磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
【課題】記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確であり生産効率が良い磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、基板１２と、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４Ａを構成する記録層１４と、記録要素１４Ａの間の凹部１６を充填する充填部１８と、を有し、凹部１６の底面の中央部１６Ａが凹部の１６の底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出している。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、基板１２と、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４Ａを構成する記録層１４と、記録要素１４Ａの間の凹部１６を充填する充填部１８と、を有し、凹部１６の底面の中央部１６Ａが凹部の１６の底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹凸パターンで形成された記録層を有する磁気記録媒体及びこれを備えた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、磁気ヘッドの加工限界、磁気ヘッドの記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合うトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。
【０００３】
これに対し、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層が凹凸パターンで形成され、凹凸パターンの凸部が記録要素を構成するディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献１参照）。一方、ハードディスク等の磁気記録媒体ではヘッド浮上高さを安定させて良好な記録／再生特性を得るために表面の平坦性が重視される。従って、凹凸パターンで形成された記録層の上に充填材料を成膜して記録要素の間の凹部を充填材料で充填し、記録層の上の余剰の充填材料を除去して記録要素及び充填材料の上面を平坦化することが好ましい。
【０００４】
充填材料を成膜して凹部を充填する手法としては、スパッタリング法等の真空成膜法を利用できる。余剰の充填材料を除去して表面を平坦化する手法としては、ＩＢＥ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等のドライエッチングやＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等の研磨による方法を利用できる。
【０００５】
記録対象のトラックに隣り合うトラックへの誤った情報の記録や再生時のクロストークを抑制するためには、記録要素の間の凹部において記録要素同士を完全に分断することが好ましい。例えば、記録要素の間に充分に深い凹部を形成することにより記録要素同士を凹部において完全に分断することが可能である。
【０００６】
一方、記録要素の間の凹部が深い程、記録要素の間の凹部を充填するための充填材料を厚く成膜する必要があるので、充填材料を成膜する工程の効率が低下する。
【０００７】
又、充填材料は記録層の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成され、記録要素の間の凹部が深く記録層の凹凸パターンの凹凸の段差が大きい程、成膜された充填材料の上面の凹凸の段差も大きい。記録要素及び充填材料の上面を平坦化する工程では、記録層の上の余剰の充填材料が除去されながら充填材料の上面の凹凸が少しずつ減少するので、記録要素の間の凹部が深く、成膜された充填材料の上面の凹凸の段差が大きい場合、余剰の充填材料が薄いと記録要素及び充填材料の上面を充分に平坦化できない。従って、記録要素の間の凹部が深い程、余剰の充填材料が充分に厚くなるように充填材料を厚く成膜する必要があり、充填材料を成膜する工程の効率がこの点でも低下する。
【０００８】
又、記録層の上の余剰の充填材料が厚いと、余剰の充填材料を除去して記録要素及び充填材料の上面を平坦化する工程の効率も低下する。
【０００９】
即ち、記録要素の間の凹部が深い程、生産効率が低下するという問題がある。従って、記録要素の間の凹部の底面と記録層の下の層の上面とが一致するように凹部を形成することが好ましいと考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、実際には記録要素の間の凹部の底面と記録層の下の層の上面とが一致するように凹部を形成することは困難であり、凹部の底面に記録層が残存することがあった。これにより、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確でなく良好な記録／再生特性が得られないことがあった。
【００１２】
又、余剰の充填材料が充分に厚くなるように充填材料を厚く成膜してから余剰の充填材料を除去しても記録要素及び充填材料の上面を平坦化できないことがあった。より詳細には、凹部を充填する充填材料の上面の中央部が上面の端部よりも基板側に凹んだ形状になってしまうことがあった。
【００１３】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確であり生産効率が良い磁気記録媒体及びこれを備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基板と、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層と、記録要素の間の凹部を充填する充填部と、を有し、凹部の底面の中央部が底面の端部よりも基板と反対側に突出している磁気記録媒体により上記目的を達成したものである。
【００１５】
発明者らは、本発明を完成する過程において、余剰の充填材料が充分に厚くなるように充填材料を厚く成膜してから余剰の充填材料を除去しても、凹部を充填する充填材料の上面の中央部が上面の端部よりも基板側に凹んだ形状になってしまう原因について鋭意検討した結果、次のような知見を得た。
【００１６】
充填材料は記録層の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成されるが、充填材料の上面の形状は記録層の凹凸パターンの形状と厳密には一致せず、図２３に示される被加工体１００のように充填材料１７の上面における記録層１４の凹凸パターンの角部に相当する部位は記録層の凹凸パターンの角部よりも若干丸みを帯びた形状になる。これにより、充填材料１７における記録層１４の凹凸パターンの凹部１６の底面の端部の上の部分は凹部１６の底面の中央部の上の部分よりも厚くなる。記録要素１４Ａ及び充填材料１７の上面を平坦化する工程では、記録層１４の上の余剰の充填材料１７が除去されながら充填材料１７の上面の凹凸が少しずつ減少する。この際、充填材料１７の凸部は凹部よりも選択的に早く除去される傾向があるが、凹部の端部の厚さと凹部の中央部の厚さとの差は減少しにくい。成膜された充填材料１７における凹部の端部の厚さと凹部の中央部の厚さとの差が大きいと、記録要素１４Ａの上の充填材料１７が除去された後も両者の差が残存し、図２４に示されるように凹部１６を充填する充填部１８（充填材料１７）の上面の中央部が上面の端部よりも基板側に凹んだ形状になってしまうと考えられる。尚、凹部の幅が大きい程、凹部１６を充填する充填部１８の上面の中央部と上面の端部との高さの差が大きい傾向がある。
【００１７】
これに対し、上記の磁気記録媒体は、記録要素の間の凹部の底面の中央部が底面の端部よりも基板と反対側に突出しているので、凹部の底面が平坦な場合よりも凹部を充填する充填部の上面の中央部と上面の端部との高さの差が小さく抑制される。従って、記録要素及び充填材料の上面を平坦化する工程において、充填材料の上面における記録要素の間の凹部の端部の上の部分と凹部の中央部の上の部分との高さの差を充分に減少させることができる。
【００１８】
又、上記の磁気記録媒体は、記録要素の間の凹部の底面の中央部よりも底面の端部が基板側に凹んでいるので、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００１９】
例えば、記録要素の間の凹部の底面と記録層の下の層の上面とが一致するように凹部を形成した場合に、仮に凹部の底面に記録層が部分的に残存したとしても、記録層は凹部の底面の中央部に残存し、端部には残存しないので、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００２０】
又、凹部の底面の全体に記録層が残存する場合も、凹部に存在する記録層の厚さは凹部の底面の端部において凹部の底面の中央部におけるよりも薄いので、凹部に存在する記録層の厚さが一定の場合よりも、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００２１】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００２２】
（１）基板と、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層と、前記記録要素の間の凹部を充填する充填部と、を有し、前記凹部の底面の中央部が前記凹部の前記底面の端部よりも前記基板と反対側に突出していることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２３】
（２） （１）において、前記凹部の前記底面は前記基板と反対側に突出する円弧状の断面形状を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【００２４】
（３） （１）又は（２）において、前記記録層の下面が前記凹部の前記底面の少なくとも前記端部において分断されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２５】
（４） （３）において、前記記録層と前記基板との間に配置され前記記録層の下面に接する下地層を更に備え、前記下地層の下面が連続していることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２６】
（５） （４）において、前記凹部において前記下地層が前記記録層から露出しており、且つ、前記下地層における前記記録要素の下の部分の厚さと前記下地層における前記凹部の前記中央部の下の部分の厚さとがほぼ等しいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２７】
（６） （１）乃至（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対して磁気信号の記録／再生を行うための磁気ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【００２８】
尚、本出願において「凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで分割され記録要素を構成する凸部が相互に完全に分離した記録層の他、データ領域では相互に分離した凸部同士がデータ領域とサーボ領域との境界付近等では連続している記録層、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように基板の上の一部に連続して形成される記録層、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離されて形成され凸部の上面に形成された部分が記録要素を構成する記録層、凹部が記録層の上面と下面の間の位置まで形成されて底部において連続した記録層、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の記録層も含む意義で用いることとする。
【００２９】
又、本出願において「凹部の底面」とは、記録要素の間の凹部を充填する充填部の下面に接する層の上面という意義で用いることとする。例えば、記録層の上面と下面の間の位置まで凹部が形成され凹部の下にも記録層が存在している場合、記録要素の間の凹部に存在する記録層の上面が凹部の底面である。又、記録層の下に配置された配向層や軟磁性層まで凹部が形成され凹部に記録層が存在しない場合、凹部を充填する充填部の下面に接する配向層や軟磁性層の上面が凹部の底面である。又、記録要素の間の凹部の一部に記録層が存在している場合、凹部を充填する充填部の下面に接する記録層の上面と配向層及び／又は軟磁性層の上面が凹部の底面である。尚、充填部が複数の層又は要素から構成される場合、「凹部の底面」は、充填部における最も基板側に存在する層又は最も基板側に存在する部分の下面に接する層の上面という意義で用いることとする。
【００３０】
又、本出願において「凹部の底面の端部」とは、凹部の底面における記録要素と凹部との境界に沿う部分という意義で用いることとする。
【００３１】
又、本出願において「記録層の下面」とは、記録層における基板側の面という意義で用いることとする。「下地層の下面」、「充填部の下面」についても同様である。
【００３２】
又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確であり生産効率が良い磁気記録媒体及びこれを備えた磁気記録再生装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録再生装置の概略構造を模式的に示す斜視図
【図２】同磁気記録再生装置に備えられた磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図３】同磁気記録媒体の凹部の構造を拡大して示す側断面図
【図４】同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図５】同製造工程において原盤を作製するための被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図６】レジスト層及びマスク層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図７】同被加工体を加工して得られた原盤の形状を模式的に示す側断面図
【図８】同原盤の凹部の構造を拡大して示す側断面図
【図９】同原盤に基づいて得られた樹脂スタンパの形状を模式的に示す側断面図
【図１０】前記製造工程において磁気記録媒体を作製するための被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図１１】前記樹脂スタンパにより凹凸パターンの樹脂層が形成された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１２】樹脂層及び第２マスク層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１３】第１マスク層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１４】記録層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１５】同記録層の上に充填材料が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１６】余剰の充填材料が除去された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１７】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図１８】同磁気記録媒体の凹部の構造を拡大して示す側断面図
【図１９】本発明の第３実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図２０】同磁気記録媒体の凹部の構造を拡大して示す側断面図
【図２１】本発明の第４実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図２２】同磁気記録媒体の凹部の構造を拡大して示す側断面図
【図２３】比較例に係る記録層の上に充填材料が成膜された被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図２４】余剰の充填材料が除去された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３６】
図１に示されるように、本発明の第１実施形態に係る磁気記録再生装置２は、磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０に対して磁気信号の記録／再生を行うために磁気記録媒体１０の表面に近接して浮上可能であるように設置された磁気ヘッド４と、を備えている。
【００３７】
尚、磁気記録媒体１０は中心孔１０Ａを有し、中心孔１０Ａにおいてチャック６に固定され、該チャック６と共に回転自在とされている。又、磁気ヘッド４は、アーム８の先端近傍に装着され、アーム８はベース９に回動自在に取付けられている。これにより、磁気ヘッド４は磁気記録媒体１０の表面に近接して磁気記録媒体１０の径方向に沿う円弧軌道で可動とされている。
【００３８】
磁気記録媒体１０は垂直記録型のディスクリートトラックメディアであり、図２及び３に示されるように、基板１２と、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４Ａを構成する記録層１４と、記録要素１４Ａの間の凹部１６を充填する充填部１８と、を有し、凹部１６の底面の中央部１６Ａが凹部１６の底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出していることを特徴としている。他の構成については本第１実施形態の理解のために重要とは思われないため説明を適宜省略する。
【００３９】
磁気記録媒体１０は、軟磁性層２４、配向層（下地層）２６、記録層１４、保護層２８、潤滑層３０を備え、これらの層がこの順で前記基板１２の上に形成されている。
【００４０】
基板１２は、中心孔を有する略円板形状である。基板１２の材料としてはガラス、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。
【００４１】
記録層１４は、厚さが５〜３０ｎｍである。記録層１４の材料としてはＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金、これらの積層体、ＳｉＯ２等の酸化物系材料のマトリックス中にＣｏＣｒＰｔ等の強磁性粒子を含ませた材料等を用いることができる。記録層１４の凸部である記録要素１４Ａは、データ領域において径方向に微細な間隔で分離された多数の同心の円弧形状で形成されており、図２及び３はこれを示している。データ領域における記録要素１４Ａの上面の径方向の幅は１０〜１００ｎｍである。又、記録要素１４Ａの上面のレベルにおける凹部１６の径方向の幅は１０〜１００ｎｍである。尚、記録要素１４Ａはサーボ領域において、所定のサーボパターンで形成されている（図示省略）。本第１実施形態では記録層１４は凹凸パターンの凸部である記録要素１４Ａの部分だけに形成されており凹部１６に記録層１４は形成されていない。即ち、記録層１４の下面は凹部１６において分断されている。
【００４２】
充填部１８の材料としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、フェライト等の酸化物、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、Ｓｉ、Ｃ（炭素）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ＣｕやＣｒのような非磁性の金属、樹脂材料等を用いることができる。本第１実施形態において充填部１８の（中央部の）上面のレベルと記録要素１４Ａの上面のレベルとはほぼ一致している。
【００４３】
軟磁性層２４は、厚さが５０〜３００ｎｍである。軟磁性層２４の材料としてはＦｅ合金、Ｃｏ合金等を用いることができる。
【００４４】
配向層２６は、厚さが２〜４０ｎｍである。配向層２６の材料としては非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等を用いることができる。配向層２６は、記録層１４の下面に接する下地層を構成している。本第１実施形態では、凹部１６は配向層２６まで形成され、凹部１６において配向層２６は記録層１４から露出しており充填部１８の下面に接している。従って、本第１実施形態では、配向層２６における凹部１６に相当する部分の上面が凹部１６の底面である。凹部１６の底面は基板１２と反対側に突出する円弧状の断面形状を有している。又、配向層２６の下面は凹部１６で分断されず連続している。配向層２６における記録要素１４Ａの下の部分の厚さと配向層２６における凹部１６の中央部の下の部分の厚さとはほぼ等しい。
【００４５】
保護層２８は、厚さが１〜５ｎｍである。保護層２８の材料としてはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を用いることができる。
【００４６】
潤滑層３０は、厚さが１〜２ｎｍである。潤滑層３０の材料としてはＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）を用いることができる。
【００４７】
次に、磁気記録媒体１０の作用について説明する。
【００４８】
磁気記録媒体１０は、凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出しているので、後述するように凹部１６に充填材料を充填する工程において、凹部１６を充填する充填材料の上面における凹部１６の中央部１６Ａの上の部分と凹部１６の端部１６Ｂの上の部分との高さの差を小さく抑制することができる。従って、平坦化が容易である。
【００４９】
又、磁気記録媒体１０は、凹部１６の底面の中央部１６Ａよりも底面の端部１６Ｂが基板１２側に凹んでいるので、記録層１４の凸部である記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００５０】
例えば、本第１実施形態では記録層１４は凹凸パターンの凸部である記録要素１４Ａの部分だけに形成されており凹部１６に記録層１４は形成されていないが、製造時のばらつき等により凹部１６の底面に記録層１４が部分的に残存することもある。このように、仮に凹部１６の底面に記録層１４が部分的に残存したとしても、記録層１４は凹部１６の底面の中央部１６Ａに残存し、凹部１６の底面の端部１６Ｂには残存しないので、記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００５１】
次に、磁気記録媒体１０の製造方法について図４に示されるフローチャートに沿って説明する。
【００５２】
まず記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンを有する原盤を作製する（Ｓ１０２：原盤作製工程）。具体的には、図５に示されるような被加工体４０の出発体を用意する。被加工体４０の出発体は、基板４２、マスク層４４、レジスト層４６を備え、これらがこの順で積層された構成である。基板４２は、厚さが例えば０．６〜３ｍｍである。基板４２の材料としては例えばＳｉ、ＳｉＯ２やガラス状カーボンを用いることができる。マスク層４４は、厚さが例えば２〜１０ｎｍである。マスク層４４の材料としては例えばＮｉ、ＣｒやＴｉを用いることができる。レジスト層４６は、厚さが例えば５０〜１００ｎｍである。レジスト層４６の材料としては例えば電子線レジスト、Ｘ線レジスト等のフォトレジストを用いることができる。露光及び現像によりレジスト層４６を記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する。更に、この凹凸パターンのレジスト層４６に基づいて例えばＡｒガスを用いたＩＢＥ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）又はＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）によりマスク層４４をエッチングする。これにより図６に示されるようにマスク層４４も記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工される。尚、本出願において「ＩＢＥ」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に照射して加工対象物を除去する加工方法の総称という意義で用いることとする。又、本出願では、希ガスのように加工対象物と化学的に反応しないガスを用いる場合でも、ＲＩＥ装置を用いてエッチングを行う場合には「ＲＩＥ」という用語を用いることとする。次に、マスク層４４の上に残存するレジスト層４６を例えばＯ２ガスを用いたＲＩＥにより除去する。更に、この凹凸パターンのマスク層４４に基づいて例えばＣＦ４等のハロゲンガス又はハロゲンガスとＯ２ガスとの混合ガスを用いたＲＩＥにより基板４２をエッチングする。基板４２に形成される凹凸の段差が３０〜６０ｎｍになるように基板４２の厚さ方向の途中の位置でエッチングを停止する。これにより基板４２が記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工される。この際、エッチング条件を調整することにより、図７及び８に示されるように基板４２に形成される凹部の底面の中央部が凹部の底面の端部よりも突出した形状に加工される。例えば、チャンバ内の圧力を一般的な圧力よりも高め（一例を示すと１Ｐａ程度又はこれよりも高い値）に設定することにより、基板４２に形成される凹部の底面の中央部が凹部の底面の端部よりも突出した形状に加工される。尚、このように基板４２に形成される凹部の底面の中央部が凹部の底面の端部よりも突出した形状に加工される理由としては以下のような理由が考えられる。チャンバ内の圧力が高い程、加工用ガスの平均自由行程の距離が延びなくなり加工用ガスの直進性が悪化するため、凹部の側面がテーパ形状に加工されやすくなる。この場合、加工用ガスの一部は凹部の側面に衝突して凹部の底部の端部に集中し、凹部の底面の中央部のエッチング量よりも凹部の底面の端部のエッチング量が大きくなると考えられる。尚、このようなエッチングでは一般的には凹部の底面が平坦になるようなエッチング条件が設定され、上述の一般的な圧力とは、そのような場合に設定されるチャンバ内の圧力である。更に、被加工体４０をアミド硫酸等の酸性溶液中に浸漬することにより基板４２の凸部の上に残存するマスク層４４が除去され、図７及び８に示されるような原盤４８が得られる。
【００５３】
次に、メタルマスタを作製する（Ｓ１０４：メタルマスタ作製工程）。具体的には、原盤４８の凹凸パターンの表面に蒸着法、スパッタリング法、化学メッキ法等によりＮｉの導電膜を成膜する。更に、電解メッキ法により導電膜の上にＮｉの電解メッキ層を形成する。これら導電膜及び電解メッキ層を一体で原盤４８から剥離することによりメタルマスタ（図示省略）が得られる。メタルマスタには原盤４８の凹凸パターンと凹凸関係が逆の凹凸パターンが形成される。
【００５４】
次に、メタルマザーを作製する（Ｓ１０６：メタルマザー作製工程）。具体的には、メタルマスタの凹凸パターンの表面に、電解メッキ法によりＮｉの電解メッキ層を形成する。この電解メッキ層をメタルマスタから剥離し、所定のサイズに打ち抜く。更に、凹凸パターンが形成された面の反対の裏面を研磨することによりメタルマザー（図示省略）が得られる。メタルマザーには原盤４８の凹凸パターンと凹凸関係が等しい凹凸パターンが形成される。尚、メタルマザーから更に２回又は４回以上の偶数回、電解メッキ法による転写を繰り返し、原盤４８の凹凸パターンと凹凸関係が等しい凹凸パターンを有するメタルスタンパ（図示省略）を作製してもよい。
【００５５】
次に、樹脂スタンパを作製する（Ｓ１０８：樹脂スタンパ作製工程）。具体的には、メタルマザー、又は原盤４８の凹凸パターンと凹凸関係が等しい凹凸パターンを有するメタルスタンパを金型内に設置し、射出成形により図９に示されるような樹脂スタンパ５０を作製する。樹脂スタンパ５０には原盤４８の凹凸パターンと凹凸関係が逆の凹凸パターンが形成される。従って、樹脂スタンパ５０の凸部の上面の中央部は上面の端部よりも凹んだ形状である。又、樹脂スタンパ５０は紫外線及び又は可視光線が透過可能な透光性を有している。
【００５６】
次に、図１０に示されるような被加工体６０の出発体を用意する（Ｓ１１０：被加工体の出発体用意工程）。被加工体６０の出発体は基板１２の上に、軟磁性層２４、配向層２６、（凹凸パターンに加工される前の連続膜の）記録層１４、第１マスク層６２、第２マスク層６４をこの順でスパッタリング法等により成膜することにより得られる。
【００５７】
第１マスク層６２は、厚さが３〜５０ｎｍである。第１マスク層６２の材料としては、ＤＬＣのようなＣ（炭素）が主成分である材料を用いることができる。第２マスク層６４は、厚さが３〜３０ｎｍである。第２マスク層６４の材料としては、Ｎｉ等を用いることができる。
【００５８】
次に、図１１に示されるように、被加工体６０の第２マスク層６４の上に樹脂層６６を形成する（Ｓ１１２：樹脂層形成工程）。具体的には、スピンコート法により被加工体６０の第２マスク層６４の上に樹脂材料を塗布し、更に樹脂スタンパ５０を用いてインプリント法により樹脂材料に記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンを転写する。インプリント法としては、紫外線等による光インプリント、熱インプリント等を用いることができる。光インプリントの場合、樹脂層６６の材料としては紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。又、光インプリントの場合、樹脂スタンパ５０を介して樹脂材料に紫外線及び又は可視光線を照射して樹脂材料を硬化させる。又、熱インプリントの場合、樹脂層６６の材料としては熱可塑性樹脂等を用いることができる。尚、熱インプリントの場合は、メタルスタンパをインプリント時のスタンパとして用いることもできる。樹脂層６６の厚さ（凸部の厚さ）は、例えば、１０〜３００ｎｍである。樹脂層６６に形成される凹部の底面は中央部が底面の端部よりも突出した形状となる。
【００５９】
次に、凹凸パターンの樹脂層６６に基づいて記録層１４を凹凸パターンに加工する（Ｓ１１４：記録層加工工程）。具体的には、Ａｒガス等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、凹部底部の樹脂層６６及び第２マスク層６４を除去する。凹部に第１マスク層６２を露出させた時点でエッチングを停止する。図１２に示されるように凹部における第１マスク層６２の上面は中央部が端部よりも突出した形状となる。尚、この時点で凸部には樹脂層６６及び第２マスク層６４が残存している。次に、Ｏ２ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、凸部の樹脂層６６及び第２マスク層６４に基づいて第１マスク層６２をエッチングする。図１３に示されるように凹部の端部においてエッチングが記録層１４の上面まで到達した時点で第１マスク層６２のエッチングを停止する。尚、この時点で凸部の樹脂層６６は完全に消失し、凸部の第２マスク層６４は厚さ方向の一部が残存する。又、凹部の底面には第１マスク層６２が残存するが、凹部の底面の端部では第１マスク層６２は概ね消失している。又、凹部における第１マスク層６２の上面は中央部が端部よりも突出した形状となる。次に、Ａｒガス等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、第１マスク層６２に基づいて記録層１４をエッチングする。凹部における第１マスク層６２の上面（凹部の底面）の中央部は上面の端部よりも突出した形状であり、凹部の底面の端部では第１マスク層６２は概ね消失しているので、凹部の底面の端部において凹部の底面の他の部分よりも先に記録層１４のエッチングが始まる。凹部の記録層１４を除去し、凹部において配向層２６が記録層１４からほぼ完全に露出した時点で記録層１４のエッチングを停止する。これにより図１４に示されるように、記録層１４が多数の記録要素１４Ａに分割される。尚、この時点で記録要素１４Ａの上の第２マスク層６４は完全に消失するが第１マスク層６２は残存する。記録要素１４Ａの間の凹部１６における配向層２６の上面（凹部の底面）は中央部１６Ａが端部１６Ｂよりも突出した形状となる。配向層２６における凹部１６の中央部の上面のレベルと記録要素１４Ａの下面のレベルとが一致していることが好ましい。言い換えれば、配向層（下地層）２６における記録要素１４Ａの下の部分の厚さと配向層（下地層）２６における凹部１６の中央部の下の部分の厚さとがほぼ等しいことが好ましい。尚、配向層２６における凹部１６の中央部の上面のレベルと記録要素１４Ａの下面のレベルとが一致するように凹部１６を形成した場合に、仮に凹部１６の底面に記録層１４が部分的に残存したとしても、記録層１４は凹部１６の底面の中央部１６Ａに残存し、凹部１６の底面の端部１６Ｂには残存しないので、この場合も記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００６０】
次に、図１５に示されるようにスパッタリング法、蒸着法、気相成長法等の真空成膜法により、凹凸パターンの記録層１４を有する被加工体６０の上にＳｉＯ２等の充填材料１７を成膜し、記録要素１４Ａの間の凹部１６に充填材料１７で構成され凹部１６を充填する充填部１８を形成する（Ｓ１１６：充填材料成膜工程）。充填材料１７は、記録層１４の凹凸パターンに倣って記録層１４及び第１マスク層６２を覆うように記録要素１４Ａの上の第１マスク層６２の上にも成膜される。一方、凹部１６においては凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出しているので、凹部１６の底面が平坦な場合よりも、成膜される充填材料１７の上面における凹部１６の底面の端部１６Ｂの上の部分と凹部１６の底面の中央部１６Ａの上の部分との高さの差が小さく抑制される。尚、充填材料１７の表面の凹凸の段差を抑制するためには被加工体にバイアス電圧を印加して充填材料１７を成膜することが好ましい。
【００６１】
次に、図１６に示されるように、Ａｒガス等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、余剰の充填材料１７を除去し、記録要素１４Ａの上面及び充填部１８の上面を平坦化する（Ｓ１１８：平坦化工程）。尚、本第１実施形態において「余剰の充填材料１７」とは、充填材料１７における記録層１４の上面のレベルよりも上側（基板１２と反対側）に存在する部分という意義で用いることとする。ドライエッチング法は、凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向があり、特にＩＢＥやＲＩＥは凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向が強い。従って、記録要素１４Ａの上の充填材料１７を効率良く除去できる。この工程では加工用ガスの照射角を例えば被加工体６０の表面に対して９０°に設定する。尚、本出願において「加工用ガスの照射角」とは、加工用ガスの主たる進行方向と被加工体の表面とがなす角という意味で用いる。例えば、加工用ガスの主たる進行方向が被加工体の表面と平行である場合、照射角は０°であり、加工用ガスの主たる進行方向が被加工体の表面と垂直である場合、照射角は９０°である。このように加工用ガスの照射角を大きく設定することでエッチングレートが高くなり、生産効率の向上に寄与する。又、ＲＩＥはＩＢＥよりも加工用ガスの直進性が低く、加工用ガスの照射角を被加工体６０の表面に対して垂直な９０°に設定しても、一部の粒子は被加工体６０の表面に対して傾斜した方向で被加工体６０に照射される。従って、凸部が凹部よりも速くエッチングされやすくなり、記録要素１４Ａの上の第１マスク層６２が充填材料１７から露出しやすくなる。尚、加工用ガスの照射角は９０°よりも小さな角度に設定してもよい。このようにすることで、凸部を凹部よりも速く除去する傾向が強くなるので、第１マスク層６２の側面に成膜された充填材料に対するエッチングレートが相対的に高くなり、第１マスク層６２の側面が露出しやすくなる。凹部１６を充填する充填部１８の上面のレベルと記録要素１４Ａの上面のレベルとがほぼ一致した時点で充填材料１７のエッチングを停止する。次に、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガス、Ｏ２ガス等を用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、記録要素１４Ａの上の第１マスク層６２を除去する。これにより記録要素１４Ａの上面及び充填部１８の上面が平坦化される。尚、記録要素１４Ａの表面の変質層を除去する目的等で、Ａｒガスを用いたＩＢＥで被加工体６０の表面をさらにエッチングしてもよい。
【００６２】
次に、ＣＶＤ法により記録要素１４Ａ及び充填部１８の上に保護層２８を形成する（Ｓ１２０：保護層成膜工程）。更に、ディッピング法により保護層２８の上に潤滑層３０を塗布する（Ｓ１２２：潤滑層成膜工程）。これにより、前記図２及び３に示される磁気記録媒体１０が完成する。
【００６３】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０は、記録層１４が凹凸パターンの凸部である記録要素１４Ａの部分だけに形成されており凹部１６に記録層１４は形成されていないのに対し、図１７及び１８に示されるように、本第２実施形態に係る磁気記録媒体７０は、凹部１６にも記録層１４が部分的に形成されている。より詳細には、記録層１４は凹部１６において底面の中央部１６Ａに形成されており、凹部１６の底面の端部１６Ｂには記録層１４は存在しない。他の構成については前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０と同様であるので、同様の構成については図１〜１６と同一符号を付することとして説明を省略する。
【００６４】
このように凹部１６に記録層１４が部分的に形成されている場合も、記録層１４は凹部１６の底面の中央部１６Ａに存在し、端部１６Ｂには存在しないので、記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異が両者の境界において明確である。又、この場合も、凹部１６に充填材料１７を成膜する工程において、凹部１６を充填する充填材料１７の上面における凹部１６の中央部の上の部分と上面の端部の上の部分との高さの差を抑制できるので、平坦化が容易である。
【００６５】
記録層加工工程（Ｓ１１４）において、第１マスク層６２に基づいて記録層１４をエッチングする際に、凹部の端部においてのみ配向層２６を露出させた時点でエッチングを停止することにより本第２実施形態に係る磁気記録媒体７０を製造することができる。尚、エッチングのばらつき等により凹部１６の底面の端部にも記録層１４が残存する可能性があるが、この場合も記録層１４の厚さは凹部１６の底面の中央部１６Ａにおけるよりも端部１６Ｂにおいて薄いので、記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異を両者の境界において明確にする一定の効果が得られる。
【００６６】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。前記第２実施形態に係る磁気記録媒体８０は、凹部１６に記録層１４が部分的に形成されているのに対し、図１９及び２０に示されるように、本第３実施形態に係る磁気記録媒体８０は、凹部１６の底面の全体に記録層１４が形成され記録層１４の下面が連続している。尚、記録層１４の厚さは凹部１６の底面の端部１６Ｂにおいて底面の中央部１６Ａにおけるよりも薄い。他の構成については前記第１及び第２実施形態に係る磁気記録媒体１０、７０と同様であるので、同様の構成については図１〜１８と同一符号を付することとして説明を省略する。
【００６７】
このように凹部１６の底面の全体に記録層１４が形成される場合も、記録層１４の厚さは凹部１６の底面の端部１６Ｂにおいて底面の中央部１６Ａにおけるよりも薄いので、記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異を両者の境界において明確にする一定の効果が得られる。尚、記録層１４における凹部１６の底面に形成された部分が磁気記録媒体１０の磁気特性に実質的に影響しない場合がある。又、記録層１４における凹部１６の底面に形成された部分が非磁性に近い性質に変化するように記録層１４を処理することも可能である。例えば、凹部１６の底面を反応性ガスにさらして凹部１６の底面の記録層を変質させたり、凹部１６の底面にイオン注入を行って凹部１６の底面の記録層を変質させたりすることができる。このような場合も、凹部１６に充填材料１７を成膜する工程において、凹部１６を充填する充填材料１７の上面における凹部１６の中央部の上の部分と上面の端部の上の部分との高さの差を抑制できるので、平坦化が容易であるという利点がある。
【００６８】
記録層加工工程（Ｓ１１４）において、第１マスク層６２に基づいて記録層１４をエッチングする際に、凹部の端部において配向層２６が露出する前にエッチングを停止することにより本第３実施形態に係る磁気記録媒体８０を製造することができる。
【００６９】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。前記第１〜第３実施形態に係る磁気記録媒体１０、７０、８０は、記録要素１４Ａの上面のレベルと凹部１６を充填する充填部１８の上面のレベルとがほぼ一致しているのに対し、図２１及び２２に示されるように、本第４実施形態に係る磁気記録媒体９０は、充填部１８の上面のレベルが記録要素１４Ａの上面のレベルよりも低い。
【００７０】
磁気ヘッド４の浮上高さを安定させるためには磁気記録媒体１０の表面が平坦であることが好ましいが、磁気記録媒体１０の回転速度やトラックピッチの大きさやヘッドスライダ等の条件により、記録要素１４Ａの上の表面と凹部１６の上の表面との間にある程度の凹凸の段差が存在しても磁気ヘッド４の安定した浮上高さが得られることがある。このような場合、本第４実施形態のように記録要素１４Ａの上面のレベルよりも充填部１８の上面のレベルが低い構成としてもよい。尚、図２１及び２２は前記第１実施形態のように凹部１６に記録層１４が存在しない構成を図示しているが、前記第２又は第３実施形態のように、凹部１６に記録層１４が存在する場合も、磁気ヘッド４の安定した浮上高さが得られれば、充填部１８の上面のレベルが記録要素１４Ａの上面のレベルよりも低い構成としてもよい。
【００７１】
充填材料成膜工程（Ｓ１１６）において充填材料１７が凹部１６を完全に充填する前に（成膜された充填材料１７における凹部１６に形成された部分の上面が記録要素１４Ａの上面よりも低い状態で）充填材料１７の成膜を停止することにより本第４実施形態に係る磁気記録媒体９０を製造することができる。又、平坦化工程（Ｓ１１８）において凹部１６を充填する充填部１８の上面のレベルが記録要素１４Ａの上面のレベルよりも低くなるまで充填材料１７のエッチングを継続することで本第４実施形態に係る磁気記録媒体９０を製造することもできる。又、これらの手法を組み合わせて本第４実施形態に係る磁気記録媒体９０を製造することもできる。尚、充填材料成膜工程（Ｓ１１６）において充填材料１７が凹部１６を完全に充填する前に（成膜された充填材料１７における凹部１６に形成された部分の上面が記録要素１４Ａの上面よりも低い状態で）充填材料１７の成膜を停止する場合、平坦化工程（Ｓ１１８）においてＣＭＰ法等の研磨による方法を用いて記録要素１４Ａの上の余剰の充填材料１７を除去してもよい。
【００７２】
本第４実施形態のように充填部１８の上面のレベルが記録要素１４Ａの上面のレベルよりも低い場合も、凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出しているので、凹部１６に充填材料１７を成膜する工程において、凹部１６を充填する充填材料１７の上面における凹部１６の中央部の上の部分と上面の端部の上の部分との高さの差を抑制でき、平坦化が容易である。従って、充填部１８の上面における凹部１６の端部の上の部分と凹部１６の中央部の上の部分との高さの差を充分に減少させることができ、凹部１６の上の表面が平坦に近い形状である。これにより、磁気ヘッド１４と磁気記録媒体１０との間の空気膜剛性が高くなるので磁気ヘッドの浮上高さを安定させる一定の効果が得られる。
【００７３】
尚、前記第１〜第４実施形態において、原盤作製工程（Ｓ１０２）において基板４０をエッチングする際に真空チャンバの圧力等のエッチング条件を調整することで凹部の底面の中央部が底面の端部よりも突出した形状の原盤４８を作製し、この原盤４８に基づいて凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも突出した形状の磁気記録媒体１０、７０、８０、９０を製造しているが、凹部の底面が平坦な原盤を作製し、記録層加工工程（Ｓ１１４）において記録層１４をエッチングする際に真空チャンバの圧力等のエッチング条件を調整することで凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも突出した形状の磁気記録媒体１０、７０、８０、９０を製造してもよい。尚、記録層１４のエッチング法としてＣＯガスとＮＨ３ガスとの混合ガスやハロゲンガスを用いたＲＩＥを用いてもよい。
【００７４】
又、前記第１〜第４実施形態において、第１マスク層６２、第２マスク層６４、樹脂層６６を連続膜の記録層１４の上に形成し、３段階のドライエッチングで記録層１４を凹凸パターンに分割しているが、記録層１４を高精度で加工できれば、マスク層、樹脂層の材料、積層数、厚さ、ドライエッチングの種類等は特に限定されない。
【００７５】
又、前記第１〜第４実施形態において、記録層１４の下に軟磁性層２４、配向層２６が形成されているが、記録層１４の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、軟磁性層２４と基板１２との間に（配向層ではない）下地層や反強磁性層を形成してもよい。又、軟磁性層２４、配向層２６の一方又は両方を省略してもよい。又、基板上に記録層を直接形成してもよい。
【００７６】
又、前記第１〜第４実施形態において、磁気記録媒体１０、７０、８０、９０は記録層１４がデータ領域においてトラックの形状に相当する凹凸パターンで形成された垂直記録型のディスクリートトラックメディアであるが、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で分割された形状の記録層を有するパターンドメディア、渦巻き形状の記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離して形成され凸部の上面に形成された部分が記録要素である記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の凹凸パターンの記録層を有する磁気ディスクにも本発明は適用可能である。又、面内記録型の磁気ディスクにも本発明は当然適用可能である。又、基板の両面に記録層等が形成された両面記録式の磁気記録媒体にも本発明は適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体にも本発明を適用可能である。
【実施例】
【００７７】
前記第１実施形態のとおり磁気記録媒体１０の３枚のサンプルを作製した。
【００７８】
具体的には、原盤作製工程（Ｓ１０２）において、次の条件で原盤４８を作製した。
【００７９】
基板４２の厚さ：２ｍｍ
基板４２の材料：Ｓｉ
マスク層４４の厚さ：７ｎｍ
マスク層４４の材料：Ｎｉ
レジスト層４６の厚さ：６０ｎｍ
レジスト層４６の材料：ポジ型電子線レジスト
（マスク層４４のエッチング条件）
エッチング法：ＩＢＥ
加工用ガス：Ａｒ
Ａｒガス流量：１１ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．０３Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：４００Ｗ
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：５００ｍＡ
サプレッサー電圧：−４００Ｖ
イオンビームの照射角：９０°
加工時間：４０秒
（レジスト層４６を除去するエッチングの条件）
エッチング法：ＲＩＥ
加工用ガス：Ｏ２
Ｏ２ガス流量：５０ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：１．０Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：１０００Ｗ
バイアスパワー（被加工体４０に印加された電力）：２０Ｗ
加工時間：３５秒
尚、最初の１５秒間のみバイアスパワーを印加し、残りの２０秒間はバイアスパワーを印加しなかった。
（基板４２のエッチング条件）
エッチング法：ＲＩＥ
加工用ガス：ＣＦ４＋Ｏ２
ＣＦ４ガス流量：４５ｓｃｃｍ
Ｏ２ガス流量：５ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：１．０Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：５００Ｗ
バイアスパワー（被加工体４０に印加された電力）：２０Ｗ
基板温度：２０℃
加工時間：１２秒
（マスク層４４を除去するエッチングの条件）
エッチング法：ウェットエッチング
エッチング液：アミド硫酸（３ｗｔ％）
【００８０】
原盤４８の凹部の底面の中央部は底面の端部よりも突出していた。この原盤４８に基づいてメタルマスタ作製工程（Ｓ１０４）、メタルマザー作製工程（Ｓ１０６）、樹脂スタンパ作製工程（Ｓ１０８）を実行し、樹脂スタンパ５０を得た。
【００８１】
次に被加工体の出発体用意工程（Ｓ１１０）を実行し、次のような構成の被加工体６０の出発体を用意した。
【００８２】
記録層１４の厚さ：２０ｎｍ
記録層１４の材料：ＣｏＣｒＰｔ合金
配向層２６の厚さ：２０ｎｍ
配向層２６の材料：Ｒｕ
第１マスク層６２の厚さ：３０ｎｍ
第１マスク層６２の材料：ＤＬＣ
第２マスク層６４の厚さ：４ｎｍ
第２マスク層６４の材料：Ｎｉ
【００８３】
次に樹脂層形成工程（Ｓ１１２）を実行し、次のような条件で樹脂層６６を形成した。
【００８４】
インプリント法：光（紫外線）インプリント
樹脂層６６の厚さ（塗布厚さ）：３５ｎｍ
樹脂層６６の材料：紫外線硬化性樹脂
樹脂層６６の凹部の底面の中央部は底面の端部よりも突出していた。
【００８５】
次に記録層加工工程（Ｓ１１４）を実行し、次のような条件で記録層１４を凹凸パターンに加工した。
【００８６】
（樹脂層６６及び第２マスク層６４のエッチング条件）
エッチング法：ＩＢＥ
加工用ガス：Ａｒ
Ａｒガス流量：５ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．００３Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：２００Ｗ
ビーム電圧：１０００Ｖ
ビーム電流：１００ｍＡ
サプレッサー電圧：−５００Ｖ
イオンビームの照射角：９０°
加工時間：１８秒
【００８７】
凹部底部の樹脂層６６及び第２マスク層６４を除去し、凹部に第１マスク層６２を露出させた時点でエッチングを停止した。図１２に示されるように凹部における第１マスク層６２の上面（凹部の底面）は中央部が端部よりも突出した形状であった。
【００８８】
（第１マスク層６２のエッチング条件）
エッチング法：ＩＢＥ
加工用ガス：Ｏ２
Ｏ２ガス流量：２０ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．０３５Ｐａ
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：７０ｍＡ
サプレッサー電圧：−５００Ｖ
イオンビームの照射角：９０°
加工時間：４０秒
【００８９】
図１３に示されるように凹部の端部においてエッチングが記録層１４の上面まで到達した時点で第１マスク層６２のエッチングを停止した。凹部の底部には第１マスク層６２が残存していたが、凹部の底面の端部では第１マスク層６２は消失していた。又、凹部における第１マスク層６２の上面（凹部の底面）は中央部が上面の端部よりも突出した形状であった。又、第１マスク層６２の凹部における中央部の厚さは約１ｎｍだった。
【００９０】
（記録層１４のエッチング条件）
エッチング法：ＩＢＥ
加工用ガス：Ａｒ
Ａｒガス流量：５ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．００３Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：２００Ｗ
ビーム電圧：１０００Ｖ
ビーム電流：１００ｍＡ
サプレッサー電圧：−１５００Ｖ
イオンビームの照射角：９０°
加工時間：１６秒
【００９１】
これにより図１４に示されるように、記録層１４が多数の記録要素１４Ａに分割された。尚、データ領域における記録要素１４Ａのトラック幅方向（径方向）の幅は４３ｎｍだった。又、データ領域における凹部１６のトラック幅方向の幅は３５ｎｍだった。又、記録要素１４Ａの間の凹部１６における配向層２６の上面（凹部１６の底面）は中央部が端部よりも突出した形状であった。又、凹部１６の中央部の配向層２６の上面のレベルと記録要素１４Ａの下面のレベルとがほぼ一致していた。一方、凹部１６の端部の配向層２６の上面のレベルは、記録要素１４Ａの下面のレベルよりも約４ｎｍ低かった。
【００９２】
次に充填材料成膜工程（Ｓ１１６）を実行し、次のような条件で凹部１６に充填部１８を形成した。
【００９３】
（充填材料１７の成膜条件）
成膜法：バイアススパッタリング法
充填材料（ターゲット）：ＳｉＯ２
成膜用ガス：Ａｒ
Ａｒガス流量：１５５ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：９Ｐａ
ソースパワー（ターゲットに印加された電力）：５００Ｗ
バイアスパワー（被加工体６０に印加された電力）：５．６Ｗ
成膜厚さ（凹部１６における膜厚）：５０ｎｍ
【００９４】
次に平坦化工程（Ｓ１１８）を実行し、次のような条件で余剰の充填材料１７及び第１マスク層６２を除去して記録要素１４Ａの上面及び充填部１８の上面を平坦化した。
【００９５】
（充填材料１７のエッチング条件）
エッチング法：ＩＢＥ
加工用ガス：Ａｒ
Ａｒガス流量：５ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．００３Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：２００Ｗ
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：１００ｍＡ
サプレッサー電圧：−５００Ｖ
イオンビームの照射角：９０°
加工時間：２００秒
【００９６】
充填部１８の上面（の端部）のレベルと記録要素１４Ａの上面のレベルとがほぼ一致した時点でエッチングを停止した。
【００９７】
（第１マスク層６２を除去するエッチング）
エッチング法：ＲＩＥ
加工用ガス：Ｎ２
Ｎ２ガス流量：５０ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：１Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：１０００Ｗ
バイアスパワー（被加工体６０に印加された電力）：１５Ｗ
加工用ガスの照射角：９０°
加工時間：９０秒
【００９８】
このようにして磁気記録媒体１０の３枚のサンプルを得た。尚、保護層２８及び潤滑層３０は形成しなかった。
【００９９】
これらのサンプルの充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差を測定した。具体的には、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて各サンプルのデータ領域における１０箇所の部位とサーボ領域における１０箇所の部位において段差を測定した。尚、サーボ領域の測定部位における記録要素１４Ａのトラック周方向の幅は１００ｎｍだった。又、サーボ領域の測定部位における凹部１６のトラック周方向の幅は１００ｎｍだった。測定結果を表１に示す。
【０１００】
【表１】
【０１０１】
尚、表１中におけるデータ領域における段差、サーボ領域における段差はいずれも１０箇所の測定部位における測定値の相加平均値である。又、負の測定値は、充填部１８の上面のレベルが記録要素１４Ａの上面のレベルよりも高いことを示す。
【０１０２】
[比較例]
上記実施例では、原盤作製工程（Ｓ１０２）において基板４２をエッチングする際のチャンバ内圧力が１．０Ｐａであったのに対し、比較例では原盤作製工程（Ｓ１０２）において基板４２をエッチングする際のチャンバ内圧力を０．１８Ｐａに設定した。他の条件は実施例と同じ条件に設定して比較例の原盤を作製した。
【０１０３】
原盤の凹部の底面はほぼ平坦であった。この原盤に基づいてメタルマスタ作製工程（Ｓ１０４）、メタルマザー作製工程（Ｓ１０６）、樹脂スタンパ作製工程（Ｓ１０８）を実行し、樹脂スタンパを得た。樹脂スタンパの凸部の上面もほぼ平坦であった。この樹脂スタンパを用いて樹脂層形成工程（Ｓ１１２）を実行した。樹脂層６６の凹部の底面はほぼ平坦であった。樹脂層６６の凹部の底面の厚さは、実施例における樹脂層６６の凹部の底面の中央部の厚さよりも薄かった。
【０１０４】
次に記録層加工工程（Ｓ１１４）を実行し、記録層１４を凹凸パターンに加工した。樹脂層６６及び第２マスク層６４をエッチングする工程では、実施例と同様に凹部に第１マスク層６２を露出させた時点でエッチングを停止した。第１マスク層６２の上面はほぼ平坦だった。又、凹部の底面に残存した第１マスク層６２の厚さは実施例における凹部の底面に残存した第１マスク層６２の中央部の厚さよりも薄かった。第１マスク層６２をエッチングする工程では、凹部においてエッチングが記録層１４の上面まで到達した時点で第１マスク層６２のエッチングを停止した。凹部の底部の第１マスク層６２は消失していた。記録層１４をエッチングする工程では、記録要素１４Ａの間の凹部１６における配向層２６の上面のレベルが記録要素１４Ａの下面のレベルよりも低い位置でエッチングを停止した。配向層２６の上面はほぼ平坦だった。又、配向層２６の上面のレベルと記録要素１４Ａの下面のレベルとの差は約４ｎｍだった。尚、この値は、実施例における凹部１６の端部の配向層２６の上面のレベルと記録要素１４Ａの下面のレベルとの差とほぼ同じ値である。
【０１０５】
次に充填材料成膜工程（Ｓ１１６）を実行し、実施例と同様に凹部１６に充填部１８を形成した。図２３に示されるように、充填材料１７の上面における記録層１４の凹凸パターンの角部に相当する部位は記録層の凹凸パターンの角部よりも若干丸みを帯びた形状であり、充填材料１７における記録層１４の凹凸パターンの凹部１６の端部の上の部分は凹部１６の中央部の上の部分よりも厚かった。
【０１０６】
次に実施例と同様に平坦化工程（Ｓ１１８）を実行し、記録要素１４Ａの上面及び充填部１８の上面を平坦化した。余剰の充填材料１７をエッチングした時点（充填部１８の上面の端部のレベルと記録要素１４Ａの上面のレベルとがほぼ一致した時点）において、凹部１６を充填する充填材料１７の上面は図２４に示されるように中央部が端部よりも基板側に凹んだ形状であった。更に第１のマスク層６２を除去して磁気記録媒体のサンプルを得た。尚、実施例と同様に保護層２８及び潤滑層３０は形成しなかった。又、実施例と同様に磁気記録媒体の３枚のサンプルを得た。
【０１０７】
実施例と同様にこれら比較例のサンプルの充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差を測定した。測定結果を表１に併記する。
【０１０８】
表１に示されるように、実施例の充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差の測定値は比較例の測定値よりも著しく小さかった。より詳細には比較例では総ての測定値が１．５ｎｍ以上であった。これに対し、実施例では総ての測定値（絶対値）が１ｎｍよりも小さかった。
【０１０９】
上述のように比較例では充填材料成膜工程（Ｓ１１６）において成膜された充填材料１７の上面における記録層１４の凹凸パターンの角部に相当する部位が図２３に示されるように丸みを帯びた形状になっており、充填材料１７の上面における記録層１４の凹凸パターンの凹部１６の端部の上の部分が凹部１６の中央部の上の部分よりも高かった。このため平坦化工程（Ｓ１１８）において充填材料１７の上面における凹部１６の端部の上の部分と凹部１６の中央部の上の部分との高さの差が残存し、図２４に示されるように凹部１６を充填する充填部１８の上面の中央部が上面の端部よりも基板側に凹んだ形状になり、充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差が大きかったと考えられる。
【０１１０】
これに対し、実施例では、凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出していたので、比較例のように凹部１６の底面が平坦な場合よりも、図１５に示されるように、成膜された充填材料１７の上面における凹部１６の端部の上の部分と凹部１６の中央部の上の部分との高さの差が小さかった。従って、平坦化工程（Ｓ１１８）において、充填材料１７の上面における凹部１６の端部の上の部分と凹部１６の中央部の上の部分との高さの差が小さく抑制され、充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差が小さかったと考えられる。
【０１１１】
即ち、凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出していた本発明の実施例によれば、比較例のように凹部１６の底面が平坦な場合よりも磁気記録媒体の表面を平坦にできることが確認された。尚、実施例でも比較例でもサーボ領域の方がデータ領域よりも充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差が大きかった。これは、サーボ領域の方がデータ領域よりも凹部１６の幅が大きく、凹部１６を充填する充填部１８の上面の中央部と上面の端部との高さの差が大きかったためである。このように記録要素の間の凹部の幅が大きい程、凹部を充填する充填部の上面の中央部と上面の端部との高さの差が大きい傾向があるので、凹部の幅が比較的小さいデータ領域では凹部の底面が平坦であっても、凹部を充填する充填部の上面の中央部と上面の端部との高さの差が実用上問題ない程度に小さい場合もありうる。このような場合、例えば、サーボ領域において凹部の幅が比較的大きい凹部の底面の中央部が底面の端部よりも基板と反対側に突出する形状とし、凹部の幅が比較的小さいデータ領域においては凹部の底面を平坦な形状としてもよい。一方、データ領域の面積はサーボ領域の面積よりも著しく大きい。従って、面積が大きいデータ領域において凹部の底面の中央部が底面の端部よりも基板と反対側に突出する形状として表面を高精度で平坦化すれば、サーボ領域においては凹部の底面を平坦な形状としても、磁気ヘッドの浮上高さを安定させる効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、例えば、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体に利用することができる。
【符号の説明】
【０１１３】
２…磁気記録再生装置
４…磁気ヘッド
１０、７０、８０、９０…磁気記録媒体
１２、４２…基板
１４…記録層
１４Ａ…記録要素
１６…凹部
１６Ａ…底面の中央部
１６Ｂ…底面の端部
１７…充填材料
１８…充填部
２４…軟磁性層
２６…配向層
２８…保護層
３０…潤滑層
４０、６０、１００…被加工体
４４…マスク層
４６…レジスト層
４８…原盤
５０…樹脂スタンパ
６２…第１マスク層
６４…第２マスク層
６６…樹脂層
Ｓ１０２…原盤作製工程
Ｓ１０４…メタルマスタ作製工程
Ｓ１０６…メタルマザー作製工程
Ｓ１０８…樹脂スタンパ作製工程
Ｓ１１０…被加工体の出発体用意工程
Ｓ１１２…樹脂層形成工程
Ｓ１１４…記録層加工工程
Ｓ１１６…充填材料成膜工程
Ｓ１１８…平坦化工程
Ｓ１２０…保護層成膜工程
Ｓ１２２…潤滑層成膜工程
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹凸パターンで形成された記録層を有する磁気記録媒体及びこれを備えた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、磁気ヘッドの加工限界、磁気ヘッドの記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合うトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。
【０００３】
これに対し、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層が凹凸パターンで形成され、凹凸パターンの凸部が記録要素を構成するディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献１参照）。一方、ハードディスク等の磁気記録媒体ではヘッド浮上高さを安定させて良好な記録／再生特性を得るために表面の平坦性が重視される。従って、凹凸パターンで形成された記録層の上に充填材料を成膜して記録要素の間の凹部を充填材料で充填し、記録層の上の余剰の充填材料を除去して記録要素及び充填材料の上面を平坦化することが好ましい。
【０００４】
充填材料を成膜して凹部を充填する手法としては、スパッタリング法等の真空成膜法を利用できる。余剰の充填材料を除去して表面を平坦化する手法としては、ＩＢＥ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）等のドライエッチングやＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等の研磨による方法を利用できる。
【０００５】
記録対象のトラックに隣り合うトラックへの誤った情報の記録や再生時のクロストークを抑制するためには、記録要素の間の凹部において記録要素同士を完全に分断することが好ましい。例えば、記録要素の間に充分に深い凹部を形成することにより記録要素同士を凹部において完全に分断することが可能である。
【０００６】
一方、記録要素の間の凹部が深い程、記録要素の間の凹部を充填するための充填材料を厚く成膜する必要があるので、充填材料を成膜する工程の効率が低下する。
【０００７】
又、充填材料は記録層の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成され、記録要素の間の凹部が深く記録層の凹凸パターンの凹凸の段差が大きい程、成膜された充填材料の上面の凹凸の段差も大きい。記録要素及び充填材料の上面を平坦化する工程では、記録層の上の余剰の充填材料が除去されながら充填材料の上面の凹凸が少しずつ減少するので、記録要素の間の凹部が深く、成膜された充填材料の上面の凹凸の段差が大きい場合、余剰の充填材料が薄いと記録要素及び充填材料の上面を充分に平坦化できない。従って、記録要素の間の凹部が深い程、余剰の充填材料が充分に厚くなるように充填材料を厚く成膜する必要があり、充填材料を成膜する工程の効率がこの点でも低下する。
【０００８】
又、記録層の上の余剰の充填材料が厚いと、余剰の充填材料を除去して記録要素及び充填材料の上面を平坦化する工程の効率も低下する。
【０００９】
即ち、記録要素の間の凹部が深い程、生産効率が低下するという問題がある。従って、記録要素の間の凹部の底面と記録層の下の層の上面とが一致するように凹部を形成することが好ましいと考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、実際には記録要素の間の凹部の底面と記録層の下の層の上面とが一致するように凹部を形成することは困難であり、凹部の底面に記録層が残存することがあった。これにより、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確でなく良好な記録／再生特性が得られないことがあった。
【００１２】
又、余剰の充填材料が充分に厚くなるように充填材料を厚く成膜してから余剰の充填材料を除去しても記録要素及び充填材料の上面を平坦化できないことがあった。より詳細には、凹部を充填する充填材料の上面の中央部が上面の端部よりも基板側に凹んだ形状になってしまうことがあった。
【００１３】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確であり生産効率が良い磁気記録媒体及びこれを備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基板と、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層と、記録要素の間の凹部を充填する充填部と、を有し、凹部の底面の中央部が底面の端部よりも基板と反対側に突出している磁気記録媒体により上記目的を達成したものである。
【００１５】
発明者らは、本発明を完成する過程において、余剰の充填材料が充分に厚くなるように充填材料を厚く成膜してから余剰の充填材料を除去しても、凹部を充填する充填材料の上面の中央部が上面の端部よりも基板側に凹んだ形状になってしまう原因について鋭意検討した結果、次のような知見を得た。
【００１６】
充填材料は記録層の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成されるが、充填材料の上面の形状は記録層の凹凸パターンの形状と厳密には一致せず、図２３に示される被加工体１００のように充填材料１７の上面における記録層１４の凹凸パターンの角部に相当する部位は記録層の凹凸パターンの角部よりも若干丸みを帯びた形状になる。これにより、充填材料１７における記録層１４の凹凸パターンの凹部１６の底面の端部の上の部分は凹部１６の底面の中央部の上の部分よりも厚くなる。記録要素１４Ａ及び充填材料１７の上面を平坦化する工程では、記録層１４の上の余剰の充填材料１７が除去されながら充填材料１７の上面の凹凸が少しずつ減少する。この際、充填材料１７の凸部は凹部よりも選択的に早く除去される傾向があるが、凹部の端部の厚さと凹部の中央部の厚さとの差は減少しにくい。成膜された充填材料１７における凹部の端部の厚さと凹部の中央部の厚さとの差が大きいと、記録要素１４Ａの上の充填材料１７が除去された後も両者の差が残存し、図２４に示されるように凹部１６を充填する充填部１８（充填材料１７）の上面の中央部が上面の端部よりも基板側に凹んだ形状になってしまうと考えられる。尚、凹部の幅が大きい程、凹部１６を充填する充填部１８の上面の中央部と上面の端部との高さの差が大きい傾向がある。
【００１７】
これに対し、上記の磁気記録媒体は、記録要素の間の凹部の底面の中央部が底面の端部よりも基板と反対側に突出しているので、凹部の底面が平坦な場合よりも凹部を充填する充填部の上面の中央部と上面の端部との高さの差が小さく抑制される。従って、記録要素及び充填材料の上面を平坦化する工程において、充填材料の上面における記録要素の間の凹部の端部の上の部分と凹部の中央部の上の部分との高さの差を充分に減少させることができる。
【００１８】
又、上記の磁気記録媒体は、記録要素の間の凹部の底面の中央部よりも底面の端部が基板側に凹んでいるので、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００１９】
例えば、記録要素の間の凹部の底面と記録層の下の層の上面とが一致するように凹部を形成した場合に、仮に凹部の底面に記録層が部分的に残存したとしても、記録層は凹部の底面の中央部に残存し、端部には残存しないので、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００２０】
又、凹部の底面の全体に記録層が残存する場合も、凹部に存在する記録層の厚さは凹部の底面の端部において凹部の底面の中央部におけるよりも薄いので、凹部に存在する記録層の厚さが一定の場合よりも、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００２１】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００２２】
（１）基板と、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層と、前記記録要素の間の凹部を充填する充填部と、を有し、前記凹部の底面の中央部が前記凹部の前記底面の端部よりも前記基板と反対側に突出していることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２３】
（２） （１）において、前記凹部の前記底面は前記基板と反対側に突出する円弧状の断面形状を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【００２４】
（３） （１）又は（２）において、前記記録層の下面が前記凹部の前記底面の少なくとも前記端部において分断されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２５】
（４） （３）において、前記記録層と前記基板との間に配置され前記記録層の下面に接する下地層を更に備え、前記下地層の下面が連続していることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２６】
（５） （４）において、前記凹部において前記下地層が前記記録層から露出しており、且つ、前記下地層における前記記録要素の下の部分の厚さと前記下地層における前記凹部の前記中央部の下の部分の厚さとがほぼ等しいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２７】
（６） （１）乃至（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対して磁気信号の記録／再生を行うための磁気ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【００２８】
尚、本出願において「凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで分割され記録要素を構成する凸部が相互に完全に分離した記録層の他、データ領域では相互に分離した凸部同士がデータ領域とサーボ領域との境界付近等では連続している記録層、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように基板の上の一部に連続して形成される記録層、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離されて形成され凸部の上面に形成された部分が記録要素を構成する記録層、凹部が記録層の上面と下面の間の位置まで形成されて底部において連続した記録層、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の記録層も含む意義で用いることとする。
【００２９】
又、本出願において「凹部の底面」とは、記録要素の間の凹部を充填する充填部の下面に接する層の上面という意義で用いることとする。例えば、記録層の上面と下面の間の位置まで凹部が形成され凹部の下にも記録層が存在している場合、記録要素の間の凹部に存在する記録層の上面が凹部の底面である。又、記録層の下に配置された配向層や軟磁性層まで凹部が形成され凹部に記録層が存在しない場合、凹部を充填する充填部の下面に接する配向層や軟磁性層の上面が凹部の底面である。又、記録要素の間の凹部の一部に記録層が存在している場合、凹部を充填する充填部の下面に接する記録層の上面と配向層及び／又は軟磁性層の上面が凹部の底面である。尚、充填部が複数の層又は要素から構成される場合、「凹部の底面」は、充填部における最も基板側に存在する層又は最も基板側に存在する部分の下面に接する層の上面という意義で用いることとする。
【００３０】
又、本出願において「凹部の底面の端部」とは、凹部の底面における記録要素と凹部との境界に沿う部分という意義で用いることとする。
【００３１】
又、本出願において「記録層の下面」とは、記録層における基板側の面という意義で用いることとする。「下地層の下面」、「充填部の下面」についても同様である。
【００３２】
又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、記録要素と凹部との磁気的な差異が両者の境界において明確であり生産効率が良い磁気記録媒体及びこれを備えた磁気記録再生装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録再生装置の概略構造を模式的に示す斜視図
【図２】同磁気記録再生装置に備えられた磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図３】同磁気記録媒体の凹部の構造を拡大して示す側断面図
【図４】同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図５】同製造工程において原盤を作製するための被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図６】レジスト層及びマスク層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図７】同被加工体を加工して得られた原盤の形状を模式的に示す側断面図
【図８】同原盤の凹部の構造を拡大して示す側断面図
【図９】同原盤に基づいて得られた樹脂スタンパの形状を模式的に示す側断面図
【図１０】前記製造工程において磁気記録媒体を作製するための被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図１１】前記樹脂スタンパにより凹凸パターンの樹脂層が形成された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１２】樹脂層及び第２マスク層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１３】第１マスク層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１４】記録層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１５】同記録層の上に充填材料が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１６】余剰の充填材料が除去された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１７】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図１８】同磁気記録媒体の凹部の構造を拡大して示す側断面図
【図１９】本発明の第３実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図２０】同磁気記録媒体の凹部の構造を拡大して示す側断面図
【図２１】本発明の第４実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図２２】同磁気記録媒体の凹部の構造を拡大して示す側断面図
【図２３】比較例に係る記録層の上に充填材料が成膜された被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図２４】余剰の充填材料が除去された同被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３６】
図１に示されるように、本発明の第１実施形態に係る磁気記録再生装置２は、磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０に対して磁気信号の記録／再生を行うために磁気記録媒体１０の表面に近接して浮上可能であるように設置された磁気ヘッド４と、を備えている。
【００３７】
尚、磁気記録媒体１０は中心孔１０Ａを有し、中心孔１０Ａにおいてチャック６に固定され、該チャック６と共に回転自在とされている。又、磁気ヘッド４は、アーム８の先端近傍に装着され、アーム８はベース９に回動自在に取付けられている。これにより、磁気ヘッド４は磁気記録媒体１０の表面に近接して磁気記録媒体１０の径方向に沿う円弧軌道で可動とされている。
【００３８】
磁気記録媒体１０は垂直記録型のディスクリートトラックメディアであり、図２及び３に示されるように、基板１２と、基板１２の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素１４Ａを構成する記録層１４と、記録要素１４Ａの間の凹部１６を充填する充填部１８と、を有し、凹部１６の底面の中央部１６Ａが凹部１６の底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出していることを特徴としている。他の構成については本第１実施形態の理解のために重要とは思われないため説明を適宜省略する。
【００３９】
磁気記録媒体１０は、軟磁性層２４、配向層（下地層）２６、記録層１４、保護層２８、潤滑層３０を備え、これらの層がこの順で前記基板１２の上に形成されている。
【００４０】
基板１２は、中心孔を有する略円板形状である。基板１２の材料としてはガラス、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。
【００４１】
記録層１４は、厚さが５〜３０ｎｍである。記録層１４の材料としてはＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金、これらの積層体、ＳｉＯ２等の酸化物系材料のマトリックス中にＣｏＣｒＰｔ等の強磁性粒子を含ませた材料等を用いることができる。記録層１４の凸部である記録要素１４Ａは、データ領域において径方向に微細な間隔で分離された多数の同心の円弧形状で形成されており、図２及び３はこれを示している。データ領域における記録要素１４Ａの上面の径方向の幅は１０〜１００ｎｍである。又、記録要素１４Ａの上面のレベルにおける凹部１６の径方向の幅は１０〜１００ｎｍである。尚、記録要素１４Ａはサーボ領域において、所定のサーボパターンで形成されている（図示省略）。本第１実施形態では記録層１４は凹凸パターンの凸部である記録要素１４Ａの部分だけに形成されており凹部１６に記録層１４は形成されていない。即ち、記録層１４の下面は凹部１６において分断されている。
【００４２】
充填部１８の材料としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、フェライト等の酸化物、ＡｌＮ等の窒化物、ＳｉＣ等の炭化物、Ｓｉ、Ｃ（炭素）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ＣｕやＣｒのような非磁性の金属、樹脂材料等を用いることができる。本第１実施形態において充填部１８の（中央部の）上面のレベルと記録要素１４Ａの上面のレベルとはほぼ一致している。
【００４３】
軟磁性層２４は、厚さが５０〜３００ｎｍである。軟磁性層２４の材料としてはＦｅ合金、Ｃｏ合金等を用いることができる。
【００４４】
配向層２６は、厚さが２〜４０ｎｍである。配向層２６の材料としては非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等を用いることができる。配向層２６は、記録層１４の下面に接する下地層を構成している。本第１実施形態では、凹部１６は配向層２６まで形成され、凹部１６において配向層２６は記録層１４から露出しており充填部１８の下面に接している。従って、本第１実施形態では、配向層２６における凹部１６に相当する部分の上面が凹部１６の底面である。凹部１６の底面は基板１２と反対側に突出する円弧状の断面形状を有している。又、配向層２６の下面は凹部１６で分断されず連続している。配向層２６における記録要素１４Ａの下の部分の厚さと配向層２６における凹部１６の中央部の下の部分の厚さとはほぼ等しい。
【００４５】
保護層２８は、厚さが１〜５ｎｍである。保護層２８の材料としてはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を用いることができる。
【００４６】
潤滑層３０は、厚さが１〜２ｎｍである。潤滑層３０の材料としてはＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）を用いることができる。
【００４７】
次に、磁気記録媒体１０の作用について説明する。
【００４８】
磁気記録媒体１０は、凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出しているので、後述するように凹部１６に充填材料を充填する工程において、凹部１６を充填する充填材料の上面における凹部１６の中央部１６Ａの上の部分と凹部１６の端部１６Ｂの上の部分との高さの差を小さく抑制することができる。従って、平坦化が容易である。
【００４９】
又、磁気記録媒体１０は、凹部１６の底面の中央部１６Ａよりも底面の端部１６Ｂが基板１２側に凹んでいるので、記録層１４の凸部である記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００５０】
例えば、本第１実施形態では記録層１４は凹凸パターンの凸部である記録要素１４Ａの部分だけに形成されており凹部１６に記録層１４は形成されていないが、製造時のばらつき等により凹部１６の底面に記録層１４が部分的に残存することもある。このように、仮に凹部１６の底面に記録層１４が部分的に残存したとしても、記録層１４は凹部１６の底面の中央部１６Ａに残存し、凹部１６の底面の端部１６Ｂには残存しないので、記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００５１】
次に、磁気記録媒体１０の製造方法について図４に示されるフローチャートに沿って説明する。
【００５２】
まず記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンを有する原盤を作製する（Ｓ１０２：原盤作製工程）。具体的には、図５に示されるような被加工体４０の出発体を用意する。被加工体４０の出発体は、基板４２、マスク層４４、レジスト層４６を備え、これらがこの順で積層された構成である。基板４２は、厚さが例えば０．６〜３ｍｍである。基板４２の材料としては例えばＳｉ、ＳｉＯ２やガラス状カーボンを用いることができる。マスク層４４は、厚さが例えば２〜１０ｎｍである。マスク層４４の材料としては例えばＮｉ、ＣｒやＴｉを用いることができる。レジスト層４６は、厚さが例えば５０〜１００ｎｍである。レジスト層４６の材料としては例えば電子線レジスト、Ｘ線レジスト等のフォトレジストを用いることができる。露光及び現像によりレジスト層４６を記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工する。更に、この凹凸パターンのレジスト層４６に基づいて例えばＡｒガスを用いたＩＢＥ（Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）又はＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）によりマスク層４４をエッチングする。これにより図６に示されるようにマスク層４４も記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工される。尚、本出願において「ＩＢＥ」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に照射して加工対象物を除去する加工方法の総称という意義で用いることとする。又、本出願では、希ガスのように加工対象物と化学的に反応しないガスを用いる場合でも、ＲＩＥ装置を用いてエッチングを行う場合には「ＲＩＥ」という用語を用いることとする。次に、マスク層４４の上に残存するレジスト層４６を例えばＯ２ガスを用いたＲＩＥにより除去する。更に、この凹凸パターンのマスク層４４に基づいて例えばＣＦ４等のハロゲンガス又はハロゲンガスとＯ２ガスとの混合ガスを用いたＲＩＥにより基板４２をエッチングする。基板４２に形成される凹凸の段差が３０〜６０ｎｍになるように基板４２の厚さ方向の途中の位置でエッチングを停止する。これにより基板４２が記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンに加工される。この際、エッチング条件を調整することにより、図７及び８に示されるように基板４２に形成される凹部の底面の中央部が凹部の底面の端部よりも突出した形状に加工される。例えば、チャンバ内の圧力を一般的な圧力よりも高め（一例を示すと１Ｐａ程度又はこれよりも高い値）に設定することにより、基板４２に形成される凹部の底面の中央部が凹部の底面の端部よりも突出した形状に加工される。尚、このように基板４２に形成される凹部の底面の中央部が凹部の底面の端部よりも突出した形状に加工される理由としては以下のような理由が考えられる。チャンバ内の圧力が高い程、加工用ガスの平均自由行程の距離が延びなくなり加工用ガスの直進性が悪化するため、凹部の側面がテーパ形状に加工されやすくなる。この場合、加工用ガスの一部は凹部の側面に衝突して凹部の底部の端部に集中し、凹部の底面の中央部のエッチング量よりも凹部の底面の端部のエッチング量が大きくなると考えられる。尚、このようなエッチングでは一般的には凹部の底面が平坦になるようなエッチング条件が設定され、上述の一般的な圧力とは、そのような場合に設定されるチャンバ内の圧力である。更に、被加工体４０をアミド硫酸等の酸性溶液中に浸漬することにより基板４２の凸部の上に残存するマスク層４４が除去され、図７及び８に示されるような原盤４８が得られる。
【００５３】
次に、メタルマスタを作製する（Ｓ１０４：メタルマスタ作製工程）。具体的には、原盤４８の凹凸パターンの表面に蒸着法、スパッタリング法、化学メッキ法等によりＮｉの導電膜を成膜する。更に、電解メッキ法により導電膜の上にＮｉの電解メッキ層を形成する。これら導電膜及び電解メッキ層を一体で原盤４８から剥離することによりメタルマスタ（図示省略）が得られる。メタルマスタには原盤４８の凹凸パターンと凹凸関係が逆の凹凸パターンが形成される。
【００５４】
次に、メタルマザーを作製する（Ｓ１０６：メタルマザー作製工程）。具体的には、メタルマスタの凹凸パターンの表面に、電解メッキ法によりＮｉの電解メッキ層を形成する。この電解メッキ層をメタルマスタから剥離し、所定のサイズに打ち抜く。更に、凹凸パターンが形成された面の反対の裏面を研磨することによりメタルマザー（図示省略）が得られる。メタルマザーには原盤４８の凹凸パターンと凹凸関係が等しい凹凸パターンが形成される。尚、メタルマザーから更に２回又は４回以上の偶数回、電解メッキ法による転写を繰り返し、原盤４８の凹凸パターンと凹凸関係が等しい凹凸パターンを有するメタルスタンパ（図示省略）を作製してもよい。
【００５５】
次に、樹脂スタンパを作製する（Ｓ１０８：樹脂スタンパ作製工程）。具体的には、メタルマザー、又は原盤４８の凹凸パターンと凹凸関係が等しい凹凸パターンを有するメタルスタンパを金型内に設置し、射出成形により図９に示されるような樹脂スタンパ５０を作製する。樹脂スタンパ５０には原盤４８の凹凸パターンと凹凸関係が逆の凹凸パターンが形成される。従って、樹脂スタンパ５０の凸部の上面の中央部は上面の端部よりも凹んだ形状である。又、樹脂スタンパ５０は紫外線及び又は可視光線が透過可能な透光性を有している。
【００５６】
次に、図１０に示されるような被加工体６０の出発体を用意する（Ｓ１１０：被加工体の出発体用意工程）。被加工体６０の出発体は基板１２の上に、軟磁性層２４、配向層２６、（凹凸パターンに加工される前の連続膜の）記録層１４、第１マスク層６２、第２マスク層６４をこの順でスパッタリング法等により成膜することにより得られる。
【００５７】
第１マスク層６２は、厚さが３〜５０ｎｍである。第１マスク層６２の材料としては、ＤＬＣのようなＣ（炭素）が主成分である材料を用いることができる。第２マスク層６４は、厚さが３〜３０ｎｍである。第２マスク層６４の材料としては、Ｎｉ等を用いることができる。
【００５８】
次に、図１１に示されるように、被加工体６０の第２マスク層６４の上に樹脂層６６を形成する（Ｓ１１２：樹脂層形成工程）。具体的には、スピンコート法により被加工体６０の第２マスク層６４の上に樹脂材料を塗布し、更に樹脂スタンパ５０を用いてインプリント法により樹脂材料に記録層１４の凹凸パターンに相当する凹凸パターンを転写する。インプリント法としては、紫外線等による光インプリント、熱インプリント等を用いることができる。光インプリントの場合、樹脂層６６の材料としては紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。又、光インプリントの場合、樹脂スタンパ５０を介して樹脂材料に紫外線及び又は可視光線を照射して樹脂材料を硬化させる。又、熱インプリントの場合、樹脂層６６の材料としては熱可塑性樹脂等を用いることができる。尚、熱インプリントの場合は、メタルスタンパをインプリント時のスタンパとして用いることもできる。樹脂層６６の厚さ（凸部の厚さ）は、例えば、１０〜３００ｎｍである。樹脂層６６に形成される凹部の底面は中央部が底面の端部よりも突出した形状となる。
【００５９】
次に、凹凸パターンの樹脂層６６に基づいて記録層１４を凹凸パターンに加工する（Ｓ１１４：記録層加工工程）。具体的には、Ａｒガス等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、凹部底部の樹脂層６６及び第２マスク層６４を除去する。凹部に第１マスク層６２を露出させた時点でエッチングを停止する。図１２に示されるように凹部における第１マスク層６２の上面は中央部が端部よりも突出した形状となる。尚、この時点で凸部には樹脂層６６及び第２マスク層６４が残存している。次に、Ｏ２ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、凸部の樹脂層６６及び第２マスク層６４に基づいて第１マスク層６２をエッチングする。図１３に示されるように凹部の端部においてエッチングが記録層１４の上面まで到達した時点で第１マスク層６２のエッチングを停止する。尚、この時点で凸部の樹脂層６６は完全に消失し、凸部の第２マスク層６４は厚さ方向の一部が残存する。又、凹部の底面には第１マスク層６２が残存するが、凹部の底面の端部では第１マスク層６２は概ね消失している。又、凹部における第１マスク層６２の上面は中央部が端部よりも突出した形状となる。次に、Ａｒガス等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、第１マスク層６２に基づいて記録層１４をエッチングする。凹部における第１マスク層６２の上面（凹部の底面）の中央部は上面の端部よりも突出した形状であり、凹部の底面の端部では第１マスク層６２は概ね消失しているので、凹部の底面の端部において凹部の底面の他の部分よりも先に記録層１４のエッチングが始まる。凹部の記録層１４を除去し、凹部において配向層２６が記録層１４からほぼ完全に露出した時点で記録層１４のエッチングを停止する。これにより図１４に示されるように、記録層１４が多数の記録要素１４Ａに分割される。尚、この時点で記録要素１４Ａの上の第２マスク層６４は完全に消失するが第１マスク層６２は残存する。記録要素１４Ａの間の凹部１６における配向層２６の上面（凹部の底面）は中央部１６Ａが端部１６Ｂよりも突出した形状となる。配向層２６における凹部１６の中央部の上面のレベルと記録要素１４Ａの下面のレベルとが一致していることが好ましい。言い換えれば、配向層（下地層）２６における記録要素１４Ａの下の部分の厚さと配向層（下地層）２６における凹部１６の中央部の下の部分の厚さとがほぼ等しいことが好ましい。尚、配向層２６における凹部１６の中央部の上面のレベルと記録要素１４Ａの下面のレベルとが一致するように凹部１６を形成した場合に、仮に凹部１６の底面に記録層１４が部分的に残存したとしても、記録層１４は凹部１６の底面の中央部１６Ａに残存し、凹部１６の底面の端部１６Ｂには残存しないので、この場合も記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異が両者の境界において明確である。
【００６０】
次に、図１５に示されるようにスパッタリング法、蒸着法、気相成長法等の真空成膜法により、凹凸パターンの記録層１４を有する被加工体６０の上にＳｉＯ２等の充填材料１７を成膜し、記録要素１４Ａの間の凹部１６に充填材料１７で構成され凹部１６を充填する充填部１８を形成する（Ｓ１１６：充填材料成膜工程）。充填材料１７は、記録層１４の凹凸パターンに倣って記録層１４及び第１マスク層６２を覆うように記録要素１４Ａの上の第１マスク層６２の上にも成膜される。一方、凹部１６においては凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出しているので、凹部１６の底面が平坦な場合よりも、成膜される充填材料１７の上面における凹部１６の底面の端部１６Ｂの上の部分と凹部１６の底面の中央部１６Ａの上の部分との高さの差が小さく抑制される。尚、充填材料１７の表面の凹凸の段差を抑制するためには被加工体にバイアス電圧を印加して充填材料１７を成膜することが好ましい。
【００６１】
次に、図１６に示されるように、Ａｒガス等の希ガスを用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、余剰の充填材料１７を除去し、記録要素１４Ａの上面及び充填部１８の上面を平坦化する（Ｓ１１８：平坦化工程）。尚、本第１実施形態において「余剰の充填材料１７」とは、充填材料１７における記録層１４の上面のレベルよりも上側（基板１２と反対側）に存在する部分という意義で用いることとする。ドライエッチング法は、凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向があり、特にＩＢＥやＲＩＥは凸部を凹部よりも選択的に速く除去する傾向が強い。従って、記録要素１４Ａの上の充填材料１７を効率良く除去できる。この工程では加工用ガスの照射角を例えば被加工体６０の表面に対して９０°に設定する。尚、本出願において「加工用ガスの照射角」とは、加工用ガスの主たる進行方向と被加工体の表面とがなす角という意味で用いる。例えば、加工用ガスの主たる進行方向が被加工体の表面と平行である場合、照射角は０°であり、加工用ガスの主たる進行方向が被加工体の表面と垂直である場合、照射角は９０°である。このように加工用ガスの照射角を大きく設定することでエッチングレートが高くなり、生産効率の向上に寄与する。又、ＲＩＥはＩＢＥよりも加工用ガスの直進性が低く、加工用ガスの照射角を被加工体６０の表面に対して垂直な９０°に設定しても、一部の粒子は被加工体６０の表面に対して傾斜した方向で被加工体６０に照射される。従って、凸部が凹部よりも速くエッチングされやすくなり、記録要素１４Ａの上の第１マスク層６２が充填材料１７から露出しやすくなる。尚、加工用ガスの照射角は９０°よりも小さな角度に設定してもよい。このようにすることで、凸部を凹部よりも速く除去する傾向が強くなるので、第１マスク層６２の側面に成膜された充填材料に対するエッチングレートが相対的に高くなり、第１マスク層６２の側面が露出しやすくなる。凹部１６を充填する充填部１８の上面のレベルと記録要素１４Ａの上面のレベルとがほぼ一致した時点で充填材料１７のエッチングを停止する。次に、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガス、Ｏ２ガス等を用いたＩＢＥ又はＲＩＥにより、記録要素１４Ａの上の第１マスク層６２を除去する。これにより記録要素１４Ａの上面及び充填部１８の上面が平坦化される。尚、記録要素１４Ａの表面の変質層を除去する目的等で、Ａｒガスを用いたＩＢＥで被加工体６０の表面をさらにエッチングしてもよい。
【００６２】
次に、ＣＶＤ法により記録要素１４Ａ及び充填部１８の上に保護層２８を形成する（Ｓ１２０：保護層成膜工程）。更に、ディッピング法により保護層２８の上に潤滑層３０を塗布する（Ｓ１２２：潤滑層成膜工程）。これにより、前記図２及び３に示される磁気記録媒体１０が完成する。
【００６３】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０は、記録層１４が凹凸パターンの凸部である記録要素１４Ａの部分だけに形成されており凹部１６に記録層１４は形成されていないのに対し、図１７及び１８に示されるように、本第２実施形態に係る磁気記録媒体７０は、凹部１６にも記録層１４が部分的に形成されている。より詳細には、記録層１４は凹部１６において底面の中央部１６Ａに形成されており、凹部１６の底面の端部１６Ｂには記録層１４は存在しない。他の構成については前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０と同様であるので、同様の構成については図１〜１６と同一符号を付することとして説明を省略する。
【００６４】
このように凹部１６に記録層１４が部分的に形成されている場合も、記録層１４は凹部１６の底面の中央部１６Ａに存在し、端部１６Ｂには存在しないので、記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異が両者の境界において明確である。又、この場合も、凹部１６に充填材料１７を成膜する工程において、凹部１６を充填する充填材料１７の上面における凹部１６の中央部の上の部分と上面の端部の上の部分との高さの差を抑制できるので、平坦化が容易である。
【００６５】
記録層加工工程（Ｓ１１４）において、第１マスク層６２に基づいて記録層１４をエッチングする際に、凹部の端部においてのみ配向層２６を露出させた時点でエッチングを停止することにより本第２実施形態に係る磁気記録媒体７０を製造することができる。尚、エッチングのばらつき等により凹部１６の底面の端部にも記録層１４が残存する可能性があるが、この場合も記録層１４の厚さは凹部１６の底面の中央部１６Ａにおけるよりも端部１６Ｂにおいて薄いので、記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異を両者の境界において明確にする一定の効果が得られる。
【００６６】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。前記第２実施形態に係る磁気記録媒体８０は、凹部１６に記録層１４が部分的に形成されているのに対し、図１９及び２０に示されるように、本第３実施形態に係る磁気記録媒体８０は、凹部１６の底面の全体に記録層１４が形成され記録層１４の下面が連続している。尚、記録層１４の厚さは凹部１６の底面の端部１６Ｂにおいて底面の中央部１６Ａにおけるよりも薄い。他の構成については前記第１及び第２実施形態に係る磁気記録媒体１０、７０と同様であるので、同様の構成については図１〜１８と同一符号を付することとして説明を省略する。
【００６７】
このように凹部１６の底面の全体に記録層１４が形成される場合も、記録層１４の厚さは凹部１６の底面の端部１６Ｂにおいて底面の中央部１６Ａにおけるよりも薄いので、記録要素１４Ａと凹部１６との磁気的な差異を両者の境界において明確にする一定の効果が得られる。尚、記録層１４における凹部１６の底面に形成された部分が磁気記録媒体１０の磁気特性に実質的に影響しない場合がある。又、記録層１４における凹部１６の底面に形成された部分が非磁性に近い性質に変化するように記録層１４を処理することも可能である。例えば、凹部１６の底面を反応性ガスにさらして凹部１６の底面の記録層を変質させたり、凹部１６の底面にイオン注入を行って凹部１６の底面の記録層を変質させたりすることができる。このような場合も、凹部１６に充填材料１７を成膜する工程において、凹部１６を充填する充填材料１７の上面における凹部１６の中央部の上の部分と上面の端部の上の部分との高さの差を抑制できるので、平坦化が容易であるという利点がある。
【００６８】
記録層加工工程（Ｓ１１４）において、第１マスク層６２に基づいて記録層１４をエッチングする際に、凹部の端部において配向層２６が露出する前にエッチングを停止することにより本第３実施形態に係る磁気記録媒体８０を製造することができる。
【００６９】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。前記第１〜第３実施形態に係る磁気記録媒体１０、７０、８０は、記録要素１４Ａの上面のレベルと凹部１６を充填する充填部１８の上面のレベルとがほぼ一致しているのに対し、図２１及び２２に示されるように、本第４実施形態に係る磁気記録媒体９０は、充填部１８の上面のレベルが記録要素１４Ａの上面のレベルよりも低い。
【００７０】
磁気ヘッド４の浮上高さを安定させるためには磁気記録媒体１０の表面が平坦であることが好ましいが、磁気記録媒体１０の回転速度やトラックピッチの大きさやヘッドスライダ等の条件により、記録要素１４Ａの上の表面と凹部１６の上の表面との間にある程度の凹凸の段差が存在しても磁気ヘッド４の安定した浮上高さが得られることがある。このような場合、本第４実施形態のように記録要素１４Ａの上面のレベルよりも充填部１８の上面のレベルが低い構成としてもよい。尚、図２１及び２２は前記第１実施形態のように凹部１６に記録層１４が存在しない構成を図示しているが、前記第２又は第３実施形態のように、凹部１６に記録層１４が存在する場合も、磁気ヘッド４の安定した浮上高さが得られれば、充填部１８の上面のレベルが記録要素１４Ａの上面のレベルよりも低い構成としてもよい。
【００７１】
充填材料成膜工程（Ｓ１１６）において充填材料１７が凹部１６を完全に充填する前に（成膜された充填材料１７における凹部１６に形成された部分の上面が記録要素１４Ａの上面よりも低い状態で）充填材料１７の成膜を停止することにより本第４実施形態に係る磁気記録媒体９０を製造することができる。又、平坦化工程（Ｓ１１８）において凹部１６を充填する充填部１８の上面のレベルが記録要素１４Ａの上面のレベルよりも低くなるまで充填材料１７のエッチングを継続することで本第４実施形態に係る磁気記録媒体９０を製造することもできる。又、これらの手法を組み合わせて本第４実施形態に係る磁気記録媒体９０を製造することもできる。尚、充填材料成膜工程（Ｓ１１６）において充填材料１７が凹部１６を完全に充填する前に（成膜された充填材料１７における凹部１６に形成された部分の上面が記録要素１４Ａの上面よりも低い状態で）充填材料１７の成膜を停止する場合、平坦化工程（Ｓ１１８）においてＣＭＰ法等の研磨による方法を用いて記録要素１４Ａの上の余剰の充填材料１７を除去してもよい。
【００７２】
本第４実施形態のように充填部１８の上面のレベルが記録要素１４Ａの上面のレベルよりも低い場合も、凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出しているので、凹部１６に充填材料１７を成膜する工程において、凹部１６を充填する充填材料１７の上面における凹部１６の中央部の上の部分と上面の端部の上の部分との高さの差を抑制でき、平坦化が容易である。従って、充填部１８の上面における凹部１６の端部の上の部分と凹部１６の中央部の上の部分との高さの差を充分に減少させることができ、凹部１６の上の表面が平坦に近い形状である。これにより、磁気ヘッド１４と磁気記録媒体１０との間の空気膜剛性が高くなるので磁気ヘッドの浮上高さを安定させる一定の効果が得られる。
【００７３】
尚、前記第１〜第４実施形態において、原盤作製工程（Ｓ１０２）において基板４０をエッチングする際に真空チャンバの圧力等のエッチング条件を調整することで凹部の底面の中央部が底面の端部よりも突出した形状の原盤４８を作製し、この原盤４８に基づいて凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも突出した形状の磁気記録媒体１０、７０、８０、９０を製造しているが、凹部の底面が平坦な原盤を作製し、記録層加工工程（Ｓ１１４）において記録層１４をエッチングする際に真空チャンバの圧力等のエッチング条件を調整することで凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも突出した形状の磁気記録媒体１０、７０、８０、９０を製造してもよい。尚、記録層１４のエッチング法としてＣＯガスとＮＨ３ガスとの混合ガスやハロゲンガスを用いたＲＩＥを用いてもよい。
【００７４】
又、前記第１〜第４実施形態において、第１マスク層６２、第２マスク層６４、樹脂層６６を連続膜の記録層１４の上に形成し、３段階のドライエッチングで記録層１４を凹凸パターンに分割しているが、記録層１４を高精度で加工できれば、マスク層、樹脂層の材料、積層数、厚さ、ドライエッチングの種類等は特に限定されない。
【００７５】
又、前記第１〜第４実施形態において、記録層１４の下に軟磁性層２４、配向層２６が形成されているが、記録層１４の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、軟磁性層２４と基板１２との間に（配向層ではない）下地層や反強磁性層を形成してもよい。又、軟磁性層２４、配向層２６の一方又は両方を省略してもよい。又、基板上に記録層を直接形成してもよい。
【００７６】
又、前記第１〜第４実施形態において、磁気記録媒体１０、７０、８０、９０は記録層１４がデータ領域においてトラックの形状に相当する凹凸パターンで形成された垂直記録型のディスクリートトラックメディアであるが、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で分割された形状の記録層を有するパターンドメディア、渦巻き形状の記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層の凸部の上面と凹部の底面とに分離して形成され凸部の上面に形成された部分が記録要素である記録層を有する磁気ディスク、凹凸パターンの下の層に倣って凹凸パターンで成膜された連続膜の凹凸パターンの記録層を有する磁気ディスクにも本発明は適用可能である。又、面内記録型の磁気ディスクにも本発明は当然適用可能である。又、基板の両面に記録層等が形成された両面記録式の磁気記録媒体にも本発明は適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体にも本発明を適用可能である。
【実施例】
【００７７】
前記第１実施形態のとおり磁気記録媒体１０の３枚のサンプルを作製した。
【００７８】
具体的には、原盤作製工程（Ｓ１０２）において、次の条件で原盤４８を作製した。
【００７９】
基板４２の厚さ：２ｍｍ
基板４２の材料：Ｓｉ
マスク層４４の厚さ：７ｎｍ
マスク層４４の材料：Ｎｉ
レジスト層４６の厚さ：６０ｎｍ
レジスト層４６の材料：ポジ型電子線レジスト
（マスク層４４のエッチング条件）
エッチング法：ＩＢＥ
加工用ガス：Ａｒ
Ａｒガス流量：１１ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．０３Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：４００Ｗ
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：５００ｍＡ
サプレッサー電圧：−４００Ｖ
イオンビームの照射角：９０°
加工時間：４０秒
（レジスト層４６を除去するエッチングの条件）
エッチング法：ＲＩＥ
加工用ガス：Ｏ２
Ｏ２ガス流量：５０ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：１．０Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：１０００Ｗ
バイアスパワー（被加工体４０に印加された電力）：２０Ｗ
加工時間：３５秒
尚、最初の１５秒間のみバイアスパワーを印加し、残りの２０秒間はバイアスパワーを印加しなかった。
（基板４２のエッチング条件）
エッチング法：ＲＩＥ
加工用ガス：ＣＦ４＋Ｏ２
ＣＦ４ガス流量：４５ｓｃｃｍ
Ｏ２ガス流量：５ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：１．０Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：５００Ｗ
バイアスパワー（被加工体４０に印加された電力）：２０Ｗ
基板温度：２０℃
加工時間：１２秒
（マスク層４４を除去するエッチングの条件）
エッチング法：ウェットエッチング
エッチング液：アミド硫酸（３ｗｔ％）
【００８０】
原盤４８の凹部の底面の中央部は底面の端部よりも突出していた。この原盤４８に基づいてメタルマスタ作製工程（Ｓ１０４）、メタルマザー作製工程（Ｓ１０６）、樹脂スタンパ作製工程（Ｓ１０８）を実行し、樹脂スタンパ５０を得た。
【００８１】
次に被加工体の出発体用意工程（Ｓ１１０）を実行し、次のような構成の被加工体６０の出発体を用意した。
【００８２】
記録層１４の厚さ：２０ｎｍ
記録層１４の材料：ＣｏＣｒＰｔ合金
配向層２６の厚さ：２０ｎｍ
配向層２６の材料：Ｒｕ
第１マスク層６２の厚さ：３０ｎｍ
第１マスク層６２の材料：ＤＬＣ
第２マスク層６４の厚さ：４ｎｍ
第２マスク層６４の材料：Ｎｉ
【００８３】
次に樹脂層形成工程（Ｓ１１２）を実行し、次のような条件で樹脂層６６を形成した。
【００８４】
インプリント法：光（紫外線）インプリント
樹脂層６６の厚さ（塗布厚さ）：３５ｎｍ
樹脂層６６の材料：紫外線硬化性樹脂
樹脂層６６の凹部の底面の中央部は底面の端部よりも突出していた。
【００８５】
次に記録層加工工程（Ｓ１１４）を実行し、次のような条件で記録層１４を凹凸パターンに加工した。
【００８６】
（樹脂層６６及び第２マスク層６４のエッチング条件）
エッチング法：ＩＢＥ
加工用ガス：Ａｒ
Ａｒガス流量：５ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．００３Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：２００Ｗ
ビーム電圧：１０００Ｖ
ビーム電流：１００ｍＡ
サプレッサー電圧：−５００Ｖ
イオンビームの照射角：９０°
加工時間：１８秒
【００８７】
凹部底部の樹脂層６６及び第２マスク層６４を除去し、凹部に第１マスク層６２を露出させた時点でエッチングを停止した。図１２に示されるように凹部における第１マスク層６２の上面（凹部の底面）は中央部が端部よりも突出した形状であった。
【００８８】
（第１マスク層６２のエッチング条件）
エッチング法：ＩＢＥ
加工用ガス：Ｏ２
Ｏ２ガス流量：２０ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．０３５Ｐａ
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：７０ｍＡ
サプレッサー電圧：−５００Ｖ
イオンビームの照射角：９０°
加工時間：４０秒
【００８９】
図１３に示されるように凹部の端部においてエッチングが記録層１４の上面まで到達した時点で第１マスク層６２のエッチングを停止した。凹部の底部には第１マスク層６２が残存していたが、凹部の底面の端部では第１マスク層６２は消失していた。又、凹部における第１マスク層６２の上面（凹部の底面）は中央部が上面の端部よりも突出した形状であった。又、第１マスク層６２の凹部における中央部の厚さは約１ｎｍだった。
【００９０】
（記録層１４のエッチング条件）
エッチング法：ＩＢＥ
加工用ガス：Ａｒ
Ａｒガス流量：５ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．００３Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：２００Ｗ
ビーム電圧：１０００Ｖ
ビーム電流：１００ｍＡ
サプレッサー電圧：−１５００Ｖ
イオンビームの照射角：９０°
加工時間：１６秒
【００９１】
これにより図１４に示されるように、記録層１４が多数の記録要素１４Ａに分割された。尚、データ領域における記録要素１４Ａのトラック幅方向（径方向）の幅は４３ｎｍだった。又、データ領域における凹部１６のトラック幅方向の幅は３５ｎｍだった。又、記録要素１４Ａの間の凹部１６における配向層２６の上面（凹部１６の底面）は中央部が端部よりも突出した形状であった。又、凹部１６の中央部の配向層２６の上面のレベルと記録要素１４Ａの下面のレベルとがほぼ一致していた。一方、凹部１６の端部の配向層２６の上面のレベルは、記録要素１４Ａの下面のレベルよりも約４ｎｍ低かった。
【００９２】
次に充填材料成膜工程（Ｓ１１６）を実行し、次のような条件で凹部１６に充填部１８を形成した。
【００９３】
（充填材料１７の成膜条件）
成膜法：バイアススパッタリング法
充填材料（ターゲット）：ＳｉＯ２
成膜用ガス：Ａｒ
Ａｒガス流量：１５５ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：９Ｐａ
ソースパワー（ターゲットに印加された電力）：５００Ｗ
バイアスパワー（被加工体６０に印加された電力）：５．６Ｗ
成膜厚さ（凹部１６における膜厚）：５０ｎｍ
【００９４】
次に平坦化工程（Ｓ１１８）を実行し、次のような条件で余剰の充填材料１７及び第１マスク層６２を除去して記録要素１４Ａの上面及び充填部１８の上面を平坦化した。
【００９５】
（充填材料１７のエッチング条件）
エッチング法：ＩＢＥ
加工用ガス：Ａｒ
Ａｒガス流量：５ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：０．００３Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：２００Ｗ
ビーム電圧：５００Ｖ
ビーム電流：１００ｍＡ
サプレッサー電圧：−５００Ｖ
イオンビームの照射角：９０°
加工時間：２００秒
【００９６】
充填部１８の上面（の端部）のレベルと記録要素１４Ａの上面のレベルとがほぼ一致した時点でエッチングを停止した。
【００９７】
（第１マスク層６２を除去するエッチング）
エッチング法：ＲＩＥ
加工用ガス：Ｎ２
Ｎ２ガス流量：５０ｓｃｃｍ
チャンバ内圧力：１Ｐａ
ソースパワー（プラズマソース電力）：１０００Ｗ
バイアスパワー（被加工体６０に印加された電力）：１５Ｗ
加工用ガスの照射角：９０°
加工時間：９０秒
【００９８】
このようにして磁気記録媒体１０の３枚のサンプルを得た。尚、保護層２８及び潤滑層３０は形成しなかった。
【００９９】
これらのサンプルの充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差を測定した。具体的には、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて各サンプルのデータ領域における１０箇所の部位とサーボ領域における１０箇所の部位において段差を測定した。尚、サーボ領域の測定部位における記録要素１４Ａのトラック周方向の幅は１００ｎｍだった。又、サーボ領域の測定部位における凹部１６のトラック周方向の幅は１００ｎｍだった。測定結果を表１に示す。
【０１００】
【表１】
【０１０１】
尚、表１中におけるデータ領域における段差、サーボ領域における段差はいずれも１０箇所の測定部位における測定値の相加平均値である。又、負の測定値は、充填部１８の上面のレベルが記録要素１４Ａの上面のレベルよりも高いことを示す。
【０１０２】
[比較例]
上記実施例では、原盤作製工程（Ｓ１０２）において基板４２をエッチングする際のチャンバ内圧力が１．０Ｐａであったのに対し、比較例では原盤作製工程（Ｓ１０２）において基板４２をエッチングする際のチャンバ内圧力を０．１８Ｐａに設定した。他の条件は実施例と同じ条件に設定して比較例の原盤を作製した。
【０１０３】
原盤の凹部の底面はほぼ平坦であった。この原盤に基づいてメタルマスタ作製工程（Ｓ１０４）、メタルマザー作製工程（Ｓ１０６）、樹脂スタンパ作製工程（Ｓ１０８）を実行し、樹脂スタンパを得た。樹脂スタンパの凸部の上面もほぼ平坦であった。この樹脂スタンパを用いて樹脂層形成工程（Ｓ１１２）を実行した。樹脂層６６の凹部の底面はほぼ平坦であった。樹脂層６６の凹部の底面の厚さは、実施例における樹脂層６６の凹部の底面の中央部の厚さよりも薄かった。
【０１０４】
次に記録層加工工程（Ｓ１１４）を実行し、記録層１４を凹凸パターンに加工した。樹脂層６６及び第２マスク層６４をエッチングする工程では、実施例と同様に凹部に第１マスク層６２を露出させた時点でエッチングを停止した。第１マスク層６２の上面はほぼ平坦だった。又、凹部の底面に残存した第１マスク層６２の厚さは実施例における凹部の底面に残存した第１マスク層６２の中央部の厚さよりも薄かった。第１マスク層６２をエッチングする工程では、凹部においてエッチングが記録層１４の上面まで到達した時点で第１マスク層６２のエッチングを停止した。凹部の底部の第１マスク層６２は消失していた。記録層１４をエッチングする工程では、記録要素１４Ａの間の凹部１６における配向層２６の上面のレベルが記録要素１４Ａの下面のレベルよりも低い位置でエッチングを停止した。配向層２６の上面はほぼ平坦だった。又、配向層２６の上面のレベルと記録要素１４Ａの下面のレベルとの差は約４ｎｍだった。尚、この値は、実施例における凹部１６の端部の配向層２６の上面のレベルと記録要素１４Ａの下面のレベルとの差とほぼ同じ値である。
【０１０５】
次に充填材料成膜工程（Ｓ１１６）を実行し、実施例と同様に凹部１６に充填部１８を形成した。図２３に示されるように、充填材料１７の上面における記録層１４の凹凸パターンの角部に相当する部位は記録層の凹凸パターンの角部よりも若干丸みを帯びた形状であり、充填材料１７における記録層１４の凹凸パターンの凹部１６の端部の上の部分は凹部１６の中央部の上の部分よりも厚かった。
【０１０６】
次に実施例と同様に平坦化工程（Ｓ１１８）を実行し、記録要素１４Ａの上面及び充填部１８の上面を平坦化した。余剰の充填材料１７をエッチングした時点（充填部１８の上面の端部のレベルと記録要素１４Ａの上面のレベルとがほぼ一致した時点）において、凹部１６を充填する充填材料１７の上面は図２４に示されるように中央部が端部よりも基板側に凹んだ形状であった。更に第１のマスク層６２を除去して磁気記録媒体のサンプルを得た。尚、実施例と同様に保護層２８及び潤滑層３０は形成しなかった。又、実施例と同様に磁気記録媒体の３枚のサンプルを得た。
【０１０７】
実施例と同様にこれら比較例のサンプルの充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差を測定した。測定結果を表１に併記する。
【０１０８】
表１に示されるように、実施例の充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差の測定値は比較例の測定値よりも著しく小さかった。より詳細には比較例では総ての測定値が１．５ｎｍ以上であった。これに対し、実施例では総ての測定値（絶対値）が１ｎｍよりも小さかった。
【０１０９】
上述のように比較例では充填材料成膜工程（Ｓ１１６）において成膜された充填材料１７の上面における記録層１４の凹凸パターンの角部に相当する部位が図２３に示されるように丸みを帯びた形状になっており、充填材料１７の上面における記録層１４の凹凸パターンの凹部１６の端部の上の部分が凹部１６の中央部の上の部分よりも高かった。このため平坦化工程（Ｓ１１８）において充填材料１７の上面における凹部１６の端部の上の部分と凹部１６の中央部の上の部分との高さの差が残存し、図２４に示されるように凹部１６を充填する充填部１８の上面の中央部が上面の端部よりも基板側に凹んだ形状になり、充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差が大きかったと考えられる。
【０１１０】
これに対し、実施例では、凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出していたので、比較例のように凹部１６の底面が平坦な場合よりも、図１５に示されるように、成膜された充填材料１７の上面における凹部１６の端部の上の部分と凹部１６の中央部の上の部分との高さの差が小さかった。従って、平坦化工程（Ｓ１１８）において、充填材料１７の上面における凹部１６の端部の上の部分と凹部１６の中央部の上の部分との高さの差が小さく抑制され、充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差が小さかったと考えられる。
【０１１１】
即ち、凹部１６の底面の中央部１６Ａが底面の端部１６Ｂよりも基板１２と反対側に突出していた本発明の実施例によれば、比較例のように凹部１６の底面が平坦な場合よりも磁気記録媒体の表面を平坦にできることが確認された。尚、実施例でも比較例でもサーボ領域の方がデータ領域よりも充填部１８の上面と記録要素１４Ａの上面との段差が大きかった。これは、サーボ領域の方がデータ領域よりも凹部１６の幅が大きく、凹部１６を充填する充填部１８の上面の中央部と上面の端部との高さの差が大きかったためである。このように記録要素の間の凹部の幅が大きい程、凹部を充填する充填部の上面の中央部と上面の端部との高さの差が大きい傾向があるので、凹部の幅が比較的小さいデータ領域では凹部の底面が平坦であっても、凹部を充填する充填部の上面の中央部と上面の端部との高さの差が実用上問題ない程度に小さい場合もありうる。このような場合、例えば、サーボ領域において凹部の幅が比較的大きい凹部の底面の中央部が底面の端部よりも基板と反対側に突出する形状とし、凹部の幅が比較的小さいデータ領域においては凹部の底面を平坦な形状としてもよい。一方、データ領域の面積はサーボ領域の面積よりも著しく大きい。従って、面積が大きいデータ領域において凹部の底面の中央部が底面の端部よりも基板と反対側に突出する形状として表面を高精度で平坦化すれば、サーボ領域においては凹部の底面を平坦な形状としても、磁気ヘッドの浮上高さを安定させる効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、例えば、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体に利用することができる。
【符号の説明】
【０１１３】
２…磁気記録再生装置
４…磁気ヘッド
１０、７０、８０、９０…磁気記録媒体
１２、４２…基板
１４…記録層
１４Ａ…記録要素
１６…凹部
１６Ａ…底面の中央部
１６Ｂ…底面の端部
１７…充填材料
１８…充填部
２４…軟磁性層
２６…配向層
２８…保護層
３０…潤滑層
４０、６０、１００…被加工体
４４…マスク層
４６…レジスト層
４８…原盤
５０…樹脂スタンパ
６２…第１マスク層
６４…第２マスク層
６６…樹脂層
Ｓ１０２…原盤作製工程
Ｓ１０４…メタルマスタ作製工程
Ｓ１０６…メタルマザー作製工程
Ｓ１０８…樹脂スタンパ作製工程
Ｓ１１０…被加工体の出発体用意工程
Ｓ１１２…樹脂層形成工程
Ｓ１１４…記録層加工工程
Ｓ１１６…充填材料成膜工程
Ｓ１１８…平坦化工程
Ｓ１２０…保護層成膜工程
Ｓ１２２…潤滑層成膜工程
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層と、前記記録要素の間の凹部を充填する充填部と、を有し、前記凹部の底面の中央部が前記凹部の前記底面の端部よりも前記基板と反対側に突出していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記凹部の前記底面は前記基板と反対側に突出する円弧状の断面形状を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記記録層の下面が前記凹部の前記底面の少なくとも前記端部において分断されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項３において、
前記記録層と前記基板との間に配置され前記記録層の下面に接する下地層を更に備え、前記下地層の下面が連続していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項４において、
前記凹部において前記下地層が前記記録層から露出しており、且つ、前記下地層における前記記録要素の下の部分の厚さと前記下地層における前記凹部の前記中央部の下の部分の厚さとがほぼ等しいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対して磁気信号の記録／再生を行うための磁気ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項１】
基板と、該基板の上に所定の凹凸パターンで形成され該凹凸パターンの凸部が記録要素を構成する記録層と、前記記録要素の間の凹部を充填する充填部と、を有し、前記凹部の底面の中央部が前記凹部の前記底面の端部よりも前記基板と反対側に突出していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記凹部の前記底面は前記基板と反対側に突出する円弧状の断面形状を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記記録層の下面が前記凹部の前記底面の少なくとも前記端部において分断されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項３において、
前記記録層と前記基板との間に配置され前記記録層の下面に接する下地層を更に備え、前記下地層の下面が連続していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項４において、
前記凹部において前記下地層が前記記録層から露出しており、且つ、前記下地層における前記記録要素の下の部分の厚さと前記下地層における前記凹部の前記中央部の下の部分の厚さとがほぼ等しいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対して磁気信号の記録／再生を行うための磁気ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２０１０−２１８６６０（Ｐ２０１０−２１８６６０Ａ）
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−６６８３７（Ｐ２００９−６６８３７）
【出願日】平成２１年３月１８日（２００９．３．１８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月１８日（２００９．３．１８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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