磁気記録媒体の製造方法及び加熱装置
【課題】保磁力を面内で均一にする磁気記録媒体の製造方法及び加熱装置を提供する。
【解決手段】径方向と周方向に分割されたヒータの各加熱領域の加熱温度を等しく設定すると共に内周部と外周部の傾斜角度を０に設定し、複数のヒータで複数の基板２を加熱する第１の加熱ステップ１２２０と、基板に金属膜を積層する第１の積層ステップ１２３０と、加熱ステップ後に各基板の面内の保磁力の分布を測定するステップ１２４０と、測定の結果に基づいて、各ヒータの内周部と外周部の少なくともいずれか一方を他方に対して回転する回転ステップ１３２０と、測定の結果に基づいて、各ヒータの各加熱領域の加熱温度を設定する設定ステップ１３３０と、回転ステップ及び設定ステップを経た複数のヒータで複数の基板を加熱する第２の加熱ステップと、基板に金属膜を積層する第２の積層ステップとを有することを特徴とする。
【解決手段】径方向と周方向に分割されたヒータの各加熱領域の加熱温度を等しく設定すると共に内周部と外周部の傾斜角度を０に設定し、複数のヒータで複数の基板２を加熱する第１の加熱ステップ１２２０と、基板に金属膜を積層する第１の積層ステップ１２３０と、加熱ステップ後に各基板の面内の保磁力の分布を測定するステップ１２４０と、測定の結果に基づいて、各ヒータの内周部と外周部の少なくともいずれか一方を他方に対して回転する回転ステップ１３２０と、測定の結果に基づいて、各ヒータの各加熱領域の加熱温度を設定する設定ステップ１３３０と、回転ステップ及び設定ステップを経た複数のヒータで複数の基板を加熱する第２の加熱ステップと、基板に金属膜を積層する第２の積層ステップとを有することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に係り、特に、磁気記録媒体の基板に金属膜を積層するスパッタ工程における基板の加熱制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高記憶容量のハードディスク装置（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｃ Ｄｒｉｖｅ：ＨＤＤ）が益々要求され、それに伴い高い面記録密度を有する磁気ディスクが必要となる。磁気ディスクの製造においては、ディスクの基板を両側からヒータで加熱した後でスパッタにより基板の両側から金属膜を積層する。量産性向上のため、加熱工程では、図１１（ａ）に示すように、複数の基板２を同時に加熱する。図１１（ａ）は２枚の基板２を加熱する例を示しており、基板２の両側には一対のヒータユニット４が配置される。各ヒータユニット４は対応する基板２の表面に対向するヒータ５が配置される。複数の基板２はそれらの中心が一直線上にあり、また、それらの表面が同一平面を構成するように配置される。
【０００３】
高記録密度の磁気ディスクの磁気特性を安定にするためには、基板２に形成された金属膜（磁性膜）の保磁力Ｈｃを面内で均一にする必要となる。保磁力Ｈｃが面内でばらつく原因としては加熱工程における基板２の温度分布の不均一がある。即ち、図１１（ｂ）に示すように、２枚の基板２の実線で囲った中央部分Ｐは２つのヒータ５の影響を受けて温度が高くなり易い。このため、ヒータ５を分割して加熱することが従来から提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
その他の従来技術としては特許文献２乃至４がある。
【特許文献１】特開平８−８５８６８号公報
【特許文献２】特開平５−３２０８９０号公報
【特許文献３】特開平２−４３３６０号公報
【特許文献４】特公平８−１４０２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、本発明者らは、単にヒータ５を分割して２枚の基板の中央部分Ｐに対応するヒータ５の加熱領域の温度を低くし、残りの部分を高くするだけでは基板２に均一な温度分布を形成できないことを発見した。これは、基板２の外周の外側は空間であるのに対して基板の内周はそうではないため、基板２の内周と外周とでは加熱される環境が異なるからである。
【０００６】
本発明は、保磁力を面内で均一にする磁気記録媒体の製造方法及び加熱装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面としての製造方法は、径方向と周方向に分割された各ヒータの分割された各加熱領域の加熱温度を等しく設定すると共に内周部と外周部の傾斜角度を０に設定するデフォルトを維持したまま、複数のヒータで複数の基板を加熱する第１の加熱ステップと、前記基板に金属膜を積層する第１の積層ステップと、前記加熱ステップ後に各基板の面内の保磁力の分布を測定するステップと、前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの前記内周部と前記外周部の少なくともいずれか一方を他方に対して回転する回転ステップと、前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの各加熱領域の前記加熱温度を設定する設定ステップと、前記回転ステップ及び前記設定ステップを経た前記複数のヒータで前記複数の基板を加熱する第２の加熱ステップと、前記基板に金属膜を積層する第２の積層ステップとを有することを特徴とする。かかる製造方法によれば、ヒータが内周部と外周部で分割されて一方が他方に対して回転可能であるので、基板の外周と内周に存在する保磁力のばらつきの位相差をなくすことができる。これにより、保磁力の面内均一化をより高精度に達成することができる。
【０００８】
前記回転ステップにおいて形成される前記内周部と前記外周部との間の傾斜角度は、例えば、前記測定ステップにおける前記保磁力の分布の、前記基板の内周と外周のそれぞれの保磁力の極小値に対応する角度差である。これにより、内周部と外周部の保磁力分布の位相差をキャンセルすることができる。前記設定ステップは、目標とする保磁力と、前記基板の温度と前記基板の保磁力との関係を利用して前記加熱温度を決定してもよい。これにより、基板の面内で均一な目標保磁力を得ることができる。前記測定ステップにおける前記保磁力の分布が、前記加熱領域に対応する範囲において、目標とする保磁力の上限及び下限のいずれからもずれている場合には、前記設定ステップは前記加熱温度として前記デフォルトの温度を維持してもよい。これにより、上限及び下限の一方を目標保磁力に近づけることにより他方が目標保磁力から大幅にずれることを防止することができき、保磁力の面内均一化を図ることができる。前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータを、当該ヒータが回転可能に取り付けられたヒータユニットに対して回転する回転ステップを更に有してもよい。これにより、スパッタ角度に最適に保磁力の角度分布を設定することができる。
【０００９】
本発明の別の側面としての加熱装置は、それぞれが周方向に分割されて内周部と外周部を有し、前記内周部及び前記外周部は径方向に分割されてそれぞれ複数の加熱領域を有し、複数の円板状の基板を加熱する複数のヒータと、前記内周部と前記外周部のうち一方を他方に対して回転する回転機構と、各加熱領域の加熱温度を別個独立に制御する温度制御部とを有することを特徴とする。かかる加熱装置は、上述の製造方法に適用することができ、上述の製造方法と同様の作用を奏することができる。かかる加熱装置とスパッタ部を有することを特徴とするスパッタ装置も本発明の一側面を構成する。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、保磁力を面内で均一にする磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本実施例の磁気記録媒体の製造方法について説明する。図１は、製造方法のフローチャートである。
【００１３】
まず、基板２に形成されるべき目標保磁力を設定する（ステップ１１００）。図５は、基板２の加熱温度と保磁力との関係を示すグラフである。横軸は、基板２の加熱温度（℃）であり、縦軸は保磁力Ｈｃ（１／４π・ｋＡ／ｍ）である。１Ｏｅ＝１／４π・ｋＡ／ｍである。
【００１４】
図５における基板２の加熱温度は、基板２の内周と外周の中間位置で測定している。本発明においては、基板２の内周は基板２に磁性層が形成される領域の径方向の長さを半分にする円の内側の領域であり、基板２の内周は基板２に磁性層が形成される領域の径方向の長さを半分にする円の外側の領域である。但し、本実施例においては、基板２の内周を基板２に磁性層が形成される領域の最内周部に設定し、基板２の外周を基板２に磁性層が形成される領域の最外周部に設定している。
【００１５】
図５から、基板２の加熱温度が高くなればなるほど基板２の保磁力は高くなることが理解される。高記録密度の磁気ディスクでは一定範囲の保磁力が必要である。これは、保磁力が低すぎると記録した磁気情報が消え易くなり、高すぎると磁気情報を書き込みにくくなるからである。しかし、保磁力の制御に加えてノイズを低減する必要もある。
【００１６】
図６及び図７に示すように、ある保磁力Ｈｃに対してノイズは最小となる。
【００１７】
図６においては、横軸は保磁力Ｈｃ（１／４π・ｋＡ／ｍ）で、縦軸はＳＮ比（ＳＮＲ）である。ＳＮ比は信号をノイズで割ったものであるためにノイズが低い場合又は信号が高い場合に大きくなる。図６を参照するに、保磁力Ｈｃが４８００（１／４π・ｋＡ／ｍ）でＳＮ比が最大の１５．１２となっている。
【００１８】
一方、図７においては、横軸は保磁力Ｈｃ（１／４π・ｋＡ／ｍ）で、縦軸はＶＭＭ（Ｖｉｔｅｒｂｉ Ｍｅｔｒｉｃｓ Ｍａｒｇｉｎ）である。ＶＭＭはビタビ複合器内での最も確からしい系列とそれ以外の系列のメトリクスがある閾値以下となる（詰まり再生信号の明瞭さが低下している）ビット数を計数した値である。即ち、ＶＭＭ値はエラーレートとの相関があり、小さいほうが良好な特性となる。図７を参照するに、保磁力Ｈｃが４８００（１／４π・ｋＡ／ｍ）でＶＭＭが最小の３．３１５となっている。
【００１９】
以上から、理想的な保磁力は４８００（１／４π・ｋＡ／ｍ）となるが、理想的な保磁力に実際の保磁力を完全に一致させることは困難であるため、本実施例は許容範囲を理想的な保磁力の±３０（１／４π・ｋＡ／ｍ）以内に設定してこれを目標保磁力又は目標保磁力の範囲としている。この結果、本実施例では、目標保磁力を４８００±３０（即ち、４７７０乃至４８３０）（１／４π・ｋＡ／ｍ）となる。なお、本発明は、本実施例の目標保磁力に限定されるものではない。これは図６及び図７に示すグラフはスパッタ装置の構造、スパッタ材料、基板２の膜厚構成などに依存するからである。
【００２０】
以下、図２を参照して、本実施例のスパッタ装置について説明する。ここで、図２は、スパッタ装置のブロック図である。スパッタ装置は、加熱装置１００と、スパッタ部１７０と、磁場観察装置１８０とを有する。
【００２１】
加熱装置１００は基板２を真空中で加熱する。基板２は、アルミニウムやガラスから構成される。スパッタ部１７０は、加熱された基板２に真空中でスパッタにより金属膜を積層する。磁場観察装置１８０は、カー効果を利用して金属膜が積層された基板２上の保磁力の面内分布を測定する。
【００２２】
加熱装置１００は、図２に示すように、基板支持部１１０と、ヒータユニット１２０と、温度測定部１４０と、温度制御部１５０とを有する。
【００２３】
基板支持部１１０は基板２を支持する。支持位置や方法は当業界で周知の方法を使用することができるため、説明は省略する。複数の基板２はそれらの中心が一直線上にあり、また、それらの表面が同一平面を構成するように（即ち、あたかも同一平面上に置かれたように）配置される。また、基板支持部１１０は、基板２を加熱位置とスパッタ位置との間で移動する機構に接続されている。加熱位置において基板２は加熱装置１００によって加熱され、スパッタ位置において基板２はスパッタ部１７０によって金属膜が積層される。
【００２４】
ヒータユニット１２０は、複数のヒータ１３０を搭載して複数の基板２が整列する方向に延びる略直方体形状の筐体である。一対のヒータユニット１２０が平行に配置される。ヒータユニット１２０は、回転機構１２４及び１２８を搭載している。
【００２５】
回転機構１２４はヒータ１３０全体をヒータユニット１２０に対して回転する。回転機構１２８はヒータ１３０の後述する内周部１３２を外周部１３４に対して回転する。
【００２６】
各ヒータ１３０は基板２よりも大きく、対応する基板２の表面に平行に配置される。各基板２の表裏に配置される一対のヒータ１３０の中心を結ぶ線上に基板２の中心が配置される。各ヒータ１３０のヒータユニット１２０における配置は図１１（ａ）に示す従来例と同様である。
【００２７】
各ヒータ１３０は、径方向と周方向に分割された円板形状を有する。ヒータ１３０の外形は最外周円Ｃ３で決定される。本実施例は、図４（ａ）に示すように、９０度間隔で中心Ｏから延びる４本の径方向又は放射方向に延びる直線Ｌ１乃至Ｌ４によって各ヒータ１３０を周方向に４つの領域に分割している。ここで、図４（ａ）はヒータ１３０の概略平面図である。
【００２８】
また、本実施例は、中心Ｏに関する２つの同心円Ｃ１及びＣ２によって径方向に３つの領域に分割している。この結果、各ヒータは１２の領域に分割される。図４（ａ）において、直線Ｌ１乃至Ｌ４の同心円Ｃ２よりも外側の線分を順に直線Ｌ５乃至Ｌ８と呼ぶ。本実施例は、円Ｃ１の径と円Ｃ１及び円Ｃ２の間隔は等しく設定し、円Ｃ２と円Ｃ３の間隔はこれの半分に設定しているが、本発明はこれに限定されない。基板２の中心を中心Ｏに重ねると、円Ｃ２は基板２の輪郭を規定する円よりは内側に配置されれば足りる。
【００２９】
同心円Ｃ１の内部の４つの最内周領域は加熱領域ではなく、同心円Ｃ１の外側の８つの領域が加熱領域である。かかる８つの加熱領域のうち、同心円Ｃ１とＣ２で挟まれた領域を内周部１３２、同心円Ｃ２と最外周円Ｃ３よりも外側の領域を外周部１３４と呼ぶ。図４（ａ）に示すように、内周部１３２は４つの加熱領域１３２ａ乃至１３２ｄから構成され、外周部１３４は４つの加熱領域１３４ａ乃至１３４ｄから構成される。各加熱領域は、ニクロム線など供給される電力に応じて発熱量が制御されるように構成されており、各加熱領域の発熱量又は加熱温度は、電源１６０から供給される電力を制御することによって別個独立に制御することができる。
【００３０】
内周部１３２は、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、外周部１３４に対して傾斜又は回転可能に構成されている。ここで、図４（ｂ）は図４（ａ）の内周部１３２を外周部１３４に対して回転した状態の平面図である。本実施例では同心円Ｃ１の内部は内周部１３２と共に回転するが、同心円Ｃ１の内部はヒータユニット１２０に固定されてもよい。内周部１３２が回転すると、直線Ｌ１とＬ５、直線Ｌ２とＬ６、直線Ｌ３とＬ７、直線Ｌ４とＬ８がずれる。本実施例では、回転機構１２８が内周部１３２を外周部１３４に対して回転しているが、本発明の回転機構は、内周部１３２と外周部１３４のうち少なくとも一方を他方に対して回転すれば足りる。
【００３１】
温度測定部１４０は、サーモビュアーから構成され、温度分布を測定する
温度制御部１５０は、ヒータ１３０の加熱領域１３２ａ乃至１３２ｄ、１３４ａ乃至１３４ｄに流す電力を調整するために電源１６０を制御する。
【００３２】
次に、試験を行う(ステップ１２００)。ステップ１２００における試験は、デフォルトの加熱条件で基板２を加熱して成膜した場合に保磁力が目標保磁力となるかどうかを確認する試験である。以下、図３（ａ）を参照して、ステップ１２００の詳細を説明する。ここで、図３（ａ）はステップ１２００の詳細を説明するためのフローチャートである。
【００３３】
まず、温度制御部１５０は、全ヒータ１３０を図４（ａ）に示すデフォルトに設定する（ステップ１２１０）。デフォルトでは、各ヒータ１３０の分割された各加熱領域１３２ａ乃至１３４ｄの加熱温度を等しく設定すると共に内周部１３２と外周部１３４の傾斜角度は０°に設定する。即ち、デフォルトでは、内周部１３２は外周部１３４に対して回転していない。また、デフォルトでは、ヒータ１３０はヒータユニット１２０に対して回転しておらず、ヒータ１３０とヒータユニット１２０の傾斜角度は０°に設定している。
【００３４】
次に、デフォルトを維持したまま加熱装置１００で複数の基板２を加熱する（ステップ１２２０）。必要があれば、基板２の温度分布を温度測定部１４０で測定してもよい。次に、スパッタ部１７０で基板２に金属膜を成膜する（ステップ１２３０）。金属膜は、下地層、中間層、磁性層を含む。次に、基板２の面内の内周と外周における保磁力を磁場観察装置１８０で測定する（ステップ１２４０）。
【００３５】
図８は、かかる測定結果を示したグラフであり、実線は基板２の内周の保磁力Ｈｃの角度分布を表し、破線は基板２の外周の保磁力Ｈｃの角度分布を表す。横軸は基板２上に設定された角度（度）であり、縦軸は保磁力Ｈｃ（１／４π・ｋＡ／ｍ）である。なお、横軸の角度は、図９に示すように、中心から６時方向を０°とし、時計回りに９時方向を９０°、１２時方向を１８０°、３時方向を２７０°としている。図８を参照するに、基板２の外周の保磁力最小値の角度（９０°）と基板２の内周の保磁力最小値の角度（６０°）とは３０°の位相差がある。また、基板２の内周及び外周共に目標保磁力である４８００±３０（１／４π・ｋＡ／ｍ）からずれている部分があることが理解される。
【００３６】
再び図１に戻って、試験結果に基づいて各ヒータ１３０の加熱条件を調整する（ステップ１３００）。以下、図３（ｂ）を参照して、ステップ１３００の詳細を説明する。ここで、図３（ｂ）はステップ１３００の詳細を説明するためのフローチャートである。
【００３７】
まず、試験結果に基づいて、必要があれば、各ヒータ１３０全体をヒータユニット１２０に対して回転する（ステップ１３１０）。これにより、スパッタ角度に最適に保磁力の角度分布を設定することができる。図４（ｃ）は、図４（ａ）に示す状態からヒータ１３０全体を１５°回転した状態を示す平面図である。これにより、スパッタ部１７０によるスパッタ粒子の飛び方に角度分布がある場合に、それに合わせた温度分布を基板２に形成することができる。
【００３８】
次に、本実施例は、試験結果に基づいて、図４（ｂ）に示すように、回転機構１２８を介して位相差分だけ内周部１３２を外周部１３４に対して回転する（ステップ１３２０）。回転角度は３０°に設定されている。これにより、図８に示す位相差をキャンセルすることができる。
【００３９】
次に、各ヒータ１３０の内周部１３２の加熱領域１３２ａ乃至１３２ｄと外周部１３４の加熱領域１３４ａ乃至１３４ｄの加熱温度を設定する（ステップ１３３０）。
【００４０】
具体的には、加熱温度を設定するために、本実施例は、図１０の上段に角度０°乃至３６０°に対応して図８に示す内周部１３２のグラフを描き、下段に角度０°乃至３６０°に対応して図８に示す外周部１３４のグラフを描いている。更に、図１０は前段及び下段を加熱領域に対応する角度に分割している。
【００４１】
次に、各加熱領域が目標保磁力である４７７０乃至４８３０（１／４π・ｋＡ／ｍ）の範囲内にあるかどうかを判断する。加熱領域１３２ａ及び１３２ｂにおいては、実線は目標保磁力の範囲内に入っているが、加熱領域１３２ｃ、１３２ｄ及び１３４ａ乃至１３４ｄにおいては、実線は目標保磁力の範囲外となっている部分がある。
【００４２】
そこで、加熱領域１３２ｂのデフォルト温度は維持する。加熱領域１３２ａ、１３２ｃ、１３２ｄ、１３４ｃ及び１３４ｄの温度は下げる。また、加熱領域１３４ａの温度は上げる。これらの加熱領域において、どの程度温度を増減するかは図５に示す直線を参考にして決定する。加熱領域１３２ｃの保磁力を全体的に２５（１／４π・ｋＡ／ｍ）下げるとする。図１０前段に示す角度２４０°の時の保磁力４８５５（１／４π・ｋＡ／ｍ）を２５（１／４π・ｋＡ／ｍ）下げて４８３０（１／４π・ｋＡ／ｍ）にするのに図５においてはそれが基板温度を約4℃下げることで達成することができることがわかる。その他の加熱領域の温度設定も同様である。
【００４３】
加熱領域１３４ｂの加熱温度は変更しない。加熱領域１３４ｂは、角度１０５°乃至１２０°までは保磁力が４７７０（１／４π・ｋＡ／ｍ）以下であり、角度１６５°乃至１９５°までは保磁力が４８３０（１／４π・ｋＡ／ｍ）以上である。このように、加熱領域１３４ｂは目標保磁力の上限を超えている部分と下限を超えている部分の両方を含むため、実際の保磁力を上げても下げても目標保磁力との差が広がる部分が発生するからである。また、本実施例では、加熱領域１３４ａ及び１３４ｃを調整するので加熱領域１３４ｂと加熱領域１３４ａ及び１３４ｃの各々の境界の温度はそれに引きずられて調整される。この結果、加熱領域１３４ｂの加熱温度はある程度調整されることが期待できる。
【００４４】
再び図１に戻って、次に、調整された複数のヒータ１３０により基板２を加熱する（ステップ１４００）。次に、基板２に金属膜をスパッタにより真空中で積層する（ステップ１５００）。一層のスパッタ時間は、例えば、４秒である。ステップ１５００後の基板２の保磁力の面内分布を図１０に破線で示す。基板２の内周及び外周も目標保磁力の範囲内にあることが理解される。
【００４５】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されず、その要旨の範囲内で様々な変形及び変更が可能である。例えば、本実施例では基板２の数は２つであるが、本発明はこれに限定されない。同様に、ヒータの数もこれに限定されない。基板の各面とヒータも１対１でなくてもよい。また、ヒータ１３０を分割する同心円の数も限定されない。
【００４６】
本発明は更に以下の事項を開示する。
【００４７】
（付記１） 径方向と周方向に分割された各ヒータの分割された各加熱領域の加熱温度を等しく設定すると共に内周部と外周部の傾斜角度を０に設定するデフォルトを維持したまま、前記複数のヒータで複数の基板を加熱する第１の加熱ステップと、
前記基板に金属膜を積層する第１の積層ステップと、
前記加熱ステップ後に各基板の面内の保磁力の分布を測定するステップと、
前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの前記内周部と前記外周部の少なくともいずれか一方を他方に対して回転する回転ステップと、
前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの各加熱領域の前記加熱温度を設定する設定ステップと、
前記回転ステップ及び前記設定ステップを経た前記複数のヒータで前記複数の基板を加熱する第２の加熱ステップと、
前記基板に金属膜を積層する第２の積層ステップとを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。（１）
（付記２） 前記回転ステップにおいて形成される前記内周部と前記外周部との間の傾斜角度は、前記測定ステップにおける前記保磁力の分布の、前記基板の内周と外周のそれぞれの保磁力の極小値に対応する角度差であることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００４８】
（付記３） 前記設定ステップは、目標とする保磁力と、前記基板の温度と前記基板の保磁力との関係を利用して前記加熱温度を決定することを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００４９】
（付記４） 前記測定ステップにおける前記保磁力の分布が、前記加熱領域に対応する範囲において、目標とする保磁力の上限及び下限のいずれからもずれている場合には、前記設定ステップは前記加熱温度として前記デフォルトの温度を維持することを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００５０】
（付記５） 前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータを、当該ヒータが回転可能に取り付けられたヒータユニットに対して回転する回転ステップを更に有することを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００５１】
（付記６） それぞれが周方向に分割されて内周部と外周部を有し、前記内周部及び前記外周部は径方向に分割されてそれぞれ複数の加熱領域を有し、複数の円板状の基板を加熱する複数のヒータと、
前記内周部と前記外周部のうち一方を他方に対して回転する回転機構と、
各加熱領域の加熱温度を別個独立に制御する温度制御部とを有することを特徴とする加熱装置。（２）
（付記７） 付記６の加熱装置とスパッタ部を有することを特徴とするスパッタ装置。（３）
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施例としての磁気記録媒体の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】本発明の一実施例としての磁気記録媒体のスパッタ装置の概略図である。
【図３】図３（ａ）は、図１に示すステップ１２００の詳細なフローチャートであり、図３（ｂ）は、図１に示すステップ１３００の詳細なフローチャートである。
【図４】図４（ａ）は図２に示すヒータのデフォルトの概略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示すヒータの内周部を外周部に対して回転した状態の概略平面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）に示すヒータをヒータユニットに対して回転した状態の概略平面図である。
【図５】基板の加熱温度と保磁力との関係を示すグラフである。
【図６】保磁力とＳＮ比との関係を示すグラフである。
【図７】保磁力とＶＭＭとの関係を示すグラフである。
【図８】基板の内周と外周の保磁力の角度特性のグラフである
【図９】図８に示すグラフの角度のとり方を説明する図である。
【図１０】図１に示す製造方法によって製造された基板の保磁力の角度特性のグラフである。
【図１１】従来の加熱装置の概略図である。
【符号の説明】
【００５３】
２ 基板
１００ 加熱装置
１２０ ヒータユニット
１３０ ヒータ
１３２ａ−１３４ｄ 加熱領域
１５０ 温度制御部
１７０ スパッタ部
１８０ 磁場観察装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に係り、特に、磁気記録媒体の基板に金属膜を積層するスパッタ工程における基板の加熱制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高記憶容量のハードディスク装置（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｃ Ｄｒｉｖｅ：ＨＤＤ）が益々要求され、それに伴い高い面記録密度を有する磁気ディスクが必要となる。磁気ディスクの製造においては、ディスクの基板を両側からヒータで加熱した後でスパッタにより基板の両側から金属膜を積層する。量産性向上のため、加熱工程では、図１１（ａ）に示すように、複数の基板２を同時に加熱する。図１１（ａ）は２枚の基板２を加熱する例を示しており、基板２の両側には一対のヒータユニット４が配置される。各ヒータユニット４は対応する基板２の表面に対向するヒータ５が配置される。複数の基板２はそれらの中心が一直線上にあり、また、それらの表面が同一平面を構成するように配置される。
【０００３】
高記録密度の磁気ディスクの磁気特性を安定にするためには、基板２に形成された金属膜（磁性膜）の保磁力Ｈｃを面内で均一にする必要となる。保磁力Ｈｃが面内でばらつく原因としては加熱工程における基板２の温度分布の不均一がある。即ち、図１１（ｂ）に示すように、２枚の基板２の実線で囲った中央部分Ｐは２つのヒータ５の影響を受けて温度が高くなり易い。このため、ヒータ５を分割して加熱することが従来から提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
その他の従来技術としては特許文献２乃至４がある。
【特許文献１】特開平８−８５８６８号公報
【特許文献２】特開平５−３２０８９０号公報
【特許文献３】特開平２−４３３６０号公報
【特許文献４】特公平８−１４０２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、本発明者らは、単にヒータ５を分割して２枚の基板の中央部分Ｐに対応するヒータ５の加熱領域の温度を低くし、残りの部分を高くするだけでは基板２に均一な温度分布を形成できないことを発見した。これは、基板２の外周の外側は空間であるのに対して基板の内周はそうではないため、基板２の内周と外周とでは加熱される環境が異なるからである。
【０００６】
本発明は、保磁力を面内で均一にする磁気記録媒体の製造方法及び加熱装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面としての製造方法は、径方向と周方向に分割された各ヒータの分割された各加熱領域の加熱温度を等しく設定すると共に内周部と外周部の傾斜角度を０に設定するデフォルトを維持したまま、複数のヒータで複数の基板を加熱する第１の加熱ステップと、前記基板に金属膜を積層する第１の積層ステップと、前記加熱ステップ後に各基板の面内の保磁力の分布を測定するステップと、前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの前記内周部と前記外周部の少なくともいずれか一方を他方に対して回転する回転ステップと、前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの各加熱領域の前記加熱温度を設定する設定ステップと、前記回転ステップ及び前記設定ステップを経た前記複数のヒータで前記複数の基板を加熱する第２の加熱ステップと、前記基板に金属膜を積層する第２の積層ステップとを有することを特徴とする。かかる製造方法によれば、ヒータが内周部と外周部で分割されて一方が他方に対して回転可能であるので、基板の外周と内周に存在する保磁力のばらつきの位相差をなくすことができる。これにより、保磁力の面内均一化をより高精度に達成することができる。
【０００８】
前記回転ステップにおいて形成される前記内周部と前記外周部との間の傾斜角度は、例えば、前記測定ステップにおける前記保磁力の分布の、前記基板の内周と外周のそれぞれの保磁力の極小値に対応する角度差である。これにより、内周部と外周部の保磁力分布の位相差をキャンセルすることができる。前記設定ステップは、目標とする保磁力と、前記基板の温度と前記基板の保磁力との関係を利用して前記加熱温度を決定してもよい。これにより、基板の面内で均一な目標保磁力を得ることができる。前記測定ステップにおける前記保磁力の分布が、前記加熱領域に対応する範囲において、目標とする保磁力の上限及び下限のいずれからもずれている場合には、前記設定ステップは前記加熱温度として前記デフォルトの温度を維持してもよい。これにより、上限及び下限の一方を目標保磁力に近づけることにより他方が目標保磁力から大幅にずれることを防止することができき、保磁力の面内均一化を図ることができる。前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータを、当該ヒータが回転可能に取り付けられたヒータユニットに対して回転する回転ステップを更に有してもよい。これにより、スパッタ角度に最適に保磁力の角度分布を設定することができる。
【０００９】
本発明の別の側面としての加熱装置は、それぞれが周方向に分割されて内周部と外周部を有し、前記内周部及び前記外周部は径方向に分割されてそれぞれ複数の加熱領域を有し、複数の円板状の基板を加熱する複数のヒータと、前記内周部と前記外周部のうち一方を他方に対して回転する回転機構と、各加熱領域の加熱温度を別個独立に制御する温度制御部とを有することを特徴とする。かかる加熱装置は、上述の製造方法に適用することができ、上述の製造方法と同様の作用を奏することができる。かかる加熱装置とスパッタ部を有することを特徴とするスパッタ装置も本発明の一側面を構成する。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、保磁力を面内で均一にする磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本実施例の磁気記録媒体の製造方法について説明する。図１は、製造方法のフローチャートである。
【００１３】
まず、基板２に形成されるべき目標保磁力を設定する（ステップ１１００）。図５は、基板２の加熱温度と保磁力との関係を示すグラフである。横軸は、基板２の加熱温度（℃）であり、縦軸は保磁力Ｈｃ（１／４π・ｋＡ／ｍ）である。１Ｏｅ＝１／４π・ｋＡ／ｍである。
【００１４】
図５における基板２の加熱温度は、基板２の内周と外周の中間位置で測定している。本発明においては、基板２の内周は基板２に磁性層が形成される領域の径方向の長さを半分にする円の内側の領域であり、基板２の内周は基板２に磁性層が形成される領域の径方向の長さを半分にする円の外側の領域である。但し、本実施例においては、基板２の内周を基板２に磁性層が形成される領域の最内周部に設定し、基板２の外周を基板２に磁性層が形成される領域の最外周部に設定している。
【００１５】
図５から、基板２の加熱温度が高くなればなるほど基板２の保磁力は高くなることが理解される。高記録密度の磁気ディスクでは一定範囲の保磁力が必要である。これは、保磁力が低すぎると記録した磁気情報が消え易くなり、高すぎると磁気情報を書き込みにくくなるからである。しかし、保磁力の制御に加えてノイズを低減する必要もある。
【００１６】
図６及び図７に示すように、ある保磁力Ｈｃに対してノイズは最小となる。
【００１７】
図６においては、横軸は保磁力Ｈｃ（１／４π・ｋＡ／ｍ）で、縦軸はＳＮ比（ＳＮＲ）である。ＳＮ比は信号をノイズで割ったものであるためにノイズが低い場合又は信号が高い場合に大きくなる。図６を参照するに、保磁力Ｈｃが４８００（１／４π・ｋＡ／ｍ）でＳＮ比が最大の１５．１２となっている。
【００１８】
一方、図７においては、横軸は保磁力Ｈｃ（１／４π・ｋＡ／ｍ）で、縦軸はＶＭＭ（Ｖｉｔｅｒｂｉ Ｍｅｔｒｉｃｓ Ｍａｒｇｉｎ）である。ＶＭＭはビタビ複合器内での最も確からしい系列とそれ以外の系列のメトリクスがある閾値以下となる（詰まり再生信号の明瞭さが低下している）ビット数を計数した値である。即ち、ＶＭＭ値はエラーレートとの相関があり、小さいほうが良好な特性となる。図７を参照するに、保磁力Ｈｃが４８００（１／４π・ｋＡ／ｍ）でＶＭＭが最小の３．３１５となっている。
【００１９】
以上から、理想的な保磁力は４８００（１／４π・ｋＡ／ｍ）となるが、理想的な保磁力に実際の保磁力を完全に一致させることは困難であるため、本実施例は許容範囲を理想的な保磁力の±３０（１／４π・ｋＡ／ｍ）以内に設定してこれを目標保磁力又は目標保磁力の範囲としている。この結果、本実施例では、目標保磁力を４８００±３０（即ち、４７７０乃至４８３０）（１／４π・ｋＡ／ｍ）となる。なお、本発明は、本実施例の目標保磁力に限定されるものではない。これは図６及び図７に示すグラフはスパッタ装置の構造、スパッタ材料、基板２の膜厚構成などに依存するからである。
【００２０】
以下、図２を参照して、本実施例のスパッタ装置について説明する。ここで、図２は、スパッタ装置のブロック図である。スパッタ装置は、加熱装置１００と、スパッタ部１７０と、磁場観察装置１８０とを有する。
【００２１】
加熱装置１００は基板２を真空中で加熱する。基板２は、アルミニウムやガラスから構成される。スパッタ部１７０は、加熱された基板２に真空中でスパッタにより金属膜を積層する。磁場観察装置１８０は、カー効果を利用して金属膜が積層された基板２上の保磁力の面内分布を測定する。
【００２２】
加熱装置１００は、図２に示すように、基板支持部１１０と、ヒータユニット１２０と、温度測定部１４０と、温度制御部１５０とを有する。
【００２３】
基板支持部１１０は基板２を支持する。支持位置や方法は当業界で周知の方法を使用することができるため、説明は省略する。複数の基板２はそれらの中心が一直線上にあり、また、それらの表面が同一平面を構成するように（即ち、あたかも同一平面上に置かれたように）配置される。また、基板支持部１１０は、基板２を加熱位置とスパッタ位置との間で移動する機構に接続されている。加熱位置において基板２は加熱装置１００によって加熱され、スパッタ位置において基板２はスパッタ部１７０によって金属膜が積層される。
【００２４】
ヒータユニット１２０は、複数のヒータ１３０を搭載して複数の基板２が整列する方向に延びる略直方体形状の筐体である。一対のヒータユニット１２０が平行に配置される。ヒータユニット１２０は、回転機構１２４及び１２８を搭載している。
【００２５】
回転機構１２４はヒータ１３０全体をヒータユニット１２０に対して回転する。回転機構１２８はヒータ１３０の後述する内周部１３２を外周部１３４に対して回転する。
【００２６】
各ヒータ１３０は基板２よりも大きく、対応する基板２の表面に平行に配置される。各基板２の表裏に配置される一対のヒータ１３０の中心を結ぶ線上に基板２の中心が配置される。各ヒータ１３０のヒータユニット１２０における配置は図１１（ａ）に示す従来例と同様である。
【００２７】
各ヒータ１３０は、径方向と周方向に分割された円板形状を有する。ヒータ１３０の外形は最外周円Ｃ３で決定される。本実施例は、図４（ａ）に示すように、９０度間隔で中心Ｏから延びる４本の径方向又は放射方向に延びる直線Ｌ１乃至Ｌ４によって各ヒータ１３０を周方向に４つの領域に分割している。ここで、図４（ａ）はヒータ１３０の概略平面図である。
【００２８】
また、本実施例は、中心Ｏに関する２つの同心円Ｃ１及びＣ２によって径方向に３つの領域に分割している。この結果、各ヒータは１２の領域に分割される。図４（ａ）において、直線Ｌ１乃至Ｌ４の同心円Ｃ２よりも外側の線分を順に直線Ｌ５乃至Ｌ８と呼ぶ。本実施例は、円Ｃ１の径と円Ｃ１及び円Ｃ２の間隔は等しく設定し、円Ｃ２と円Ｃ３の間隔はこれの半分に設定しているが、本発明はこれに限定されない。基板２の中心を中心Ｏに重ねると、円Ｃ２は基板２の輪郭を規定する円よりは内側に配置されれば足りる。
【００２９】
同心円Ｃ１の内部の４つの最内周領域は加熱領域ではなく、同心円Ｃ１の外側の８つの領域が加熱領域である。かかる８つの加熱領域のうち、同心円Ｃ１とＣ２で挟まれた領域を内周部１３２、同心円Ｃ２と最外周円Ｃ３よりも外側の領域を外周部１３４と呼ぶ。図４（ａ）に示すように、内周部１３２は４つの加熱領域１３２ａ乃至１３２ｄから構成され、外周部１３４は４つの加熱領域１３４ａ乃至１３４ｄから構成される。各加熱領域は、ニクロム線など供給される電力に応じて発熱量が制御されるように構成されており、各加熱領域の発熱量又は加熱温度は、電源１６０から供給される電力を制御することによって別個独立に制御することができる。
【００３０】
内周部１３２は、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、外周部１３４に対して傾斜又は回転可能に構成されている。ここで、図４（ｂ）は図４（ａ）の内周部１３２を外周部１３４に対して回転した状態の平面図である。本実施例では同心円Ｃ１の内部は内周部１３２と共に回転するが、同心円Ｃ１の内部はヒータユニット１２０に固定されてもよい。内周部１３２が回転すると、直線Ｌ１とＬ５、直線Ｌ２とＬ６、直線Ｌ３とＬ７、直線Ｌ４とＬ８がずれる。本実施例では、回転機構１２８が内周部１３２を外周部１３４に対して回転しているが、本発明の回転機構は、内周部１３２と外周部１３４のうち少なくとも一方を他方に対して回転すれば足りる。
【００３１】
温度測定部１４０は、サーモビュアーから構成され、温度分布を測定する
温度制御部１５０は、ヒータ１３０の加熱領域１３２ａ乃至１３２ｄ、１３４ａ乃至１３４ｄに流す電力を調整するために電源１６０を制御する。
【００３２】
次に、試験を行う(ステップ１２００)。ステップ１２００における試験は、デフォルトの加熱条件で基板２を加熱して成膜した場合に保磁力が目標保磁力となるかどうかを確認する試験である。以下、図３（ａ）を参照して、ステップ１２００の詳細を説明する。ここで、図３（ａ）はステップ１２００の詳細を説明するためのフローチャートである。
【００３３】
まず、温度制御部１５０は、全ヒータ１３０を図４（ａ）に示すデフォルトに設定する（ステップ１２１０）。デフォルトでは、各ヒータ１３０の分割された各加熱領域１３２ａ乃至１３４ｄの加熱温度を等しく設定すると共に内周部１３２と外周部１３４の傾斜角度は０°に設定する。即ち、デフォルトでは、内周部１３２は外周部１３４に対して回転していない。また、デフォルトでは、ヒータ１３０はヒータユニット１２０に対して回転しておらず、ヒータ１３０とヒータユニット１２０の傾斜角度は０°に設定している。
【００３４】
次に、デフォルトを維持したまま加熱装置１００で複数の基板２を加熱する（ステップ１２２０）。必要があれば、基板２の温度分布を温度測定部１４０で測定してもよい。次に、スパッタ部１７０で基板２に金属膜を成膜する（ステップ１２３０）。金属膜は、下地層、中間層、磁性層を含む。次に、基板２の面内の内周と外周における保磁力を磁場観察装置１８０で測定する（ステップ１２４０）。
【００３５】
図８は、かかる測定結果を示したグラフであり、実線は基板２の内周の保磁力Ｈｃの角度分布を表し、破線は基板２の外周の保磁力Ｈｃの角度分布を表す。横軸は基板２上に設定された角度（度）であり、縦軸は保磁力Ｈｃ（１／４π・ｋＡ／ｍ）である。なお、横軸の角度は、図９に示すように、中心から６時方向を０°とし、時計回りに９時方向を９０°、１２時方向を１８０°、３時方向を２７０°としている。図８を参照するに、基板２の外周の保磁力最小値の角度（９０°）と基板２の内周の保磁力最小値の角度（６０°）とは３０°の位相差がある。また、基板２の内周及び外周共に目標保磁力である４８００±３０（１／４π・ｋＡ／ｍ）からずれている部分があることが理解される。
【００３６】
再び図１に戻って、試験結果に基づいて各ヒータ１３０の加熱条件を調整する（ステップ１３００）。以下、図３（ｂ）を参照して、ステップ１３００の詳細を説明する。ここで、図３（ｂ）はステップ１３００の詳細を説明するためのフローチャートである。
【００３７】
まず、試験結果に基づいて、必要があれば、各ヒータ１３０全体をヒータユニット１２０に対して回転する（ステップ１３１０）。これにより、スパッタ角度に最適に保磁力の角度分布を設定することができる。図４（ｃ）は、図４（ａ）に示す状態からヒータ１３０全体を１５°回転した状態を示す平面図である。これにより、スパッタ部１７０によるスパッタ粒子の飛び方に角度分布がある場合に、それに合わせた温度分布を基板２に形成することができる。
【００３８】
次に、本実施例は、試験結果に基づいて、図４（ｂ）に示すように、回転機構１２８を介して位相差分だけ内周部１３２を外周部１３４に対して回転する（ステップ１３２０）。回転角度は３０°に設定されている。これにより、図８に示す位相差をキャンセルすることができる。
【００３９】
次に、各ヒータ１３０の内周部１３２の加熱領域１３２ａ乃至１３２ｄと外周部１３４の加熱領域１３４ａ乃至１３４ｄの加熱温度を設定する（ステップ１３３０）。
【００４０】
具体的には、加熱温度を設定するために、本実施例は、図１０の上段に角度０°乃至３６０°に対応して図８に示す内周部１３２のグラフを描き、下段に角度０°乃至３６０°に対応して図８に示す外周部１３４のグラフを描いている。更に、図１０は前段及び下段を加熱領域に対応する角度に分割している。
【００４１】
次に、各加熱領域が目標保磁力である４７７０乃至４８３０（１／４π・ｋＡ／ｍ）の範囲内にあるかどうかを判断する。加熱領域１３２ａ及び１３２ｂにおいては、実線は目標保磁力の範囲内に入っているが、加熱領域１３２ｃ、１３２ｄ及び１３４ａ乃至１３４ｄにおいては、実線は目標保磁力の範囲外となっている部分がある。
【００４２】
そこで、加熱領域１３２ｂのデフォルト温度は維持する。加熱領域１３２ａ、１３２ｃ、１３２ｄ、１３４ｃ及び１３４ｄの温度は下げる。また、加熱領域１３４ａの温度は上げる。これらの加熱領域において、どの程度温度を増減するかは図５に示す直線を参考にして決定する。加熱領域１３２ｃの保磁力を全体的に２５（１／４π・ｋＡ／ｍ）下げるとする。図１０前段に示す角度２４０°の時の保磁力４８５５（１／４π・ｋＡ／ｍ）を２５（１／４π・ｋＡ／ｍ）下げて４８３０（１／４π・ｋＡ／ｍ）にするのに図５においてはそれが基板温度を約4℃下げることで達成することができることがわかる。その他の加熱領域の温度設定も同様である。
【００４３】
加熱領域１３４ｂの加熱温度は変更しない。加熱領域１３４ｂは、角度１０５°乃至１２０°までは保磁力が４７７０（１／４π・ｋＡ／ｍ）以下であり、角度１６５°乃至１９５°までは保磁力が４８３０（１／４π・ｋＡ／ｍ）以上である。このように、加熱領域１３４ｂは目標保磁力の上限を超えている部分と下限を超えている部分の両方を含むため、実際の保磁力を上げても下げても目標保磁力との差が広がる部分が発生するからである。また、本実施例では、加熱領域１３４ａ及び１３４ｃを調整するので加熱領域１３４ｂと加熱領域１３４ａ及び１３４ｃの各々の境界の温度はそれに引きずられて調整される。この結果、加熱領域１３４ｂの加熱温度はある程度調整されることが期待できる。
【００４４】
再び図１に戻って、次に、調整された複数のヒータ１３０により基板２を加熱する（ステップ１４００）。次に、基板２に金属膜をスパッタにより真空中で積層する（ステップ１５００）。一層のスパッタ時間は、例えば、４秒である。ステップ１５００後の基板２の保磁力の面内分布を図１０に破線で示す。基板２の内周及び外周も目標保磁力の範囲内にあることが理解される。
【００４５】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されず、その要旨の範囲内で様々な変形及び変更が可能である。例えば、本実施例では基板２の数は２つであるが、本発明はこれに限定されない。同様に、ヒータの数もこれに限定されない。基板の各面とヒータも１対１でなくてもよい。また、ヒータ１３０を分割する同心円の数も限定されない。
【００４６】
本発明は更に以下の事項を開示する。
【００４７】
（付記１） 径方向と周方向に分割された各ヒータの分割された各加熱領域の加熱温度を等しく設定すると共に内周部と外周部の傾斜角度を０に設定するデフォルトを維持したまま、前記複数のヒータで複数の基板を加熱する第１の加熱ステップと、
前記基板に金属膜を積層する第１の積層ステップと、
前記加熱ステップ後に各基板の面内の保磁力の分布を測定するステップと、
前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの前記内周部と前記外周部の少なくともいずれか一方を他方に対して回転する回転ステップと、
前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの各加熱領域の前記加熱温度を設定する設定ステップと、
前記回転ステップ及び前記設定ステップを経た前記複数のヒータで前記複数の基板を加熱する第２の加熱ステップと、
前記基板に金属膜を積層する第２の積層ステップとを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。（１）
（付記２） 前記回転ステップにおいて形成される前記内周部と前記外周部との間の傾斜角度は、前記測定ステップにおける前記保磁力の分布の、前記基板の内周と外周のそれぞれの保磁力の極小値に対応する角度差であることを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００４８】
（付記３） 前記設定ステップは、目標とする保磁力と、前記基板の温度と前記基板の保磁力との関係を利用して前記加熱温度を決定することを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００４９】
（付記４） 前記測定ステップにおける前記保磁力の分布が、前記加熱領域に対応する範囲において、目標とする保磁力の上限及び下限のいずれからもずれている場合には、前記設定ステップは前記加熱温度として前記デフォルトの温度を維持することを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００５０】
（付記５） 前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータを、当該ヒータが回転可能に取り付けられたヒータユニットに対して回転する回転ステップを更に有することを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００５１】
（付記６） それぞれが周方向に分割されて内周部と外周部を有し、前記内周部及び前記外周部は径方向に分割されてそれぞれ複数の加熱領域を有し、複数の円板状の基板を加熱する複数のヒータと、
前記内周部と前記外周部のうち一方を他方に対して回転する回転機構と、
各加熱領域の加熱温度を別個独立に制御する温度制御部とを有することを特徴とする加熱装置。（２）
（付記７） 付記６の加熱装置とスパッタ部を有することを特徴とするスパッタ装置。（３）
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施例としての磁気記録媒体の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】本発明の一実施例としての磁気記録媒体のスパッタ装置の概略図である。
【図３】図３（ａ）は、図１に示すステップ１２００の詳細なフローチャートであり、図３（ｂ）は、図１に示すステップ１３００の詳細なフローチャートである。
【図４】図４（ａ）は図２に示すヒータのデフォルトの概略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示すヒータの内周部を外周部に対して回転した状態の概略平面図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）に示すヒータをヒータユニットに対して回転した状態の概略平面図である。
【図５】基板の加熱温度と保磁力との関係を示すグラフである。
【図６】保磁力とＳＮ比との関係を示すグラフである。
【図７】保磁力とＶＭＭとの関係を示すグラフである。
【図８】基板の内周と外周の保磁力の角度特性のグラフである
【図９】図８に示すグラフの角度のとり方を説明する図である。
【図１０】図１に示す製造方法によって製造された基板の保磁力の角度特性のグラフである。
【図１１】従来の加熱装置の概略図である。
【符号の説明】
【００５３】
２ 基板
１００ 加熱装置
１２０ ヒータユニット
１３０ ヒータ
１３２ａ−１３４ｄ 加熱領域
１５０ 温度制御部
１７０ スパッタ部
１８０ 磁場観察装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
径方向と周方向に分割された各ヒータの分割された各加熱領域の加熱温度を等しく設定すると共に内周部と外周部の傾斜角度を０に設定するデフォルトを維持したまま、複数のヒータで複数の基板を加熱する第１の加熱ステップと、
前記基板に金属膜を積層する第１の積層ステップと、
前記加熱ステップ後に各基板の面内の保磁力の分布を測定するステップと、
前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの前記内周部と前記外周部の少なくともいずれか一方を他方に対して回転する回転ステップと、
前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの各加熱領域の前記加熱温度を設定する設定ステップと、
前記回転ステップ及び前記設定ステップを経た前記複数のヒータで前記複数の基板を加熱する第２の加熱ステップと、
前記基板に金属膜を積層する第２の積層ステップとを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
それぞれが周方向に分割されて内周部と外周部を有し、前記内周部及び前記外周部は径方向に分割されてそれぞれ複数の加熱領域を有し、複数の円板状の基板を加熱する複数のヒータと、
前記内周部と前記外周部のうち一方を他方に対して回転する回転機構と、
各加熱領域の加熱温度を別個独立に制御する温度制御部とを有することを特徴とする加熱装置。
【請求項３】
請求項２の加熱装置とスパッタ部を有することを特徴とするスパッタ装置。
【請求項１】
径方向と周方向に分割された各ヒータの分割された各加熱領域の加熱温度を等しく設定すると共に内周部と外周部の傾斜角度を０に設定するデフォルトを維持したまま、複数のヒータで複数の基板を加熱する第１の加熱ステップと、
前記基板に金属膜を積層する第１の積層ステップと、
前記加熱ステップ後に各基板の面内の保磁力の分布を測定するステップと、
前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの前記内周部と前記外周部の少なくともいずれか一方を他方に対して回転する回転ステップと、
前記測定ステップの結果に基づいて、各ヒータの各加熱領域の前記加熱温度を設定する設定ステップと、
前記回転ステップ及び前記設定ステップを経た前記複数のヒータで前記複数の基板を加熱する第２の加熱ステップと、
前記基板に金属膜を積層する第２の積層ステップとを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
それぞれが周方向に分割されて内周部と外周部を有し、前記内周部及び前記外周部は径方向に分割されてそれぞれ複数の加熱領域を有し、複数の円板状の基板を加熱する複数のヒータと、
前記内周部と前記外周部のうち一方を他方に対して回転する回転機構と、
各加熱領域の加熱温度を別個独立に制御する温度制御部とを有することを特徴とする加熱装置。
【請求項３】
請求項２の加熱装置とスパッタ部を有することを特徴とするスパッタ装置。
【図９】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図１０】
【図１１】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００８−２４３２７０（Ｐ２００８−２４３２７０Ａ）
【公開日】平成２０年１０月９日（２００８．１０．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−８０３７８（Ｐ２００７−８０３７８）
【出願日】平成１９年３月２６日（２００７．３．２６）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月９日（２００８．１０．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月２６日（２００７．３．２６）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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