体にてそのフィルム表面の処理を施す、または、めっき処理を施す湿式処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の湿式処理装置の構成は以下のようになっていた。
すなわち、帯状基板上の表面処理をするための処理液体を貯留するとともに、前記帯状基板の搬入口と、前記帯状基板の搬出口と、前記搬入口と前記搬出口の間で、かつ前記処理液体の液中に配置された移送ローラとを有するものとなっていた（例えば、これに類似する技術は下記特許文献１や下記特許文献２に記載されている）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１６２１２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記従来例における課題は、帯状基板が処理槽で湿式処理（たとえば無電界めっき）後に、処理槽内の処理液体より引き上げられた際、帯状基板の上面に処理液が残存し、そのことによって、帯状基板の上面に一部に変色等、処理異常が発生していた。
すなわち、上記従来例においては帯状基板の上面に一部に変色等、処理異常のため、この帯状基板の処理工程の歩留まりが悪化していた。
【０００５】
そこで、本発明は、帯状基板の上面に残存した処理液を落とすことによって、帯状基板の処理工程の歩留まりを向上させることを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そしてこの目的を達成するために本発明は、帯状基板上の表面処理をするための処理液体を貯留するとともに、前記帯状基板の搬入口と、前記帯状基板の搬出口と、前記搬入口と前記搬出口の間で、かつ前記処理液体の液中に配置された移送ローラと、を有する処理槽を有する湿式処理装置において、前記移送ローラと前記搬出口の間で、かつ前記帯状基板の上部に配置され、前記処理液体と同一種類の液体を噴出する噴出パイプを有する、ことを特徴とする湿式処理装置。これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【０００７】
以上のように本発明は、前記移送ローラと前記搬出口の間で、かつ前記帯状基板の上部に配置され、前記処理液体と同一種類の液体を噴出する噴出パイプを設けることによって、帯状基板の上面に残存した処理液を落とすことができる。
【０００８】
すなわち、本発明においては、前記移送ローラと前記搬出口の間で、かつ前記帯状基板の上部に配置され、前記処理液体と同一種類の液体を噴出する噴出パイプを設けることによって、帯状基板の上面に残存した処理液を落とすことができ、帯状基板の上面の一部の変色等、処理異常が発生を防止することができたので、その結果として、帯状基板の処理工程の歩留まりを向上させることができるのである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る湿式処理装置の構成を示す斜視図
【図２】図１の破線Ｂ−Ｂの断面図
【図３】本発明の一実施形態に係る湿式処理装置を用いた表面処理システムで製造する金属薄膜基板の構成図
【図４】本発明の一実施形態に係る湿式処理装置を用いた表面処理システムの構成図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に述べる実施形態は、本発明を限定するものではない。
【００１１】
〔１〕実施の形態１
［湿式処理装置の構成］
図１は本実施形態の湿式処理装置１の構成を示す斜視図を示すものである。また、図２は、図１の破線Ｂ−Ｂの断面図を示すものである。なお、図１、図２の矢印Ａは、帯状基板２が移動する方向（すなわち、搬入や搬出される方向）を示すものである。
【００１２】
図１、図２に示すように、湿式処理装置１は、帯状基板２上の表面処理をするための処理液体３ａを貯留する処理槽４を配置している。また、処理槽４は、帯状基板２が搬入される側の壁面である搬入側壁面５に搬入口６と、帯状基板２が搬入される側の壁面である搬出側壁面７に搬出口８を配置している。
【００１３】
また、搬入口６の外側には、帯状基板２を矢印Ａの方向に搬入する搬入ローラ９、及び、搬出口８の処理槽５の外側には、帯状基板２を矢印Ａの方向に搬出するための搬出ローラ１０、処理槽４内の処理液体３ａの液中に、帯状基板２を移送させるための移送ローラ１１を配置している。
【００１４】
また、図１、図２に示すように、搬入口６、移送ローラ１１、搬出口８が一直線上に配置していないのは、帯状基板２が処理槽４内部の処理液体３ａ中に滞在する時間（すなわち、帯状基板２の処理時間）を稼ぎ、湿式処理装置１をより小型にする事により、後述する湿式処理装置１を用いた表面処理システム１３（後述の図３）の設置面積を狭くし、設備投資に対する生産効率を上げるためである。
【００１５】
そこで、移送ローラ１１と搬出口８の間で、かつ帯状基板２の上部に配置され、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂを噴出する噴出パイプ１２を配置している。
【００１６】
ここで、本実施形態においては、この噴出パイプ１２から噴出される処理液体３ａと同一種類の液体３ｂの濃度は、処理液体３ａの濃度は１０％薄いものを用いた。また、本実施形態においては、この噴出パイプ１２から噴出される処理液体３ａと同一種類の液体３ｂの温度は、処理液体３ａの温度と同一の温度のものを用いた。
【００１７】
このような構成にすることによって、噴出パイプ１２を、移送ローラ１１と搬出口８の間で、かつ帯状基板２の上部に配置し、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂを噴出することによって、帯状基板２の上面に残存した処理液を落とすことができ、その結果として、帯状基板の処理工程の歩留まりを向上させることを低減することができる。
【００１８】
また、実施形態における処理液体３ａと、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂの温度は同一のものを用い、濃度は異なるものを用いたが、処理槽４と噴出パイプ１２との間に循環装置を設置することによって、処理液体３ａを循環させて噴出パイプ１２から噴出させる（すなわち、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂとを全く同一とする）としてもよい。このように、理液体３ａを循環させて噴出パイプ１２から噴出させることによって、処理槽４内部の処理液体３ａの濃度、温度等の状態をより安定化させることができ、その結果、湿式処理装置１をもちいた製造工程の管理がより容易にすることが出来る。
【００１９】
また、処理液体と同一種類の液体３ｂが、帯状基板２が処理液体２の液面から出る境界線（図１中のＣ−Ｃ線、図２のＣに相当）に噴出されることがより好ましい。
ここで、この湿式処理装置１による液体処理の例としては、（１）帯状基板２上のアルカリ処理、（２）帯状基板２上の湿式めっき法によるニッケルリン（Ｎｉ−Ｐ）薄膜の形成等、様々な液体処理に適応可能である。
【００２０】
また、この湿式処理装置１で使用される処理液体３ａとしては、用途（液体処理の種類）に応じて選択される。例えば、前述（１）帯状基板２上のアルカリ処理の場合は、アルカリ水溶液（水酸化カリウム等）を用い、（２）帯状基板３上の湿式めっき法によるニッケルリン（Ｎｉ−Ｐ）薄膜の形成の場合は無電界ニッケルリンめっき液を用いればよい。
【００２１】
また、帯状基板２は、特に限定されず、例えば、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＴＥＲＥＰＨＴＨＡＬＡＴＥ、略称ＰＥＴ）、樹脂シート等が挙げられる。
【００２２】
また、本実施形態においては、搬入ローラ９と搬出ローラ１０は、処理槽４の外側に配置しているが、搬入ローラ９と搬出ローラ１０は、処理槽４の内側に設置してもよい。
【００２３】
［実施例：湿式処理装置を用いた表面処理システム］
図３は、実施の形態１における湿式処理装置を用いた表面処理システムで製造する金属薄膜基板の構成図を示すものである。本実施形態におけるは帯状基板２として帯状のポリイミド基板１４を用いた。なお、本実施の形態においては、金属薄膜版１５は、ポリイミド基板１４の両面に表面処理層１６を形成し、更に、表面処理層１６上（両面）にニッケルリン（ＮＩ−Ｐ）層１７を形成している。
図４は、実施の形態１における湿式処理装置を用いた表面処理システムの構成図を示すものである。
【００２４】
ロール状に巻かれた巻出しロール１８から搬出された帯状のポリイミド基板１４が、脱脂槽１９、アルカリ処理槽２０、触媒槽２１、還元槽２２、無電界ニッケルリンめっき槽２３、乾燥槽２４にて処理を施され、図３に示す金属薄膜基板１５が形成される。その後、この金属薄膜基板１５は、巻取りロール２５にロール状に巻き取られる。
【００２５】
ここで、洗浄槽２６は、前述の脱脂槽１９、アルカリ処理槽２０、触媒槽２１、還元槽２２、無電界ニッケルリンめっき槽２３、乾燥槽２４の間に配置され、それぞれのところで、ポリイミド基板１４の表面を純水にて洗浄する工程である。
【００２６】
また、図４中のＳ１は前処理工程、Ｓ２は表面処理層形成工程、Ｓ３はニッケルリン層形成工程、Ｓ４は乾燥工程を示し、それぞれ液体処理に関しては、後述する。
【００２７】
また、本実施の形態１において、図１に示す湿式処理装置は、図３中の無電界ニッケルリンめっき槽２３に用いられている。
【００２８】
以上が実施の形態１における湿式処理装置を用いた表面処理システム１３の構成である。なお、本実施の形態においては、図３に示すように、ポリイミド基板１４帯状基板３に相当）の両面に薄膜形成（液体処理した場合に相当）を行なった例を示している。
【００２９】
それでは、以下に、図４中のＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４に関して説明する。
【００３０】
（Ｓ１：前処理工程）
ステップＳ１においては、脱脂槽１９にてポリイミド基板１４表面（本実施の形態においては両面）に付着している異物及び油分などを除去する。
【００３１】
（Ｓ２：表面処理工程）
次に、ポリイミド基板１４の表面処理を行い、そのポリイミド基板１４上に表面処理層を形成する。まず、ポリイミド基板１４の表面を、アルカリ処理槽２０にて、アルカリ性水溶液にポリイミド基板１５の表面を浸ける。このアルカリ処理槽２０によって、ポリイミド基板２表面のイミド環がアルカリ加水分解し、カルボン酸が生成される。
【００３２】
その後、ポリイミド基板１４を、触媒槽２１に貯留された金属触媒を含む水溶液に浸漬させる。ニッケルリンめっきの触媒となり得るものならどのような触媒を用いても良いが、特にパラジウム触媒が好ましく用いられる。触媒付与工程における触媒の濃度、処理時間、温度等の諸条件は、適宜変更可能である。このことにより、触媒が、ポリイミド基板１５の表面に付与される。
【００３３】
さらに、ポリイミド基板１４を、還元槽２２に貯留された、ポリイミド基板１４の表面に付与された金属触媒を還元させる還元剤に浸漬させる。このことにより、アルカリ処理層に付与された触媒が還元される。還元処理溶液における還元剤の濃度、処理時間、温度等の諸条件は適宜変更可能である。
【００３４】
以上のように、この表面処理工程によって、表面処理層１６が形成される。
【００３５】
（Ｓ３：ニッケルリン層形成工程）
次に、ポリイミド基板１４上（両面）の表面処理層１６上（両面）に、無電界めっき法によってニッケルリン層１７を形成する。
【００３６】
以上のように、このニッケルリン形成工程によって、ニッケルリン層１７が形成される。
【００３７】
（Ｓ４：乾燥工程）
次に、ポリイミド基板１４上（両面）の表面処理層１６上（両面）にニッケルリン層１７（両面）に形成された金属薄膜基板１４（Ｓ３後のポリイミド基板１５に相当）を、乾燥槽２４にて、金属薄膜基板１４（Ｓ３後のポリイミド基板１５に相当）上の水分を除去する（すなわち乾燥させる）。本実施の形態においての乾燥条件は、乾燥槽２４の内部の温度（乾燥温度）を１２０℃、乾燥時間を２分とした。
【００３８】
この乾燥工程が必要な理由は、金属薄膜基板１４（Ｓ３後のポリイミド基板１５に相当）を巻取りロール２５にてロール状に巻き取るため、表面に水分が残っている場合は、その後の工程（例えば、金属薄膜基板１４上に、銅薄膜を形成する工程）にて、ロール上の金属薄膜基板１４（Ｓ３後のポリイミド基板１５に相当）が、帯状にするのを困難になることを防止するためと、更に、ニッケルリン層１７の表面の酸化防止のためである。
【００３９】
以上が本発明の一実施形態である湿式処理装置１を用いた表面処理システム１３の一実施例である。
【００４０】
本発明は、移送ローラ１１と搬出口８の間で、かつ帯状基板２の上部に配置され、処理液体３ａと同一種類の液体３ｂを噴出する噴出パイプを設けることによって、帯状基板の上面に残存した処理液を落とすことができる。
【００４１】
すなわち、本発明においては、移送ローラ１１と搬出口８の間で、かつ帯状基板２の上部に配置され、前記処理液体と同一種類の液体を噴出する噴出パイプを設けることによって、帯状基板の上面に残存した処理液を落とすことができ、帯状基板の上面の一部の変色等、処理異常が発生を防止することができるので、その結果として、帯状基板の処理工程の歩留まりを向上させることができるのである。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の積層板の製造方法によれば、湿式処理装置、たとえば、携帯電話等、電子機器に用いられるフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）を製造するための湿式めっき装置等に有用である。
【符号の説明】
【００４３】
１ 湿式処理装置
２ 帯状基板
３ａ 処理液体、３ｂ 処理液体３ａと同一の液体
４ 処理槽
５ 搬入側壁面
６ 搬入口
７ 搬出側壁面
８ 搬出口
９ 搬入ローラ
１０ 搬出ローラ
１１ 移送ローラ
１２ 噴出パイプ
１３ 表面処理システム
１４ ポリイミド基板
１５ 金属薄膜基板
１６ 表面処理層
１７ ニッケルリン層
１８ ロール
１９ 脱脂槽
２０ 第一のアルカリ処理槽
２１ 触媒槽
２２ 還元槽
２３ 無電界ニッケルリンめっき槽
２４ 乾燥槽
２５ ロール
２６ 洗浄層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状基板上の表面処理をするための処理液体を貯留するとともに、前記帯状基板の搬入口と、前記帯状基板の搬出口と、前記搬入口と前記搬出口の間で、かつ前記処理液体の液中に配置された移送ローラと、を有する処理槽を有する湿式処理装置において、
前記移送ローラと前記搬出口の間で、かつ前記帯状基板の上部に配置され、前記処理液体と同一種類の液体を噴出する噴出パイプを有する、
ことを特徴とする湿式処理装置。
【請求項２】
前記同一種類の液体が、前記処理槽に貯留された処理液体を循環させた前記処理液体であることを特徴とする請求項１に記載の湿式処理装置。
【請求項３】
前記処理液体と同一種類の液体が、前記帯状基板が前記処理液の液面から出る境界線に噴出されることを特徴とする請求項１に記載の湿式処理装置。
【請求項１】
帯状基板上の表面処理をするための処理液体を貯留するとともに、前記帯状基板の搬入口と、前記帯状基板の搬出口と、前記搬入口と前記搬出口の間で、かつ前記処理液体の液中に配置された移送ローラと、を有する処理槽を有する湿式処理装置において、
前記移送ローラと前記搬出口の間で、かつ前記帯状基板の上部に配置され、前記処理液体と同一種類の液体を噴出する噴出パイプを有する、
ことを特徴とする湿式処理装置。
【請求項２】
前記同一種類の液体が、前記処理槽に貯留された処理液体を循環させた前記処理液体であることを特徴とする請求項１に記載の湿式処理装置。
【請求項３】
前記処理液体と同一種類の液体が、前記帯状基板が前記処理液の液面から出る境界線に噴出されることを特徴とする請求項１に記載の湿式処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−１７４１２５（Ｐ２０１１−１７４１２５Ａ）
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−３８３４５（Ｐ２０１０−３８３４５）
【出願日】平成２２年２月２４日（２０１０．２．２４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月２４日（２０１０．２．２４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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