薄膜太陽電池モジュール及び製造方法
【課題】本発明は薄膜太陽電池モジュール及び製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは基板、基板上部に接触され形成される第１電極と第１電極上部に離隔され形成される第２電極と、第１電極と第２電極の間に形成される光電変換部を含む複数のセルと複数のセルの中で最外郭セルの上部に配置されるリボンと、最外郭セルとリボンの間に形成され最外郭セルとリボンを互いに接続させる導電性接着部とを含み、第１最外郭セルの第２電極とリボンの間に位置する導電性接着部は第１最外郭セルに含まれる第１電極、光電変換部及び第２電極それぞれと電気的に接続される第１接続部を含む。
【解決手段】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは基板、基板上部に接触され形成される第１電極と第１電極上部に離隔され形成される第２電極と、第１電極と第２電極の間に形成される光電変換部を含む複数のセルと複数のセルの中で最外郭セルの上部に配置されるリボンと、最外郭セルとリボンの間に形成され最外郭セルとリボンを互いに接続させる導電性接着部とを含み、第１最外郭セルの第２電極とリボンの間に位置する導電性接着部は第１最外郭セルに含まれる第１電極、光電変換部及び第２電極それぞれと電気的に接続される第１接続部を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜太陽電池モジュール及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近石油や石炭のような既存エネルギー資源の枯渇が予測されながらこれらを取り替える代替エネルギーに対する関心が高くなり、これによって太陽エネルギーから電気エネルギーを生産する太陽電池が注目されている。
【０００３】
一般的な太陽電池はｐ型とｎ型のように互いに異なる導電型(conductive type)によりｐ−ｎ接合を形成する半導体部、それと互いに異なる導電型の半導体部にそれぞれ接続された電極を備える。
【０００４】
このような太陽電池に光が入射されれば半導体で電子と正孔が生成され、ｐ−ｎ接合により生成された電子はｎ型半導体部の方に移動し生成された正孔はｐ型半導体部の方に移動する。移動した電子と正孔はそれぞれｐ型半導体部とｎ型半導体部に接続された互いに異なる電極によって収集され、この電極を電線で接続して電力を得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、太陽電池モジュールの効率を向上することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは基板と、基板上部に位置する第１電極と第１電極上部に位置する第２電極、及び第１電極と第２電極の間に位置する光電変換部をそれぞれ含む複数のセルと、複数のセルの中で第１最外郭セル及び第２最外郭セルの上部にそれぞれ配置されるリボンと、第１最外郭セルとリボン及び第２最外郭セルとリボンの間にそれぞれ位置し、第１最外郭セルと第２最外郭セルをリボンに電気的にそれぞれ接続させる導電性接着部とを含み、第１最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は第１最外郭セルに含まれる第１電極と光電変換部及び第２電極それぞれと電気的に接続される第１接続部を含む。
【０００７】
ここで、第１最外郭セルの第２電極は第１最外郭セルの光電変換部を貫通して第１最外郭セルの第１電極に電気的に接続される第２接続部を含むことができる。
【０００８】
また、第１最外郭セルの第１電極は隣接したセルに含まれる第１電極と一体に形成することができる。
【０００９】
また、第１接続部は複数であり、複数の第１接続部の幅は互いに異なることがある。具体的に複数の第１接続部の幅は第１最外郭セルと隣接したセルとの距離が近くなるほど増加することができる。
【００１０】
また、第２接続部は複数であり、複数の第２接続部の幅は互いに異なることがある。具体的に複数の第２接続部の幅は第１最外郭セルと隣接したセルとの距離が近くなるほど増加することができる。
【００１１】
ここで、第１接続部及び第２接続部それぞれの幅は４０μm乃至１５０μmの間で有り得る。
【００１２】
さらに、導電性接着部は電気伝導性の金属物質を含むことができ、接着性樹脂及び接着性樹脂内に複数の導電性粒子を含むこともできる。
【００１３】
また、太陽電池モジュールは複数のセルで生成された電力を回収する集電ボックスと、複数のセル上部を横切って配置され集電ボックスとリボンを互いに接続するバスバー電極とをさらに含むことができる。
【００１４】
また、薄膜太陽電池モジュールは複数のセルとバスバー電極の間に非伝導性物質の絶縁部とをさらに含むことができる。
【００１５】
また、光電変換部は少なくとも一つのp−i−n層を含むことができる。
【００１６】
また、 第２最外郭セルの第２電極とリボンの間に位置する導電性接着部は第２最外郭セルに含まれる第２電極と電気的に接続され、第２最外郭セルに含まれる光電変換部及び第１電極とは電気的に接続されないこともある。
【００１７】
ここで、第１最外郭セルの第２電極は第１最外郭セルと隣接したセルの第１電極に電気的に接続され、第２最外郭セルの第１電極は第２最外郭セルと隣接したセルの第２電極に電気的に接続されることができる。
【００１８】
また、第１最外郭セルの第２電極とリボンの間に位置する導電性接着部は第１最外郭セルに含まれる第２電極の上部面及び側面と互いに接触し、第１最外郭セルに含まれる光電変換部の側面と互いに接触し、第１最外郭セルに含まれる第１電極の上部一部分と互いに接触することができる。
【００１９】
本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法は基板の面上に第１電極層を形成した後、基板が部分的に露出するように第１電極に第１スクライビングラインパターンを形成して、複数のセルそれぞれに含まれる複数の第１電極を形成する段階と、複数の第１電極面上に光電変換部層を形成した後、第１電極が部分的に露出するように第２スクライビングパターンを形成し、複数のセルそれぞれに含まれる複数の光電変換部を形成する段階と、複数の光電変換部及び部分的に露出した複数の第１電極の上に第２電極層を形成した後、複数の第１電極が部分的に露出するように第３スクライビングパターンを形成し、複数のセルそれぞれに含まれる複数の第２電極を形成する段階と、第３スクライビングパターン以外に、複数のセルの中で最外郭セルに含まれる第２電極に対して第１電極が部分的に露出するように別途の第３スクライビングパターンを形成する段階とを含む。
【００２０】
ここで、太陽電池モジュールの製造方法は第２スクライビングパターン以外に、複数のセルの中で最外郭セルに含まれる光電変換部に対して第１電極が部分的に露出するように別途の第２スクライビングパターンを形成する段階とをさらに含むことができる。
【００２１】
ここの複数の第２電極を形成する段階で、最外郭セルに含まれる第２電極は別途の第２スクライビングパターンによって形成された空間を通じて最外郭セルに含まれる第１電極と直接接触することができる。
【００２２】
また、太陽電池モジュールの製造方法は別途の第３スクライビングパターンを形成した後、最外郭セルの上に導電性接着部を形成する段階とをさらに含むことができる。
【００２３】
この導電性接着部を形成する段階で、導電性接着部は最外郭セルの第１電極と直接接触することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは導電性接着部と最外郭セルとの接触抵抗を減らし導電性接着部と最外郭セルの接触部分で発生する熱を最小化することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
【図２Ａ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
【図２Ｂ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
【図２Ｃ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
【図３】図１に示された薄膜太陽電池モジュールに含まれる各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。
【図４】図１に示された薄膜太陽電池モジュールに含まれる各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。
【図５】図１に示された薄膜太陽電池モジュールに含まれる各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。
【図６】第１接続部及び第２接続部が薄膜太陽電池モジュールの両方最外郭セルに適用された一例を説明するための図である。
【図７】薄膜太陽電池モジュールの最外郭セルの中でいずれか一つのセルに含まれる第１電極は隣接したセルに含まれる第１電極と互いに電気的に接続された一例を説明するための図である。
【図８】最外郭セルに含まれた第１接続部の幅が異なる一例を説明するための図である。
【図９】最外郭セルに含まれた第２接続部の幅が異なる一例を説明するための図である。
【図１０Ａ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｂ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｃ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｄ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｅ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｆ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｇ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｈ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｉ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｊ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｋ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施の形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし本発明はいろいろ多様な形態に具現されることができここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分に対しては類似の図面符号を付けた。
【００２７】
図１乃至図２Ｃは本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
【００２８】
ここで、図１は薄膜太陽電池モジュール１０を背面から眺めた平面図を示したもので、 図２Ａは図１でII−IIラインに沿って薄膜太陽電池モジュール１０の端側面をII−IIラインに沿って概略的に示したもので、薄膜太陽電池モジュールの最外郭セルと導電性接着部の接続関係を説明するための一例であり、図２Ｂは図１及び図２Ａに示された導電性接着部２１０を最外郭セルに電気的に接続させる一例を説明するための図であり、図２Ｃは本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの最外郭セルで第２接続部が省略された一例を説明するための図である。
【００２９】
図１に示されたように、本発明に係る薄膜太陽電池モジュール１０は、基板１００、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）、複数の導電性接着部２１０、リボン２２０、バスバー電極２３０、絶縁部２４０及び集電ボックス２５０を含むことができる。
【００３０】
ここで、絶縁部２４０は場合によって省略することもできる。
【００３１】
基板１００は複数のセル（Ｃ、Ｃ１ Ｃ２）を支持し、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）が外部の汚染により損傷されることを防止する。さらに、基板１００は入射される光(Light)が光電変換部（ＰＶ）により効果的に到逹するようにするために実質的に透明な材質、例えばガラスまたはプラスチックからなることができる。
【００３２】
複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）は基板１００の上部に配置され、図２に示されたように、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２） それぞれは第１電極１１０、第２電極１４０、 光電変換部（ＰＶ）を含む。
【００３３】
ここで、第１電極１１０は基板１００の上部に配置され、 第２電極１４０は第１電極１１０の上部に配置されるが、第１電極１１０と第２電極１４０の間に光を入射受け電気に変換する光電変換部（ＰＶ）が配置される。このようなセルに対する多様な一例は図３乃至図５でさらに具体的に説明する。
【００３４】
このような複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）は図１及び図２に示されたように薄膜太陽電池の上下方向に示された複数のスクライビングライン（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）によって区分される。
【００３５】
さらに具体的には、図２Ａに示されたように、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）で各セルの第１電極１１０は第１スクライビングライン（Ｐ１）によって区分され、各セルの光電変換部（ＰＶ）は第２スクライビングライン（Ｐ２）及び第３スクライビングライン（Ｐ３）によって、各セルの第２電極１４０は第３スクライビングライン（Ｐ３）によって区分される。
【００３６】
このようなそれぞれの第１スクライビングライン（Ｐ１）、第２スクライビングライン（Ｐ２）、及び第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンによる第１電極１１０、 光電変換部（ＰＶ）及び第２電極１４０に対する蝕刻はレーザービームを利用し遂行することができる。
【００３７】
このような太陽電池モジュールに含まれる複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）が形成される方法を簡略に説明すれば次のようである。
【００３８】
先ず、基板１００の上部に第１電極１１０を全体的に形成する。以後、前述のように第１スクライビングライン（Ｐ１）パターンによって第１電極１１０の一部分をとり除いて各セルに含まれる第１電極１１０を区分する。
【００３９】
その後、第１電極１１０上部の全体面に光電変換部（ＰＶ）を形成する。その後、前述のように第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって光電変換部（ＰＶ）の一部分をとり除いて各セルに含まれる光電変換部（ＰＶ）を区分する。
【００４０】
最後に、光電変換部（ＰＶ）の上部全体面に第２電極１４０を形成する。この時、ある一つのセルの第２電極１４０は第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって露出した隣接したセルの第１電極１１０と電気的に接続される。さらに、前述のように、第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンによって第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）の一部分をとり除けば図２Ａに示されたように各セルは区分される。
【００４１】
これによって、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０は隣接したセルの第１電極１１０と電気的に接続され、第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０は隣接したセルの第２電極１４０と電気的に接続され、太陽電池モジュールに含まれた複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）は互いに電気的に直列接続される。
【００４２】
このような複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２） 中一つの最外郭セルに含まれる第２電極１４０は（＋）極性を有し、他の一つの最外郭セルに含まれる第２電極１４０は(-)極性を有する。
【００４３】
一例では、図１及び図２Ａに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０は（＋）極性を有し、第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０は（−）極性を有することができる。
【００４４】
具体的には、図２Ａに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる光電変換部（ＰＶ）は第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第１電極１１０と第２電極１４０が互いに電気的に接続され、光電変換部（ＰＶ）の本来の機能をすることができない。このように、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの第１最外郭セル（Ｃ１）は複数の非発電セル（ＣＮ）を含むことができる。
【００４５】
このような複数の非発電セル（ＣＮ）それぞれは前述のように、第１電極１１０と第２電極１４０が互いに電気的に接続され、光電変換機能をほとんど遂行することができない。
【００４６】
ここで、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）それぞれはそれぞれの第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる第２電極１４０の上部にリボン２２０が配置されることができる。ここで、リボン２２０は導電性物質で有り得る。
【００４７】
また、第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０は隣接したセルの第２電極１４０と電気的に接続され、第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０は導電性接着部２１０とリボン２２０を通じて集電ボックス２５０に接続され薄膜太陽電池モジュールの閉回路を構成するので、第２最外郭セル（Ｃ２）の光電変換部（ＰＶ）は光電変換機能を遂行するようになる。これによって、第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０では例えば正孔が収集され、第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０は例えば電子が収集され、（−）極性を有するようになる。
【００４８】
ここで、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールで第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０の極性は薄膜太陽電池モジュールに含まれる光電変換部（ＰＶ）の物質及び構造によって変化することで必ずしも前述のことに限定されるのではない。
【００４９】
ここで、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは第２スクライビングライン（Ｐ２） パターンによって光電変換部（ＰＶ）の一部分を除去する時、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる光電変換部（ＰＶ）の一部分を別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’） パターンによって追加で除去する。
【００５０】
さらに、本発明に係る太陽電池モジュールは第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンによって第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）の一部分を除去する時、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）の一部分を別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンによって追加で除去する。
【００５１】
このように、最外郭セルに別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）及び別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）による蝕刻を遂行する理由は第１最外郭セル（Ｃ１）の上部に形成される導電性接着部２１０と第１最外郭セル（Ｃ１）の電気的接触をさらに堅くして導電性接着部２１０と第１最外郭セル（Ｃ１）の間の接触抵抗を最小化するためである。これに対するさらに詳細な説明は後述する。
【００５２】
リボン２２０は図１乃至図２Ｃに示されたように、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）の中両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の上部に配置される。さらに具体的にリボン２２０は両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の上部に配置された第２電極１４０上部に配置され両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれの第２電極１４０と電気的に接続される。
【００５３】
このようなリボン２２０は複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）の中両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）から光電変換された電気を両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の後面に形成される第２電極１４０と電気的に接触する導電性接着部２１０を通じて入力を受け集電ボックス２５０で電気を集電させるためにバスバー電極２３０に電気を伝達する機能をする。
【００５４】
複数の導電性接着部２１０は両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれとリボン２２０ の間に形成され両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれとリボン２２０を電気的に接続させる機能をする。さらに具体的に複数の導電性接着部２１０は図２に示されたように、両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２） それぞれとリボン２２０の間に形成され両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれとリボン２２０を互いに接続させ両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれとリボン２２０の間の接触抵抗を最小化させる機能をする。
【００５５】
このような導電性接着部２１０は電気伝導性の金属物質を含むことができ、また、一例では銀（Ａｇ）や鉛（ｐｂ）を含むことができる。このような銀（Ａｇ）金属物質は電気伝導性が良く両方の最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれの上部に接着する時にセルの損傷を最小化することができる。
【００５６】
このような導電性接着部２１０を形成する方法は先に両方の最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれの第２電極１４０上部の中に導電性接着部２１０を形成しようとする位置にペースト形態の銀（Ａｇ）金属物質を決まった間隔で離隔させ塗布する。ここでの間隔は均一とすることもあり、均一としないこともある。
【００５７】
その後、リボン２２０をペースト形態の銀（Ａｇ）金属物質が塗布された両方の最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれの上部に配置した後適切な熱と圧力をかけペースト形態の銀（Ａｇ）金属物質が硬化されながら両方の最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれの第２電極１４０とリボン２２０が互いに電気的に接続されるようにして導電性接着部２１０を形成する。
【００５８】
また、このような導電性接着部２１０は伝導性フィルム(conductive film) の形態に形成することができる。さらに具体的には、導電性接着部２１０は接着性樹脂及び接着性樹脂(例えば、エポキシ樹脂)内に分散した複数の導電性粒子(例えばニッケル（Ｎｉ）)を含むことができる。ここで、導電性粒子は外部の圧力がない状態では接着性樹脂内に分散しているが、外部の圧力を受ける場合には互いに物理的に接触することができる。
【００５９】
ここで導電性粒子はニッケルのような金属粒子で構成することができ、接着性樹脂はエポキシやアクリルのような物質が含まれて形成されることができる。
【００６０】
このような導電性接着部２１０を伝導性フィルム(conductive film)で形成する場合、 導電性接着部２１０を電気伝導性の金属物質を含むペーストで形成する場合より相対的に低い温度で導電性接着部２１０を形成することができ、高温によるセルの効率低下を防止することができる。
【００６１】
具体的には、導電性接着部２１０を電気伝導性の金属物質を含むペーストを利用して形成する場合の工程温度は例えば、２００℃以上で有り得るが、導電性接着部２１０を伝導性フィルム(conductive film)を利用して形成する場合には工程温度が例えば１８０℃以下であるので、タブ工程の中で高温による太陽電池の損傷をさらに減らすことができる。
【００６２】
集電ボックス２５０は複数のセルで生成された電力を回収する機能をし、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）の上部を横切って配置されるバスバー電極２３０によって集電ボックス２５０はリボン２２０と互いに接続される。
【００６３】
バスバー電極２３０は複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）の上部を横切って配置され集電ボックス２５０とリボン２２０を互いに接続する機能がある。
【００６４】
絶縁部２４０は非伝導性物質として最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）を除いた複数のセル(C)の第２電極１４０とバスバー電極２３０の間に配置され、複数のセル（Ｃ）上部を横切って配置されるバスバー電極２３０と複数のセル（Ｃ）それぞれの上部に配置される第２電極１４０の間を絶縁する機能がある。
【００６５】
このような絶縁部２４０は合成樹脂材質で構成することができる。例えば、絶縁部２４０はエチレン酢酸ビニル共重合体(ＥＶＡ、ethylene vinyl acetate)、ポリビニルブチラール（polyvinyl butyral）、エチレンビニルアセテートパーシャルオキサイド（ethylene vinyl acetate partial oxide）珪素樹脂、エステル系樹脂、オレフィン系樹脂などからなることができる。このような絶縁部２４０の幅はバスバー電極２３０の幅より大きくすることができる。
【００６６】
また、絶縁部２４０の厚さはリボン２２０の厚さとおおよそ同一にできる。
【００６７】
一方、本発明に係る太陽電池モジュールで第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０とリボン２２０の間に位置する複数の導電性接着部２１０は図２Ａに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）を貫通して第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０と電気的に接続され、第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０とリボン２２０の間に位置する導電性接着部２１０は第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる第２電極１４０と電気的に接続され、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる光電変換部（ＰＶ）及び第１電極１１０と直接接触しないこともある。
【００６８】
さらに具体的には、図１及び図２Ａに示されたように、各導電性接着部２１０は複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）中でリボン２２０が上部に配置される最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の上部に粘着される。
【００６９】
ここで、第１最外郭セル（Ｃ１）の導電性接着部２１０は図２Ａに示されたように第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）を貫通して第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０と電気的に接続される部分である第１接続部２１０ａを含む。
【００７０】
これによって、導電性接着部２１０は第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０、光電変換部（ＰＶ）及び第２電極１４０それぞれと電気的に接続される。
【００７１】
具体的には、第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０とリボン２２０の間に位置する複数の導電性接着部２１０は第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第２電極１４０の上部面及び側面と互いに接触することができ、さらに、導電性接着部２１０は第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる光電変換部（ＰＶ）の側面及び第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第１電極１１０の上部の一部分と互いに接触することができる。
【００７２】
このような第１接続部２１０ａは図２Ａで複数である場合を一例として示したが、これとは異なって第１接続部２１０ａが一つだけある場合も可能である。
【００７３】
ここで、第１接続部２１０ａは第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンによって第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）の一部分を除去する時、図２Ｂのように、第１最外郭セル（Ｃ１）に別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’） パターンによって追加で実施して、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれた第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）の一部分が除去された部分に導電性接着部２１０を形成するペーストが流入されて形成される。
【００７４】
ここで、図２Ａに示された薄膜太陽電池モジュールの第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれた光電変換部（ＰＶ）は機能をすることができなくて、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれた光電変換部（ＰＶ）は機能をするので、（＋）極性を有する第１最外郭セル（Ｃ１）は前述の第１接続部２１０ａを備え、（−）極性を有する第２最外郭セル（Ｃ２）は前述の第１接続部２１０ａを備えないことで示した。
【００７５】
しかし、必ずしもこれに限定されるのではなく、導電性接着部２１０と第２最外郭セル（Ｃ２）の間の接触抵抗及び薄膜太陽電池モジュール全体で第２最外郭セル（Ｃ２）が発電効率に寄与する程度を全て考慮し光電変換部（ＰＶ）が機能をする第２最外郭セル（Ｃ２）も第１接続部２１０ａを含むことができる。
【００７６】
また、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０は第１最外郭セル（Ｃ１）の光電変換部（ＰＶ）を貫通し第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０に電気的に接続されることができる。
【００７７】
すなわち、図２Ａに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０は最外郭セルの第１電極１１０と電気的に接続される部分である第２接続部１４０ａを含むことができる。このような第２接続部１４０ａは図２Ａで複数である場合を一例に示したが、これと異なって第２接続部１４０ａが一つだけある場合も可能である。
【００７８】
ここで、第２接続部１４０ａは第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって光電変換部（ＰＶ）の一部分を除去する時、図２Ｂのように、第１最外郭セル（Ｃ１）に別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンを追加で実施して第１最外郭セル（Ｃ１）の光電変換部（ＰＶ）の一部分が除去された部分に形成される。
【００７９】
このように導電性接着部２１０が第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）を貫通して第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０と電気的に接続されるようにし、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０は第１最外郭セル（Ｃ１）の光電変換部（ＰＶ）を貫通して第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０に電気的に接続されるようにすることは導電性接着部２１０と第１最外郭セル（Ｃ１）の接触抵抗を減少させるためである。
【００８０】
さらに具体的に説明すれば、薄膜太陽電池モジュールに含まれる複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）は互いに電気的に直列接続され、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）中最も末端に位置する第１最外郭セル（Ｃ１）は（＋）極性を有し、第２最外郭セル（Ｃ２）は（−）極性を有するようになる。
【００８１】
このような第１最外郭セル（Ｃ１）と第２最外郭セル（Ｃ２）で最終的にキャリア(電子または正孔)が収集され導電性接着部２１０及びリボンを通じて集電電極に収集される。
【００８２】
このような過程で、第１最外郭セル（Ｃ１）に集中されたキャリアは導電性接着部２１０を通じてリボンに伝達するので第１最外郭セル（Ｃ１）と導電性接着部２１０の間にさらに集中する。
【００８３】
これによって導電性接着部２１０と第１最外郭セル（Ｃ１）の間の接触抵抗が相対的に高い場合、導電性接着部２１０と第１最外郭セル（Ｃ１）の間の接触部分ではキャリアの移動によって相対的に高い熱が発生される。
【００８４】
具体的には、薄膜太陽電池モジュールが動作する時、薄膜太陽電池モジュールの第１最外郭セル（Ｃ１）が形成された端の部分は太陽電池モジュールの残り部分よりおおよそ １０℃前後温度が上がるようになる。
【００８５】
このような温度上昇は薄膜太陽電池モジュールの端に近接し位置するエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）や保護シーツなどのような構成要素に影響を与え構成要素の機能低下を促進し、結局薄膜太陽電池モジュールの寿命を縮めさせる一つの要因で作用するようになる。
【００８６】
しかし、本発明のように、第１最外郭セル（Ｃ１）に電気的に接続される導電性接着部２１０が前述のように第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）を貫通して第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０と電気的に接続されれば、第１最外郭セル（Ｃ１）と導電性接着部２１０が電気的に接続される部分が第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０上部面だけでなく側面部分まで拡張され、さらに、第１電極１１０とも電気的に接続されるので、第１最外郭セル（Ｃ１）と導電性接着部２１０の間の電気的抵抗を最小化することができ、薄膜太陽陣地モジュールの端の温度が過度に上昇することを防止することができる。
【００８７】
これによって薄膜太陽電池モジュールの耐久性をさらに向上して薄膜太陽電池モジュールの寿命を延長させることができる。
【００８８】
また、前述のように、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０と第１最外郭セル（Ｃ１）の光電変換部（ＰＶ）を貫通し第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０に電気的に接続されるようにする場合にも隣接セルから流入したキャリアの迂回経路を提供するようになるので、第１最外郭セル（Ｃ１）と導電性接着部２１０ の間の電気的抵抗を最小化することができ、薄膜太陽陣地モジュールの端の温度が過度に上昇することを防止することができる。
【００８９】
今までは第１最外郭セル（Ｃ１）に第１接続部２１０ａ及び第２接続部１４０ａが一緒に形成された場合を一例で説明したが、図２Ｃに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）で第２接続部１４０ａを省略し第１接続部２１０ａだけ形成することも可能である。
【００９０】
このように、第１最外郭セル（Ｃ１）で第２接続部１４０ａを省略する場合、薄膜太陽電池モジュールの製造過程の中で第２接続部１４０ａを形成するために第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって光電変換部（ＰＶ）の一部分を除去する時、図２Ｂのように、第１最外郭セル（Ｃ１）に別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’） パターンを追加で実施する必要がなく、薄膜太陽電池モジュールの製造工程をさらに単純化することができる。
【００９１】
以下では薄膜太陽電池モジュールの最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の中で第１接続部２１０ａ及び第２接続部１４０ａが第１最外郭セル（Ｃ１）にだけ形成される一例についてのみ説明したが、以下の図６では第１接続部２１０ａ及び第２接続部１４０ａが第２最外郭セル（Ｃ２）にも形成される一例について説明する。
【００９２】
ただ、これを説明する前に、以下の図３乃至図５で先に薄膜太陽電池モジュールの各セルに含まれる構造を説明する。
【００９３】
次の図３乃至図５は、図１に示された薄膜太陽電池モジュールに含まれる各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。
【００９４】
図３に示されたように、薄膜太陽電池は断層 ｐ−ｉ−ｎ構造に形成することができる。
【００９５】
図３では光電変換部（ＰＶ）の構造が入射面からｐ−ｉ−ｎ構造であることを一例として説明しているが、光電変換部（ＰＶ）の構造が入射面から n-i-p 構造とすることも可能である。しかし、以下では説明の便宜上光電変換部（ＰＶ）の構造が入射面からp-i-n構造であることを一例として説明する。
【００９６】
図３に示されるように、薄膜太陽電池は基板１００、基板１００に配置される第１電極１１０、第２電極１４０及び断層p-i-n構造の光電変換部（ＰＶ）を含むことができる。
【００９７】
第１電極１１０は基板１００上部に配置され、入射される光の透過率を高めるために実質的に透明ながらも電気伝導性を有する材質を含むのが可能である。例えば、第１電極１１０は大部分の光が透過して電気が通じるように高い光透過度と高い電気伝導度を備えるためにインジウムスズ酸化物(indiｕｍtin oxide: ＩＴＯ)、スズ系酸化物（ＳｎＯ２ など)、ＡｇＯ、ＺｎＯ−（Ｇａ２Ｏ３ または Ａｌ２Ｏ３）、フッ素ドープ酸化スズ(fluorine doped tin oxide: ＦＴＯ) 及びこれらの混合物からなる群から選択されるものから形成することができる。さらに、第１電極１１０の比抵抗範囲は約１０-2Ω・cm 乃至１０-11Ω・cmで有り得る。
【００９８】
このような第１電極１１０は光電変換部（ＰＶ）と電気的に接続することができる。 これによって、第１電極１１０は入射する光によって生成されたキャリア中の一つ、 例えば正孔を収集し出力することができる。
【００９９】
さらに、第１電極１１０の上部表面にはランダム(random)なピラミッド構造を有する複数の凹凸を形成することができる。すなわち、第１電極１１０はテクスチャリング表面(texturing surface)を備えることがある。このように、第１電極１１０の表面をテクスチャリングするようになれば、入射される光の反射を低減させ、光の吸収率を高めることができ、太陽電池の効率を向上することが可能である。
【０１００】
一方、図３では第１電極１１０にだけ凹凸を形成した場合のみを示しているが、光電変換部（ＰＶ）にも凹凸を形成することが可能である。以下では説明の便宜のために第１電極１１０にだけ凹凸を形成する場合を例にあげて説明する。
【０１０１】
第２電極１４０は光電変換部（ＰＶ）が発生させた電力の回収効率を高めるために電気伝導性が優れた金属材質を含むことができる。さらに、第２電極１４０は光電変換部（ＰＶ）と電気的に接続され入射される光によって生成されたキャリア中の一つ、例えば電子を収集し出力することができる。
【０１０２】
ここで、光電変換部（ＰＶ）は第１電極１１０と第２電極１４０の間に配置され外部から入射される光で電力を生産する機能を有する。
【０１０３】
このような光電変換部（ＰＶ）は基板１００の入射面からｐ−ｉ−ｎ構造、すなわち ｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）、真性（ｉ型）半導体層（ＰＶ−ｉ）、ｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）を含むことができる。
【０１０４】
ここで、ｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）はシリコン（Ｓｉ）を含む原料ガスにホウ素、 ガリウム、インジウムなどのような３価元素の不純物を含むガスを利用して形成することができる。
【０１０５】
真性（ｉ）半導体層（ＰＶ−ｉ）はキャリアの再結合率を減らして光を吸収することができる。このような真性半導体層（ＰＶ−ｉ）は入射される光を吸収して、電子と正孔のようなキャリアを生成することができる。
【０１０６】
このような真性半導体層（ＰＶ−ｉ）は微結晶シリコン（ｍｃ−Ｓｉ）材質、例えば水素化された微結晶シリコン（ｍｃ−Ｓｉ：Ｈ）を含むこともでき、または非晶質シリコン(Amorphous Silicon) 、例えば水素化された非晶質シリコン(Hydrogenated Amorphous Silicon、a-Si:H)を含むことができる。
【０１０７】
ｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）はシリコンを含む原料ガスにりん（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などのように５価元素の不純物を含むガスを利用して形成することができる。
【０１０８】
このような光電変換部（ＰＶ）はプラズマ化学気相蒸着法(plasma enhanced chemical vapor deposition、ＰＥＣＶＤ)のような化学気相蒸着法(chemical vapor deposition、ＣＶＤ)によって形成されることができるのである。
【０１０９】
光電変換部（ＰＶ）のｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）及びｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）のようなドーピング層は真性半導体層（ＰＶ−ｉ）を間に置いてｐ−ｎ接合を形成することができる。すなわち、光電変換部（ＰＶ）は ｎ型不純物ドーピング層、すなわちｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）とｐ型不純物ドーピング層、すなわちｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）の間に配置することができる。
【０１１０】
このような構造で、ｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）の方に光が入射されれば真性半導体層（ＰＶ−ｉ）の内部では相対的に高いドーピング濃度を有するｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）とｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）によって空乏層(depletion layer)が形成され、これによって電場を形成することができる。このような光起電力効果(photovoltatic effect)によって光吸収層である真性半導体層（ＰＶ−ｉ）で生成された電子と正孔は接触電位差によって分離して互いに異なる方向に移動する。例えば、正孔はｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）を通して第１電極１１０方へ移動し、 電子はｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）を通して第２電極１４０方へ移動することができる。 このような方式で電力が生産されることができる。
【０１１１】
また、図４に示されたように、薄膜太陽電池は二重接合(Double Junction) 太陽電池あるいはｐ−ｉ−ｎ−ｐ−ｉ−ｎ構造に形成することができる。
【０１１２】
以下では以上で詳しく説明した部分については説明を省略する。
【０１１３】
図４に示されるように、薄膜太陽電池の光電変換部（ＰＶ）は第１光電変換部（ＰＶ１）及び第２光電変換部（ＰＶ２）を含むことができる。
【０１１４】
図４のように、薄膜太陽電池は光入射面から第１ｐ型半導体層（ＰＶ１−ｐ）、第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）、第１ｎ型半導体層（ＰＶ１−ｎ）、第２ｐ型半導体層（ＰＶ２−ｐ）、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）及び第２ｎ型半導体層（ＰＶ２−ｎ）が順に積層されることができる。
【０１１５】
第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）は短波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができる。さらに、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）は長波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができる。
【０１１６】
このように、二重接合構造の太陽電池は短波長帯域及び長波長帯域の光を吸収してキャリアを生成するから高い効率を有することが可能である。
【０１１７】
さらに、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）の厚さは長波長帯域の光を充分に吸収するために第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）の厚さより厚いことがある。
【０１１８】
また、図４に示されたような薄膜太陽電池は第１光電変換部（ＰＶ１）の第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）及び第２光電変換部（ＰＶ２）の第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）が全て非晶質シリコンを含むこともでき、または第１光電変換部（ＰＶ１）の第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）は非晶質シリコンを含むが、第２光電変換部（ＰＶ２）の第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）は微結晶シリコンを含むこともできる。
【０１１９】
また、図４のような二重接合構造を有する太陽電池で第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）にはゲルマニウム（Ｇｅ）を不純物としてドーピングすることができる。ゲルマニウム（Ｇｅ）は第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）のバンドギャップを低下することができ、これによって第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）の長波長帯域光の吸収率が向上することで太陽電池の効率を向上することができる。
【０１２０】
すなわち、二重接合構造を有する太陽電池は第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）で短波長帯域の光を吸収して光電効果を発揮し、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）で長波長帯域の光を吸収して光電効果を発揮するようになるのに、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）にゲルマニウム（Ｇｅ）が不純物にドーピングされた太陽電池は第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）のバンドギャップをさらに低下することでさらに多い量の長波長帯域光を吸収することができ、太陽電池の効率を向上することができる。
【０１２１】
このような第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）にゲルマニウム（Ｇｅ）をドーピングする方法ではゲルマニウム（Ｇｅ）ガスが満たされたチャンバ内でＶＨＦ、ＨＦまたはＲＦを利用したＰＥＣＶＤ工法を一例で挙げることができる。
【０１２２】
このような第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）に含まれるゲルマニウムの含量は一例として３〜２０ａｔｏｍ％で有り得る。このようにゲルマニウムの含量が適切に含まれる場合第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）のバンドギャップを充分に低くすることができ、これによって第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）の長波長帯域光の吸収率を向上することができる。
【０１２３】
このような場合にも第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）は短波長帯域の光を主に吸収して電子と正孔を生成することができ、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）は長波長帯域の光を主に吸収して電子と正孔を生成することができる。さらに、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）の厚さは長波長帯域の光を充分に吸収するために第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）の厚さより厚くすることができる。
【０１２４】
また、図５に示されたように、薄膜太陽電池は三重接合(Triple Junction)太陽電池あるいはｐ−ｉ−ｎ−ｐ−ｉ−ｎ−ｐ−ｉ−ｎ構造で形成することができる。以下では以上で詳しく説明した部分に対しては説明を省略する。
【０１２５】
図５にしめすように、薄膜太陽電池の光電変換部（ＰＶ）は基板１００の入射面から第１光電変換部（ＰＶ１）、第２光電変換部（ＰＶ２）及び第３光電変換部（ＰＶ３）を順に配置することができる。
【０１２６】
ここで、第１光電変換部（ＰＶ１）、第２光電変換部（ＰＶ２）及び第３光電変換部（ＰＶ３）はそれぞれｐ−ｉ−ｎ構造に形成することができ、基板１００から第１ｐ型半導体層（ＰＶ１−ｐ）、第１真性半導体層（ＰＶ１−ｉ）、第１ｎ型半導体層（ＰＶ１−ｎ）、第２ｐ型半導体層（ＰＶ２−ｐ）、第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）、第２ｎ型半導体層（ＰＶ２−ｎ）、第３ｐ型半導体層（ＰＶ３−ｐ）、第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）及び第３ｎ型半導体層（ＰＶ３−ｎ）を順に配置することができる。
【０１２７】
ここで、第１真性半導体層（ＰＶ１−ｉ）、第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）及び第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）を多様に具現することができる。
【０１２８】
第１実施例で、第１真性半導体層（ＰＶ１−ｉ）及び第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）は非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を含むことができ、第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）は微結晶シリコン（ｍｃ−Ｓｉ）を含むことができる。ここで、第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）にはゲルマニウム（Ｇｅ）が不純物にドーピングされるようにして第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）のバンドギャップを低下することもできる。
【０１２９】
また、これとは異なり、第２実施例として第１真性半導体層（ＰＶ１−ｉ）は非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を含むことができ、第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）及び第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）は微結晶シリコン（ｍｃ−Ｓｉ）を含むことができる。 ここで、第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）にはゲルマニウム（Ｇｅ）が不純物でドーピングされて第３ｉ型半導体層のバンドギャップを低下することもできる。
【０１３０】
ここで、第１光電変換部（ＰＶ１）は短波長帯域の光を吸収し電力を生産することができ、第２光電変換部（ＰＶ２）は短波長帯域と長波長帯域の中間帯域の光を吸収して電力を生産することができ、第３光電変換部（ＰＶ３）は長波長帯域の光を吸収し電力を生産することができる。
【０１３１】
ここで、第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）の厚さは第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）の厚さより厚く、第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）の厚さは第１真性半導体層（ＰＶ１−ｉ）の厚ささらに厚くすることができる。
【０１３２】
このように図５のような三重接合太陽電池の場合にはより広い帯域の光を吸収することができるから電力生産効率を高くすることができる。
【０１３３】
図６は第１接続部及び第２接続部が薄膜太陽電池モジュールの両方の最外郭セルに適用した一例について説明する。
【０１３４】
先の図２Ａ及び図２Ｂでは第１接続部２１０ａ及び第２接続部１４０ａが第１最外郭セル（Ｃ１）にだけ形成される一例についてだけ説明したが、図６に示されたように第１最外郭セル（Ｃ１）だけでなく第２最外郭セル（Ｃ２）にも第１接続部２１０ｂを形成することができる。
【０１３５】
図６に示されたように、第２最外郭セル（Ｃ２）にも第１最外郭セル（Ｃ１）と同じく、第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成された場合第２最外郭セル（Ｃ２）が電気を生産することができず、薄膜太陽電池モジュールの光電変換効率が多少低下することもあるが、第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂを通じて第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０と導電性接着部２１０の間の接触抵抗と第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０と導電性接着部２１０の間の接触抵抗を著しく減らすことができる。
【０１３６】
これによって先の図２Ａ及び図２Ｂで第１最外郭セル（Ｃ１）について説明したと同様に、第２最外郭セル（Ｃ２）と導電性接着部２１０の間の接触抵抗による発熱を最小化させ、むしろ薄膜太陽電池モジュールの寿命を延長することができる。
【０１３７】
さらに具体的に説明すれば、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールで、第１最外郭セル（Ｃ１）と導電性接着部２１０の間の接触抵抗及び第２最外郭セル（Ｃ２）と導電性接着部２１０の間の接触抵抗を以下の表１に示されたように減少することができる。
【０１３８】
【表１】
【０１３９】
表１で、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）それぞれに第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成された本発明は第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）それぞれに第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成されなかった比較例より各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）と導電性接着部２１０の間の直列抵抗が約１．１ｍΩ位で約５％減少することを確認することができる。
【０１４０】
このような接触抵抗の減少によって、各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）と中央セル（Ｃ） の間の温度差も減少することを以下の表２で確認することができる。
【０１４１】
【表２】
【０１４２】
表２に記載したように、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２） それぞれに第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成されなかった比較例の場合、 各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）と中央セル（Ｃ）の間に約８℃ 〜 １０℃の温度差が発生したが、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）それぞれに第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成された本発明は温度差が著しく減り、各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）と中央セル（Ｃ）の間に約３℃ 〜 ５℃の温度差が発生することを確認することができる。
【０１４３】
このように、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）と中央セル（Ｃ）の間の温度差を減少させ、薄膜太陽電池モジュールの寿命を延長することができる。
【０１４４】
このような本発明の薄膜太陽電池モジュールで、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる非発電セル（ＣＮ）の個数は図６では一例として４個である場合を例として挙げたが、薄膜太陽電池モジュールの品質、すなわち蒸着される薄膜の品質によって変えることができる。
【０１４５】
図６に示されたことと相違し、このような第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる非発電セル（ＣＮ）の最適化された個数は約２乃至３個で有り得る。
【０１４６】
さらに、このような非発電セル（ＣＮ）の幅は第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる非発電セル（ＣＮ）の個数によって変わることがある。
【０１４７】
一例として、前述したように、非発電セル（ＣＮ）の個数が約２乃至３個である場合、非発電セルの幅（ＷＣＮ）は各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）幅（ＷＣＥ）の１／３乃至１／２の間に形成することができる。
【０１４８】
しかし、このような非発電セル（ＣＮ）の幅と個数は必ずしもこれに限定されるものではない。
【０１４９】
図７は薄膜太陽電池モジュールの最外郭セルの中でいずれか一つのセルに含まれる第１電極は隣接したセルに含まれる第１電極と互いに電気的に接続された一例について説明するための図である。
【０１５０】
本発明に係る太陽電池モジュールは最外郭セル中のいずれか一つのセルに含まれる第１電極１１０は隣接したセルに含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続することができる。
【０１５１】
一例として、図７に示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれた第１電極１１０は隣接したセルに含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続することができ、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれた第１電極１１０は通常の場合と同様に第１スクライビングライン（Ｐ１）によって隣接したセルに含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続されないこともある。
【０１５２】
このように、いずれか一つの最外郭セルに含まれる第１電極１１０が隣接したセルに含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続されるようにする基準は最外郭セルと隣接したセルとの電気的接続関係によって決定される。
【０１５３】
具体的に、図７に示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）と隣接した第１隣接セル（ＣＢ１）は第１隣接セル（ＣＢ１）の第１電極１１０を介して第１最外郭セル（Ｃ１）と互いに直列接続された構造であるので、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれた第１電極１１０を第１隣接セル（ＣＢ１）に含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続させても第１最外郭セル（Ｃ１）と第１隣接セル（ＣＢ１）の間の直列接続構造には影響がない。
【０１５４】
しかし、第２最外郭セル（Ｃ２）と隣接した第２隣接セル（ＣＢ２）は第２隣接セル（ＣＢ２）の第２電極１４０を介して第２最外郭セル（Ｃ２）と互いに直列接続される構造を有し、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれた第１電極１１０を第２隣接セル（ＣＢ２）に含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続させる場合、第２最外郭セル（Ｃ２）と第２隣接セル（ＣＢ２）の間の直列接続構造が割れてしまう問題が発生するので、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれた第１電極１１０は通常の場合と同様に第１スクライビングライン（Ｐ１）によって第２隣接セル（ＣＢ２）に含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続されないこともある。
【０１５５】
このように、 第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第１電極１１０を第１隣接セル（ＣＢ１）に含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続させる場合、第１隣接セル（ＣＢ１）で生成され第１隣接セル（ＣＢ１）の第１電極１１０に収集されたキャリアは第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０を通る経路（ｉ１１０ａ）でだけでなく、第１接続部２１０ａ及び第２接続部１４０ａを通る経路（ｉ１１０ｂ）でも集電ボックス２５０に移動することができる。
【０１５６】
これによって、キャリアの移動経路を多様に形成させることができて、キャリアが一つの経路に集中されて発熱温度が高くなることをさらに緩和することができる効果がある。
【０１５７】
図７では第２最外郭セル（Ｃ２）が第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが含まれた一例の場合に適用される場合を示したが、第２最外郭セル（Ｃ２）が第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂを含まない場合にも、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第１電極１１０は第１隣接セル（ＣＢ１）に含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続されることができる。
【０１５８】
図８は最外郭セルに含まれた第１接続部の幅を異なるようにした一例について説明するための図である。
【０１５９】
本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは複数の第１接続部２１０ａの幅（２１０ａＴ１、２１０ａＴ２）を互いに異なるようにでき、一例では、複数の第１接続部２１０ａの幅が最外郭セルと隣接したセルとの距離が近くなるほど増加するようにできる。
【０１６０】
具体的には、図８に示されたように、第１隣接セル（ＣＢ１）と距離が最も近い第１接続部２１０ａの幅２１０ａＴ１は第１隣接セル（ＣＢ１）との距離が最も遠い第１接続部２１０ａの幅２１０ａＴ２より大きくすることができ、第１接続部２１０ａの幅が第１隣接セル（ＣＢ１）との距離が近くなるほど増加するようにできる。
【０１６１】
また、さらに、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれた第１接続部２１０ｂの幅（２１０ｂＴ１、 ２１０ｂＴ２）も第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が近くなるほど増加するようにできる。
【０１６２】
具体的には、第２最外郭セル（Ｃ２）が図８に示されたように第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂを含む場合、第１最外郭セル（Ｃ１）の第１接続部２１０ａのように、第２最外郭セル（Ｃ２）も第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が最も近い第１接続部２１０ｂの幅２１０ｂＴ１は第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が最も遠い第１接続部２１０ｂの幅２１０ｂＴ２より大きくすることができる。
【０１６３】
このようにすることで、最外郭セルと隣接したセルで生成されたキャリア(例えば正孔や電子)が複数の第１接続部２１０ａを通じて集電ボックス２５０まで移動する最短経路ｉ２００ａの抵抗を最小化することができ薄膜太陽電池モジュールの効率をさらに向上することができる効果がある。
【０１６４】
このように、第１接続部２１０ａの幅は４０μm乃至１５０μmの間で形成されることができる。
【０１６５】
図７では第２最外郭セル（Ｃ２）に第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが含まれた一例の場合に適用する場合を示したが、第２最外郭セル（Ｃ２）で第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成されない場合にも同様に適用することができる。
【０１６６】
図９は最外郭セルに含まれた第２接続部の幅を異なるようにした一例について説明するための図である。
【０１６７】
本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは複数の第２接続部（１４０ａ、１４０ｂ）の幅を互いに異なるようにでき、 一例で、複数の第２接続部（１４０ａ、１４０ｂ）の幅が最外郭セルと隣接したセルと距離が近くなるほど増加するようにすることもできる。
【０１６８】
図９に示されたように、第１隣接セル（ＣＢ１）との距離が最も近い第２接続部１４０ａの幅１４０ａＴ１は第１隣接セル（ＣＢ１）との距離が最も遠い第２接続部１４０ａの幅１４０ａＴ２より大きくでき、第２接続部１４０ａの幅が第１隣接セル（ＣＢ１）との距離が近くなるほど増加するようにできる。
【０１６９】
また、さらに、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれた第２接続部１４０ａの幅（１４０ｂＴ１、１４０ｂＴ２）も第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が近くなるほど増加するようにできる。
【０１７０】
具体的には、第２最外郭セル（Ｃ２）が図９に示されたように第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂを含む場合、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２接続部１４０ａのように、第２最外郭セル（Ｃ２）も第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が最も近い第２接続部１４ｂの幅１４０ｂＴ１は第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が最も遠い第２接続部１４０ｂの幅１４０ｂＴ２より大きくすることができる。
【０１７１】
このようにすることで、第１隣接セル（ＣＢ１）で生成されたキャリア(例えば正孔や電子)が複数の第２接続部１４０ａを通じて集電ボックス２５０まで移動する最短経路ｉ１４０ａの抵抗を最小化することができて薄膜太陽電池モジュールの効率をさらに向上することができる効果がある。
【０１７２】
このような、第２接続部１４０ａの幅は４０μm乃至１５０μmの間で形成することができる。
【０１７３】
図９では第２最外郭セル（Ｃ２）に第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが含まれた一例の場合に適用する場合を示したが、第２最外郭セル（Ｃ２）で第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成されない場合にも同様に適用することができる。
【０１７４】
このように、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは導電性接着部２１０と最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）との接触抵抗を減らし導電性接着部２１０と最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の接触部分で発生する熱を最小化することができる効果がある。
【０１７５】
今までは薄膜太陽電池モジュールの光電変換部がシリコン（Ｓｉ）を含む場合を一例にだけ説明したが、これ以外にも本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの光電変換部は ＣｄＴｅ(Cadmiｕｍtelluride)、ＣＩＧＳ(Copper indiｕｍ galliｕｍ selenide)または硫化カドミウム（ＣｄＳ）などのような他の物質が含まれる場合にも適用することもできる。
【０１７６】
今までは本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの構造に対してだけ説明したが、以下ではこのような薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例について詳しく説明する。
【０１７７】
図１０Ａ乃至図１０Ｋは本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例で、図６に示された薄膜太陽電池モジュールを製造する過程を説明する。
【０１７８】
先ず、図１０Ａに示されたように、基板１００の上部に第１電極１１０（または第１電極層）を全面に形成する。この時、第１電極１１０はＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ蒸着装置によって基板１００上に蒸着され形成することができる。
【０１７９】
その後、図１０Ｂに示されたように、レーザービームを利用し第１電極１１０の一部分を部分的に除去し、第１電極１１０に第１スクライビングライン（Ｐ１）パターンを形成する。この時、第１電極１１０でレーザービームによって除去される幅は約３０μｍ〜７０μｍで有り得るが、必ずこれに限定されるものではない。すなわち、本発明の実施の形態では第１スクライビングライン（Ｐ１）をレーザービームでなく、異なる蝕刻方法により形成することもできる。
【０１８０】
このような第１スクライビングライン（Ｐ１）パターンによって各セルの第１電極１１０が区分される。したがって、基板１００の最外郭に位置する第１電極（１１０Ｃ１、 １１０Ｃ２）は前述の第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる。
【０１８１】
その後、図１０Ｃに示されたように、第１電極１１０上の全面に光電変換部（ＰＶ）（又は光電変換部層）を形成する。この時、光電変換部（ＰＶ）は第１電極１１０の上部だけでなく第１スクライビングライン（Ｐ１）パターンによって部分的に露出した基板１００の上部にも同時に蒸着することができる。
【０１８２】
次に、図１０Ｄに示されたように、レーザービームを利用し光電変換部（ＰＶ）の一部分を部分的に除去し、光電変換部（ＰＶ）に第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンを形成する。これにより複数の光電変換部（ＰＶ）が形成される。
【０１８３】
このような第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって各セルの光電変換部（ＰＶ）が区分される。さらに、第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって第１電極１１０が部分的に露出する。
【０１８４】
ここで、基板１００の最外郭に位置する光電変換部（ＰＶＣ１、ＰＶＣ２）それぞれは前述の第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）にそれぞれ含まれる。
【０１８５】
次に、図１０Ｅに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる光電変換部（ＰＶＣ１、ＰＶＣ２）に対してだけ追加的に別途の第２スクライビングライン（Ｐ２‘） パターンをさらに形成する。
【０１８６】
このように追加的に別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンによって、 第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる光電変換部（ＰＶＣ１、ＰＶＣ２）は非発電セル（ＣＮ）に含まれる複数の光電変換部（ＰＶＣＮ）で分けられ、 別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンによって、第１最外郭セル（Ｃ１） 及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる第１電極１１０が部分的に露出する。
【０１８７】
ここでは、図１０Ｄの第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンを先に形成させた後、図１０Ｅの別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンを形成することを説明したが、必ずしもこれに限定されるのではなく、第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンと別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）のパターン形成過程は時間的に交互いに変更するか混合することもできる。その他に代案的な実施の形態で、第２スクライビングライン（Ｐ２）と別の第２スクライビングライン（Ｐ２’）は共に形成されるか連続的に形成されることもある。
【０１８８】
次、図１０Ｆに示されたように、部分的に露出した第１電極１１０及び光電変換部（ＰＶ）上に第２電極１４０（又は第２電極層）を蒸着する。
【０１８９】
これによって、第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって部分的に露出した中央セル（Ｃ）の第１電極１１０は第２電極１４０と直接接触され、電気的に接続される。
【０１９０】
さらに、別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンによって部分的に露出した第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０は第２電極１４０と直接接触され、電気的に接続される。これによって、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）には第１電極１１０と第２電極１４０が互いに電気的に接続された複数の第２接続部１４０ａが形成される。
【０１９１】
次に、図１０Ｇに示されたように、レーザービームを利用して第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンを形成させる。このような第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンによって第２電極１４０と光電変換部（ＰＶ）が複数に分けられ、これにより、複数の第２電極１４０が形成される。したがって複数のセルそれぞれの形態が完成される。すなわち本発明の実施の形態では第２スクライビングライン（Ｐ２）がレーザービームではなくて、異なる蝕刻方法により形成できることもある。
【０１９２】
さらに、複数のセルそれぞれは互いに隣接したセルの第１電極１１０と第２電極１４０が直列に接続された形態を有するようになる。
【０１９３】
次に、図１０Ｈに示されたように、レーザービームを利用し第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に対してだけ追加で別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンを形成させる。このように追加に形成される別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンは第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に形成された別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンと重畳しないこともある。
【０１９４】
これによって、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）では別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンによって第１電極１１０が部分的に露出する。
【０１９５】
ここでは、図１０Ｇの第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンを先に形成させた後、図１０Ｈの別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンを形成することを説明したが、必ずしもこれに限定されるのではなく、第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンは別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターン形成過程後に形成でき、また、混合する（同時に形成する）こともできる。その他に代案的な実施の形態で、第３スクライビングライン（Ｐ３）と別の第３スクライビングライン（Ｐ３’）は共に同時に形成されるか順次形成されることもある。
【０１９６】
次に、図１０Ｉに示されたように、導電性接着部２１０を形成するために電気伝導性の金属物質を含むペースト（Ｐ２１０）を第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）の上に塗布する。
【０１９７】
このように、電気伝導性の金属物質を含むペースト（Ｐ２１０）が第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）の上に塗布されると、ペースト（Ｐ２１０）が別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンによって形成された空間に流れて行き部分的に露出した第１最外郭セル（Ｃ１） 及び第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０と直接接続される。
【０１９８】
次に、図１０Ｊに示されたように、電気伝導性の金属物質を含むペースト（Ｐ２１０）が乾燥すると、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）上に導電性接着部２１０が形成され、さらに、導電性接着部２１０が第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０と直接接続される第１接続部２１０ａが形成される。
【０１９９】
次に、図１０Ｋに示されたように、導電性接着部２１０が形成された第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）上にリボン２２０を形成させる。
【０２００】
これによって、図６で説明した太陽電池モジュールを完成することができる。
【０２０１】
以上で本発明の望ましい実施の形態に対して詳細に説明したが本発明の権利範囲はこれに限定されるのではなく、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多くの変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜太陽電池モジュール及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近石油や石炭のような既存エネルギー資源の枯渇が予測されながらこれらを取り替える代替エネルギーに対する関心が高くなり、これによって太陽エネルギーから電気エネルギーを生産する太陽電池が注目されている。
【０００３】
一般的な太陽電池はｐ型とｎ型のように互いに異なる導電型(conductive type)によりｐ−ｎ接合を形成する半導体部、それと互いに異なる導電型の半導体部にそれぞれ接続された電極を備える。
【０００４】
このような太陽電池に光が入射されれば半導体で電子と正孔が生成され、ｐ−ｎ接合により生成された電子はｎ型半導体部の方に移動し生成された正孔はｐ型半導体部の方に移動する。移動した電子と正孔はそれぞれｐ型半導体部とｎ型半導体部に接続された互いに異なる電極によって収集され、この電極を電線で接続して電力を得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、太陽電池モジュールの効率を向上することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは基板と、基板上部に位置する第１電極と第１電極上部に位置する第２電極、及び第１電極と第２電極の間に位置する光電変換部をそれぞれ含む複数のセルと、複数のセルの中で第１最外郭セル及び第２最外郭セルの上部にそれぞれ配置されるリボンと、第１最外郭セルとリボン及び第２最外郭セルとリボンの間にそれぞれ位置し、第１最外郭セルと第２最外郭セルをリボンに電気的にそれぞれ接続させる導電性接着部とを含み、第１最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は第１最外郭セルに含まれる第１電極と光電変換部及び第２電極それぞれと電気的に接続される第１接続部を含む。
【０００７】
ここで、第１最外郭セルの第２電極は第１最外郭セルの光電変換部を貫通して第１最外郭セルの第１電極に電気的に接続される第２接続部を含むことができる。
【０００８】
また、第１最外郭セルの第１電極は隣接したセルに含まれる第１電極と一体に形成することができる。
【０００９】
また、第１接続部は複数であり、複数の第１接続部の幅は互いに異なることがある。具体的に複数の第１接続部の幅は第１最外郭セルと隣接したセルとの距離が近くなるほど増加することができる。
【００１０】
また、第２接続部は複数であり、複数の第２接続部の幅は互いに異なることがある。具体的に複数の第２接続部の幅は第１最外郭セルと隣接したセルとの距離が近くなるほど増加することができる。
【００１１】
ここで、第１接続部及び第２接続部それぞれの幅は４０μm乃至１５０μmの間で有り得る。
【００１２】
さらに、導電性接着部は電気伝導性の金属物質を含むことができ、接着性樹脂及び接着性樹脂内に複数の導電性粒子を含むこともできる。
【００１３】
また、太陽電池モジュールは複数のセルで生成された電力を回収する集電ボックスと、複数のセル上部を横切って配置され集電ボックスとリボンを互いに接続するバスバー電極とをさらに含むことができる。
【００１４】
また、薄膜太陽電池モジュールは複数のセルとバスバー電極の間に非伝導性物質の絶縁部とをさらに含むことができる。
【００１５】
また、光電変換部は少なくとも一つのp−i−n層を含むことができる。
【００１６】
また、 第２最外郭セルの第２電極とリボンの間に位置する導電性接着部は第２最外郭セルに含まれる第２電極と電気的に接続され、第２最外郭セルに含まれる光電変換部及び第１電極とは電気的に接続されないこともある。
【００１７】
ここで、第１最外郭セルの第２電極は第１最外郭セルと隣接したセルの第１電極に電気的に接続され、第２最外郭セルの第１電極は第２最外郭セルと隣接したセルの第２電極に電気的に接続されることができる。
【００１８】
また、第１最外郭セルの第２電極とリボンの間に位置する導電性接着部は第１最外郭セルに含まれる第２電極の上部面及び側面と互いに接触し、第１最外郭セルに含まれる光電変換部の側面と互いに接触し、第１最外郭セルに含まれる第１電極の上部一部分と互いに接触することができる。
【００１９】
本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法は基板の面上に第１電極層を形成した後、基板が部分的に露出するように第１電極に第１スクライビングラインパターンを形成して、複数のセルそれぞれに含まれる複数の第１電極を形成する段階と、複数の第１電極面上に光電変換部層を形成した後、第１電極が部分的に露出するように第２スクライビングパターンを形成し、複数のセルそれぞれに含まれる複数の光電変換部を形成する段階と、複数の光電変換部及び部分的に露出した複数の第１電極の上に第２電極層を形成した後、複数の第１電極が部分的に露出するように第３スクライビングパターンを形成し、複数のセルそれぞれに含まれる複数の第２電極を形成する段階と、第３スクライビングパターン以外に、複数のセルの中で最外郭セルに含まれる第２電極に対して第１電極が部分的に露出するように別途の第３スクライビングパターンを形成する段階とを含む。
【００２０】
ここで、太陽電池モジュールの製造方法は第２スクライビングパターン以外に、複数のセルの中で最外郭セルに含まれる光電変換部に対して第１電極が部分的に露出するように別途の第２スクライビングパターンを形成する段階とをさらに含むことができる。
【００２１】
ここの複数の第２電極を形成する段階で、最外郭セルに含まれる第２電極は別途の第２スクライビングパターンによって形成された空間を通じて最外郭セルに含まれる第１電極と直接接触することができる。
【００２２】
また、太陽電池モジュールの製造方法は別途の第３スクライビングパターンを形成した後、最外郭セルの上に導電性接着部を形成する段階とをさらに含むことができる。
【００２３】
この導電性接着部を形成する段階で、導電性接着部は最外郭セルの第１電極と直接接触することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは導電性接着部と最外郭セルとの接触抵抗を減らし導電性接着部と最外郭セルの接触部分で発生する熱を最小化することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
【図２Ａ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
【図２Ｂ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
【図２Ｃ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
【図３】図１に示された薄膜太陽電池モジュールに含まれる各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。
【図４】図１に示された薄膜太陽電池モジュールに含まれる各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。
【図５】図１に示された薄膜太陽電池モジュールに含まれる各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。
【図６】第１接続部及び第２接続部が薄膜太陽電池モジュールの両方最外郭セルに適用された一例を説明するための図である。
【図７】薄膜太陽電池モジュールの最外郭セルの中でいずれか一つのセルに含まれる第１電極は隣接したセルに含まれる第１電極と互いに電気的に接続された一例を説明するための図である。
【図８】最外郭セルに含まれた第１接続部の幅が異なる一例を説明するための図である。
【図９】最外郭セルに含まれた第２接続部の幅が異なる一例を説明するための図である。
【図１０Ａ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｂ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｃ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｄ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｅ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｆ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｇ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｈ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｉ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｊ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１０Ｋ】本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施の形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし本発明はいろいろ多様な形態に具現されることができここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分に対しては類似の図面符号を付けた。
【００２７】
図１乃至図２Ｃは本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの一例を説明するための図である。
【００２８】
ここで、図１は薄膜太陽電池モジュール１０を背面から眺めた平面図を示したもので、 図２Ａは図１でII−IIラインに沿って薄膜太陽電池モジュール１０の端側面をII−IIラインに沿って概略的に示したもので、薄膜太陽電池モジュールの最外郭セルと導電性接着部の接続関係を説明するための一例であり、図２Ｂは図１及び図２Ａに示された導電性接着部２１０を最外郭セルに電気的に接続させる一例を説明するための図であり、図２Ｃは本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの最外郭セルで第２接続部が省略された一例を説明するための図である。
【００２９】
図１に示されたように、本発明に係る薄膜太陽電池モジュール１０は、基板１００、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）、複数の導電性接着部２１０、リボン２２０、バスバー電極２３０、絶縁部２４０及び集電ボックス２５０を含むことができる。
【００３０】
ここで、絶縁部２４０は場合によって省略することもできる。
【００３１】
基板１００は複数のセル（Ｃ、Ｃ１ Ｃ２）を支持し、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）が外部の汚染により損傷されることを防止する。さらに、基板１００は入射される光(Light)が光電変換部（ＰＶ）により効果的に到逹するようにするために実質的に透明な材質、例えばガラスまたはプラスチックからなることができる。
【００３２】
複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）は基板１００の上部に配置され、図２に示されたように、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２） それぞれは第１電極１１０、第２電極１４０、 光電変換部（ＰＶ）を含む。
【００３３】
ここで、第１電極１１０は基板１００の上部に配置され、 第２電極１４０は第１電極１１０の上部に配置されるが、第１電極１１０と第２電極１４０の間に光を入射受け電気に変換する光電変換部（ＰＶ）が配置される。このようなセルに対する多様な一例は図３乃至図５でさらに具体的に説明する。
【００３４】
このような複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）は図１及び図２に示されたように薄膜太陽電池の上下方向に示された複数のスクライビングライン（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）によって区分される。
【００３５】
さらに具体的には、図２Ａに示されたように、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）で各セルの第１電極１１０は第１スクライビングライン（Ｐ１）によって区分され、各セルの光電変換部（ＰＶ）は第２スクライビングライン（Ｐ２）及び第３スクライビングライン（Ｐ３）によって、各セルの第２電極１４０は第３スクライビングライン（Ｐ３）によって区分される。
【００３６】
このようなそれぞれの第１スクライビングライン（Ｐ１）、第２スクライビングライン（Ｐ２）、及び第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンによる第１電極１１０、 光電変換部（ＰＶ）及び第２電極１４０に対する蝕刻はレーザービームを利用し遂行することができる。
【００３７】
このような太陽電池モジュールに含まれる複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）が形成される方法を簡略に説明すれば次のようである。
【００３８】
先ず、基板１００の上部に第１電極１１０を全体的に形成する。以後、前述のように第１スクライビングライン（Ｐ１）パターンによって第１電極１１０の一部分をとり除いて各セルに含まれる第１電極１１０を区分する。
【００３９】
その後、第１電極１１０上部の全体面に光電変換部（ＰＶ）を形成する。その後、前述のように第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって光電変換部（ＰＶ）の一部分をとり除いて各セルに含まれる光電変換部（ＰＶ）を区分する。
【００４０】
最後に、光電変換部（ＰＶ）の上部全体面に第２電極１４０を形成する。この時、ある一つのセルの第２電極１４０は第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって露出した隣接したセルの第１電極１１０と電気的に接続される。さらに、前述のように、第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンによって第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）の一部分をとり除けば図２Ａに示されたように各セルは区分される。
【００４１】
これによって、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０は隣接したセルの第１電極１１０と電気的に接続され、第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０は隣接したセルの第２電極１４０と電気的に接続され、太陽電池モジュールに含まれた複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）は互いに電気的に直列接続される。
【００４２】
このような複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２） 中一つの最外郭セルに含まれる第２電極１４０は（＋）極性を有し、他の一つの最外郭セルに含まれる第２電極１４０は(-)極性を有する。
【００４３】
一例では、図１及び図２Ａに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０は（＋）極性を有し、第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０は（−）極性を有することができる。
【００４４】
具体的には、図２Ａに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる光電変換部（ＰＶ）は第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第１電極１１０と第２電極１４０が互いに電気的に接続され、光電変換部（ＰＶ）の本来の機能をすることができない。このように、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの第１最外郭セル（Ｃ１）は複数の非発電セル（ＣＮ）を含むことができる。
【００４５】
このような複数の非発電セル（ＣＮ）それぞれは前述のように、第１電極１１０と第２電極１４０が互いに電気的に接続され、光電変換機能をほとんど遂行することができない。
【００４６】
ここで、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）それぞれはそれぞれの第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる第２電極１４０の上部にリボン２２０が配置されることができる。ここで、リボン２２０は導電性物質で有り得る。
【００４７】
また、第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０は隣接したセルの第２電極１４０と電気的に接続され、第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０は導電性接着部２１０とリボン２２０を通じて集電ボックス２５０に接続され薄膜太陽電池モジュールの閉回路を構成するので、第２最外郭セル（Ｃ２）の光電変換部（ＰＶ）は光電変換機能を遂行するようになる。これによって、第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０では例えば正孔が収集され、第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０は例えば電子が収集され、（−）極性を有するようになる。
【００４８】
ここで、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールで第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０の極性は薄膜太陽電池モジュールに含まれる光電変換部（ＰＶ）の物質及び構造によって変化することで必ずしも前述のことに限定されるのではない。
【００４９】
ここで、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは第２スクライビングライン（Ｐ２） パターンによって光電変換部（ＰＶ）の一部分を除去する時、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる光電変換部（ＰＶ）の一部分を別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’） パターンによって追加で除去する。
【００５０】
さらに、本発明に係る太陽電池モジュールは第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンによって第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）の一部分を除去する時、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）の一部分を別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンによって追加で除去する。
【００５１】
このように、最外郭セルに別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）及び別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）による蝕刻を遂行する理由は第１最外郭セル（Ｃ１）の上部に形成される導電性接着部２１０と第１最外郭セル（Ｃ１）の電気的接触をさらに堅くして導電性接着部２１０と第１最外郭セル（Ｃ１）の間の接触抵抗を最小化するためである。これに対するさらに詳細な説明は後述する。
【００５２】
リボン２２０は図１乃至図２Ｃに示されたように、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）の中両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の上部に配置される。さらに具体的にリボン２２０は両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の上部に配置された第２電極１４０上部に配置され両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれの第２電極１４０と電気的に接続される。
【００５３】
このようなリボン２２０は複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）の中両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）から光電変換された電気を両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の後面に形成される第２電極１４０と電気的に接触する導電性接着部２１０を通じて入力を受け集電ボックス２５０で電気を集電させるためにバスバー電極２３０に電気を伝達する機能をする。
【００５４】
複数の導電性接着部２１０は両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれとリボン２２０ の間に形成され両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれとリボン２２０を電気的に接続させる機能をする。さらに具体的に複数の導電性接着部２１０は図２に示されたように、両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２） それぞれとリボン２２０の間に形成され両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれとリボン２２０を互いに接続させ両方最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれとリボン２２０の間の接触抵抗を最小化させる機能をする。
【００５５】
このような導電性接着部２１０は電気伝導性の金属物質を含むことができ、また、一例では銀（Ａｇ）や鉛（ｐｂ）を含むことができる。このような銀（Ａｇ）金属物質は電気伝導性が良く両方の最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれの上部に接着する時にセルの損傷を最小化することができる。
【００５６】
このような導電性接着部２１０を形成する方法は先に両方の最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれの第２電極１４０上部の中に導電性接着部２１０を形成しようとする位置にペースト形態の銀（Ａｇ）金属物質を決まった間隔で離隔させ塗布する。ここでの間隔は均一とすることもあり、均一としないこともある。
【００５７】
その後、リボン２２０をペースト形態の銀（Ａｇ）金属物質が塗布された両方の最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれの上部に配置した後適切な熱と圧力をかけペースト形態の銀（Ａｇ）金属物質が硬化されながら両方の最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）それぞれの第２電極１４０とリボン２２０が互いに電気的に接続されるようにして導電性接着部２１０を形成する。
【００５８】
また、このような導電性接着部２１０は伝導性フィルム(conductive film) の形態に形成することができる。さらに具体的には、導電性接着部２１０は接着性樹脂及び接着性樹脂(例えば、エポキシ樹脂)内に分散した複数の導電性粒子(例えばニッケル（Ｎｉ）)を含むことができる。ここで、導電性粒子は外部の圧力がない状態では接着性樹脂内に分散しているが、外部の圧力を受ける場合には互いに物理的に接触することができる。
【００５９】
ここで導電性粒子はニッケルのような金属粒子で構成することができ、接着性樹脂はエポキシやアクリルのような物質が含まれて形成されることができる。
【００６０】
このような導電性接着部２１０を伝導性フィルム(conductive film)で形成する場合、 導電性接着部２１０を電気伝導性の金属物質を含むペーストで形成する場合より相対的に低い温度で導電性接着部２１０を形成することができ、高温によるセルの効率低下を防止することができる。
【００６１】
具体的には、導電性接着部２１０を電気伝導性の金属物質を含むペーストを利用して形成する場合の工程温度は例えば、２００℃以上で有り得るが、導電性接着部２１０を伝導性フィルム(conductive film)を利用して形成する場合には工程温度が例えば１８０℃以下であるので、タブ工程の中で高温による太陽電池の損傷をさらに減らすことができる。
【００６２】
集電ボックス２５０は複数のセルで生成された電力を回収する機能をし、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）の上部を横切って配置されるバスバー電極２３０によって集電ボックス２５０はリボン２２０と互いに接続される。
【００６３】
バスバー電極２３０は複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）の上部を横切って配置され集電ボックス２５０とリボン２２０を互いに接続する機能がある。
【００６４】
絶縁部２４０は非伝導性物質として最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）を除いた複数のセル(C)の第２電極１４０とバスバー電極２３０の間に配置され、複数のセル（Ｃ）上部を横切って配置されるバスバー電極２３０と複数のセル（Ｃ）それぞれの上部に配置される第２電極１４０の間を絶縁する機能がある。
【００６５】
このような絶縁部２４０は合成樹脂材質で構成することができる。例えば、絶縁部２４０はエチレン酢酸ビニル共重合体(ＥＶＡ、ethylene vinyl acetate)、ポリビニルブチラール（polyvinyl butyral）、エチレンビニルアセテートパーシャルオキサイド（ethylene vinyl acetate partial oxide）珪素樹脂、エステル系樹脂、オレフィン系樹脂などからなることができる。このような絶縁部２４０の幅はバスバー電極２３０の幅より大きくすることができる。
【００６６】
また、絶縁部２４０の厚さはリボン２２０の厚さとおおよそ同一にできる。
【００６７】
一方、本発明に係る太陽電池モジュールで第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０とリボン２２０の間に位置する複数の導電性接着部２１０は図２Ａに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）を貫通して第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０と電気的に接続され、第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０とリボン２２０の間に位置する導電性接着部２１０は第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる第２電極１４０と電気的に接続され、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる光電変換部（ＰＶ）及び第１電極１１０と直接接触しないこともある。
【００６８】
さらに具体的には、図１及び図２Ａに示されたように、各導電性接着部２１０は複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）中でリボン２２０が上部に配置される最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の上部に粘着される。
【００６９】
ここで、第１最外郭セル（Ｃ１）の導電性接着部２１０は図２Ａに示されたように第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）を貫通して第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０と電気的に接続される部分である第１接続部２１０ａを含む。
【００７０】
これによって、導電性接着部２１０は第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０、光電変換部（ＰＶ）及び第２電極１４０それぞれと電気的に接続される。
【００７１】
具体的には、第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０とリボン２２０の間に位置する複数の導電性接着部２１０は第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第２電極１４０の上部面及び側面と互いに接触することができ、さらに、導電性接着部２１０は第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる光電変換部（ＰＶ）の側面及び第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第１電極１１０の上部の一部分と互いに接触することができる。
【００７２】
このような第１接続部２１０ａは図２Ａで複数である場合を一例として示したが、これとは異なって第１接続部２１０ａが一つだけある場合も可能である。
【００７３】
ここで、第１接続部２１０ａは第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンによって第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）の一部分を除去する時、図２Ｂのように、第１最外郭セル（Ｃ１）に別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’） パターンによって追加で実施して、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれた第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）の一部分が除去された部分に導電性接着部２１０を形成するペーストが流入されて形成される。
【００７４】
ここで、図２Ａに示された薄膜太陽電池モジュールの第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれた光電変換部（ＰＶ）は機能をすることができなくて、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれた光電変換部（ＰＶ）は機能をするので、（＋）極性を有する第１最外郭セル（Ｃ１）は前述の第１接続部２１０ａを備え、（−）極性を有する第２最外郭セル（Ｃ２）は前述の第１接続部２１０ａを備えないことで示した。
【００７５】
しかし、必ずしもこれに限定されるのではなく、導電性接着部２１０と第２最外郭セル（Ｃ２）の間の接触抵抗及び薄膜太陽電池モジュール全体で第２最外郭セル（Ｃ２）が発電効率に寄与する程度を全て考慮し光電変換部（ＰＶ）が機能をする第２最外郭セル（Ｃ２）も第１接続部２１０ａを含むことができる。
【００７６】
また、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０は第１最外郭セル（Ｃ１）の光電変換部（ＰＶ）を貫通し第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０に電気的に接続されることができる。
【００７７】
すなわち、図２Ａに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０は最外郭セルの第１電極１１０と電気的に接続される部分である第２接続部１４０ａを含むことができる。このような第２接続部１４０ａは図２Ａで複数である場合を一例に示したが、これと異なって第２接続部１４０ａが一つだけある場合も可能である。
【００７８】
ここで、第２接続部１４０ａは第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって光電変換部（ＰＶ）の一部分を除去する時、図２Ｂのように、第１最外郭セル（Ｃ１）に別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンを追加で実施して第１最外郭セル（Ｃ１）の光電変換部（ＰＶ）の一部分が除去された部分に形成される。
【００７９】
このように導電性接着部２１０が第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）を貫通して第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０と電気的に接続されるようにし、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０は第１最外郭セル（Ｃ１）の光電変換部（ＰＶ）を貫通して第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０に電気的に接続されるようにすることは導電性接着部２１０と第１最外郭セル（Ｃ１）の接触抵抗を減少させるためである。
【００８０】
さらに具体的に説明すれば、薄膜太陽電池モジュールに含まれる複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）は互いに電気的に直列接続され、複数のセル（Ｃ、Ｃ１、Ｃ２）中最も末端に位置する第１最外郭セル（Ｃ１）は（＋）極性を有し、第２最外郭セル（Ｃ２）は（−）極性を有するようになる。
【００８１】
このような第１最外郭セル（Ｃ１）と第２最外郭セル（Ｃ２）で最終的にキャリア(電子または正孔)が収集され導電性接着部２１０及びリボンを通じて集電電極に収集される。
【００８２】
このような過程で、第１最外郭セル（Ｃ１）に集中されたキャリアは導電性接着部２１０を通じてリボンに伝達するので第１最外郭セル（Ｃ１）と導電性接着部２１０の間にさらに集中する。
【００８３】
これによって導電性接着部２１０と第１最外郭セル（Ｃ１）の間の接触抵抗が相対的に高い場合、導電性接着部２１０と第１最外郭セル（Ｃ１）の間の接触部分ではキャリアの移動によって相対的に高い熱が発生される。
【００８４】
具体的には、薄膜太陽電池モジュールが動作する時、薄膜太陽電池モジュールの第１最外郭セル（Ｃ１）が形成された端の部分は太陽電池モジュールの残り部分よりおおよそ １０℃前後温度が上がるようになる。
【００８５】
このような温度上昇は薄膜太陽電池モジュールの端に近接し位置するエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）や保護シーツなどのような構成要素に影響を与え構成要素の機能低下を促進し、結局薄膜太陽電池モジュールの寿命を縮めさせる一つの要因で作用するようになる。
【００８６】
しかし、本発明のように、第１最外郭セル（Ｃ１）に電気的に接続される導電性接着部２１０が前述のように第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０及び光電変換部（ＰＶ）を貫通して第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０と電気的に接続されれば、第１最外郭セル（Ｃ１）と導電性接着部２１０が電気的に接続される部分が第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０上部面だけでなく側面部分まで拡張され、さらに、第１電極１１０とも電気的に接続されるので、第１最外郭セル（Ｃ１）と導電性接着部２１０の間の電気的抵抗を最小化することができ、薄膜太陽陣地モジュールの端の温度が過度に上昇することを防止することができる。
【００８７】
これによって薄膜太陽電池モジュールの耐久性をさらに向上して薄膜太陽電池モジュールの寿命を延長させることができる。
【００８８】
また、前述のように、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０と第１最外郭セル（Ｃ１）の光電変換部（ＰＶ）を貫通し第１最外郭セル（Ｃ１）の第１電極１１０に電気的に接続されるようにする場合にも隣接セルから流入したキャリアの迂回経路を提供するようになるので、第１最外郭セル（Ｃ１）と導電性接着部２１０ の間の電気的抵抗を最小化することができ、薄膜太陽陣地モジュールの端の温度が過度に上昇することを防止することができる。
【００８９】
今までは第１最外郭セル（Ｃ１）に第１接続部２１０ａ及び第２接続部１４０ａが一緒に形成された場合を一例で説明したが、図２Ｃに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）で第２接続部１４０ａを省略し第１接続部２１０ａだけ形成することも可能である。
【００９０】
このように、第１最外郭セル（Ｃ１）で第２接続部１４０ａを省略する場合、薄膜太陽電池モジュールの製造過程の中で第２接続部１４０ａを形成するために第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって光電変換部（ＰＶ）の一部分を除去する時、図２Ｂのように、第１最外郭セル（Ｃ１）に別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’） パターンを追加で実施する必要がなく、薄膜太陽電池モジュールの製造工程をさらに単純化することができる。
【００９１】
以下では薄膜太陽電池モジュールの最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の中で第１接続部２１０ａ及び第２接続部１４０ａが第１最外郭セル（Ｃ１）にだけ形成される一例についてのみ説明したが、以下の図６では第１接続部２１０ａ及び第２接続部１４０ａが第２最外郭セル（Ｃ２）にも形成される一例について説明する。
【００９２】
ただ、これを説明する前に、以下の図３乃至図５で先に薄膜太陽電池モジュールの各セルに含まれる構造を説明する。
【００９３】
次の図３乃至図５は、図１に示された薄膜太陽電池モジュールに含まれる各単位セルをさらに具体的に説明するための図である。
【００９４】
図３に示されたように、薄膜太陽電池は断層 ｐ−ｉ−ｎ構造に形成することができる。
【００９５】
図３では光電変換部（ＰＶ）の構造が入射面からｐ−ｉ−ｎ構造であることを一例として説明しているが、光電変換部（ＰＶ）の構造が入射面から n-i-p 構造とすることも可能である。しかし、以下では説明の便宜上光電変換部（ＰＶ）の構造が入射面からp-i-n構造であることを一例として説明する。
【００９６】
図３に示されるように、薄膜太陽電池は基板１００、基板１００に配置される第１電極１１０、第２電極１４０及び断層p-i-n構造の光電変換部（ＰＶ）を含むことができる。
【００９７】
第１電極１１０は基板１００上部に配置され、入射される光の透過率を高めるために実質的に透明ながらも電気伝導性を有する材質を含むのが可能である。例えば、第１電極１１０は大部分の光が透過して電気が通じるように高い光透過度と高い電気伝導度を備えるためにインジウムスズ酸化物(indiｕｍtin oxide: ＩＴＯ)、スズ系酸化物（ＳｎＯ２ など)、ＡｇＯ、ＺｎＯ−（Ｇａ２Ｏ３ または Ａｌ２Ｏ３）、フッ素ドープ酸化スズ(fluorine doped tin oxide: ＦＴＯ) 及びこれらの混合物からなる群から選択されるものから形成することができる。さらに、第１電極１１０の比抵抗範囲は約１０-2Ω・cm 乃至１０-11Ω・cmで有り得る。
【００９８】
このような第１電極１１０は光電変換部（ＰＶ）と電気的に接続することができる。 これによって、第１電極１１０は入射する光によって生成されたキャリア中の一つ、 例えば正孔を収集し出力することができる。
【００９９】
さらに、第１電極１１０の上部表面にはランダム(random)なピラミッド構造を有する複数の凹凸を形成することができる。すなわち、第１電極１１０はテクスチャリング表面(texturing surface)を備えることがある。このように、第１電極１１０の表面をテクスチャリングするようになれば、入射される光の反射を低減させ、光の吸収率を高めることができ、太陽電池の効率を向上することが可能である。
【０１００】
一方、図３では第１電極１１０にだけ凹凸を形成した場合のみを示しているが、光電変換部（ＰＶ）にも凹凸を形成することが可能である。以下では説明の便宜のために第１電極１１０にだけ凹凸を形成する場合を例にあげて説明する。
【０１０１】
第２電極１４０は光電変換部（ＰＶ）が発生させた電力の回収効率を高めるために電気伝導性が優れた金属材質を含むことができる。さらに、第２電極１４０は光電変換部（ＰＶ）と電気的に接続され入射される光によって生成されたキャリア中の一つ、例えば電子を収集し出力することができる。
【０１０２】
ここで、光電変換部（ＰＶ）は第１電極１１０と第２電極１４０の間に配置され外部から入射される光で電力を生産する機能を有する。
【０１０３】
このような光電変換部（ＰＶ）は基板１００の入射面からｐ−ｉ−ｎ構造、すなわち ｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）、真性（ｉ型）半導体層（ＰＶ−ｉ）、ｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）を含むことができる。
【０１０４】
ここで、ｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）はシリコン（Ｓｉ）を含む原料ガスにホウ素、 ガリウム、インジウムなどのような３価元素の不純物を含むガスを利用して形成することができる。
【０１０５】
真性（ｉ）半導体層（ＰＶ−ｉ）はキャリアの再結合率を減らして光を吸収することができる。このような真性半導体層（ＰＶ−ｉ）は入射される光を吸収して、電子と正孔のようなキャリアを生成することができる。
【０１０６】
このような真性半導体層（ＰＶ−ｉ）は微結晶シリコン（ｍｃ−Ｓｉ）材質、例えば水素化された微結晶シリコン（ｍｃ−Ｓｉ：Ｈ）を含むこともでき、または非晶質シリコン(Amorphous Silicon) 、例えば水素化された非晶質シリコン(Hydrogenated Amorphous Silicon、a-Si:H)を含むことができる。
【０１０７】
ｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）はシリコンを含む原料ガスにりん（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などのように５価元素の不純物を含むガスを利用して形成することができる。
【０１０８】
このような光電変換部（ＰＶ）はプラズマ化学気相蒸着法(plasma enhanced chemical vapor deposition、ＰＥＣＶＤ)のような化学気相蒸着法(chemical vapor deposition、ＣＶＤ)によって形成されることができるのである。
【０１０９】
光電変換部（ＰＶ）のｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）及びｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）のようなドーピング層は真性半導体層（ＰＶ−ｉ）を間に置いてｐ−ｎ接合を形成することができる。すなわち、光電変換部（ＰＶ）は ｎ型不純物ドーピング層、すなわちｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）とｐ型不純物ドーピング層、すなわちｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）の間に配置することができる。
【０１１０】
このような構造で、ｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）の方に光が入射されれば真性半導体層（ＰＶ−ｉ）の内部では相対的に高いドーピング濃度を有するｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）とｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）によって空乏層(depletion layer)が形成され、これによって電場を形成することができる。このような光起電力効果(photovoltatic effect)によって光吸収層である真性半導体層（ＰＶ−ｉ）で生成された電子と正孔は接触電位差によって分離して互いに異なる方向に移動する。例えば、正孔はｐ型半導体層（ＰＶ−ｐ）を通して第１電極１１０方へ移動し、 電子はｎ型半導体層（ＰＶ−ｎ）を通して第２電極１４０方へ移動することができる。 このような方式で電力が生産されることができる。
【０１１１】
また、図４に示されたように、薄膜太陽電池は二重接合(Double Junction) 太陽電池あるいはｐ−ｉ−ｎ−ｐ−ｉ−ｎ構造に形成することができる。
【０１１２】
以下では以上で詳しく説明した部分については説明を省略する。
【０１１３】
図４に示されるように、薄膜太陽電池の光電変換部（ＰＶ）は第１光電変換部（ＰＶ１）及び第２光電変換部（ＰＶ２）を含むことができる。
【０１１４】
図４のように、薄膜太陽電池は光入射面から第１ｐ型半導体層（ＰＶ１−ｐ）、第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）、第１ｎ型半導体層（ＰＶ１−ｎ）、第２ｐ型半導体層（ＰＶ２−ｐ）、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）及び第２ｎ型半導体層（ＰＶ２−ｎ）が順に積層されることができる。
【０１１５】
第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）は短波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができる。さらに、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）は長波長帯域の光を主に吸収し電子と正孔を生成することができる。
【０１１６】
このように、二重接合構造の太陽電池は短波長帯域及び長波長帯域の光を吸収してキャリアを生成するから高い効率を有することが可能である。
【０１１７】
さらに、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）の厚さは長波長帯域の光を充分に吸収するために第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）の厚さより厚いことがある。
【０１１８】
また、図４に示されたような薄膜太陽電池は第１光電変換部（ＰＶ１）の第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）及び第２光電変換部（ＰＶ２）の第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）が全て非晶質シリコンを含むこともでき、または第１光電変換部（ＰＶ１）の第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）は非晶質シリコンを含むが、第２光電変換部（ＰＶ２）の第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）は微結晶シリコンを含むこともできる。
【０１１９】
また、図４のような二重接合構造を有する太陽電池で第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）にはゲルマニウム（Ｇｅ）を不純物としてドーピングすることができる。ゲルマニウム（Ｇｅ）は第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）のバンドギャップを低下することができ、これによって第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）の長波長帯域光の吸収率が向上することで太陽電池の効率を向上することができる。
【０１２０】
すなわち、二重接合構造を有する太陽電池は第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）で短波長帯域の光を吸収して光電効果を発揮し、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）で長波長帯域の光を吸収して光電効果を発揮するようになるのに、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）にゲルマニウム（Ｇｅ）が不純物にドーピングされた太陽電池は第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）のバンドギャップをさらに低下することでさらに多い量の長波長帯域光を吸収することができ、太陽電池の効率を向上することができる。
【０１２１】
このような第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）にゲルマニウム（Ｇｅ）をドーピングする方法ではゲルマニウム（Ｇｅ）ガスが満たされたチャンバ内でＶＨＦ、ＨＦまたはＲＦを利用したＰＥＣＶＤ工法を一例で挙げることができる。
【０１２２】
このような第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）に含まれるゲルマニウムの含量は一例として３〜２０ａｔｏｍ％で有り得る。このようにゲルマニウムの含量が適切に含まれる場合第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）のバンドギャップを充分に低くすることができ、これによって第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）の長波長帯域光の吸収率を向上することができる。
【０１２３】
このような場合にも第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）は短波長帯域の光を主に吸収して電子と正孔を生成することができ、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）は長波長帯域の光を主に吸収して電子と正孔を生成することができる。さらに、第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）の厚さは長波長帯域の光を充分に吸収するために第１ｉ型半導体層（ＰＶ１−ｉ）の厚さより厚くすることができる。
【０１２４】
また、図５に示されたように、薄膜太陽電池は三重接合(Triple Junction)太陽電池あるいはｐ−ｉ−ｎ−ｐ−ｉ−ｎ−ｐ−ｉ−ｎ構造で形成することができる。以下では以上で詳しく説明した部分に対しては説明を省略する。
【０１２５】
図５にしめすように、薄膜太陽電池の光電変換部（ＰＶ）は基板１００の入射面から第１光電変換部（ＰＶ１）、第２光電変換部（ＰＶ２）及び第３光電変換部（ＰＶ３）を順に配置することができる。
【０１２６】
ここで、第１光電変換部（ＰＶ１）、第２光電変換部（ＰＶ２）及び第３光電変換部（ＰＶ３）はそれぞれｐ−ｉ−ｎ構造に形成することができ、基板１００から第１ｐ型半導体層（ＰＶ１−ｐ）、第１真性半導体層（ＰＶ１−ｉ）、第１ｎ型半導体層（ＰＶ１−ｎ）、第２ｐ型半導体層（ＰＶ２−ｐ）、第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）、第２ｎ型半導体層（ＰＶ２−ｎ）、第３ｐ型半導体層（ＰＶ３−ｐ）、第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）及び第３ｎ型半導体層（ＰＶ３−ｎ）を順に配置することができる。
【０１２７】
ここで、第１真性半導体層（ＰＶ１−ｉ）、第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）及び第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）を多様に具現することができる。
【０１２８】
第１実施例で、第１真性半導体層（ＰＶ１−ｉ）及び第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）は非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を含むことができ、第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）は微結晶シリコン（ｍｃ−Ｓｉ）を含むことができる。ここで、第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）にはゲルマニウム（Ｇｅ）が不純物にドーピングされるようにして第２ｉ型半導体層（ＰＶ２−ｉ）のバンドギャップを低下することもできる。
【０１２９】
また、これとは異なり、第２実施例として第１真性半導体層（ＰＶ１−ｉ）は非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を含むことができ、第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）及び第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）は微結晶シリコン（ｍｃ−Ｓｉ）を含むことができる。 ここで、第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）にはゲルマニウム（Ｇｅ）が不純物でドーピングされて第３ｉ型半導体層のバンドギャップを低下することもできる。
【０１３０】
ここで、第１光電変換部（ＰＶ１）は短波長帯域の光を吸収し電力を生産することができ、第２光電変換部（ＰＶ２）は短波長帯域と長波長帯域の中間帯域の光を吸収して電力を生産することができ、第３光電変換部（ＰＶ３）は長波長帯域の光を吸収し電力を生産することができる。
【０１３１】
ここで、第３真性半導体層（ＰＶ３−ｉ）の厚さは第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）の厚さより厚く、第２真性半導体層（ＰＶ２−ｉ）の厚さは第１真性半導体層（ＰＶ１−ｉ）の厚ささらに厚くすることができる。
【０１３２】
このように図５のような三重接合太陽電池の場合にはより広い帯域の光を吸収することができるから電力生産効率を高くすることができる。
【０１３３】
図６は第１接続部及び第２接続部が薄膜太陽電池モジュールの両方の最外郭セルに適用した一例について説明する。
【０１３４】
先の図２Ａ及び図２Ｂでは第１接続部２１０ａ及び第２接続部１４０ａが第１最外郭セル（Ｃ１）にだけ形成される一例についてだけ説明したが、図６に示されたように第１最外郭セル（Ｃ１）だけでなく第２最外郭セル（Ｃ２）にも第１接続部２１０ｂを形成することができる。
【０１３５】
図６に示されたように、第２最外郭セル（Ｃ２）にも第１最外郭セル（Ｃ１）と同じく、第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成された場合第２最外郭セル（Ｃ２）が電気を生産することができず、薄膜太陽電池モジュールの光電変換効率が多少低下することもあるが、第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂを通じて第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０と導電性接着部２１０の間の接触抵抗と第２最外郭セル（Ｃ２）の第２電極１４０と導電性接着部２１０の間の接触抵抗を著しく減らすことができる。
【０１３６】
これによって先の図２Ａ及び図２Ｂで第１最外郭セル（Ｃ１）について説明したと同様に、第２最外郭セル（Ｃ２）と導電性接着部２１０の間の接触抵抗による発熱を最小化させ、むしろ薄膜太陽電池モジュールの寿命を延長することができる。
【０１３７】
さらに具体的に説明すれば、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールで、第１最外郭セル（Ｃ１）と導電性接着部２１０の間の接触抵抗及び第２最外郭セル（Ｃ２）と導電性接着部２１０の間の接触抵抗を以下の表１に示されたように減少することができる。
【０１３８】
【表１】
【０１３９】
表１で、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）それぞれに第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成された本発明は第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）それぞれに第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成されなかった比較例より各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）と導電性接着部２１０の間の直列抵抗が約１．１ｍΩ位で約５％減少することを確認することができる。
【０１４０】
このような接触抵抗の減少によって、各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）と中央セル（Ｃ） の間の温度差も減少することを以下の表２で確認することができる。
【０１４１】
【表２】
【０１４２】
表２に記載したように、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２） それぞれに第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成されなかった比較例の場合、 各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）と中央セル（Ｃ）の間に約８℃ 〜 １０℃の温度差が発生したが、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）それぞれに第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成された本発明は温度差が著しく減り、各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）と中央セル（Ｃ）の間に約３℃ 〜 ５℃の温度差が発生することを確認することができる。
【０１４３】
このように、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）と中央セル（Ｃ）の間の温度差を減少させ、薄膜太陽電池モジュールの寿命を延長することができる。
【０１４４】
このような本発明の薄膜太陽電池モジュールで、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる非発電セル（ＣＮ）の個数は図６では一例として４個である場合を例として挙げたが、薄膜太陽電池モジュールの品質、すなわち蒸着される薄膜の品質によって変えることができる。
【０１４５】
図６に示されたことと相違し、このような第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる非発電セル（ＣＮ）の最適化された個数は約２乃至３個で有り得る。
【０１４６】
さらに、このような非発電セル（ＣＮ）の幅は第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる非発電セル（ＣＮ）の個数によって変わることがある。
【０１４７】
一例として、前述したように、非発電セル（ＣＮ）の個数が約２乃至３個である場合、非発電セルの幅（ＷＣＮ）は各最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）幅（ＷＣＥ）の１／３乃至１／２の間に形成することができる。
【０１４８】
しかし、このような非発電セル（ＣＮ）の幅と個数は必ずしもこれに限定されるものではない。
【０１４９】
図７は薄膜太陽電池モジュールの最外郭セルの中でいずれか一つのセルに含まれる第１電極は隣接したセルに含まれる第１電極と互いに電気的に接続された一例について説明するための図である。
【０１５０】
本発明に係る太陽電池モジュールは最外郭セル中のいずれか一つのセルに含まれる第１電極１１０は隣接したセルに含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続することができる。
【０１５１】
一例として、図７に示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれた第１電極１１０は隣接したセルに含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続することができ、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれた第１電極１１０は通常の場合と同様に第１スクライビングライン（Ｐ１）によって隣接したセルに含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続されないこともある。
【０１５２】
このように、いずれか一つの最外郭セルに含まれる第１電極１１０が隣接したセルに含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続されるようにする基準は最外郭セルと隣接したセルとの電気的接続関係によって決定される。
【０１５３】
具体的に、図７に示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）と隣接した第１隣接セル（ＣＢ１）は第１隣接セル（ＣＢ１）の第１電極１１０を介して第１最外郭セル（Ｃ１）と互いに直列接続された構造であるので、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれた第１電極１１０を第１隣接セル（ＣＢ１）に含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続させても第１最外郭セル（Ｃ１）と第１隣接セル（ＣＢ１）の間の直列接続構造には影響がない。
【０１５４】
しかし、第２最外郭セル（Ｃ２）と隣接した第２隣接セル（ＣＢ２）は第２隣接セル（ＣＢ２）の第２電極１４０を介して第２最外郭セル（Ｃ２）と互いに直列接続される構造を有し、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれた第１電極１１０を第２隣接セル（ＣＢ２）に含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続させる場合、第２最外郭セル（Ｃ２）と第２隣接セル（ＣＢ２）の間の直列接続構造が割れてしまう問題が発生するので、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれた第１電極１１０は通常の場合と同様に第１スクライビングライン（Ｐ１）によって第２隣接セル（ＣＢ２）に含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続されないこともある。
【０１５５】
このように、 第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第１電極１１０を第１隣接セル（ＣＢ１）に含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続させる場合、第１隣接セル（ＣＢ１）で生成され第１隣接セル（ＣＢ１）の第１電極１１０に収集されたキャリアは第１最外郭セル（Ｃ１）の第２電極１４０を通る経路（ｉ１１０ａ）でだけでなく、第１接続部２１０ａ及び第２接続部１４０ａを通る経路（ｉ１１０ｂ）でも集電ボックス２５０に移動することができる。
【０１５６】
これによって、キャリアの移動経路を多様に形成させることができて、キャリアが一つの経路に集中されて発熱温度が高くなることをさらに緩和することができる効果がある。
【０１５７】
図７では第２最外郭セル（Ｃ２）が第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが含まれた一例の場合に適用される場合を示したが、第２最外郭セル（Ｃ２）が第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂを含まない場合にも、第１最外郭セル（Ｃ１）に含まれる第１電極１１０は第１隣接セル（ＣＢ１）に含まれる第１電極１１０と互いに電気的に接続されることができる。
【０１５８】
図８は最外郭セルに含まれた第１接続部の幅を異なるようにした一例について説明するための図である。
【０１５９】
本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは複数の第１接続部２１０ａの幅（２１０ａＴ１、２１０ａＴ２）を互いに異なるようにでき、一例では、複数の第１接続部２１０ａの幅が最外郭セルと隣接したセルとの距離が近くなるほど増加するようにできる。
【０１６０】
具体的には、図８に示されたように、第１隣接セル（ＣＢ１）と距離が最も近い第１接続部２１０ａの幅２１０ａＴ１は第１隣接セル（ＣＢ１）との距離が最も遠い第１接続部２１０ａの幅２１０ａＴ２より大きくすることができ、第１接続部２１０ａの幅が第１隣接セル（ＣＢ１）との距離が近くなるほど増加するようにできる。
【０１６１】
また、さらに、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれた第１接続部２１０ｂの幅（２１０ｂＴ１、 ２１０ｂＴ２）も第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が近くなるほど増加するようにできる。
【０１６２】
具体的には、第２最外郭セル（Ｃ２）が図８に示されたように第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂを含む場合、第１最外郭セル（Ｃ１）の第１接続部２１０ａのように、第２最外郭セル（Ｃ２）も第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が最も近い第１接続部２１０ｂの幅２１０ｂＴ１は第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が最も遠い第１接続部２１０ｂの幅２１０ｂＴ２より大きくすることができる。
【０１６３】
このようにすることで、最外郭セルと隣接したセルで生成されたキャリア(例えば正孔や電子)が複数の第１接続部２１０ａを通じて集電ボックス２５０まで移動する最短経路ｉ２００ａの抵抗を最小化することができ薄膜太陽電池モジュールの効率をさらに向上することができる効果がある。
【０１６４】
このように、第１接続部２１０ａの幅は４０μm乃至１５０μmの間で形成されることができる。
【０１６５】
図７では第２最外郭セル（Ｃ２）に第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが含まれた一例の場合に適用する場合を示したが、第２最外郭セル（Ｃ２）で第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成されない場合にも同様に適用することができる。
【０１６６】
図９は最外郭セルに含まれた第２接続部の幅を異なるようにした一例について説明するための図である。
【０１６７】
本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは複数の第２接続部（１４０ａ、１４０ｂ）の幅を互いに異なるようにでき、 一例で、複数の第２接続部（１４０ａ、１４０ｂ）の幅が最外郭セルと隣接したセルと距離が近くなるほど増加するようにすることもできる。
【０１６８】
図９に示されたように、第１隣接セル（ＣＢ１）との距離が最も近い第２接続部１４０ａの幅１４０ａＴ１は第１隣接セル（ＣＢ１）との距離が最も遠い第２接続部１４０ａの幅１４０ａＴ２より大きくでき、第２接続部１４０ａの幅が第１隣接セル（ＣＢ１）との距離が近くなるほど増加するようにできる。
【０１６９】
また、さらに、第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれた第２接続部１４０ａの幅（１４０ｂＴ１、１４０ｂＴ２）も第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が近くなるほど増加するようにできる。
【０１７０】
具体的には、第２最外郭セル（Ｃ２）が図９に示されたように第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂを含む場合、第１最外郭セル（Ｃ１）の第２接続部１４０ａのように、第２最外郭セル（Ｃ２）も第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が最も近い第２接続部１４ｂの幅１４０ｂＴ１は第２隣接セル（ＣＢ２）との距離が最も遠い第２接続部１４０ｂの幅１４０ｂＴ２より大きくすることができる。
【０１７１】
このようにすることで、第１隣接セル（ＣＢ１）で生成されたキャリア(例えば正孔や電子)が複数の第２接続部１４０ａを通じて集電ボックス２５０まで移動する最短経路ｉ１４０ａの抵抗を最小化することができて薄膜太陽電池モジュールの効率をさらに向上することができる効果がある。
【０１７２】
このような、第２接続部１４０ａの幅は４０μm乃至１５０μmの間で形成することができる。
【０１７３】
図９では第２最外郭セル（Ｃ２）に第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが含まれた一例の場合に適用する場合を示したが、第２最外郭セル（Ｃ２）で第１接続部２１０ｂ及び第２接続部１４０ｂが形成されない場合にも同様に適用することができる。
【０１７４】
このように、本発明に係る薄膜太陽電池モジュールは導電性接着部２１０と最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）との接触抵抗を減らし導電性接着部２１０と最外郭セル（Ｃ１、Ｃ２）の接触部分で発生する熱を最小化することができる効果がある。
【０１７５】
今までは薄膜太陽電池モジュールの光電変換部がシリコン（Ｓｉ）を含む場合を一例にだけ説明したが、これ以外にも本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの光電変換部は ＣｄＴｅ(Cadmiｕｍtelluride)、ＣＩＧＳ(Copper indiｕｍ galliｕｍ selenide)または硫化カドミウム（ＣｄＳ）などのような他の物質が含まれる場合にも適用することもできる。
【０１７６】
今までは本発明に係る薄膜太陽電池モジュールの構造に対してだけ説明したが、以下ではこのような薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例について詳しく説明する。
【０１７７】
図１０Ａ乃至図１０Ｋは本発明に係る薄膜太陽電池モジュールを製造する方法の一例で、図６に示された薄膜太陽電池モジュールを製造する過程を説明する。
【０１７８】
先ず、図１０Ａに示されたように、基板１００の上部に第１電極１１０（または第１電極層）を全面に形成する。この時、第１電極１１０はＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ蒸着装置によって基板１００上に蒸着され形成することができる。
【０１７９】
その後、図１０Ｂに示されたように、レーザービームを利用し第１電極１１０の一部分を部分的に除去し、第１電極１１０に第１スクライビングライン（Ｐ１）パターンを形成する。この時、第１電極１１０でレーザービームによって除去される幅は約３０μｍ〜７０μｍで有り得るが、必ずこれに限定されるものではない。すなわち、本発明の実施の形態では第１スクライビングライン（Ｐ１）をレーザービームでなく、異なる蝕刻方法により形成することもできる。
【０１８０】
このような第１スクライビングライン（Ｐ１）パターンによって各セルの第１電極１１０が区分される。したがって、基板１００の最外郭に位置する第１電極（１１０Ｃ１、 １１０Ｃ２）は前述の第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる。
【０１８１】
その後、図１０Ｃに示されたように、第１電極１１０上の全面に光電変換部（ＰＶ）（又は光電変換部層）を形成する。この時、光電変換部（ＰＶ）は第１電極１１０の上部だけでなく第１スクライビングライン（Ｐ１）パターンによって部分的に露出した基板１００の上部にも同時に蒸着することができる。
【０１８２】
次に、図１０Ｄに示されたように、レーザービームを利用し光電変換部（ＰＶ）の一部分を部分的に除去し、光電変換部（ＰＶ）に第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンを形成する。これにより複数の光電変換部（ＰＶ）が形成される。
【０１８３】
このような第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって各セルの光電変換部（ＰＶ）が区分される。さらに、第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって第１電極１１０が部分的に露出する。
【０１８４】
ここで、基板１００の最外郭に位置する光電変換部（ＰＶＣ１、ＰＶＣ２）それぞれは前述の第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）にそれぞれ含まれる。
【０１８５】
次に、図１０Ｅに示されたように、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる光電変換部（ＰＶＣ１、ＰＶＣ２）に対してだけ追加的に別途の第２スクライビングライン（Ｐ２‘） パターンをさらに形成する。
【０１８６】
このように追加的に別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンによって、 第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる光電変換部（ＰＶＣ１、ＰＶＣ２）は非発電セル（ＣＮ）に含まれる複数の光電変換部（ＰＶＣＮ）で分けられ、 別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンによって、第１最外郭セル（Ｃ１） 及び第２最外郭セル（Ｃ２）に含まれる第１電極１１０が部分的に露出する。
【０１８７】
ここでは、図１０Ｄの第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンを先に形成させた後、図１０Ｅの別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンを形成することを説明したが、必ずしもこれに限定されるのではなく、第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンと別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）のパターン形成過程は時間的に交互いに変更するか混合することもできる。その他に代案的な実施の形態で、第２スクライビングライン（Ｐ２）と別の第２スクライビングライン（Ｐ２’）は共に形成されるか連続的に形成されることもある。
【０１８８】
次、図１０Ｆに示されたように、部分的に露出した第１電極１１０及び光電変換部（ＰＶ）上に第２電極１４０（又は第２電極層）を蒸着する。
【０１８９】
これによって、第２スクライビングライン（Ｐ２）パターンによって部分的に露出した中央セル（Ｃ）の第１電極１１０は第２電極１４０と直接接触され、電気的に接続される。
【０１９０】
さらに、別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンによって部分的に露出した第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０は第２電極１４０と直接接触され、電気的に接続される。これによって、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）には第１電極１１０と第２電極１４０が互いに電気的に接続された複数の第２接続部１４０ａが形成される。
【０１９１】
次に、図１０Ｇに示されたように、レーザービームを利用して第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンを形成させる。このような第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンによって第２電極１４０と光電変換部（ＰＶ）が複数に分けられ、これにより、複数の第２電極１４０が形成される。したがって複数のセルそれぞれの形態が完成される。すなわち本発明の実施の形態では第２スクライビングライン（Ｐ２）がレーザービームではなくて、異なる蝕刻方法により形成できることもある。
【０１９２】
さらに、複数のセルそれぞれは互いに隣接したセルの第１電極１１０と第２電極１４０が直列に接続された形態を有するようになる。
【０１９３】
次に、図１０Ｈに示されたように、レーザービームを利用し第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に対してだけ追加で別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンを形成させる。このように追加に形成される別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンは第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）に形成された別途の第２スクライビングライン（Ｐ２’）パターンと重畳しないこともある。
【０１９４】
これによって、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）では別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンによって第１電極１１０が部分的に露出する。
【０１９５】
ここでは、図１０Ｇの第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンを先に形成させた後、図１０Ｈの別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンを形成することを説明したが、必ずしもこれに限定されるのではなく、第３スクライビングライン（Ｐ３）パターンは別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターン形成過程後に形成でき、また、混合する（同時に形成する）こともできる。その他に代案的な実施の形態で、第３スクライビングライン（Ｐ３）と別の第３スクライビングライン（Ｐ３’）は共に同時に形成されるか順次形成されることもある。
【０１９６】
次に、図１０Ｉに示されたように、導電性接着部２１０を形成するために電気伝導性の金属物質を含むペースト（Ｐ２１０）を第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）の上に塗布する。
【０１９７】
このように、電気伝導性の金属物質を含むペースト（Ｐ２１０）が第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）の上に塗布されると、ペースト（Ｐ２１０）が別途の第３スクライビングライン（Ｐ３’）パターンによって形成された空間に流れて行き部分的に露出した第１最外郭セル（Ｃ１） 及び第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０と直接接続される。
【０１９８】
次に、図１０Ｊに示されたように、電気伝導性の金属物質を含むペースト（Ｐ２１０）が乾燥すると、第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）上に導電性接着部２１０が形成され、さらに、導電性接着部２１０が第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）の第１電極１１０と直接接続される第１接続部２１０ａが形成される。
【０１９９】
次に、図１０Ｋに示されたように、導電性接着部２１０が形成された第１最外郭セル（Ｃ１）及び第２最外郭セル（Ｃ２）上にリボン２２０を形成させる。
【０２００】
これによって、図６で説明した太陽電池モジュールを完成することができる。
【０２０１】
以上で本発明の望ましい実施の形態に対して詳細に説明したが本発明の権利範囲はこれに限定されるのではなく、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多くの変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上部に位置する第１電極、前記第１電極上部に位置する第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する光電変換部をそれぞれ含む複数のセルと、
前記複数のセルの中で第１最外郭セル及び第２最外郭セルの上部にそれぞれ配置されるリボンと、
前記第１最外郭セルと前記リボン及び前記第２最外郭セルと前記リボンの間にそれぞれ位置し、前記第１及び第２最外郭セルを前記リボンに電気的にそれぞれ接続する導電性接着部とを含み、
前記第１最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は前記第１最外郭セルに含まれる第１電極、光電変換部及び第２電極それぞれと電気的に接続される第１接続部を含む薄膜太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記第１最外郭セルの第２電極は前記第１最外郭セルの第１電極に電気的に接続される第２接続部を含む、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記第１最外郭セルの第１電極は隣接したセルの第１電極と一体に形成される、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記第１接続部は複数である、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記複数の第１接続部の幅は互いに異なる、請求項４記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記複数の第１接続部の幅は前記第１最外郭セルと隣接したセルとの距離が近くなるほど増加する、請求項４記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記第２接続部は複数である、請求項２記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記複数の第２接続部の幅は互いに異なる、請求項７記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項９】
前記複数の第２接続部の幅は前記第１最外郭セルと隣接したセルとの距離が近くなるほど増加する、請求項７記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１０】
前記第１接続部及び前記第２接続部それぞれの幅は４０μm乃至１５０μmの間である、請求項２記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１１】
前記導電性接着部は電気伝導性の金属物質を含む、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１２】
前記複数のセルで生成された電力を回収する集電ボックスと、
前記複数のセル上部を横切って配置され前記集電ボックスと前記リボンを互いに接続するバスバー電極とをさらに含む、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１３】
前記複数のセルと前記バスバー電極の間に位置する非伝導性物質の絶縁部とをさらに含む、請求項１２記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１４】
前記光電変換部は少なくとも一つのp−i−n層を含む、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１５】
前記第２最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は前記第２最外郭セルに含まれる第２電極と電気的に接続され、前記第２最外郭セルに含まれる光電変換部及び第１電極とは電気的に接続されない、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１６】
前記第１最外郭セルの第２電極は前記第１最外郭セルと隣接したセルの第１電極に電気的に接続され、
前記第２最外郭セルの第１電極は前記第２最外郭セルと隣接したセルの第２電極に電気的に接続される、請求項１５記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１７】
前記第１最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は前記第１最外郭セルに含まれる第２電極の上部面及び側面と互いに接触する、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１８】
前記第１最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は前記第１最外郭セルに含まれる光電変換部の側面と互いに接触する、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１９】
前記第１最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は前記第１最外郭セルに含まれる第１電極の上部の一部分と互いに接触する、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項２０】
前記導電性接着部は接着性樹脂及び接着性樹脂内に複数の導電性粒子を含む、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項２１】
複数のセルを含む太陽電池モジュールを製造する方法において、
基板の面上に第１電極層を形成した後、前記基板が部分的に露出するように前記第１電極層に第１スクライビングラインパターンを形成し、前記複数のセルそれぞれに含まれる複数の第１電極を形成する段階と、
前記複数の第１電極の面上に光電変換部層を形成した後、前記第１電極が部分的に露出するように第２スクライビングパターンを形成し、前記複数のセルそれぞれに含まれる複数の光電変換部を形成する段階と、
前記複数の光電変換部及び前記部分的に露出した複数の第１電極の上に第２電極層を形成した後、前記複数の第１電極が部分的に露出するように第３スクライビングパターンを形成し、前記複数のセルそれぞれに含まれる複数の第２電極を形成する段階と、
前記第３スクライビングパターン以外に、前記複数のセルの中で最外郭セルに含まれる前記第２電極に対して前記第１電極が部分的に露出するように別途の第３スクライビングパターンを形成する段階と、
を含む太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２２】
前記第２スクライビングパターン以外に、前記複数のセルの中で最外郭セルに含まれる光電変換部に対して前記第１電極が部分的に露出するように別途の第２スクライビングパターンを形成する段階とをさらに含む、請求項２１記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２３】
前記複数の第２電極を形成する段階において、
前記最外郭セルに含まれる第２電極は前記別途の第２スクライビングパターンによって形成された空間を通じて前記最外郭セルに含まれる第１電極と直接接触する、請求項２２記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２４】
前記別途の第３スクライビングパターンを形成した後、前記最外郭セルの上に導電性接着部を形成する段階をさらに含む、請求項２１記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２５】
前記導電性接着部を形成する段階で、前記導電性接着部は前記最外郭セルの第１電極と直接接触する、請求項２４記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１】
基板と、
前記基板上部に位置する第１電極、前記第１電極上部に位置する第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する光電変換部をそれぞれ含む複数のセルと、
前記複数のセルの中で第１最外郭セル及び第２最外郭セルの上部にそれぞれ配置されるリボンと、
前記第１最外郭セルと前記リボン及び前記第２最外郭セルと前記リボンの間にそれぞれ位置し、前記第１及び第２最外郭セルを前記リボンに電気的にそれぞれ接続する導電性接着部とを含み、
前記第１最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は前記第１最外郭セルに含まれる第１電極、光電変換部及び第２電極それぞれと電気的に接続される第１接続部を含む薄膜太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記第１最外郭セルの第２電極は前記第１最外郭セルの第１電極に電気的に接続される第２接続部を含む、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記第１最外郭セルの第１電極は隣接したセルの第１電極と一体に形成される、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記第１接続部は複数である、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記複数の第１接続部の幅は互いに異なる、請求項４記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記複数の第１接続部の幅は前記第１最外郭セルと隣接したセルとの距離が近くなるほど増加する、請求項４記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記第２接続部は複数である、請求項２記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記複数の第２接続部の幅は互いに異なる、請求項７記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項９】
前記複数の第２接続部の幅は前記第１最外郭セルと隣接したセルとの距離が近くなるほど増加する、請求項７記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１０】
前記第１接続部及び前記第２接続部それぞれの幅は４０μm乃至１５０μmの間である、請求項２記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１１】
前記導電性接着部は電気伝導性の金属物質を含む、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１２】
前記複数のセルで生成された電力を回収する集電ボックスと、
前記複数のセル上部を横切って配置され前記集電ボックスと前記リボンを互いに接続するバスバー電極とをさらに含む、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１３】
前記複数のセルと前記バスバー電極の間に位置する非伝導性物質の絶縁部とをさらに含む、請求項１２記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１４】
前記光電変換部は少なくとも一つのp−i−n層を含む、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１５】
前記第２最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は前記第２最外郭セルに含まれる第２電極と電気的に接続され、前記第２最外郭セルに含まれる光電変換部及び第１電極とは電気的に接続されない、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１６】
前記第１最外郭セルの第２電極は前記第１最外郭セルと隣接したセルの第１電極に電気的に接続され、
前記第２最外郭セルの第１電極は前記第２最外郭セルと隣接したセルの第２電極に電気的に接続される、請求項１５記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１７】
前記第１最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は前記第１最外郭セルに含まれる第２電極の上部面及び側面と互いに接触する、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１８】
前記第１最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は前記第１最外郭セルに含まれる光電変換部の側面と互いに接触する、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項１９】
前記第１最外郭セルの第２電極と前記リボンの間に位置する導電性接着部は前記第１最外郭セルに含まれる第１電極の上部の一部分と互いに接触する、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項２０】
前記導電性接着部は接着性樹脂及び接着性樹脂内に複数の導電性粒子を含む、請求項１記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項２１】
複数のセルを含む太陽電池モジュールを製造する方法において、
基板の面上に第１電極層を形成した後、前記基板が部分的に露出するように前記第１電極層に第１スクライビングラインパターンを形成し、前記複数のセルそれぞれに含まれる複数の第１電極を形成する段階と、
前記複数の第１電極の面上に光電変換部層を形成した後、前記第１電極が部分的に露出するように第２スクライビングパターンを形成し、前記複数のセルそれぞれに含まれる複数の光電変換部を形成する段階と、
前記複数の光電変換部及び前記部分的に露出した複数の第１電極の上に第２電極層を形成した後、前記複数の第１電極が部分的に露出するように第３スクライビングパターンを形成し、前記複数のセルそれぞれに含まれる複数の第２電極を形成する段階と、
前記第３スクライビングパターン以外に、前記複数のセルの中で最外郭セルに含まれる前記第２電極に対して前記第１電極が部分的に露出するように別途の第３スクライビングパターンを形成する段階と、
を含む太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２２】
前記第２スクライビングパターン以外に、前記複数のセルの中で最外郭セルに含まれる光電変換部に対して前記第１電極が部分的に露出するように別途の第２スクライビングパターンを形成する段階とをさらに含む、請求項２１記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２３】
前記複数の第２電極を形成する段階において、
前記最外郭セルに含まれる第２電極は前記別途の第２スクライビングパターンによって形成された空間を通じて前記最外郭セルに含まれる第１電極と直接接触する、請求項２２記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２４】
前記別途の第３スクライビングパターンを形成した後、前記最外郭セルの上に導電性接着部を形成する段階をさらに含む、請求項２１記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２５】
前記導電性接着部を形成する段階で、前記導電性接着部は前記最外郭セルの第１電極と直接接触する、請求項２４記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１０Ｃ】
【図１０Ｄ】
【図１０Ｅ】
【図１０Ｆ】
【図１０Ｇ】
【図１０Ｈ】
【図１０Ｉ】
【図１０Ｊ】
【図１０Ｋ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１０Ｃ】
【図１０Ｄ】
【図１０Ｅ】
【図１０Ｆ】
【図１０Ｇ】
【図１０Ｈ】
【図１０Ｉ】
【図１０Ｊ】
【図１０Ｋ】
【公開番号】特開２０１３−８９９６３（Ｐ２０１３−８９９６３Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２２７２８３（Ｐ２０１２−２２７２８３）
【出願日】平成２４年１０月１２日（２０１２．１０．１２）
【出願人】（５０２０３２１０５）エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド (2,269)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１０月１２日（２０１２．１０．１２）
【出願人】（５０２０３２１０５）エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド (2,269)
【Ｆターム（参考）】
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