【課題】基板を効率的かつ均一に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持機構１１０と、基板保持機構１１０に保持された基板Ｗに向けてめっき液３５を吐出する吐出機構２１と、空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスＧを基板保持機構１１０に保持された基板Ｗに向けて送り出すガス送出機構１９０と、を備えている。ガス送出機構１９０は、基板Ｗの中心領域Ａ_１よりも基板Ｗの周縁領域Ａ_２に向けて多くの加熱用ガスＧを送り出すよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を保持して回転させる基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に向けてめっき液を吐出する吐出機構２１と、吐出機構２１にめっき液を供給するめっき液供給機構３０と、基板回転保持機構１１０およびめっき液供給機構３０を制御する制御機構１６０と、を備えている。吐出機構２１は、基板２に向けてめっき液を吐出する吐出口４１を含む第１ノズル４０と、第１ノズル４０の吐出口よりも基板２の中心部に近接するよう位置することができる吐出口４６を含む第２ノズル４５と、を有している。まためっき液供給機構３０は、第１ノズル４０に供給されるめっき液の温度が第２ノズル４５に供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】めっき液の反応速度を向上させることにより、基板１枚あたりのめっき処理時間を短縮することが可能なめっき処理方法およびめっき処理装置を提供する。
【解決手段】基板２の表面に前処理液が残っている状態で、基板２を第１回転数で回転させ、基板２にめっき液を供給することにより液置換を行う（液置換工程Ｓ３０５）。次に、基板２にめっき液を供給し続けた状態で、基板２を停止または第２回転数で回転させて、基板２に初期成膜を行う（インキュベーション工程Ｓ３０６）。その後、基板２にめっき液を供給し続けた状態で、基板２を第３回転数で回転させて、めっき膜を成長させる（めっき膜成長工程Ｓ３０７）。第１回転数は、第３回転数より回転数が高く、第３回転数は、第２回転数より回転数が高い。 （もっと読む）

【課題】約２１０℃以下の低温であっても速やかに金属銀を形成できる新たな材料の提供を目的とする。
【解決手段】β−ケトカルボン酸銀を含む金属銀の形成材料とする。この形成材料を加熱することによって、約２１０℃以下の低温であっても速やかに金属銀を形成できる。前記β−ケトカルボン酸銀の一例としては、例えば、イソブチリル酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、アセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、α−メチルアセト酢酸銀およびα−エチルアセト酢酸銀が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第１のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第１の層を形成し、第２のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第１の層中の孔および第１の層上に第２の層を充填形成し、表面が平坦な上層部１１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきの析出速度を低下させることなく、効率よく、信頼性の高いめっき処理を行なえ、さらにコストを抑えることが可能なめっき装置およびめっき方法を提供すること。
【解決手段】めっき槽１３と、めっき槽１３内には無電解めっきにてプリント配線基板１５にめっきを施すめっき液３が充填された無電解めっき装置１であって、めっき槽１３上面には蓋材７が設けられ、蓋材７には基板１５が通過するためのスリット９が設けられ、蓋材７の液面側と、めっき液３の液面とで囲まれた空間１１には不活性ガスが充填されていることを特徴とするめっき装置である。 （もっと読む）

【課題】めっき液中の溶存酸素および溶存水素が効率的に除去されるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板２にめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。このうちめっき液供給機構３０は、基板２に供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１と、めっき液３５を基板２に吐出する吐出ノズル３２と、供給タンク３１のめっき液３５を吐出ノズル３２へ供給するめっき液供給管３３と、を有している。また供給タンク３１には、供給タンク３１に接続され、供給タンク３１に貯留されためっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段３４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】めっき膜からデフェクトを容易に除去することが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対してめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。また、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対して物理力を印加することにより基板２を洗浄する物理洗浄機構７０が設けられている。物理洗浄機構７０は、基板２が乾燥されるよりも前に基板２に対して物理力を印加することにより、基板２上のめっき膜からデフェクトを除去する。 （もっと読む）

【課題】 良好な膜質のめっき皮膜を形成することができる無電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】 基板Ｗを支持する基板支持部４６と、基板Ｗの表面に供給されるめっき液を貯留するめっき液貯留部と、めっき液貯留部からのめっき液を、基板支持部４６に支持された基板Ｗの表面に向けて供給するめっき液供給管と、めっき液供給管に設けられ、めっき液を基板Ｗの表面に吐出するめっき液吐出ノズルと、基板支持部４６に支持された基板Ｗの裏面側に設けられ、基板Ｗの温度を制御するための基板温度制御部材４８´と、基板温度制御部材４８´と基板Ｗとの間に相対的な昇降移動を生じさせる移動機構とを具備し、基板温度制御部材４８´は、移動機構により基板Ｗとの間の距離を調節することによって基板Ｗの温度を制御するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】めっき液の組成を簡便に制御可能な無電解めっき装置及び方法を提供する。
【解決手段】めっき槽２と、めっき槽２から抜き取っためっき液に金属のイオンを補給する金属溶解槽３０、３１と、金属溶解槽３０、３１から送られた液に含まれる溶存酸素の濃度を低下させて曝気液を生成する曝気槽４とを含む無電解金属めっき装置１を用い、めっき槽２から抜き取っためっき液を金属溶解槽３０、３１に送るめっき液搬送部と、高濃度化しためっき液を金属溶解槽３０、３１から曝気槽４に送る高濃度化めっき液搬送部と、曝気槽４からめっき槽２に曝気液を送る曝気液搬送部と、めっき液に酸素を溶解する酸素富化ガス供給部６０、６１とを備え、金属溶解槽３０、３１は、槽内に内包させる金属を配置・取り出し可能とする。イオンの溶解量を調節可能とし、酸素富化ガス供給部６０、６１は、金属溶解槽３０、３１又はめっき液搬送部に付設されている。 （もっと読む）

【課題】触媒層に対するアルカリ処理の処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行うことが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】上流から下流にプラスチック基板（被処理物）１１０を搬送しながら、めっき液を用いてプラスチック基板１１０の被処理面上にめっき層１１４を形成するめっき処理槽（めっき処理装置）１０であって、搬送部９と、初期析出部７と、を備えている。搬送部９は、被処理物を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部７は、当該めっき処理装置の上流側に備えられ、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。 （もっと読む）

【課題】めっき液の劣化を防止するめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき方法は、第１面と前記第１面の反対側の面となる第２面を有するワークを、前記第１面と前記第２面との間に隙間を有するように、螺旋状に巻くワーク巻取り工程と、前記螺旋状に巻かれた前記ワークの幅方向の両端部を蓋部材で挟持して、前記隙間と前記蓋部材とで構成される流路を形成する流路形成工程と、前記流路にめっき液を導入するめっき液導入工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化を図るとともにスループットを向上させることができるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】基板２の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置１において、基板２を回転保持するための基板回転保持手段２５と、基板２の表面に組成の異なる複数種類のめっき処理液を供給するための複数のめっき処理液供給手段２８、２９と、基板２から飛散しためっき処理液を種類ごとに排出するための複数のめっき処理液排出手段３０と、前記基板回転保持手段２５、前記複数のめっき処理液供給手段２８、２９及び前記めっき処理液排出手段３０を制御するための制御手段３２とを有する。また、基板２を回転保持した状態のまま異なるめっき処理液を基板２の表面に順に供給して基板２の表面に順次複数のめっき処理を施す。 （もっと読む）

【課題】処理対象基板の一面の基板処理領域のみを簡単かつ迅速に基板処理溶液で処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、溶液保持容器１３０に収容されている基板処理溶液ＴＬに処理対象基板ＰＢが浸漬される。このような状態の処理対象基板ＰＢの基板処理領域ＴＳに溶液供給機構が基板処理溶液ＴＬを圧送するとともに吸引する。このため、処理対象基板ＰＢの一面の基板処理領域ＴＳは圧送されるとともに吸引される基板処理溶液ＴＬにより処理されることになる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜原料堆積チャンバー１７内において、半導体基板２８の表面に、成膜原料を溶媒中に溶解させることで形成される液状の成膜原料液を供給し、成膜原料液に含まれる溶媒を液体から気体に相変化させることにより、溶媒中に溶解している成膜原料を半導体基板２８の表面に堆積させ、その後、成膜原料堆積チャンバー１７とは異なる反応チャンバー１８内において、加熱或いは反応試薬の添加により、半導体基板２８の表面に形成された成膜原料を反応させることで、半導体基板２８の表面に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】洗浄および無電解銅めっき液などの表面処理において、微細化した貫通スルーホールおよび非貫通バイアホールに処理液を供給し処理液の供給不足による銅めっき欠損などの不具合発生を抑える。
【解決手段】本発明は、洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理において、装置コストの安い洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理を行なうバーチカル方式を使用し、処理液を微細な貫通スルーホール、非貫通バイアホールに処理液を供給するため、カゴに銅張り積層板と、処理液の流れを制御するための、取付け、取外し可能な整流板を配置し処理する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内に所望の処理を施すことができる処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された前記液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１を備える。処理装置１は、第一供給口１１１Ａから第一排出口１１１Ｂに向かって液体Ｌを流すとともに、第二供給口１１２Ａから第二排出口１１２Ｂに向かって液体Ｌを流すと、液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板２の一方の基板面および他方の基板面に沿って流れるように構成され、基板２の一方の面における液体Ｌの平均流速と、他方の面における液体Ｌの平均流速とを異ならせる調整手段を有する。 （もっと読む）

【課題】金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】金属膜形成システム１は、ウェハＷを搬入出する搬入出ステーション２と、ウェハＷ上に前処理液を塗布し、ウェハＷ上に下地膜を形成する前処理ステーション３と、下地膜が形成されたウェハＷ上に金属混合液を塗布し、ウェハＷ上に金属膜を形成する主処理ステーション４と、搬入出ステーション２と前処理ステーション３とを接続する第１のロードロックユニット１０と、前処理ステーション３と主処理ステーション４とを接続する第２のロードロックユニット１３とを有している。前処理ステーション３、主処理ステーション４、第１のロードロックユニット１０及び第２のロードロックユニット１３は、それぞれ内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない均質なめっき被膜を基板表面に均一な膜厚で形成することを可能とした無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの中心孔に挿通されて複数の基板Ｗを吊り下げた状態で支持する複数の支持ロッド３と、複数の支持ロッド３を互いに平行且つ周方向に並べた状態で支持する支持輪４と、支持輪４の中心部に取り付けられた回転軸５と、回転軸５を回転自在に支持する軸受部材６と、回転軸５を回転駆動する回転駆動機構９とを備え、回転軸５の軸受部材６と対向する外周面に設けられたマグネットと、受部材６の回転軸５と対向する内周面に設けられたマグネットとが互いに同一の極性を有して反発することにより、軸受部材６が回転軸５を非接触状態で回転自在に支持する。 （もっと読む）

【課題】 触媒付与等の前処理工程や乾燥工程などが不要で、工程が少なく、配線基板を安価で生産性良く製造する方法を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成する金属膜形成工程と、金属膜を所望形状の配線パターンとする配線パターン形成工程とを備え、前記金属膜形成工程において、基板と金属の前駆体と触媒成分と還元剤成分とを、超臨界または亜臨界流体中に共存させて処理することにより、前記基板に金属膜を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。 （もっと読む）