結晶系太陽電池モジュールの製造方法および結晶系太陽電池モジュールの製造システム
【課題】結晶系太陽電池モジュールの発電性能を安定させる。
【解決手段】複数の結晶系太陽電池セルを準備するセル工程Ｓ１００と、複数の結晶系太陽電池セルを互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール工程Ｓ１２０とを備える。モジュール工程Ｓ１２０は、接続前の複数の結晶系太陽電池セルを加熱してこの結晶系太陽電池セルの発電性能に係る特性値を補償する加熱工程Ｓ１２４を含む。
【解決手段】複数の結晶系太陽電池セルを準備するセル工程Ｓ１００と、複数の結晶系太陽電池セルを互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール工程Ｓ１２０とを備える。モジュール工程Ｓ１２０は、接続前の複数の結晶系太陽電池セルを加熱してこの結晶系太陽電池セルの発電性能に係る特性値を補償する加熱工程Ｓ１２４を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶系太陽電池モジュールの製造方法および結晶系太陽電池モジュールの製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶系太陽電池セルおよび結晶系太陽電池モジュールの製造方法を開示した先行文献として、特開２００９−２９０１０５号公報(特許文献１)がある。特許文献１に記載された結晶系太陽電池セルおよび結晶系太陽電池モジュールの製造方法において、結晶系太陽電池モジュールは、複数の結晶系太陽電池セルが互いに電気的に接続されることにより構成されている。また、結晶系太陽電池セルは、半導体基板に光電変換層が形成されることにより構成されている。よって、結晶系太陽電池モジュールの製造方法は、結晶系太陽電池セルを作製するセル工程と、結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール工程とに大別される。
【０００３】
一般的に、セル工程を経て作製された結晶系太陽電池セルは、一旦保管された後、モジュール工程に投入される。また、結晶系太陽電池セルを製造して、その結晶系太陽電池セルを結晶系太陽電池モジュールを製造するメーカーに販売する太陽電池セルの製造専業メーカーも存在する。そのため多くの場合、結晶系太陽電池セルは作製された後、単体の状態で保管される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２９０１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
結晶系太陽電池セルは、単体の状態で所定時間経過すると、発電性能に関する特性値が低下することがある。結晶系太陽電池セルの発電性能が低下すると、結晶系太陽電池モジュールの発電性能も低下する。
【０００６】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、安定した発電性能を得られる、結晶系太陽電池モジュールの製造方法および結晶系太陽電池モジュールの製造システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に基づく第１の局面において、結晶系太陽電池モジュールの製造方法は、複数の結晶系太陽電池セルを準備するセル工程と、複数の結晶系太陽電池セルを互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール工程とを備える。モジュール工程は、接続前の複数の結晶系太陽電池セルを加熱してこの結晶系太陽電池セルの発電性能に係る特性値を補償する加熱工程を含む。
【０００８】
本発明の一形態においては、セル工程は、複数の結晶系太陽電池セルの特性値を測定する第１測定工程を含む。モジュール工程は、接続前の複数の結晶系太陽電池セルの特性値を測定する第２測定工程を含む。加熱工程は、第２測定工程において測定された上記特性値が、第１測定工程において測定された上記特性値より所定の値以上低い場合に行なわれる。
【０００９】
本発明の一形態においては、結晶系太陽電池モジュールの製造方法は、セル工程とモジュール工程との間で、複数の結晶系太陽電池セルを保管する保管工程をさらに備える。第２測定工程は、保管工程が所定時間以上である場合に行なわれる。
【００１０】
好ましくは、加熱工程における加熱温度が１００℃以上６００℃以下である。
本発明に基づく第２の局面において、結晶系太陽電池モジュールの製造システムは、複数の結晶系太陽電池セルを作製するセル製造装置と、セル製造装置により作製された複数の結晶系太陽電池セルを互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール製造装置とを備える。モジュール製造装置は、接続前の複数の結晶系太陽電池セルを加熱してこの結晶系太陽電池セルの発電性能に係る特性値を補償する加熱部を含む。
【００１１】
本発明の一形態においては、セル製造装置は、複数の結晶系太陽電池セルの上記特性値を測定する第１測定部を含む。モジュール製造装置は、接続前の複数の結晶系太陽電池セルの上記特性値を測定する第２測定部を含む。加熱部は、第２測定部において測定された上記特性値が、第１測定部において測定された上記特性値より所定の値以上低い場合に稼動する。
【００１２】
本発明の一形態においては、結晶系太陽電池モジュールの製造システムは、接続前の複数の結晶系太陽電池セルを保管する保管部をさらに備える。第２測定部は、保管部で複数の結晶系太陽電池セルが所定時間以上保管される場合に稼動する。
【００１３】
好ましくは、加熱部における加熱温度が１００℃以上６００℃以下である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、結晶系太陽電池モジュールの発電性能を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法のセル工程で作製する結晶系太陽電池セルの構成の一例を示す斜視図である。
【図２】同実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造システムの構成を模式的に示すブロック図である。
【図３】同実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】結晶系太陽電池セルの発電性の特性値の変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法および結晶系太陽電池モジュールの製造システムについて説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法のセル工程で作製する結晶系太陽電池セルの構成の一例を示す斜視図である。なお、本実施形態においては、裏面電極型の結晶系太陽電池セルについて説明するが、本発明は両面電極型の結晶系太陽電池セルにも適用可能である。
【００１８】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法のセル工程で作製する結晶系太陽電池セル１００は、基板１１０、パッシベーション膜１２０、電極１３０および反射防止膜１４０を有している。
【００１９】
基板１１０は、結晶シリコンで構成されており、結晶シリコンの導電型はｎ型およびｐ型のいずれでもよい。基板１１０の内部の裏面側に、リンなどのｎ型不純物が拡散されたｎ型不純物拡散領域１１１と、ボロンなどのｐ型不純物が拡散されたｐ型不純物拡散領域１１２とが形成されている。ｎ型不純物拡散領域１１１とｐ型不純物拡散領域１１２とは、平面視において互いに交互に形成されている。
【００２０】
結晶系太陽電池セル１００の裏面となる、基板１１０の裏面上にパッシベーション膜１２０が形成されている。パッシベーション膜１２０は、ＳｉＯ2またはＳｉＮなどから構成されている。パッシベーション膜１２０にはコンタクトホールが形成されている。
【００２１】
パッシベーション膜１２０に設けられたコンタクトホールを通してｎ型不純物拡散領域１１１に接続されたｎ型用電極１３１が、パッシベーション膜１２０の裏面側に突出するよう形成されている。
【００２２】
パッシベーション膜１２０に設けられたコンタクトホールを通してｐ型不純物拡散領域１１２に接続されたｐ型用電極１３２が、パッシベーション膜１２０の裏面側に突出するよう形成されている。
【００２３】
基板１１０の表面は、テクスチャー構造を有している。結晶系太陽電池セル１００の受光面となる、基板１１０の表面上に反射防止膜１４０が形成されている。反射防止膜１４０は、ＰＴＧ(Phospho Titanate Glass)膜で構成されている。
【００２４】
このような構成を有する複数の結晶系太陽電池セル１００を、櫛歯状の配線を有する配線シートなどで互いに電気的に接続することにより、結晶系太陽電池モジュールを作製することができる。本実施形態においては、セル工程において結晶系太陽電池セル１００を作製する場合について説明するが、セル工程において既製の結晶系太陽電池セル１００を準備するようにしてもよい。
【００２５】
図２は、本実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造システムの構成を模式的に示すブロック図である。図３は、本実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法を示すフローチャートである。なお、図２においては、結晶系太陽電池モジュールの製造システムの一部の構成のみ示している。
【００２６】
図２に示すように、本実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造システム１０は、セル製造装置１と保管部２とモジュール製造装置３と制御装置４とを含む。結晶系太陽電池セル１００は、矢印１１で示すように、セル製造装置１から保管部２に搬送され、保管部２で保管された後、矢印１２で示すように、保管部２からモジュール製造装置３に搬送される。
【００２７】
セル製造装置１は、複数の結晶系太陽電池セル１００を作製する。また、セル製造装置１は、複数の結晶系太陽電池セル１００の発電性能に係る特性値を測定する第１測定部１ａを含む。発電性能に係る特性値としては、たとえば、開放電圧および短絡電流密度などがある。
【００２８】
モジュール製造装置３は、セル製造装置１により作製された複数の結晶系太陽電池セル１００を互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製する。また、モジュール製造装置３は、接続前の複数の結晶系太陽電池セル１００の上記特性値を測定する第２測定部３ａを含む。
【００２９】
第１測定部１ａおよび第２測定部３ａの各々は、擬似太陽光を照射するソーラーシミュレータと、ｎ型用電極１３１およびｐ型用電極１３２に接触して出力電圧および出力電流を検出するプローブとを含む。
【００３０】
さらに、モジュール製造装置３は、接続前の複数の結晶系太陽電池セル１００を加熱してこれらの結晶系太陽電池セル１００の上記特性値を補償する加熱部３ｂを含む。ここで、補償するとは、製造直後の結晶系太陽電池セル１００が有していた上記特性値に対して低下した上記特性値を、再び製造直後の結晶系太陽電池セル１００が有していた上記特性値に近づけることをいう。
【００３１】
加熱部３ｂは、たとえば、ランプヒータまたは熱風炉などで構成されている。加熱部３ｂとして熱風炉を用いる場合には、熱風炉内に空気、活性または不活性ガス、またはそれらの混合ガスを導入して種々の雰囲気中で加熱することができる。加熱時間は、ランプヒータでは３０秒、熱風炉では３０分程度である。
【００３２】
保管部２は、接続前の複数の結晶系太陽電池セル１００を保管する。具体的には、保管部２は、複数の結晶系太陽電池セル１００収容可能なカセットで構成されている。
【００３３】
制御装置４は、セル製造装置１、保管部２およびモジュール製造装置３と接続されている。制御装置４は、矢印４１，４３ａ，４３ｂで示すように、第１測定部１ａ、第２測定部３ａおよび加熱部３ｂの稼動のＯＮ／ＯＦＦを制御する。
【００３４】
また、制御装置４には、矢印４１，４３ａで示すように、第１測定部１ａおよび第２測定部３ａから上記特性値の測定結果が入力される。制御装置４は、第１測定部１ａおよび第２測定部３ａから入力された上記特性値の差分を算出する演算部を含む。さらに、制御装置４には、矢印４２で示すように、保管部２から保管部２での結晶系太陽電池セル１００の保管時間が入力される。
【００３５】
図３に示すように、本実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法は、セル工程Ｓ１００と保管工程Ｓ１１０とモジュール工程Ｓ１２０とを含む。セル製造装置１においてセル工程Ｓ１００が行なわれ、保管部２において保管工程Ｓ１１０が行なわれ、モジュール製造装置３においてモジュール工程Ｓ１２０が行なわれる。
【００３６】
セル工程Ｓ１００においては、まず、基板１１０にｎ型不純物拡散領域１１１およびｐ型不純物拡散領域１１２を形成してｐｎ接合を有する光電変換層を形成する(Ｓ１０１)。次に、ｎ型用電極１３１およびｐ型用電極１３２からなる電極１３０を形成する(Ｓ１０２)。電極形成工程Ｓ１０２を終えた段階で、結晶系太陽電池セル１００が完成している。なお、パッシベーション膜１２０を形成する工程もセル工程Ｓ１００に含まれる。
【００３７】
その後、上記のように制御装置４によって稼動を開始した第１測定部１ａにより、完成直後の結晶系太陽電池セル１００の上記特性値が測定される(Ｓ１０３)。測定結果は、制御装置４に入力される。
【００３８】
次に、作製された結晶系太陽電池セル１００が、セル製造装置１から搬出される(Ｓ１０４)。以上のＳ１０１〜１０４の工程をセル工程Ｓ１００は含む。
【００３９】
本実施形態においては、セル製造装置１から搬出された結晶系太陽電池セル１００は、保管部２で保管される。保管部２での保管時間は様々であり、短い場合は数分、長い場合は１年以上に及ぶ。
【００４０】
なお、保管部２は必ずしも設けられなくてもよく、結晶系太陽電池セル１００がセル製造装置１からモジュール製造装置３に直接搬送されてもよい。この場合、保管時間は、セル製造装置１からモジュール製造装置３までの輸送時間となる。
【００４１】
保管時間または輸送時間は、制御装置４に入力される。本実施形態においては、制御装置４に予め所定時間が入力されている。所定時間は、たとえば、４８時間である。制御装置４は、入力された保管時間または輸送時間とその所定時間との長短を比較し、その比較結果に基づいてモジュール製造装置３を稼動させる。
【００４２】
モジュール製造装置３において結晶系太陽電池セル１００の受入準備が整って保管工程Ｓ１１０を終えると、保管部２で保管された結晶系太陽電池セル１００をモジュール製造装置３に投入する(Ｓ１２１)。
【００４３】
まず、投入された結晶系太陽電池セル１００に欠けまたは割れが発生していないか、目視または画像認識装置により検査する(Ｓ１２２)。保管工程Ｓ１１０において制御装置４に入力された保管時間または輸送時間が所定時間以上である場合、制御装置４はモジュール製造装置３の第２測定部３ａを稼動させる。
【００４４】
制御装置４によって稼動を開始した第２測定部３ａにより、結晶系太陽電池セル１００の上記特性値が測定される(Ｓ１２３)。測定結果は、制御装置４に入力される。
【００４５】
上記のように、第１測定工程Ｓ１０３において、制御装置４には第１測定部１ａによる測定結果がすでに入力されている。制御装置４は、第１測定部１ａにおいて測定された上記特性値と、第２測定部において測定された上記特性値との差分を演算部において算出し、その算出結果に基づいて加熱部３ｂを稼動させる。
【００４６】
具体的には、加熱部３ｂは、第２測定部３ａにおいて測定された上記特性値が、第１測定部１ａにおいて測定された上記特性値より所定の値以上低い場合に稼動する。所定の値とは、たとえば、１つの結晶系太陽電池セル１００の出力電圧において３０ｍＶである。
【００４７】
制御装置４により稼動を開始した加熱部３ｂにより、結晶系太陽電池セル１００が加熱される(Ｓ１２４)。加熱部３ｂにおける加熱温度は、１００℃以上６００℃以下であることが好ましい。
【００４８】
加熱温度が１００℃より低い場合、結晶系太陽電池セル１００が吸湿した水分を十分に蒸発させることができない。加熱温度が６００℃より高い場合、結晶系太陽電池セル１００のｎ型不純物拡散領域１１１およびｐ型不純物拡散領域１１２に拡散している不純物が相互に拡散して各領域が小さくなり、キャリアの再結合確率が増加して発電効率が低下する。また、加熱温度が６００℃より高い場合、電極１３０がファイヤースルーを生じて変形し、電極１３０の特性が劣化する恐れがある。
【００４９】
次に、結晶系太陽電池セル１００を配線基板上にマウントする(Ｓ１２５)。配線基板にはｎ配線およびｐ配線が形成されている。ｎ配線とｎ型用電極１３１とが接触し、ｐ配線とｐ型用電極１３２とが接触するように、配線基板上に複数の結晶系太陽電池セル１００が設置される。
【００５０】
ｎ配線とｎ型用電極１３１との電気的接続およびｐ配線とｐ型用電極１３２との電気的接続をそれぞれ、たとえば、半田または導電性接着剤などの接着材料により行なう(Ｓ１２６)。配線基板上に設置した複数の結晶系太陽電池セル１００を透光性封止材、ガラスなどの透光性部材および耐候性基材により封止する(Ｓ１２７)。
【００５１】
次に、接続された複数の結晶系太陽電池セル１００の周囲を覆っている封止樹脂の端面を切削して除去する(Ｓ１２８)。その後、端子ボックスを結晶系太陽電池セル１００の裏面側に取り付ける(Ｓ１２９)。さらにその後、接続された複数の結晶系太陽電池セル１００の周囲に、エチレンプロピレンゴムまたはエラストマーなどの絶縁材料を取り付けることにより、端面を封止する(Ｓ１３０)。最後に、アルミフレームなどの外枠を取り付けることにより結晶系太陽電池モジュールが完成する(Ｓ１３１)。
【００５２】
その後、完成した結晶系太陽電池モジュールの絶縁耐圧試験を行なう(Ｓ１３２)。さらに、完成した結晶系太陽電池モジュールの最大出力などの発電性能に係る特性値を検査する(Ｓ１３３)。検査後、結晶系太陽電池モジュールはモジュール製造装置３から搬出される(Ｓ１３４)。以上のＳ１２１〜１３４の工程をモジュール工程Ｓ１２０は含む。
【００５３】
図４は、結晶系太陽電池セルの発電性の特性値の変化を示すグラフである。図４においては、縦軸に規格化した特性値、横軸に測定時期を示している。なお、特性値として開放電圧を測定した。
【００５４】
図４に示すように、結晶系太陽電池セル１００の製造直後の開放電圧を１．０としたとき、それから３日経過後の開放電圧は０．９５２に低下し、加熱後の開放電圧は０．９７６まで回復した。
【００５５】
時間経過とともに結晶系太陽電池セル１００の発電性能に係る特性値が低下する原因としては、結晶系太陽電池セル１００の吸湿、電極１３０の表面への異物の付着、および、結晶系太陽電池セル１００内のＳｉとＳｉＯ2との界面の状態の変化などが考えられる。
【００５６】
その結晶系太陽電池セル１００が加熱されることにより、吸湿した水分の蒸発、付着した異物の焼失、および、ＳｉとＳｉＯ2との界面状態の回復などの現象が生じて、結晶系太陽電池セル１００の発電性能に係る特性値が元の値に近づくように補償されると考えられる。
【００５７】
よって、本実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法のように、単体の状態で所定時間経過して発電性能に関する特性値が低下した複数の結晶系太陽電池セル１００を加熱して互いに接続することにより、結晶系太陽電池モジュールの発電性能を安定させることができる。
【００５８】
本実施形態においては、封止工程Ｓ１２７において封止材を溶解させるための加熱処理を行なっている。封止工程Ｓ１２７においては、結晶系太陽電池セル１００の両面は、防湿性を有する透光性部材および耐候性基材で覆われている。そのため、封止工程Ｓ１２７における加熱処理では、結晶系太陽電池セル１００から水分を蒸発させて除去することが難しい。よって、加熱工程Ｓ１２４は、結晶系太陽電池セル１００が封止材で覆われる前に行なわれることが好ましい。
【００５９】
また、結晶系太陽電池セル１００を配線基板上にマウントした後で加熱工程Ｓ１２４を行なった場合、熱変形によって結晶系太陽電池セル１００の設置位置がずれることがある。そのため、加熱工程Ｓ１２４は、結晶系太陽電池セル１００を配線基板上にマウントする前に行なわれることが好ましい。
【００６０】
複数の結晶系太陽電池セル１００の発電性能は、製造直後から若干のバラツキを有している。そのため、第１測定工程Ｓ１０３における測定結果と第２測定工程Ｓ１２３における測定結果との比較は、同一の結晶系太陽電池セル１００について行なわれることが好ましい。
【００６１】
そこで、結晶系太陽電池セル１００に識別用のＩＤまたはバーコードなどを印字しておき、第１測定工程Ｓ１０３および第２測定工程Ｓ１２３においてその識別用ＩＤなどを認識しつつ測定を行ない、各結晶系太陽電池セル１００の測定結果を個別に制御装置４に記憶させることが好ましい。
【００６２】
また、結晶系太陽電池セル１００を生産ロット毎に管理するようにしてもよい。この場合、第１測定工程Ｓ１０３および第２測定工程Ｓ１２３においてその生産ロットを認識しつつ測定を行ない、複数の結晶系太陽電池セル１００の測定結果を生産ロット毎に区分して制御装置４に記憶させる。
【００６３】
これらの方法により、第１測定工程Ｓ１０３における測定結果と第２測定工程Ｓ１２３における測定結果とをひも付け(関連付け)することができる。
【００６４】
なお、本実施形態においては、保管時間または輸送時間が所定時間以上である場合に、第２測定部３ａを稼働させている。そのため、保管時間または輸送時間が所定時間より短くて結晶系太陽電池セル１００の上記特性値の低下の可能性が低い場合には、第２測定部３ａによる測定および加熱部３ｂによる加熱を行なわずに結晶系太陽電池モジュールを製造することが可能になっている。このようにすることにより、結晶系太陽電池モジュールの製造工程の効率化を図ることができる。
【００６５】
ただし、保管時間または輸送時間と所定時間との比較結果により上記のようにモジュール製造装置３の稼働を変更することは必須ではない。常に第２測定工程Ｓ１２３および加熱工程Ｓ１２４を行なうようにしてもよい。
【００６６】
また、本実施形態においては、第２測定工程Ｓ１２３における上記特性値の測定結果が、第１測定工程Ｓ１０３における上記特性値の測定結果より所定の値以上低い場合に、加熱部３ｂを稼働させている。
【００６７】
そのため、上記特性値の低下分が所定の値より小さい場合には、加熱部３ｂによる加熱を行なわずに結晶系太陽電池モジュールを製造することが可能になっている。このようにすることにより、結晶系太陽電池モジュールの製造工程の効率化を図ることができる。
【００６８】
ただし、第２測定工程Ｓ１２３における上記特性値の測定結果と、第１測定工程Ｓ１０３における上記特性値の測定結果との比較結果により上記のように加熱部３ｂの稼働を変更することは必須ではない。常に加熱工程Ｓ１２４を行なうようにしてもよい。この場合、第１測定工程Ｓ１０３および第２測定工程Ｓ１２３は不要になる。
【００６９】
さらに、本実施形態においては、結晶系太陽電池モジュールの製造システム１０は制御装置４を備えていたが、必ずしも制御装置４を備えなくてもよく、たとえば、人がセル製造装置１およびモジュール製造装置３の稼働を制御してもよい。
【００７０】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７１】
１ セル製造装置、１ａ 第１測定部、２ 保管部、３ モジュール製造装置、３ａ 第２測定部、３ｂ 加熱部、４ 制御装置、１０ 製造システム、１００ 結晶系太陽電池セル、１１０ 基板、１１１ ｎ型不純物拡散領域、１１２ ｐ型不純物拡散領域、１２０ パッシベーション膜、１３０ 電極、１３１ ｎ型用電極、１３２ ｐ型用電極、１４０ 反射防止膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶系太陽電池モジュールの製造方法および結晶系太陽電池モジュールの製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
結晶系太陽電池セルおよび結晶系太陽電池モジュールの製造方法を開示した先行文献として、特開２００９−２９０１０５号公報(特許文献１)がある。特許文献１に記載された結晶系太陽電池セルおよび結晶系太陽電池モジュールの製造方法において、結晶系太陽電池モジュールは、複数の結晶系太陽電池セルが互いに電気的に接続されることにより構成されている。また、結晶系太陽電池セルは、半導体基板に光電変換層が形成されることにより構成されている。よって、結晶系太陽電池モジュールの製造方法は、結晶系太陽電池セルを作製するセル工程と、結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール工程とに大別される。
【０００３】
一般的に、セル工程を経て作製された結晶系太陽電池セルは、一旦保管された後、モジュール工程に投入される。また、結晶系太陽電池セルを製造して、その結晶系太陽電池セルを結晶系太陽電池モジュールを製造するメーカーに販売する太陽電池セルの製造専業メーカーも存在する。そのため多くの場合、結晶系太陽電池セルは作製された後、単体の状態で保管される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２９０１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
結晶系太陽電池セルは、単体の状態で所定時間経過すると、発電性能に関する特性値が低下することがある。結晶系太陽電池セルの発電性能が低下すると、結晶系太陽電池モジュールの発電性能も低下する。
【０００６】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、安定した発電性能を得られる、結晶系太陽電池モジュールの製造方法および結晶系太陽電池モジュールの製造システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に基づく第１の局面において、結晶系太陽電池モジュールの製造方法は、複数の結晶系太陽電池セルを準備するセル工程と、複数の結晶系太陽電池セルを互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール工程とを備える。モジュール工程は、接続前の複数の結晶系太陽電池セルを加熱してこの結晶系太陽電池セルの発電性能に係る特性値を補償する加熱工程を含む。
【０００８】
本発明の一形態においては、セル工程は、複数の結晶系太陽電池セルの特性値を測定する第１測定工程を含む。モジュール工程は、接続前の複数の結晶系太陽電池セルの特性値を測定する第２測定工程を含む。加熱工程は、第２測定工程において測定された上記特性値が、第１測定工程において測定された上記特性値より所定の値以上低い場合に行なわれる。
【０００９】
本発明の一形態においては、結晶系太陽電池モジュールの製造方法は、セル工程とモジュール工程との間で、複数の結晶系太陽電池セルを保管する保管工程をさらに備える。第２測定工程は、保管工程が所定時間以上である場合に行なわれる。
【００１０】
好ましくは、加熱工程における加熱温度が１００℃以上６００℃以下である。
本発明に基づく第２の局面において、結晶系太陽電池モジュールの製造システムは、複数の結晶系太陽電池セルを作製するセル製造装置と、セル製造装置により作製された複数の結晶系太陽電池セルを互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール製造装置とを備える。モジュール製造装置は、接続前の複数の結晶系太陽電池セルを加熱してこの結晶系太陽電池セルの発電性能に係る特性値を補償する加熱部を含む。
【００１１】
本発明の一形態においては、セル製造装置は、複数の結晶系太陽電池セルの上記特性値を測定する第１測定部を含む。モジュール製造装置は、接続前の複数の結晶系太陽電池セルの上記特性値を測定する第２測定部を含む。加熱部は、第２測定部において測定された上記特性値が、第１測定部において測定された上記特性値より所定の値以上低い場合に稼動する。
【００１２】
本発明の一形態においては、結晶系太陽電池モジュールの製造システムは、接続前の複数の結晶系太陽電池セルを保管する保管部をさらに備える。第２測定部は、保管部で複数の結晶系太陽電池セルが所定時間以上保管される場合に稼動する。
【００１３】
好ましくは、加熱部における加熱温度が１００℃以上６００℃以下である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、結晶系太陽電池モジュールの発電性能を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法のセル工程で作製する結晶系太陽電池セルの構成の一例を示す斜視図である。
【図２】同実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造システムの構成を模式的に示すブロック図である。
【図３】同実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】結晶系太陽電池セルの発電性の特性値の変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法および結晶系太陽電池モジュールの製造システムについて説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法のセル工程で作製する結晶系太陽電池セルの構成の一例を示す斜視図である。なお、本実施形態においては、裏面電極型の結晶系太陽電池セルについて説明するが、本発明は両面電極型の結晶系太陽電池セルにも適用可能である。
【００１８】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法のセル工程で作製する結晶系太陽電池セル１００は、基板１１０、パッシベーション膜１２０、電極１３０および反射防止膜１４０を有している。
【００１９】
基板１１０は、結晶シリコンで構成されており、結晶シリコンの導電型はｎ型およびｐ型のいずれでもよい。基板１１０の内部の裏面側に、リンなどのｎ型不純物が拡散されたｎ型不純物拡散領域１１１と、ボロンなどのｐ型不純物が拡散されたｐ型不純物拡散領域１１２とが形成されている。ｎ型不純物拡散領域１１１とｐ型不純物拡散領域１１２とは、平面視において互いに交互に形成されている。
【００２０】
結晶系太陽電池セル１００の裏面となる、基板１１０の裏面上にパッシベーション膜１２０が形成されている。パッシベーション膜１２０は、ＳｉＯ2またはＳｉＮなどから構成されている。パッシベーション膜１２０にはコンタクトホールが形成されている。
【００２１】
パッシベーション膜１２０に設けられたコンタクトホールを通してｎ型不純物拡散領域１１１に接続されたｎ型用電極１３１が、パッシベーション膜１２０の裏面側に突出するよう形成されている。
【００２２】
パッシベーション膜１２０に設けられたコンタクトホールを通してｐ型不純物拡散領域１１２に接続されたｐ型用電極１３２が、パッシベーション膜１２０の裏面側に突出するよう形成されている。
【００２３】
基板１１０の表面は、テクスチャー構造を有している。結晶系太陽電池セル１００の受光面となる、基板１１０の表面上に反射防止膜１４０が形成されている。反射防止膜１４０は、ＰＴＧ(Phospho Titanate Glass)膜で構成されている。
【００２４】
このような構成を有する複数の結晶系太陽電池セル１００を、櫛歯状の配線を有する配線シートなどで互いに電気的に接続することにより、結晶系太陽電池モジュールを作製することができる。本実施形態においては、セル工程において結晶系太陽電池セル１００を作製する場合について説明するが、セル工程において既製の結晶系太陽電池セル１００を準備するようにしてもよい。
【００２５】
図２は、本実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造システムの構成を模式的に示すブロック図である。図３は、本実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法を示すフローチャートである。なお、図２においては、結晶系太陽電池モジュールの製造システムの一部の構成のみ示している。
【００２６】
図２に示すように、本実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造システム１０は、セル製造装置１と保管部２とモジュール製造装置３と制御装置４とを含む。結晶系太陽電池セル１００は、矢印１１で示すように、セル製造装置１から保管部２に搬送され、保管部２で保管された後、矢印１２で示すように、保管部２からモジュール製造装置３に搬送される。
【００２７】
セル製造装置１は、複数の結晶系太陽電池セル１００を作製する。また、セル製造装置１は、複数の結晶系太陽電池セル１００の発電性能に係る特性値を測定する第１測定部１ａを含む。発電性能に係る特性値としては、たとえば、開放電圧および短絡電流密度などがある。
【００２８】
モジュール製造装置３は、セル製造装置１により作製された複数の結晶系太陽電池セル１００を互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製する。また、モジュール製造装置３は、接続前の複数の結晶系太陽電池セル１００の上記特性値を測定する第２測定部３ａを含む。
【００２９】
第１測定部１ａおよび第２測定部３ａの各々は、擬似太陽光を照射するソーラーシミュレータと、ｎ型用電極１３１およびｐ型用電極１３２に接触して出力電圧および出力電流を検出するプローブとを含む。
【００３０】
さらに、モジュール製造装置３は、接続前の複数の結晶系太陽電池セル１００を加熱してこれらの結晶系太陽電池セル１００の上記特性値を補償する加熱部３ｂを含む。ここで、補償するとは、製造直後の結晶系太陽電池セル１００が有していた上記特性値に対して低下した上記特性値を、再び製造直後の結晶系太陽電池セル１００が有していた上記特性値に近づけることをいう。
【００３１】
加熱部３ｂは、たとえば、ランプヒータまたは熱風炉などで構成されている。加熱部３ｂとして熱風炉を用いる場合には、熱風炉内に空気、活性または不活性ガス、またはそれらの混合ガスを導入して種々の雰囲気中で加熱することができる。加熱時間は、ランプヒータでは３０秒、熱風炉では３０分程度である。
【００３２】
保管部２は、接続前の複数の結晶系太陽電池セル１００を保管する。具体的には、保管部２は、複数の結晶系太陽電池セル１００収容可能なカセットで構成されている。
【００３３】
制御装置４は、セル製造装置１、保管部２およびモジュール製造装置３と接続されている。制御装置４は、矢印４１，４３ａ，４３ｂで示すように、第１測定部１ａ、第２測定部３ａおよび加熱部３ｂの稼動のＯＮ／ＯＦＦを制御する。
【００３４】
また、制御装置４には、矢印４１，４３ａで示すように、第１測定部１ａおよび第２測定部３ａから上記特性値の測定結果が入力される。制御装置４は、第１測定部１ａおよび第２測定部３ａから入力された上記特性値の差分を算出する演算部を含む。さらに、制御装置４には、矢印４２で示すように、保管部２から保管部２での結晶系太陽電池セル１００の保管時間が入力される。
【００３５】
図３に示すように、本実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法は、セル工程Ｓ１００と保管工程Ｓ１１０とモジュール工程Ｓ１２０とを含む。セル製造装置１においてセル工程Ｓ１００が行なわれ、保管部２において保管工程Ｓ１１０が行なわれ、モジュール製造装置３においてモジュール工程Ｓ１２０が行なわれる。
【００３６】
セル工程Ｓ１００においては、まず、基板１１０にｎ型不純物拡散領域１１１およびｐ型不純物拡散領域１１２を形成してｐｎ接合を有する光電変換層を形成する(Ｓ１０１)。次に、ｎ型用電極１３１およびｐ型用電極１３２からなる電極１３０を形成する(Ｓ１０２)。電極形成工程Ｓ１０２を終えた段階で、結晶系太陽電池セル１００が完成している。なお、パッシベーション膜１２０を形成する工程もセル工程Ｓ１００に含まれる。
【００３７】
その後、上記のように制御装置４によって稼動を開始した第１測定部１ａにより、完成直後の結晶系太陽電池セル１００の上記特性値が測定される(Ｓ１０３)。測定結果は、制御装置４に入力される。
【００３８】
次に、作製された結晶系太陽電池セル１００が、セル製造装置１から搬出される(Ｓ１０４)。以上のＳ１０１〜１０４の工程をセル工程Ｓ１００は含む。
【００３９】
本実施形態においては、セル製造装置１から搬出された結晶系太陽電池セル１００は、保管部２で保管される。保管部２での保管時間は様々であり、短い場合は数分、長い場合は１年以上に及ぶ。
【００４０】
なお、保管部２は必ずしも設けられなくてもよく、結晶系太陽電池セル１００がセル製造装置１からモジュール製造装置３に直接搬送されてもよい。この場合、保管時間は、セル製造装置１からモジュール製造装置３までの輸送時間となる。
【００４１】
保管時間または輸送時間は、制御装置４に入力される。本実施形態においては、制御装置４に予め所定時間が入力されている。所定時間は、たとえば、４８時間である。制御装置４は、入力された保管時間または輸送時間とその所定時間との長短を比較し、その比較結果に基づいてモジュール製造装置３を稼動させる。
【００４２】
モジュール製造装置３において結晶系太陽電池セル１００の受入準備が整って保管工程Ｓ１１０を終えると、保管部２で保管された結晶系太陽電池セル１００をモジュール製造装置３に投入する(Ｓ１２１)。
【００４３】
まず、投入された結晶系太陽電池セル１００に欠けまたは割れが発生していないか、目視または画像認識装置により検査する(Ｓ１２２)。保管工程Ｓ１１０において制御装置４に入力された保管時間または輸送時間が所定時間以上である場合、制御装置４はモジュール製造装置３の第２測定部３ａを稼動させる。
【００４４】
制御装置４によって稼動を開始した第２測定部３ａにより、結晶系太陽電池セル１００の上記特性値が測定される(Ｓ１２３)。測定結果は、制御装置４に入力される。
【００４５】
上記のように、第１測定工程Ｓ１０３において、制御装置４には第１測定部１ａによる測定結果がすでに入力されている。制御装置４は、第１測定部１ａにおいて測定された上記特性値と、第２測定部において測定された上記特性値との差分を演算部において算出し、その算出結果に基づいて加熱部３ｂを稼動させる。
【００４６】
具体的には、加熱部３ｂは、第２測定部３ａにおいて測定された上記特性値が、第１測定部１ａにおいて測定された上記特性値より所定の値以上低い場合に稼動する。所定の値とは、たとえば、１つの結晶系太陽電池セル１００の出力電圧において３０ｍＶである。
【００４７】
制御装置４により稼動を開始した加熱部３ｂにより、結晶系太陽電池セル１００が加熱される(Ｓ１２４)。加熱部３ｂにおける加熱温度は、１００℃以上６００℃以下であることが好ましい。
【００４８】
加熱温度が１００℃より低い場合、結晶系太陽電池セル１００が吸湿した水分を十分に蒸発させることができない。加熱温度が６００℃より高い場合、結晶系太陽電池セル１００のｎ型不純物拡散領域１１１およびｐ型不純物拡散領域１１２に拡散している不純物が相互に拡散して各領域が小さくなり、キャリアの再結合確率が増加して発電効率が低下する。また、加熱温度が６００℃より高い場合、電極１３０がファイヤースルーを生じて変形し、電極１３０の特性が劣化する恐れがある。
【００４９】
次に、結晶系太陽電池セル１００を配線基板上にマウントする(Ｓ１２５)。配線基板にはｎ配線およびｐ配線が形成されている。ｎ配線とｎ型用電極１３１とが接触し、ｐ配線とｐ型用電極１３２とが接触するように、配線基板上に複数の結晶系太陽電池セル１００が設置される。
【００５０】
ｎ配線とｎ型用電極１３１との電気的接続およびｐ配線とｐ型用電極１３２との電気的接続をそれぞれ、たとえば、半田または導電性接着剤などの接着材料により行なう(Ｓ１２６)。配線基板上に設置した複数の結晶系太陽電池セル１００を透光性封止材、ガラスなどの透光性部材および耐候性基材により封止する(Ｓ１２７)。
【００５１】
次に、接続された複数の結晶系太陽電池セル１００の周囲を覆っている封止樹脂の端面を切削して除去する(Ｓ１２８)。その後、端子ボックスを結晶系太陽電池セル１００の裏面側に取り付ける(Ｓ１２９)。さらにその後、接続された複数の結晶系太陽電池セル１００の周囲に、エチレンプロピレンゴムまたはエラストマーなどの絶縁材料を取り付けることにより、端面を封止する(Ｓ１３０)。最後に、アルミフレームなどの外枠を取り付けることにより結晶系太陽電池モジュールが完成する(Ｓ１３１)。
【００５２】
その後、完成した結晶系太陽電池モジュールの絶縁耐圧試験を行なう(Ｓ１３２)。さらに、完成した結晶系太陽電池モジュールの最大出力などの発電性能に係る特性値を検査する(Ｓ１３３)。検査後、結晶系太陽電池モジュールはモジュール製造装置３から搬出される(Ｓ１３４)。以上のＳ１２１〜１３４の工程をモジュール工程Ｓ１２０は含む。
【００５３】
図４は、結晶系太陽電池セルの発電性の特性値の変化を示すグラフである。図４においては、縦軸に規格化した特性値、横軸に測定時期を示している。なお、特性値として開放電圧を測定した。
【００５４】
図４に示すように、結晶系太陽電池セル１００の製造直後の開放電圧を１．０としたとき、それから３日経過後の開放電圧は０．９５２に低下し、加熱後の開放電圧は０．９７６まで回復した。
【００５５】
時間経過とともに結晶系太陽電池セル１００の発電性能に係る特性値が低下する原因としては、結晶系太陽電池セル１００の吸湿、電極１３０の表面への異物の付着、および、結晶系太陽電池セル１００内のＳｉとＳｉＯ2との界面の状態の変化などが考えられる。
【００５６】
その結晶系太陽電池セル１００が加熱されることにより、吸湿した水分の蒸発、付着した異物の焼失、および、ＳｉとＳｉＯ2との界面状態の回復などの現象が生じて、結晶系太陽電池セル１００の発電性能に係る特性値が元の値に近づくように補償されると考えられる。
【００５７】
よって、本実施形態に係る結晶系太陽電池モジュールの製造方法のように、単体の状態で所定時間経過して発電性能に関する特性値が低下した複数の結晶系太陽電池セル１００を加熱して互いに接続することにより、結晶系太陽電池モジュールの発電性能を安定させることができる。
【００５８】
本実施形態においては、封止工程Ｓ１２７において封止材を溶解させるための加熱処理を行なっている。封止工程Ｓ１２７においては、結晶系太陽電池セル１００の両面は、防湿性を有する透光性部材および耐候性基材で覆われている。そのため、封止工程Ｓ１２７における加熱処理では、結晶系太陽電池セル１００から水分を蒸発させて除去することが難しい。よって、加熱工程Ｓ１２４は、結晶系太陽電池セル１００が封止材で覆われる前に行なわれることが好ましい。
【００５９】
また、結晶系太陽電池セル１００を配線基板上にマウントした後で加熱工程Ｓ１２４を行なった場合、熱変形によって結晶系太陽電池セル１００の設置位置がずれることがある。そのため、加熱工程Ｓ１２４は、結晶系太陽電池セル１００を配線基板上にマウントする前に行なわれることが好ましい。
【００６０】
複数の結晶系太陽電池セル１００の発電性能は、製造直後から若干のバラツキを有している。そのため、第１測定工程Ｓ１０３における測定結果と第２測定工程Ｓ１２３における測定結果との比較は、同一の結晶系太陽電池セル１００について行なわれることが好ましい。
【００６１】
そこで、結晶系太陽電池セル１００に識別用のＩＤまたはバーコードなどを印字しておき、第１測定工程Ｓ１０３および第２測定工程Ｓ１２３においてその識別用ＩＤなどを認識しつつ測定を行ない、各結晶系太陽電池セル１００の測定結果を個別に制御装置４に記憶させることが好ましい。
【００６２】
また、結晶系太陽電池セル１００を生産ロット毎に管理するようにしてもよい。この場合、第１測定工程Ｓ１０３および第２測定工程Ｓ１２３においてその生産ロットを認識しつつ測定を行ない、複数の結晶系太陽電池セル１００の測定結果を生産ロット毎に区分して制御装置４に記憶させる。
【００６３】
これらの方法により、第１測定工程Ｓ１０３における測定結果と第２測定工程Ｓ１２３における測定結果とをひも付け(関連付け)することができる。
【００６４】
なお、本実施形態においては、保管時間または輸送時間が所定時間以上である場合に、第２測定部３ａを稼働させている。そのため、保管時間または輸送時間が所定時間より短くて結晶系太陽電池セル１００の上記特性値の低下の可能性が低い場合には、第２測定部３ａによる測定および加熱部３ｂによる加熱を行なわずに結晶系太陽電池モジュールを製造することが可能になっている。このようにすることにより、結晶系太陽電池モジュールの製造工程の効率化を図ることができる。
【００６５】
ただし、保管時間または輸送時間と所定時間との比較結果により上記のようにモジュール製造装置３の稼働を変更することは必須ではない。常に第２測定工程Ｓ１２３および加熱工程Ｓ１２４を行なうようにしてもよい。
【００６６】
また、本実施形態においては、第２測定工程Ｓ１２３における上記特性値の測定結果が、第１測定工程Ｓ１０３における上記特性値の測定結果より所定の値以上低い場合に、加熱部３ｂを稼働させている。
【００６７】
そのため、上記特性値の低下分が所定の値より小さい場合には、加熱部３ｂによる加熱を行なわずに結晶系太陽電池モジュールを製造することが可能になっている。このようにすることにより、結晶系太陽電池モジュールの製造工程の効率化を図ることができる。
【００６８】
ただし、第２測定工程Ｓ１２３における上記特性値の測定結果と、第１測定工程Ｓ１０３における上記特性値の測定結果との比較結果により上記のように加熱部３ｂの稼働を変更することは必須ではない。常に加熱工程Ｓ１２４を行なうようにしてもよい。この場合、第１測定工程Ｓ１０３および第２測定工程Ｓ１２３は不要になる。
【００６９】
さらに、本実施形態においては、結晶系太陽電池モジュールの製造システム１０は制御装置４を備えていたが、必ずしも制御装置４を備えなくてもよく、たとえば、人がセル製造装置１およびモジュール製造装置３の稼働を制御してもよい。
【００７０】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７１】
１ セル製造装置、１ａ 第１測定部、２ 保管部、３ モジュール製造装置、３ａ 第２測定部、３ｂ 加熱部、４ 制御装置、１０ 製造システム、１００ 結晶系太陽電池セル、１１０ 基板、１１１ ｎ型不純物拡散領域、１１２ ｐ型不純物拡散領域、１２０ パッシベーション膜、１３０ 電極、１３１ ｎ型用電極、１３２ ｐ型用電極、１４０ 反射防止膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の結晶系太陽電池セルを準備するセル工程と、
前記複数の結晶系太陽電池セルを互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール工程と
を備え、
前記モジュール工程は、接続前の前記複数の結晶系太陽電池セルを加熱して該結晶系太陽電池セルの発電性能に係る特性値を補償する加熱工程を含む、結晶系太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記セル工程は、前記複数の結晶系太陽電池セルの前記特性値を測定する第１測定工程を含み、
前記モジュール工程は、接続前の前記複数の結晶系太陽電池セルの前記特性値を測定する第２測定工程を含み、
前記加熱工程は、前記第２測定工程において測定された前記特性値が、前記第１測定工程において測定された前記特性値より所定の値以上低い場合に行なわれる、請求項１に記載の結晶系太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記セル工程と前記モジュール工程との間で、前記複数の結晶系太陽電池セルを保管する保管工程をさらに備え、
前記第２測定工程は、前記保管工程が所定時間以上である場合に行なわれる、請求項２に記載の結晶系太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記加熱工程における加熱温度が１００℃以上６００℃以下である、請求項１から３のいずれかに記載の結晶系太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項５】
複数の結晶系太陽電池セルを作製するセル製造装置と、
前記セル製造装置により作製された前記複数の結晶系太陽電池セルを互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール製造装置と
を備え、
前記モジュール製造装置は、接続前の前記複数の結晶系太陽電池セルを加熱して該結晶系太陽電池セルの発電性能に係る特性値を補償する加熱部を含む、結晶系太陽電池モジュールの製造システム。
【請求項６】
前記セル製造装置は、前記複数の結晶系太陽電池セルの前記特性値を測定する第１測定部を含み、
前記モジュール製造装置は、接続前の前記複数の結晶系太陽電池セルの前記特性値を測定する第２測定部を含み、
前記加熱部は、前記第２測定部において測定された前記特性値が、前記第１測定部において測定された前記特性値より所定の値以上低い場合に稼動する、請求項５に記載の結晶系太陽電池モジュールの製造システム。
【請求項７】
接続前の前記複数の結晶系太陽電池セルを保管する保管部をさらにを備え、
前記第２測定部は、前記保管部で前記複数の結晶系太陽電池セルが所定時間以上保管される場合に稼動する、請求項６に記載の結晶系太陽電池モジュールの製造システム。
【請求項８】
前記加熱部における加熱温度が１００℃以上６００℃以下である、請求項５から７のいずれかに記載の結晶系太陽電池モジュールの製造システム。
【請求項１】
複数の結晶系太陽電池セルを準備するセル工程と、
前記複数の結晶系太陽電池セルを互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール工程と
を備え、
前記モジュール工程は、接続前の前記複数の結晶系太陽電池セルを加熱して該結晶系太陽電池セルの発電性能に係る特性値を補償する加熱工程を含む、結晶系太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記セル工程は、前記複数の結晶系太陽電池セルの前記特性値を測定する第１測定工程を含み、
前記モジュール工程は、接続前の前記複数の結晶系太陽電池セルの前記特性値を測定する第２測定工程を含み、
前記加熱工程は、前記第２測定工程において測定された前記特性値が、前記第１測定工程において測定された前記特性値より所定の値以上低い場合に行なわれる、請求項１に記載の結晶系太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記セル工程と前記モジュール工程との間で、前記複数の結晶系太陽電池セルを保管する保管工程をさらに備え、
前記第２測定工程は、前記保管工程が所定時間以上である場合に行なわれる、請求項２に記載の結晶系太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記加熱工程における加熱温度が１００℃以上６００℃以下である、請求項１から３のいずれかに記載の結晶系太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項５】
複数の結晶系太陽電池セルを作製するセル製造装置と、
前記セル製造装置により作製された前記複数の結晶系太陽電池セルを互いに電気的に接続して結晶系太陽電池モジュールを作製するモジュール製造装置と
を備え、
前記モジュール製造装置は、接続前の前記複数の結晶系太陽電池セルを加熱して該結晶系太陽電池セルの発電性能に係る特性値を補償する加熱部を含む、結晶系太陽電池モジュールの製造システム。
【請求項６】
前記セル製造装置は、前記複数の結晶系太陽電池セルの前記特性値を測定する第１測定部を含み、
前記モジュール製造装置は、接続前の前記複数の結晶系太陽電池セルの前記特性値を測定する第２測定部を含み、
前記加熱部は、前記第２測定部において測定された前記特性値が、前記第１測定部において測定された前記特性値より所定の値以上低い場合に稼動する、請求項５に記載の結晶系太陽電池モジュールの製造システム。
【請求項７】
接続前の前記複数の結晶系太陽電池セルを保管する保管部をさらにを備え、
前記第２測定部は、前記保管部で前記複数の結晶系太陽電池セルが所定時間以上保管される場合に稼動する、請求項６に記載の結晶系太陽電池モジュールの製造システム。
【請求項８】
前記加熱部における加熱温度が１００℃以上６００℃以下である、請求項５から７のいずれかに記載の結晶系太陽電池モジュールの製造システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１３−１０５９４５（Ｐ２０１３−１０５９４５Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４９７４７（Ｐ２０１１−２４９７４７）
【出願日】平成２３年１１月１５日（２０１１．１１．１５）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１５日（２０１１．１１．１５）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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