【課題】多数のステーションを有する磁気ディスク等の基板を処理するフートプリントの小さいシステムを提供する。
【解決手段】それぞれの上部に処理チャンバが積層され、さまざまなサイズのディスクを取るように調節可能なディスクキャリア上でディスクがシステムを通じて移動するところのディスク処理及び製造装置が記述されている。ディスクはロードゾーンを通じてシステムに進入し、その後ディスクキャリア内に装着される。ディスクはキャリア内にあって、ひとつのレベルで、処理チャンバを通じて連続的に移動し、その後、リフトまたはエレベータにより他のレベルへ移動する。他のレベルにおいて、再びディスクはシステムを通じて連続的に移動し、その後アンロードゾーンで出力される。 （もっと読む）

【課題】小さい設置面積を維持すると共に、処理ステーション毎に個別に滞留時間を制御することができるコスト及びスループットを改善下装置及び方法を提供する。
【解決手段】線形搬送チャンバは、線形トラックと、線形トラックに乗せられて、処理チャンバの側面に沿って基板を線形に搬送するロボットアームとを含み、処理チャンバに到達させる方法として、基板を、制御された雰囲気中にロードロックを介してフィードし、次いで搬送チャンバに沿ってフィードする。線形平行移動、回転と分節、及びｚ運動が可能な４軸ロボットアームが開示される。 （もっと読む）

イオン注入方法は、プラズマをチャンバのプラズマ領域に供給するステップと、複数の開口を有する第１のグリッドプレートを正にバイアスするステップと、複数の開口を有する第２のグリッドプレートを負にバイアスするステップと、プラズマ領域のプラズマからのイオンを正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、正にバイアスされた第１のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、負にバイアスされた第２のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を基板に注入するステップとを有する。
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バランスのとれた工程所要時間を有する一連の工程が、線形に結合され互いに分離された一連のエッチングチャンバの中で実行される。この結果、パターニングされた媒体の溝に対する島の比率が最適化される。活性エッチングガスを用い、バイアスされた化学的エッチングが使用され、この結果レジストパターンの残渣が除去され、トリミングされる。不活性ガスによるスパッタ・エッチングが磁性体層において実行される。この結果、ディスク上の磁性体層がパターニングされる。その後、除去の最終ステップが、エッチングされなかった磁気島の上の残余のキャッピング・レジスト及び炭素ハードマスクを取り除くために実行される。ディスク表面上に残存する有効な磁性体は、化学エッチング及びスパッタ・エッチングの条件を調整することによって最適化されることができる。関連する工程条件であって調整が可能なものとしては、圧力、バイアス、時間、及び各ステップにおけるガスの種類などがある。
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太陽電池を製造する太陽電池の製造方法は、表面と、裏面と、表面と裏面との間のバックグランドドーピング領域とを有する半導体ウエハを準備するステップと、半導体ウエハの中にドーパントをイオン注入して、半導体ウエハの裏面から裏面と表面との間の位置に広がり、第１の裏面ドーピング領域と第２の裏面ドーピング領域とを横方向に交互に並べて、第１の裏面ドーピング領域が第２の裏面ドーピング領域及びバックグランドドーピング領域と異なる伝導型である裏面交互ドーピング領域を形成する一セットのイオン注入を行うステップと、第１及び第２の裏面ドーピング領域の上に位置合わせし、半導体ウエハの裏面上に、第１及び第２の裏面ドーピング領域から電荷を導電する裏面金属コンタクト層を配置するステップとを有する。
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【課題】少ない設置面積で、ウェーハを含む基板の搬送及び処理を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】線形搬送チャンバ１２３２は、線形トラックと、線形トラックに乗っているロボットアーム１２４３等を含み、基板を線形的に、処理チャンバ１２０１等の側部に沿って搬送する。又ロードロック１２３５を介し、処理チャンバ１２０１等に到達させ、搬送チャンバ１２３２に沿って基板を制御された雰囲気の中に供給する。よって相応な経費で、且つ改良されたスループットで効率的に製造を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】今日使用されているシステムと比較して改善されたスループットを妥当なコストで効率的に実現する、ウェーハを含む基板搬送処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】重要となる要素は、処理チャンバの各側に沿って配置された搬送チャンバの使用である。この搬送チャンバを使用することにより、基板がロードロックを介して制御された雰囲気中にフィードされ、次いで処理チャンバに到達する手段として、基板が搬送チャンバに沿ってフィードされ、次いで制御された雰囲気外にフィードされた後、処理チャンバ内での基板処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池における抵抗損を減らす。
【解決手段】本発明に基づく太陽電池は、隣接した選択的エミッタ領域よりも高密度にドーピングされない光受容領域を備える。光受容領域は、反射によって、太陽電池に対して無駄にされる光量を減少させる複数の４面角錐を含んでいる。光受容領域をより低いドーピング密度とすることにより、結果として電子正孔再結合によって無駄にされる青色光はより少なくなる。選択的エミッタ領域をより高いドーピング密度とすることにより、複数の選択エミッタ領域に金属グリッドを接続させた接点を良くするこことができる。好ましくは、選択エミッタ領域及び光受容領域の両方は、ドーパントを含む細いイオンビームを用いて、イオン注入される。
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【課題】太陽電池及び他の半導体素子は、注入ドーピング製造装置を用いてより効率的に低コストで製造される。
【解決手段】半導体基板のイオン注入装置は、イオン源（例えば単一シード送出モジュール）と、イオン源から１５０ｋｅＶ未満のエネルギを有するイオンビームを発生する加速器と、基板をビームに暴露するビーム照準器とを備える。一実施の形態において、イオン源は、単一ガス送出素子及び単一イオン源からなる単一シード送出モジュールである。あるいは、イオン源は、プラズマビームを発生するのに用いられるプラズマ源である。イオン注入装置は、低濃度ドーピング光受容領域及びより高濃度にドーピングされたグリッド線を有する太陽電池を製造するのに用いられる。この構造は、「不感層」の形成を減らし、コンタクトの抵抗率を改善し、それによって太陽電池の効率を向上させる。
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太陽電池装置は、既存のドーパントを含むシリコン基板を備える。均一な低濃度ドーピング領域は、シリコン基板の表面に形成され、既存のドーパントと均一な低濃度ドーピング領域間の接合を形成する。高濃度ドーピング領域は、シリコン基板の表面に選択的に注入される。シード層は、高濃度ドーピング領域の上に形成される。金属コンタクトは、シード層の上に形成される。太陽電池装置は、反射防止コーティングを備えることができる。一実施の形態において、高濃度ドーピング領域は、放物形を形成する。各高濃度ドーピング領域は、シリコン基板中５０〜２００ミクロン間隔幅とすることができる。また、高濃度ドーピング領域は、シリコン基板の横方向に互いに１〜３ｍｍ間隔とすることができる。シード層は、シリサイドとすることができる。
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