【課題】基板を効率的かつ均一に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持機構１１０と、基板保持機構１１０に保持された基板Ｗに向けてめっき液３５を吐出する吐出機構２１と、空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスＧを基板保持機構１１０に保持された基板Ｗに向けて送り出すガス送出機構１９０と、を備えている。ガス送出機構１９０は、基板Ｗの中心領域Ａ_１よりも基板Ｗの周縁領域Ａ_２に向けて多くの加熱用ガスＧを送り出すよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、めっき液を含む薬液の持ち出し量を低減させて洗浄工程での洗浄時間を短縮させ、しかも、めっき液循環ラインの内部等のフラッシングを容易かつ迅速に行うことができるめっき装置の提供。
【解決手段】めっき前処理を行うめっき前処理槽６０を有するめっき前処理モジュール６４と、基板表面に無電解めっきを行うめっき槽６６，７２を有するめっきモジュール７０，７６と、めっき前処理モジュール６４とめっきモジュール７０，７６の間で基板を搬送するモジュール間基板搬送装置８６を有し、めっき前処理槽は、めっき前処理液の温度調節機能を備えためっき前処理液循環ラインを有し、めっき槽は、フィルタとめっき液の温度調節機能を備えためっき液循環ラインを有し、めっき液循環ラインは、めっき液循環ライン及びめっき槽の内部をフラッシングするフラッシングライン１１４，１２２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用し、しかも前の処理等で使用した水分の持込みを極力低減させて、一連の連続した各処理を、より均一に安定して行うことができるようにする。
【解決手段】複数枚の基板を鉛直方向に平行に保持して搬送し、搬送の前後で異なる処理槽内の処理液中に複数枚の基板を同時に浸漬させる基板ホルダを有する無電解めっき装置において、基板ホルダは、基板の外周部を位置させて基板を支持する複数の支持溝１３０を有する支持棒９４ａと、支持溝１３０の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去する水分除去機構１３６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】置換めっきを用いたダイヤモンド付着方法及びこれに用いられる装置について開示する。
【解決手段】本発明にかかるダイヤモンド付着方法は、被めっき母材３０１よりイオン化傾向が低いめっき物質をイオン状態で含み、ダイヤモンド粒子３２２が分散されている置換めっき液３２０に前記被めっき母材３０１を沈積して、前記めっき物質が前記被めっき母材３０１に置換めっきされながら、前記ダイヤモンド粒子３２２が前記めっき物質と共に前記被めっき母材３０１に付着されるようにすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０と、基板回転保持機構１１０およびめっき液供給機構３０を制御する制御機構１６０と、を備えている。吐出機構２１は、基板２に向けてめっき液を吐出する吐出口４１を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。まためっき液供給機構３０は、第１ノズル４０に供給されるめっき液の温度が第２ノズル４５に供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、基板回転保持機構１１０および吐出機構２１を制御する制御機構１６０と、を備えている。吐出機構２１は、基板２の半径方向に沿って並べられた複数の吐出口４１を含む、または、基板２の半径方向に沿って延びる吐出口４２を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。 （もっと読む）

【課題】めっき液の反応速度を向上させることにより、基板１枚あたりのめっき処理時間を短縮することが可能なめっき処理方法およびめっき処理装置を提供する。
【解決手段】基板２の表面に前処理液が残っている状態で、基板２を第１回転数で回転させ、基板２にめっき液を供給することにより液置換を行う（液置換工程Ｓ３０５）。次に、基板２にめっき液を供給し続けた状態で、基板２を停止または第２回転数で回転させて、基板２に初期成膜を行う（インキュベーション工程Ｓ３０６）。その後、基板２にめっき液を供給し続けた状態で、基板２を第３回転数で回転させて、めっき膜を成長させる（めっき膜成長工程Ｓ３０７）。第１回転数は、第３回転数より回転数が高く、第３回転数は、第２回転数より回転数が高い。 （もっと読む）

【課題】液体への投入・排出時におけるワークへの負荷を低減して、ワークの折損や装置からの脱落を防止できると共に、貯留槽からリークする液体の量を削減でき、また、装置全長を短縮することができる搬送装置を提供する。
【解決手段】この搬送装置１は、板状のワークＷを貯留槽の液体に対して投入・排出を行う搬送装置において、前記ワークＷの保持を行う保持部１１、１２、２１、２２を有すると共に回転可能に支持されたワーク保持手段１０、２０を備え、前記ワークＷを保持させた前記ワーク保持手段１０、２０を回転させて該ワークＷを前記貯留槽３０の液体Ｌに対して投入・排出を行う。 （もっと読む）

【課題】被めっき対象の導通部およびその導通部から電気的に分離された独立部の表面に均一に金属薄膜を形成することが可能な無電解めっき装置、無電解めっき方法およびそれを用いた配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき装置１のめっき槽２内に無電解めっき液３０が収容される。無電解めっき液３０中に参照電極５および対極６が浸漬される。長尺状基材１０の導通部に電気的に接触するように導通部材４が設けられる。導通部材４、参照電極５および対極６は、ポテンショスタット３に接続される。主制御装置８は、ポテンショスタット３により参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導通部の電位が参照電極５を基準とする独立部の電位に等しくなるように、長尺状基材１０の導通部の電位を制御する。 （もっと読む）

【課題】保持体の回転により被処理物の全ての箇所が処理液に浸漬でき、被処理物の全領域で均一な処理が可能で、被処理物の全領域を製品として使用可能とすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ５を処理するための処理液４を貯留する処理槽１と、ウエハ５の中心から最外位置までの距離より大きい半径を有する円の円周上位置においてウエハ５を把持することなく保持してウエハ５を処理液４に浸漬する保持体３０と、円周の中心を回転中心として保持体３０を回転させる回転手段１０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】めっき液中の溶存酸素および溶存水素が効率的に除去されるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板２にめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。このうちめっき液供給機構３０は、基板２に供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１と、めっき液３５を基板２に吐出する吐出ノズル３２と、供給タンク３１のめっき液３５を吐出ノズル３２へ供給するめっき液供給管３３と、を有している。また供給タンク３１には、供給タンク３１に接続され、供給タンク３１に貯留されためっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段３４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】微量な粘性流体の安定した供給を可能とする。
【解決手段】先端が吐出口７である細く長い孔９を備えたノズル本体３を備え、粘性液体供給装置に用いられて吐出口７から接着剤を吐出させる粘性液体供給ノズル１を、潤滑性メッキ液を収容したメッキ槽内に浸して無電解メッキを行い、少なくとも吐出口７内外に潤滑性メッキ層１１を形成し、又は、ノズル本体３の基端に広口部５を備え、潤滑性メッキ液を収容したメッキ槽内に浸して広口部５に前記潤滑性メッキ液を収容し、広口部５から潤滑性メッキ液を加圧又は重力によりノズル本体３の細く長い孔に流通させて吐出口７から吐出させ少なくとも吐出口７内外に潤滑性メッキ層１１を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な膜質のめっき皮膜を形成することができる無電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】 基板Ｗを支持する基板支持部４６と、基板Ｗの表面に供給されるめっき液を貯留するめっき液貯留部と、めっき液貯留部からのめっき液を、基板支持部４６に支持された基板Ｗの表面に向けて供給するめっき液供給管と、めっき液供給管に設けられ、めっき液を基板Ｗの表面に吐出するめっき液吐出ノズルと、基板支持部４６に支持された基板Ｗの裏面側に設けられ、基板Ｗの温度を制御するための基板温度制御部材４８´と、基板温度制御部材４８´と基板Ｗとの間に相対的な昇降移動を生じさせる移動機構とを具備し、基板温度制御部材４８´は、移動機構により基板Ｗとの間の距離を調節することによって基板Ｗの温度を制御するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】触媒層に対するアルカリ処理の処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行うことが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】上流から下流にプラスチック基板（被処理物）１１０を搬送しながら、めっき液を用いてプラスチック基板１１０の被処理面上にめっき層１１４を形成するめっき処理槽（めっき処理装置）１０であって、搬送部９と、初期析出部７と、を備えている。搬送部９は、被処理物を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部７は、当該めっき処理装置の上流側に備えられ、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を図るとともにスループットを向上させることができるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】基板２の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置１において、基板２を回転保持するための基板回転保持手段２５と、基板２の表面に組成の異なる複数種類のめっき処理液を供給するための複数のめっき処理液供給手段２８、２９と、基板２から飛散しためっき処理液を種類ごとに排出するための複数のめっき処理液排出手段３０と、前記基板回転保持手段２５、前記複数のめっき処理液供給手段２８、２９及び前記めっき処理液排出手段３０を制御するための制御手段３２とを有する。また、基板２を回転保持した状態のまま異なるめっき処理液を基板２の表面に順に供給して基板２の表面に順次複数のめっき処理を施す。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板の一面の基板処理領域のみを簡単かつ迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような状態の処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに溶液供給機構が基板処理溶液ＴＬを圧送するとともに吸引する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは圧送されるとともに吸引される基板処理溶液ＴＬにより処理されることになる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜原料堆積チャンバー１７内において、半導体基板２８の表面に、成膜原料を溶媒中に溶解させることで形成される液状の成膜原料液を供給し、成膜原料液に含まれる溶媒を液体から気体に相変化させることにより、溶媒中に溶解している成膜原料を半導体基板２８の表面に堆積させ、その後、成膜原料堆積チャンバー１７とは異なる反応チャンバー１８内において、加熱或いは反応試薬の添加により、半導体基板２８の表面に形成された成膜原料を反応させることで、半導体基板２８の表面に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡便に実施可能で、多孔質材料の内部まで欠陥の少ないめっき皮膜が形成可能な多孔質材料の無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】多孔質材料の内部に１または複数の液剤を順次含浸させる１または複数の含浸工程を有する多孔質材料の無電解めっき方法であって、含浸工程の少なくとも１つにおいて、液剤の液流中に全体が浸された状態で多孔質材料を配置し、その内部に液剤を含浸させ、所定時間接触させる多孔質材料の無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】洗浄および無電解銅めっき液などの表面処理において、微細化した貫通スルーホールおよび非貫通バイアホールに処理液を供給し処理液の供給不足による銅めっき欠損などの不具合発生を抑える。
【解決手段】本発明は、洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理において、装置コストの安い洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理を行なうバーチカル方式を使用し、処理液を微細な貫通スルーホール、非貫通バイアホールに処理液を供給するため、カゴに銅張り積層板と、処理液の流れを制御するための、取付け、取外し可能な整流板を配置し処理する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにする。
【解決手段】処理装置１が、処理液３０が貯留される処理槽２と、処理槽２内に配置され、処理槽２内で回転する回転車４と、被処理物３２をそれぞれ保持し、回転車４に取り付けられ、回転車４の第１の回転軸６を中心にした円周方向に沿って配列された複数の保持具１０と、を備える。 （もっと読む）