【課題】十分緻密な薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。求める成膜特性、あるいはプロセス条件に応じた薄膜を成膜することが可能な薄膜製造方法および装置を提供する。
【解決手段】原料ガスからプラズマを生成し、該プラズマ中からイオンを抽出し、該イオンにより被成膜基板の片面または両面に薄膜を成膜する薄膜製造方法である。該方法は、該プラズマを発生させるプラズマ室と、被成膜基板を収容する成膜室と、該プラズマ室から該成膜室まで該イオンを輸送するためのイオン輸送路と、該イオン輸送路から分岐する分岐管と、該分岐管に接続された排気系統とを有する装置内で実施される。該イオン以外の原料ガスを該分岐管から排気しながら薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】多数のステーションを有する磁気ディスク等の基板を処理するフートプリントの小さいシステムを提供する。
【解決手段】それぞれの上部に処理チャンバが積層され、さまざまなサイズのディスクを取るように調節可能なディスクキャリア上でディスクがシステムを通じて移動するところのディスク処理及び製造装置が記述されている。ディスクはロードゾーンを通じてシステムに進入し、その後ディスクキャリア内に装着される。ディスクはキャリア内にあって、ひとつのレベルで、処理チャンバを通じて連続的に移動し、その後、リフトまたはエレベータにより他のレベルへ移動する。他のレベルにおいて、再びディスクはシステムを通じて連続的に移動し、その後アンロードゾーンで出力される。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造を有する基板表面の膜厚分布の改善を図ることができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、被成膜面上の一方向である第１の方向に沿って形成された凹凸構造を有する基板Ｗを成膜対象とし、ステージ３と、成膜源４と、検出部１０と、成膜源制御部１６とを具備する。成膜源４は、成膜材料Ｔから成膜粒子を生成させ、ステージ３に支持された基板Ｗに第２の方向から成膜粒子を照射する。検出部１０は、ステージ３の回転角度を検出する。成膜源制御部１６は、検出部１０の検出結果に基づいて、第１の方向と、第２の方向を被成膜面に投影した第３の方向とが平行となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度となり、第１の方向と第３の方向とが垂直となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度より小さい第２の成膜速度となるように成膜源４を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させる機構のコスト低減に寄与する基板回転装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板回転装置３０は、センタ孔を有する基板を回転させ、キャリア１０に支持された基板９の支持位置を変化させるものであり、駆動源に連結されて進退動及び上下動可能なシャフト３４の端部側に取り付けられ、シャフト３４の進退動に伴って基板９のセンタ孔に挿入することができるピック３２が、センタ孔の内側上部に第１の支持部４３と第２の支持部４１の２箇所で接することができるように構成されており、第２の支持部４１は、第１の支持部４３よりもセンタ孔中心の直上位置から離れた位置に接するとともに第１の支持部４３に対して弾性的に屈曲可能に接続されている。 （もっと読む）

【課題】メモリ素子の基板の表面にスピンコートによって薄膜を設けるときに前記基板を保持するスピンコート用治具において、薄膜を設ける作業を簡素化することができるものを提供する。
【解決手段】メモリ素子の基板Ｗ１の表面に、スピンコートによって薄膜Ｗ２を設けるときに基板Ｗ１を保持するスピンコート用治具１において、基部３と、複数の係合片５Ａ，５Ｂで構成され、各係合片５Ａ，５Ｂが基板Ｗ１に設けられている貫通孔ｈ１に係合して基板Ｗ１を保持する係合部５と、各係合片５Ａ，５Ｂと基部３との間に設けられている複数の弾性片７Ａ，７Ｂで構成されている弾性部７と、弾性部７を弾性変形させるための外力を受ける外力受け部９とを有する。 （もっと読む）

【課題】ガス冷却を用いた成膜方法において、基板への損傷を抑制しながら、十分な基板冷却能力を確保する。
【解決手段】本発明の薄膜形成装置は、薄膜形成領域９において基板７の裏面に近接する冷却体１０と、冷却体１０と基板７の裏面の間にガスを導入するガス導入手段とを備え、冷却体１０は、基板と近接し赤外光を透過する透過体と透過体を介して基板と対向する吸収体から構成される。このような構成によって、基板から放射された輻射光が透過体を透過し、透過体を介して基板と対向する輻射率が大きな吸収体に吸収されるため、冷却体１０から基板７への輻射を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリングにおいて利用される磁界が磁気記録媒体の成膜において及ぼす影響を鑑みて、さらに保磁力Ｈｃまたは逆磁区核形成磁界Ｈｎを向上させることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、回転マグネット３６を回転させてマグネトロンスパッタリングを行うことにより、ディスク基体１１０上に複数の磁性層を成膜する磁気記録媒体の製造方法において、複数の磁性層（軟磁性層１１４、磁気記録層１２２、補助記録層１２６）のうちの少なくとも１つの層を被処理層としたとき、被処理層を成膜する際に、回転マグネット３６の回転数を１００ｒｐｍ〜４００ｒｐｍの所定回転数とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、ターゲットＴの被処理基板Ｗと対向する面とは反対側に、磁気発生手段１１が配置されると共に、この磁気発生手段１１の外側に冷却手段４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板フィルムの両面及び片面への蒸着を行なうことができ、装置の大型化及び複雑化を回避できる蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板フィルムに蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、基板フィルムを送り出すように回転駆動する第１の駆動部と、搬送された基板フィルムを巻き取るように回転駆動する第２の駆動部と、第１駆動部と第２駆動部との間で搬送される基板フィルムの搬送経路に設けられ、基板フィルムの一方の面を周面に支持する複数の成膜ローラと、基板フィルムの成膜ローラに支持された面の反対側の面に蒸着膜を成膜する複数の蒸着部と、第１の駆動部及び第２の駆動部の一方と切り換えられて駆動する第３の駆動部とを備え、第３の駆動部への切り換えの有無によって基板フィルムの両面又は片面に蒸着が行われるように搬送経路が変更される。 （もっと読む）

【課題】本件は、ＲＦ−ＣＶＤ法により基板表面に成膜を行なう成膜方法に関し、基板の特性劣化を防ぎつつ成膜の生産効率を高める。
【解決手段】チャンバ内に基板を搬入しチャンバ内に成膜ガスを導入してさらにＲＦ放電による成膜ガスのプラズマを発生させることにより基板表面に成膜し成膜後の基板をチャンバ内から搬出する成膜工程と、基板搬出後のチャンバ内にクリーニングガスを導入しＲＦ放電によるクリーニングガスのプラズマを発生させることによりチャンバ内をクリーニングするクリーニング工程とを有し、このクリーニング工程がさらに、チャンバ内のクリーニングの終了後に、チャンバ内に、クリーニングガスとの反応によりそのクリーニングガスに起因する基板の特性低下を防止するための無害化ガスを導入しＲＦ放電によるクリーニングガスと無害化ガスとの混合ガスのプラズマを発生させてクリーニングガスと無害化ガスを反応させる無害化工程を有する。 （もっと読む）

【課題】平滑度の高く、高硬度で緻密な炭素膜の形成方法、前記炭素膜を保護膜として用いて記録密度を向上させ、生産効率を高めた磁気記録媒体の製造方法及び前記炭素膜の形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】カソード電極１０４と、アノード電極１０５と、基板ホルダ１０２と、を備えた成膜室１０１内を排気した後に、第２の導入管１１１から不活性ガスＡを導入して、カソード電極１０４の加熱を行うクリーニング工程と、不活性ガスＡの導入を止めて前記成膜室１０１内を排気した後に、第１の導入管１０３から導入した原料ガスＧを前記カソード電極１０４で加熱して、カソード電極１０４とアノード電極１０５との間で放電させ、カソード電極１０４又はアノード電極１０５と基板ホルダ１０２に支持された基板Ｄとの間で電圧を印加して基板Ｄ上に炭素膜を形成する成膜工程と、を有する炭素膜の形成方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】反応容器内を排気するのに要する時間を短縮することができ、なお且つ高減圧条件下で処理を行うことができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器２と、被処理基板Ｗを処理する処理ユニット１Ａと、反応容器２内を減圧排気する真空ポンプ１５とを備え、反応容器２の被処理基板Ｗと対向する少なくとも一方側又は両側の側壁６ａ，６ｂには、処理ユニット１Ａが被処理基板Ｗと対向して配置されると共に、この処理ユニット１Ａを挟んで真空ポンプ１５が配置されている。これにより、反応容器２内の被処理基板Ｗの周囲に形成される反応空間Ｒの真空度を効率良く高めることが可能である。また、この反応容器２内を減圧排気するのに要する時間を短縮し、高真空度での処理を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】キャリアを高速で搬送することができ、なお且つ成膜室内の排気能力が高く、高真空度を短時間で容易に実現できるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア２５に接触可能に設けられて、駆動機構により駆動されるキャリア２５を水平方向にガイドする水平ガイド機構と、キャリア２５に接触可能に設けられて、駆動機構により駆動されるキャリア２５を鉛直方向にガイドする鉛直ガイド機構とを備え、水平又は鉛直ガイド機構は、キャリア２５の搬送方向に並ぶ複数の支軸２０９に制振部材を介して回転自在に取り付けられた複数のベアリング２１０を有し、且つ、これら複数のベアリング２１０の外周部には、キャリア２５と接触可能な当接部材２１３が制振部材２１４を介して取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、基板保持部材から脱落する堆積膜の悪影響を抑制することを目的とする。
【解決手段】チャンバ内で、基板を保持するための基板保持部材に付着した堆積膜を消磁位置で消磁すると共に、前記消磁により脱落し易くなった堆積膜を吸着位置で磁気的に吸着する塵埃除去装置を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】容器内の真空度を短時間で高められる真空成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板を配置可能な空間部１０１ｄを備えた反応容器と、空間部１０１ｄ内に設置された成膜手段と、空間部１０１ｄの内部を減圧状態とする排気手段と、反応容器の一面に設けられ、空間部１０１ｄに連通された開口部１０１ｃと、開口部１０１ｃを覆うように取り付けられ、開口部１０１ｃを開閉自在とする扉部１０７と、開口部１０１ｃまたは扉部１０７の外周に取り付けられた枠部８０３と、枠部８０３に開口部１０１ｃを囲むように形成された溝部８０３ｃと、溝部８０３ｃに嵌めこまれたＯリング８０２と、枠部８０３に取り付けられ、枠部８０３を加熱する加熱部８０４と、を有する真空成膜装置を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 装置の大型化やそれに伴うコストの増加を招くこと無く、カーボン保護膜作成時間の短縮化および生産性に優れたインライン真空処理技術を提供すること。
【解決手段】 第１の成膜室と第２の成膜室とを有するインライン真空処理装置は、第１ロットに含まれる複数枚の基板を１つのまとまりとして、同一の成膜室で成膜処理を行うために、第１の成膜室および第２の成膜室のうち、いずれか一の成膜室に成膜処理を実行させる成膜部と、一の成膜室が成膜処理を実行している間に、成膜処理を行っていない他の成膜室において、成膜処理を行うための処理を実行させる処理実行部と、一の成膜室で処理された基板の枚数を計測し、第１ロットに含まれる基板が全て成膜処理されたか否かを判定する判定部と、判定部の判定結果に基づき、他の成膜室に成膜処理を実行させ、一の成膜室に成膜処理を行うための処理を実行させるように、第１の成膜室及び第２の成膜室で行う処理の切替えを行う制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本件は、磁気記録媒体を作製する磁気記録媒体作製方法および基板上に成膜する成膜装置に関し、非磁性材料の必要以上の成膜を抑える。
【解決手段】非磁性材料の成膜の途中で成膜を中断して、又は成膜を実行しつつ、媒体表面にレーザビーム等のビームを照射して表面でのビームの散乱強度を測定し、一方、散乱強度と表面の平坦度との対応関係をあらかじめ求めておき、測定された散乱強度が所定の平坦度に対応する所定の散乱強度にまで下がった段階で非磁性材料の成膜を終了する。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【課題】反応性スパッタリングを行う際に、酸素ラジカル濃度分布の均一性を高め、磁性層中に取り込まれる酸素濃度を面方向において一様とし、磁気特性、記録再生特性が安定した磁性層の形成方法を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリングにより形成する磁性層の形成方法であって、反応容器内に、基板を配置するとともに、スパッタ電極と、該スパッタ電極の表面に配設された酸化物以外のクロムを含むターゲットとからなる電極ユニットを、一対、それぞれ前記ターゲットを前記基板側にして、前記基板の両面と対向するように配置し、アルゴン及び水を含む混合ガスを、前記一対の電極ユニットの各前記基板側の表面付近に供給し、前記ターゲットに含まれる酸化物以外のクロムを、反応性スパッタリングにより、グラニュラ構造を有する磁性層に含まれる酸化クロムとして形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスクを製造するために使用する、直線的に配置した複数のモジュール式処理室の列から、保守等のために一つの室を交換／置換する際にその作業が迅速且つ効率的に行えるような処理室設計を提供すること。
【解決手段】この処理ライン５０は、各処理室５０ａ−５０ｇを、好ましくは二等辺の、台形に構成し且つ交互に逆向きに配置したので、一つの室５０ｆの交換はそれをラインと垂直に動かすだけでよく、両側に隙間を創るためまたは無くするために他の室５０ｅ、５０ｇを動かす必要がなく、シール５６を損傷することもない。従って、室交換のために必要な時間および労力を短縮でき、シール５６の使用寿命を延すことができ、ライン停止時間が短いので生産性が向上する。 （もっと読む）