薄膜磁気ヘッドの製造方法および薄膜磁気ヘッド並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置
【課題】垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法およびその薄膜磁気ヘッド並びにＨＧＡおよびＨＤＤにおいて、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善する。
【解決手段】薄膜磁気ヘッド３００の製造方法は下部シールド層４０を形成する下部シールド層形成工程を有している。この工程は、ＡＢＳ３０に沿った予定ラインを含む下部シールド予定領域にリーディングシールド部４７を形成する工程と、予定ラインを含む下部除外ゾーンを除いた下部形成ゾーン上に配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層を形成する工程と、部分下部シード層上にサイドシールド部を形成する工程とを有している。
【解決手段】薄膜磁気ヘッド３００の製造方法は下部シールド層４０を形成する下部シールド層形成工程を有している。この工程は、ＡＢＳ３０に沿った予定ラインを含む下部シールド予定領域にリーディングシールド部４７を形成する工程と、予定ラインを含む下部除外ゾーンを除いた下部形成ゾーン上に配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層を形成する工程と、部分下部シード層上にサイドシールド部を形成する工程とを有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法およびその薄膜磁気ヘッド並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は、大容量の記録容量を備え、ストレージ装置の中心として広く用いられている。ハードディスク装置は、薄膜磁気ヘッドによってハードディスク（記録媒体）に対するデータの記録再生を行う。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、長手磁気記録方式と垂直磁気記録方式とに分けることができる。長手磁気記録方式はハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向にデータを記録する方式であり、垂直磁気記録方式はハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する方式である。このうち、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手磁気記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手磁気記録方式よりも有望視されている。
【０００４】
ところで、従来、垂直磁気記録方式の磁気ヘッド（perpendicular
magnetic recording head：以下「ＰＭＲ」ともいう）は、磁極層と薄膜コイルとを有し、磁極層に薄膜コイルを巻き回した電磁石の構造を有している。
従来のＰＭＲは、例えば記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、主磁極層の内部を通る磁界を発生する薄膜コイルと、連結部を介して主磁極層に連結されているリターン磁極層とを有している。
【０００５】
一方、従来、主磁極層の近くにシールド層が形成されているＰＭＲが知られていた。例えば、特許文献１には、主磁極層のリーディング側にシールド層が形成されたＰＭＲが開示されている。このＰＭＲでは、主磁極層の磁極端部とともに、シールド層の端面が媒体対向面内に配置されている。また、特許文献２には主磁極層のトレーリング側にシールド層が形成されたＰＭＲが開示されている。このＰＭＲも、主磁極層の磁極端部とともに、シールド層の端面が媒体対向面内に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１５７３０３号公報
【特許文献２】特開２００８−９７８２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述した従来のＰＭＲでは、主磁極層の近くに形成されているシールド層によって、磁極端面から放出された磁束が記録媒体上の記録対象となる領域とは別の領域に到達しないようにすることができる。そのため、前述した従来のＰＭＲでは、記録対象となる領域とは別の領域に対する誤ったデータの記録や記録されているデータの消去といった不具合を低減することができる。
【０００８】
しかし、前述した従来のＰＭＲでは、シールド層が複数のシールド部を重ねた構造（このようなシールド層を多重シールド層ともいう）を有し、かかるシールド層が媒体対向面内において主磁極層の近くに形成されていたため、次のような課題が解決されていなかった。
【０００９】
すなわち、多重シールド層を形成するときは、例えば、めっき法によって第１のシールド部を形成した後、その第１のシールド部に重なるように第２のシールド部をめっき法によって形成する。そして、第２のシールド部を形成するときは第２のシールド部の下地となるシード層を第１のシールド部上に形成し、そのシード層上にめっき膜を成長させて第２のシールド部を形成する。
【００１０】
そして、第１のシールド部および第２のシールド部を形成するときは主に電解めっきが採用される。この場合、基板をめっき液中に浸漬し、そのめっき液中に電流を流すことによって、磁性材のめっき膜を基板上に成長させ、そのめっき膜によって第１のシールド部および第２のシールド部を形成する。
【００１１】
これに対し、シード層はスパッタリング等により、溶液を用いないドライ環境下で形成される。そのため、第１のシールド部および第２のシールド部と、シード層とはそれぞれ同じ磁性材を用いて形成されていても、結晶の方向が異なっている。
【００１２】
一般に、磁性材の磁気特性は結晶の方向によって異なり、透過しやすい磁束の方向が結晶の方向によって異なっている。そのため、媒体対向面において、第１のシールド部と第２のシールド部との間に、その両者とは磁気特性の異なるシード層が存在していると、磁極端面から放出された磁束の成分が吸収され難くなることがあった。
【００１３】
つまり、記録磁界に応じた磁束が磁極端面から放出された後、その磁束のうちのトラック幅方向等に広がる成分が第１のシールド部または第２のシールド部によって吸収されずに残りやすくなることがあった。そうすると、その残った磁束によって、データを記録するトラックに隣接するトラックや、データを記録するトラックから数μｍ〜数十μｍ程度離れた位置にあるトラックに記録されているデータが消去される現象が生じやすくなる（これらの現象は隣接トラック消去（ＡＴＥ）、広域トラック消去（ＷＡＴＥ）ともいう）。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法およびその薄膜磁気ヘッド並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明は記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、主磁極層、下部シールド層または上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、下部シールド層を形成する下部シールド層形成工程が、以下の（１）から（３）までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）基板上の、媒体対向面が後に形成される媒体対向面に沿った予定ラインを含む下部シールド予定領域に、下部シールド層を構成する第１の下部シールド部を形成する第１の下部シールド部形成工程
（２）下部シールド層を構成する第２の下部シールド部を形成するための下部シード層を第１の下部シールド部上に形成するときに、予定ラインを含む下部除外ゾーンを除いた下部形成ゾーン上に配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層を形成する下部シード層形成工程
（３）部分下部シード層上に第２の下部シールド部を形成する第２の下部シールド部形成工程
【００１６】
上記製造方法によると、第２の下部シールド部を形成するときの下地となる部分下部シード層が部分配置構造を備えているから、部分下部シード層は予定ライン上には配置されない。そのため、予定ラインに沿って媒体対向面を形成すると媒体対向面に部分下部シード層が出現しないようにすることができる。
【００１７】
上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上部シールド層を形成する上部シールド層形成工程が以下の（４）から（５）までの各工程を有し、第１の上部シールド部形成工程において、第１の上部シールド部を部分上部シード層上に形成することが好ましい。
（４）上部シールド層を構成する第１の上部シールド部を形成するための上部シード層を主磁極層上に形成するときに、予定ラインを含む上部除外ゾーンを除いた上部形成ゾーン上に配置される部分配置構造を備えた部分上部シード層を形成する上部シード層形成工程
（５）第１の上部シールド部を形成する第１の上部シールド部形成工程
【００１８】
上記製造方法によると、第１の上部シールド部を形成するときの下地となる部分上部シード層が部分配置構造を備えているから、部分上部シード層も予定ライン上には配置されない。そのため、部分上部シード層も媒体対向面に出現しないようにすることができる。
【００１９】
また、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部シード層形成工程が以下の（６）から（７）までの各工程を有することが好ましい。
（６）部分下部シード層を形成するときに、基板を含む積層体の上面の下部除外ゾーンおよび下部形成ゾーン上に配置されるワイド下部シード層を形成するワイド下部シード層形成工程
（７）ワイド下部シード層のうちの下部除外ゾーン上に形成された被除外下部シード層を除去する下部シード層除去工程
【００２０】
上記製造方法によると、積層体の上面にワイド下部シード層を形成し、その後、被除外下部シード層を除去することによって、部分下部シード層が形成される。
【００２１】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上部シード層形成工程が以下の（８）から（９）までの各工程を有することが好ましい。
（８）部分上部シード層を形成するときに、基板を含む積層体の上面の上部除外ゾーンおよび上部形成ゾーン上に配置されるワイド上部シード層を形成するワイド上部シード層形成工程
（９）ワイド上部シード層のうちの上部除外ゾーン上に形成された被除外上部シード層を除去する上部シード層除去工程
【００２２】
上記製造方法によると、積層体の上面にワイド上部シード層を形成し、その後、被除外上部シード層を除去することによって、部分上部シード層が形成される。
【００２３】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部シード層形成工程において、下部除外ゾーンを予定ライン全体を含む媒体対向面に沿った帯状の領域に設定することが好ましい。
【００２４】
この製造方法によると、予定ライン上のすべての部分に部分下部シード層が配置されなくなるため、媒体対向面に部分下部シード層が一切出現しないようにすることができる。
【００２５】
また、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上部シード層形成工程において、上部除外ゾーンを予定ライン全体を含む媒体対向面に沿った帯状の領域に設定することが好ましい。
【００２６】
この製造方法によると、予定ライン上のすべての部分に部分上部シード層が配置されなくなるため、媒体対向面に部分上部シード層が一切出現しないようにすることができる。
【００２７】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、基板上の、薄膜コイルが形成される位置に向かって媒体対向面から離れる方向を奥行き方向としたときに、下部シード層形成工程において、下部除外ゾーンを予定ラインよりも外側から奥行き方向に沿って確保することが好ましい。
【００２８】
また、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、基板上の、薄膜コイルが形成される位置に向かって媒体対向面から離れる方向を奥行き方向としたときに、上部シード層形成工程において、上部除外ゾーンを予定ラインよりも外側から奥行き方向に沿って確保することが好ましい。
【００２９】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法の場合、上部シールド層を形成する上部シールド層形成工程が、以下の（１０）から（１３）までの各工程を有することが好ましい。
（１０）上部シールド層を構成する第１の上部シールド部を形成する第１の上部シールド部形成工程
（１１）薄膜コイルを構成する導体層の媒体対向面側に、上部シールド層を構成する第２の上部シールド部を第１の上部シールド部に接続され、かつ媒体対向面内に配置されるように形成する第２の上部シールド部形成工程
（１２）上部シールド層を構成する連結シールド部を第２の上部シールド部に接続され、かつ薄膜コイルを跨ぎ、さらに媒体対向面から離れるように媒体対向面から後退させて形成する連結シールド部形成工程
（１３）第２の上部シールド部の連結シールド部によって被覆されていない媒体対向面側の一部分を切除するトリミング工程
【００３０】
上記製造方法の場合、トリミング工程は、連結シールド部形成工程によって形成された連結シールド部をマスクに用いて、第２の上部シールド部の連結シールド部によって被覆されていない媒体対向面側の一部分を切除することが好ましい。
【００３１】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、主磁極層、下部シールド層または上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、下部シールド層を構成し、かつ第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、その下部シード層が、媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されている薄膜磁気ヘッドを提供する。
【００３２】
また、上記薄膜磁気ヘッドの場合、上部シールド層を構成し、かつ主磁極層上に形成されている第１の上部シールド部と、主磁極層と第１の上部シールド部の間に配置され、第１の上部シールド部をめっきにより形成するための上部シード層とを更に有し、その上部シード層が、媒体対向面から後退している上部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分上部シード層として形成されていることが好ましい。
【００３３】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの場合、第１の下部シールド部と第２の下部シールド部との間に下部シード層の存在しない下部不存在ゾーンが形成され、部分下部シード層の端面が媒体対向面に出現することなく下部不存在ゾーンに出現していることが好ましい。
【００３４】
主磁極層と第１の上部シールド部との間に上部シード層の存在しない上部不存在ゾーンが形成され、部分上部シード層の端面が媒体対向面に出現することなく上部不存在ゾーンに出現しているようにすることができる。
【００３５】
また、上記薄膜磁気ヘッドの場合、下部不存在ゾーンが媒体対向面から下部形成ゾーンまでの間の媒体対向面に沿った媒体対向面の幅方向全体にわたる帯状の領域に設定されていることが好ましい。
【００３６】
上部不存在ゾーンが媒体対向面から上部形成ゾーンまでの間の媒体対向面に沿った媒体対向面の幅方向全体にわたる帯状の領域に設定されているようにすることができる。
【００３７】
そして、本発明は、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、主磁極層、下部シールド層または上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、下部シールド層を構成し、かつ第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、その下部シード層が、媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されているヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００３８】
また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、主磁極層、下部シールド層または上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、下部シールド層を構成し、かつ第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、その下部シード層が、媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されているハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００３９】
以上詳述したように、本発明によれば、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法およびその薄膜磁気ヘッド並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドのＡＢＳを示す正面図である。
【図３】下部薄膜コイルを示す平面図である。
【図４】上部薄膜コイルを示す平面図である。
【図５】下部薄膜コイルの要部を示す平面図である。
【図６】対向シールド部、上部前側シールド部および連結シールド部の要部を示す斜視図である。
【図７】トリム前シールド部と上部前側シールド部とを示す側面図である。
【図８】上部前側シールド部の変形例を示し、（ａ）は横平坦部を有しない場合、（ｂ）は縦平坦部を有しない場合の側面図である。
【図９】図１の要部を示す断面図である。
【図１０】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１１】図１０の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１２】図１１の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１３】図１２の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１４】図１３の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１５】第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図１６】図１５の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図１７】図１６の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図１８】図１７の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図１９】図１８の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図２０】図１９の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図２１】（ａ）は図１６の２１ａ−２１ａ線断面図、（ｂ）は図１７の２１ｂ−２１ｂ線断面図である。
【図２２】（ａ）は図１８の２２ａ−２２ａ線断面図、（ｂ）は図１９の２２ｂ−２２ｂ線断面図である。
【図２３】（ａ）は、第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図、（ｂ）は、図２３（ａ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図２４】（ａ）は、図２３（ｂ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図、（ｂ）は、図２４（ａ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図２５】（ａ）は、図２４（ｂ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図、（ｂ）は、図２５（ａ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図２６】図１４の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２７】図２５（ｂ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図２８】図２６の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２９】第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図３０】図２７の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図３１】図３０の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図３２】図２８の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３３】図３２の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３４】図３３の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３５】図３４の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３６】図３５の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３７】図３６の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３８】第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図３９】図３８の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図４０】第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図４１】（ａ）は本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図、（ｂ）はＨＧＡの裏面側を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
まず、図１〜図９を参照して本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００のエアベアリング面（以下「ＡＢＳ」という）と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図、図２は薄膜磁気ヘッド３００のＡＢＳ３０を示す正面図である。図３は下部薄膜コイル１１を示す平面図、図４は上部薄膜コイル５１を示す平面図である。図５は下部薄膜コイル１１の要部を示す平面図である。図６は対向シールド部６１、上部前側シールド部６２および連結シールド部６３の要部を示す斜視図である。図７は、トリム前シールド部６２Ａと上部前側シールド部６２とを示す側面図である。図８は、上部前側シールド部６２の変形例を示し、（ａ）は横平坦部を有しない場合、（ｂ）は縦平坦部を有しない場合の側面図である。図９は図１の要部を示す断面図である。
【００４２】
薄膜磁気ヘッド３００は、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、記録媒体に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ３０を有している。なお、以下では、薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、主要部以外の部分の構造は後述する製造工程の中で説明する。
【００４３】
再生ヘッドは、ＡＢＳ３０の近傍に配置された磁気的信号検出用のＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッドは、基板１上に形成されている絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３と、ＭＲ素子５をシールドしているシールドギャップ膜４とを有している。さらに、再生ヘッドは、シールドギャップ膜４の上に形成されている磁性材料からなる上部シールド層６と、上部シールド層６の上に形成されている絶縁層７とを有している。再生ヘッドは、記録ヘッドよりも基板１に近い位置に配置されている。
【００４４】
ＭＲ素子５は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子などの磁気抵抗効果を示す感磁膜によって構成されている。
【００４５】
上部シールド層６は中間に絶縁部６ｂを有している。また、絶縁部６ｂよりも下側に第１のシールド部６ａが形成され、上側に第２のシールド部６ｃが形成されている。
【００４６】
薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８が絶縁層２に形成されている。加熱部８はＤＦＨ（Disk
flying heater）とも呼ばれ、電流が流されることによって発熱し、その熱を上部シールド層６などに伝達させる機能を有している。また、感熱部９が絶縁層７に形成されている。感熱部９はＨＤＩ（Head Disk Interlayer）センサとも呼ばれる。感熱部９は上部シールド層６付近の熱（温度）を感知し、その感知した熱に応じて抵抗値が変化する素子を用いて形成されている。
【００４７】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８によって上部シールド層６や下部シールド層３を加熱する。上部シールド層６や下部シールド層３は加熱部８から受けた熱によって体積が膨張する。その結果、上部シールド層６や下部シールド層３が図１には図示しない記録媒体に接触したとすると、上部シールド層６や下部シールド層３のＡＢＳ３０付近が摩擦によって熱を帯びる。薄膜磁気ヘッド３００ではこの摩擦熱に伴う感熱部９の抵抗値の変化を検出することによって、上部シールド層６や下部シールド層３が記録媒体に接触したかどうかの判定が行われる。また、その判定結果に応じて加熱部８に流れる電流値を制御しながらフライングハイトを制御している。
【００４８】
記録ヘッドは、下部薄膜コイル１１と、主磁極層２６と、ギャップ層２９と、下部シールド層４０と、上部薄膜コイル５１と、ライトシールド層６０と、上部ヨーク層６５、変位抑制層８５および保護絶縁層９０を有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。
【００４９】
薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とによって一連の薄膜コイルが形成されている。下部薄膜コイル１１は、この一連の薄膜コイルのうちの主磁極層２６と基板１との間に配置されている部分に対応している。
【００５０】
図３に示すように下部薄膜コイル１１は３つのターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを有している。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆは後述する接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４との間に配置されている。下部薄膜コイル１１はターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆがフォトレジスト層１５を介して並んだ構造を有している。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆのうち、ターン部１１ｂがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているので、ターン部１１ｂが前側ターン部に対応している。ターン部１１ｆが後側ターン部に対応している。
【００５１】
そして、下部薄膜コイル１１は、リード部１３Ａからターン部１１ｂにつながるループ部１１ａと、ターン部１１ｂからターン部１１ｄにつながるワンループ部１１ｃと、ターン部１１ｄからターン部１１ｆにつながるワンループ部１１ｅと、ターン部１１ｆから接続部１１ｈまでのハーフループ部１１ｇを有している。
【００５２】
下部薄膜コイル１１はリード部１３Ａから接続部１１ｈまでが一本につながることによって下部シールド層４０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で３ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図１では、下部薄膜コイル１１について、ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆ、接続部１１ｈのみが示されている。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆは横幅よりも厚さ（ＡＢＳ３０に沿った方向（上下方向）の高さ）の大きい縦長の構造を有している。なお、本実施の形態において、横幅とはＡＢＳ３０と交差する方向（交差方向）の幅を意味している。
【００５３】
また、下部薄膜コイル１１は、図５に示すように、ワンループ部１１ｃがＡＢＳ３０に接近するにしたがい漸次幅が狭まり、ＡＢＳ３０に最も近い箇所で最も幅が狭まる可変幅構造を有している。すなわち、図５に示すようにして、ワンループ部１１ｃの幅をＷｄ１、Ｗｄ２、Ｗｄ０を定めたときにＷｄ１＞Ｗｄ２＞Ｗｄ０となっている。そして、ワンループ部１１ｃのうちの最も幅の狭い部分がターン部１１ｄとなっている。ループ部１１ａおよびワンループ部１１ｅもワンループ部１１ｃと同様の可変幅構造を有し、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部１１ｂ、１１ｆとなっている。ここで、ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆの幅はそれぞれＷｂ０（約０．９μｍ）、Ｗｄ０（約０．９μｍ）、Ｗｆ０（約０．９μｍ）である。
【００５４】
そして、下部薄膜コイル１１は、次のような一連の３ターンループを形成している。すなわち、リード部１３Ａから、ループ部１１ａ、ワンループ部１１ｃ、ワンループ部１１ｅ、ハーフループ部１１ｇを通って接続部１１ｈにつながることによって、３ターンループが形成されている。
【００５５】
なお、図５において、ターン部１１ｂの前側面１１ｂｆからＡＢＳ３０までの距離は、下部薄膜コイル１１の前側距離を示している。また、ターン部１１ｆの後側面１１ｆｒからＡＢＳ３０までの距離は、下部薄膜コイル１１の後側距離を示している。
【００５６】
次に、上部薄膜コイル５１について説明する。図４に示すように、上部薄膜コイル５１は３つのターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃは、後述する上部前側シールド部６２と、後側シールド部６４との間に配置されている。上部薄膜コイル５１はターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃがフォトレジスト層５５を介して並んだ構造を有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃのうち、ターン部５１ｇがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているので、ターン部５１ｇが前側ターン部に対応している。ターン部５１ｃが後側ターン部に対応している。
【００５７】
そして、上部薄膜コイル５１は、接続部５１ａからターン部５１ｃにつながるループ部５１ｂと、ターン部５１ｃからターン部５１ｅにつながるワンループ部５１ｄと、ターン部５１ｅからターン部５１ｇにつながるワンループ部５１ｆと、ターン部５１ｇからリード部１４Ａまでのハーフループ部５１ｈを有している。
【００５８】
上部薄膜コイル５１は接続部５１ａからリード部１４Ａまでが一本につながることによってライトシールド層６０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で３ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図１では、上部薄膜コイル５１について、ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃ、接続部５１ａのみが示されている。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃはターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆと同様に縦長の構造および可変幅構造を有している。そして、ワンループ部５１ｆ、ワンループ部５１ｄ、ループ部５１ｂのうち、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃとなっている。
【００５９】
そして、上部薄膜コイル５１は、次のような一連の３ターンループを形成している。すなわち、接続部５１ａから、ループ部５１ｂ、ワンループ部５１ｄ、ワンループ部５１ｆ、ハーフループ部５１ｈを通ってリード部１４Ａにつながることにより、３ターンループが形成されている。
【００６０】
また、図１に示したように、上部薄膜コイル５１は上端面５１Ａを有している。上端面５１Ａは基板１から最も離れた位置に配置されている。この上端面５１Ａは後述するシールド上端面６２ｆと段差なく形成され、シールド上端面６２ｆとともに共通平坦面５９（図３５参照）を形成している。さらに、上部薄膜コイル５１は層間絶縁膜３２だけを介して後述する上部ヨーク層６５の上面に接続されている。上部薄膜コイル５１は磁性材からなる磁性層を介することなく上部ヨーク層６５に接続されている。
【００６１】
薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１の接続部１１ｈが上部薄膜コイル５１の接続部５１ａに接続されている。これにより、下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とは一連のコイルを形成している。下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とには、記録媒体に記録されるデータに応じた電流が流され、その電流によって記録磁界が発生する。
【００６２】
次に、主磁極層２６について説明する。主磁極層２６は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体は透磁率(magnetic permeability)が高い。したがって、主磁極層２６は、磁束が透過しやすく、より多くの磁束が通る。そのため、記録磁界に応じたより強い磁束が主磁極層２６からＡＢＳ３０に向かって放出される。
【００６３】
主磁極層２６は、図２、図９に示すように、ＡＢＳ３０側に磁極端面２６ａを有している。磁極端面２６ａは下部薄膜コイル１１側よりも上部薄膜コイル５１側の幅が広く、その幅が下部薄膜コイル１１に近づくにつれて漸次狭まるベベル形状に形成されている。磁極端面２６ａの上部薄膜コイル５１側の幅がトラック幅を規定している。トラック幅は例えば０．０６〜０．１２μｍ程度である。磁極端面２６ａはＡＢＳ３０内に配置されている。
【００６４】
主磁極層２６は磁極端面２６ａを有するトラック幅規定部と、幅広部と、拡幅部とを有している。トラック幅規定部はＡＢＳ３０からの距離に応じて変化しない一定の幅を有している。また、幅広部はトラック幅規定部よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、トラック幅規定部よりも幅広に形成されている。また、幅広部はトラック幅規定部との境界部分でトラック幅規定部と同じ大きさの幅を有するとともに、その幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がっている。拡幅部は幅広部よりも大きい一定の幅を有している。本実施の形態では、磁極端面２６ａから、幅が大きくなり始めるまでの部分をトラック幅規定部としている。
【００６５】
また、図９に示すように、主磁極層２６では、トラック幅規定部に、上傾斜面２６ｃと、下傾斜面２６ｅとが形成されている。
【００６６】
上傾斜面２６ｃはＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１から離れるような上り傾斜状に形成されている。上傾斜面２６ｃは磁極端面２６ａと、上端面２６ｄとに接続されている。
【００６７】
下傾斜面２６ｅはＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。下傾斜面２６ｅは磁極端面２６ａと、幅広部の下端面２６ｆとに接続されている。下傾斜面２６ｅは，トラック幅規定部から幅広部まで形成されている。下端面２６ｆは主磁極層２６の中で基板１に最も近い位置に配置されている。
【００６８】
また、図１にも示すように、主磁極層２６には、上端面２６ｄ上の、後述する対向シールド部６１と上部ヨーク層６５との間の部分に非磁性層２７，２８が積層されている。
【００６９】
なお、前述のトラック幅規定部におけるＡＢＳ３０からの長さをネックハイトという。ネックハイトは例えば０．０５〜０．３μｍ程度である。
【００７０】
ギャップ層２９は主磁極層２６の上傾斜面２６ｃおよび上端面２６ｄに沿って、対向シールド部６１および絶縁層３１と、主磁極層２６および非磁性層２７，２８との間に形成されている。ギャップ層２９は、上傾斜面２６ｃおよび上端面２６ｄを被覆するようにして形成されている。ギャップ層２９は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の非磁性の絶縁材やＲｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いて形成されている。
【００７１】
次に、下部シールド層４０とライトシールド層６０とについて説明する。図１、図９に示すように、下部シールド層４０と、ライトシールド層６０とは、主磁極層２６を挟むように配置されている。
【００７２】
そして、下部シールド層４０は主磁極層２６の基板１側に配置されている。この下部シールド層４０は、図２にも示すように、ＡＢＳ３０に配置されているリーディングシールド部４７およびサイドシールド部４７Ａを有し、その２つのシールド部が重なった多重シールド層である。
【００７３】
また、下部シールド層４０は、リーディングシールド部４７とサイドシールド部４７Ａとに加え、接続シールド部４１と、下部前側シールド部４２と、連結シールド部４３と、第１の後側シールド部４４と、第２の後側シールド部４５と、第３の後側シールド部４６と、部分下部シード層９１とを有している。下部シールド層４０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。
【００７４】
接続シールド部４１と、下部前側シールド部４２とは、下部薄膜コイル１１よりもＡＢＳ３０側に配置されている。また、接続シールド部４１の上に下部前側シールド部４２の一部分が重なっている。接続シールド部４１はＡＢＳ３０から離れた位置に形成されている。しかし、下部前側シールド部４２は、ＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面４２ａを有している（図９参照）。
【００７５】
連結シールド部４３は、下部薄膜コイル１１のターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを跨ぐようにして形成され、接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４とを接続している。連結シールド部４３は、主磁極層２６から放出された磁束を還流させるリターン磁極としての機能を有している。
【００７６】
第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６は、いずれも下部薄膜コイル１１のターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆよりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。また、第１の後側シールド部４４の上に第２の後側シールド部４５が重なり、第２の後側シールド部４５の上に第３の後側シールド部４６が重なっている。第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６はＡＢＳ３０に近い前側面からＡＢＳ３０までの距離の等しい三段構造を形成している。第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６は、連結シールド部４３を主磁極層２６に連結する連結部としての機能を有している。
【００７７】
リーディングシールド部４７は本発明の実施の形態にかかる第１の下部シールド部に対応している。リーディングシールド部４７は下部前側シールド部４２に接続され、その反対側上面にサイドシールド部４７Ａ，４７Ａが形成されている。リーディングシールド部４７はＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面４７ａを有している（図９参照）。
【００７８】
サイドシールド部４７Ａ，４７Ａは本発明の実施の形態にかかる第２の下部シールド部に対応している。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａはリーディングシールド部４７上に形成されている。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａのそれぞれが主磁極層２６のトラック幅方向の両側に配置されている。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａも、それぞれＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面４７Ａａを有している（図２参照）。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａおよびリーディングシールド部４７は非磁性薄膜２５を介して磁極端面２６ａを取り囲むように形成され、主磁極層２６の近傍に配置されている。
【００７９】
部分下部シード層９１は、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａをリーディングシールド部４７上に電解めっきによって形成するときに下地として用いられる金属層である。部分下部シード層９１は、スパッタリング等によってドライ環境下で形成されている。部分下部シード層９１は、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅといった磁性材を用いて形成されている。
【００８０】
また、部分下部シード層９１は、リーディングシールド部４７と、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａとによって挟まれたごく薄い厚さを有する下部薄膜状空間のうちの部分的な領域にだけ形成されている。部分下部シード層９１の全体がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【００８１】
さらに詳しくは、部分下部シード層９１は、部分配置構造を有している。すなわち、図１７、図１８に示すように、部分下部シード層９１は、後述する下部形成ゾーン９２Ｂ上だけに配置されている。下部形成ゾーン９２Ｂは、ＡＢＳ３０の形成前の段階において、積層体の表面のうちの下部除外ゾーン９２Ａ１を除いた領域に対応している。また、ＡＢＳ３０の形成後の段階では、積層体の表面のうちの下部不存在ゾーン９２Ａ２を除いた領域に対応し、ＡＢＳ３０から後退している。
【００８２】
薄膜磁気ヘッド３００では、この下部不存在ゾーン９２Ａ２の表面から、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａを形成するときの下地となるシード層がすべて除去されている。下部不存在ゾーン９２Ａ２は前述した下部薄膜状空間に配置されていて、後述する予定ライン（またはＡＢＳ３０）から後述する奥行き方向に沿った奥行きＤ２を有する矩形状の領域に対応している。この下部不存在ゾーン９２Ａ２に部分下部シード層９１の端面９１ａが出現している（図１７、図２１（ｂ）参照）。端面９１ａはＡＢＳ３０には出現していない（図２７、図３０、図３１参照）。
【００８３】
次に、ライトシールド層６０について説明する。ライトシールド層６０は、本発明の実施の形態に係る上部シールド層に対応している。ライトシールド層６０は対向シールド部６１と、上部前側シールド部６２と、連結シールド部６３と、後側シールド部６４と、ワイド上部シード層９３とを有している。
【００８４】
対向シールド部６１は本発明の実施の形態にかかる第１の上部シールド部に対応している。対向シールド部６１はＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面６１ａを有している（図９参照）。また、対向シールド部６１はＡＢＳ３０内においてリーディングシールド部４７に対峙している。また、対向シールド部６１のシールド端面６１ａにギャップ層２９が配置される微小スペースが形成されている。その微小スペースにギャップ層２９のＡＢＳ３０側部分が形成されている。対向シールド部６１はギャップ層２９を挟んでＡＢＳ３０側から順に主磁極層２６、非磁性層２７、非磁性層２８に対向するようにして形成されている。また、対向シールド部６１は上端面が平坦になっていて、その上端面に上部前側シールド部６２が接続されている。
【００８５】
上部前側シールド部６２は上部薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側に配置されている。この上部前側シールド部６２について、図６、図７を参照して詳しく説明する。
【００８６】
上部前側シールド部６２はシールド前端面６２ｂと、シールド上端面６２ｆと、シールド接続部６２ｃと、シールド下端面６２ｒとを有している。シールド前端面６２ｂはＡＢＳ３０内に配置されている。シールド前端面６２ｂはＡＢＳ３０内に露出している。図６において、網掛けした部分がシールド前端面６２ｂを示している。シールド上端面６２ｆはシールド前端面６２ｂよりも基板１から離れた位置に配置されている。基板１から離れる側を上側、基板１に近づく側を下側ともいう。シールド上端面６２ｆは、連結シールド部６３に接続されている。シールド上端面６２ｆは、ＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。しかも、シールド上端面６２ｆは、ＡＢＳ３０から離れて形成されている。シールド上端面６２ｆは、シールド下端面６２ｒよりも小さい大きさを有している。
【００８７】
シールド接続部６２ｃはシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを接続する部分である。シールド接続部６２ｃは、シールド前端面６２ｂとの接続部６２ｘを除くすべての部分がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【００８８】
シールド接続部６２ｃは接続部６２ｘから、シールド上端面６２ｆに接続される接続部６２ｙに近づくにしたがい、ＡＢＳ３０から漸次離れるように傾斜した傾斜構造を有している。接続部６２ｘはＡＢＳ３０内に配置されているが、接続部６２ｙはＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、ＡＢＳ３０から後退している。
【００８９】
そして、図７に示すように、この接続部６２ｘと接続部６２ｙとを結ぶ仮想的な平坦面９９を考えた場合、この平坦面９９はシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを最短距離で結ぶ平坦面である。この平坦面９９よりも、シールド接続部６２ｃはＡＢＳ３０から離れるように傾斜した後退傾斜構造を有している。さらに、シールド接続部６２ｃは横平坦部６２ｃ１と、縦平坦部６２ｃ２と、湾曲部６２ｃ３とを有し、これらが滑らかにつながり一体となった構造を有している。横平坦部６２ｃ１は概ねＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。縦平坦部６２ｃ２は概ねＡＢＳ３０に沿って形成されている。
【００９０】
シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０に達する大きさを有している。シールド下端面６２ｒはシールド上端面６２ｆよりも大きい大きさを有している。シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０側に対向シールド部６１が接続され、そのＡＢＳ３０から離れた後側に絶縁層３１が接続されている。
【００９１】
上部前側シールド部６２は以上のような構造を有しているので、トリム前前側シールド部６２Ａ（図７の上側）よりも、ＡＢＳ３０内に配置されている端面の大きさが小さく、体積も小さい。トリム前前側シールド部６２Ａは、後述するトリミング工程を実行することによって形成される直前の前側シールド部である。トリム前前側シールド部６２Ａは、シールド上端面６２ｆがＡＢＳ３０に達し、トリム前前端面６２ａを有している。そして、トリム前前端面６２ａとシールド前端面６２ｂの大きさを比較すると、シールド前端面６２ｂ＜トリム前前端面６２ａである。
【００９２】
次に、連結シールド部６３について説明する。連結シールド部６３は、上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐようにして形成されている。連結シールド部６３はＡＢＳ３０から離れて形成されている。連結シールド部６３は上部前側シールド部６２と、後側シールド部６４とに接続されている。
【００９３】
後側シールド部６４は上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃよりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。後側シールド部６４は、連結シールド部６３と、上部ヨーク層６５とに接続されている。後側シールド部６４は上部前側シールド部６２と等しい高さに形成されている。そのため、後側シールド部６４は、上部薄膜コイル５１およびシールド上端面６２ｆとともに共通平坦面５９を形成している。
【００９４】
上部ヨーク層６５は主磁極層２６の上端面２６ｄのうちの非磁性層２７，２８よりもＡＢＳ３０から離れた後側に接続されている。上部ヨーク層６５の上端面は対向シールド部６１の上端面と段差なく形成されている。上部ヨーク層６５の上端面は対向シールド部６１の上端面とともに共通平坦面５９Ａ(図３２参照)を形成している。
【００９５】
ワイド上部シード層９３は、対向シールド部６１を主磁極層２６上に電解めっきによって形成するときに下地として用いられる金属層である。ワイド上部シード層９３は、主磁極層２６および非磁性層２７，２８と、対向シールド部６１とによって挟まれたごく薄い厚さを有する上部薄膜状空間に形成されている。図３０、図３１に示すように、ワイド上部シード層９３は部分配置構造を有していないので、ＡＢＳ３０に出現している。
【００９６】
その他、薄膜磁気ヘッド３００は、変位抑制層８５を有している。変位抑制層８５は連結シールド部６３の上端面に接続されている。変位抑制層８５は線熱膨張係数の小さい非磁性材料によって形成されている。例えば、変位抑制層８５は無機材料または金属材料を用いることが好ましく、例えばＳｉＣ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ｗ（タングステン）を用いることができる。特に、変位抑制層８５は硬度の大きい非磁性材料を用いることが好ましい。例えば、ＳｉＣはアルミナに比べてビッカース硬度が大きいため、変位抑制層８５はＳｉＣを用いることが好ましい。
【００９７】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００は保護絶縁層９０を有している。保護絶縁層９０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて形成されている。保護絶縁層９０は埋込部９０ａと、カバー部９０ｂとを有し、埋込部９０ａとカバー部９０ｂとが一体となっている。埋込部９０ａは、シールド接続部６２ｃの全体に接し、かつシールド接続部６２ｃとＡＢＳ３０との間に隙間なく埋め込まれている。カバー部９０ｂは連結シールド部６３および変位抑制層８５を覆うように形成されている。
【００９８】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、前述の図１、図２、図９とともに、図１０（ａ），図１０（ｂ）〜図１４（ａ），図１４（ｂ）、図１５〜図２０、図２１（ａ），図２１（ｂ）〜図２６（ａ），図２６（ｂ）、図２７、図２８（ａ），図２８（ｂ）、図２９〜図３１、図３２（ａ），図３２（ｂ）〜図３７（ａ），図３７（ｂ）を参照して、前述の構造を有する薄膜磁気ヘッド３００の製造方法について説明する。
【００９９】
ここで、図１０（ａ）〜図１４（ａ），図２６（ａ）、図２８（ａ）、図３２（ａ）〜図３７（ａ）は、薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程における図１に対応した断面図である。また、図１０（ｂ）〜図１４（ｂ）、図２６（ｂ），図２８（ｂ）、図３２（ｂ）〜図３７（ｂ）は、同じく図２に対応した正面図である。図１５〜図２０、図２９は、薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程における積層体の要部を示す平面図である。図２１（ａ），図２１（ｂ）〜図２２（ａ），図２２（ｂ）はそれぞれ図１６〜図１９の２１ａ−２１ａ線、２１ｂ−２１ｂ線、２２ａ−２２ａ線、２２ｂ−２２ｂ線断面図である。図２３（ａ）、図２３（ｂ）〜図２５（ａ）、図２５（ｂ）、図２７、図３０〜図３１は薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。なお、各図において“ＡＢＳ”とは、ＡＢＳ３０が後に形成される予定ラインを示している。
【０１００】
まず、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板１を準備する。そして、図１０（ａ）、図１０（ｂ）に示すように、その基板１の上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなる絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３を順に形成する。絶縁層２を形成するときに加熱部８が形成される。
【０１０１】
次に、ＭＲ素子５をシールドするように絶縁材料を用いてシールドギャップ膜４を形成する。このとき、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードを形成し、ＭＲ素子５およびリードをシールドギャップ膜４で覆う。それから、磁性材料と絶縁材料とを用いてシールドギャップ膜４の上に上部シールド層６（第１のシールド部６ａ、絶縁部６ｂ、第２のシールド部６ｃ）を形成する。
【０１０２】
次に、上部シールド層６の上にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、上部シールド層６と、後に形成される記録ヘッドとを分離するための絶縁層７を形成する。絶縁層７を形成するときに感熱部９が形成される。これまでの工程で記録ヘッドを形成するための積層体が得られる。
【０１０３】
続いて、下部シールド層形成工程を実行することによって下部シールド層４０を形成する。本実施の形態において、下部シールド層形成工程は、後述する第１の下部シールド部形成工程と、下部シード層形成工程と、第２の下部シールド部形成工程とを有している。
【０１０４】
そして、下部シールド層４０を形成するときは、まず、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の磁性材を用いて連結シールド部４３を形成するための磁性層（厚さは０．６μｍ程度）を形成して、積層体表面に絶縁層を形成し、化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）によって積層体表面の平坦化を行う。すると、対向絶縁層１７と連結シールド部４３が形成される。このとき、連結シールド部４３はＡＢＳ３０から０．３μｍ〜１μｍ（本実施の形態では、０．５μｍ程度）離して形成する。
【０１０５】
続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の絶縁層１８（膜厚は０．１μｍ〜０．３μｍ程度）を形成する。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、絶縁層１８を選択的に開口する。
【０１０６】
次に、接続シールド部形成工程を実行する。この工程では、フレームめっき法により、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて接続シールド部４１，第１の後側シールド部４４を厚さ１〜１．５μｍ程度で形成する。
【０１０７】
次に、図１１（ａ）、図１１（ｂ）に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層１９（膜厚は０．０２μｍ〜０．３μｍ程度、好ましくは０．１μｍ〜０．２μｍ程度）をアトミックレイヤー法によるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で積層体の表面全体に形成する。絶縁層１９は、接続シールド部４１、第１の後側シールド部４４を被覆するように形成される。
【０１０８】
それから、導体層形成工程を実行して導体層７０を形成する。導体層７０は、下部薄膜コイル１１を形成するために形成する。この工程では、まず、フレームめっき法によって、接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４との間に導体層７０を形成する。導体層７０は、２つの間隙部７０ａを備え、かつ絶縁層１９を介して接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４とに隙間なく接触するようにして形成する。導体層７０は間隙部７０ａを備えているから間欠導体層である。
【０１０９】
次に、図１２（ａ）、図１２（ｂ）に示すように、導体層７０における２つの間隙部７０ａを埋めるようにフォトレジスト層８０（膜厚は１．５μｍ〜２．５μｍ程度）を形成する。次いで、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて積層体の表面をカバーし得る絶縁膜２０を３μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。それから、接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。
【０１１０】
すると、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示すように、下部薄膜コイル１１が形成される。また、接続シールド部４１よりもＡＢＳ３０側に対向絶縁層２０も形成される。
【０１１１】
続いて、図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層２１（膜厚は０．３μｍ〜０．７μｍ程度）を形成する。その後、この絶縁層２１を選択的に開口する。
【０１１２】
ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって、開口した部分に重ねて下部前側シールド部４２と、第２の後側シールド部４５とをともに厚さ０．５μｍ〜１．２μｍ程度で形成する。その後、積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。
【０１１３】
それから、図２６（ａ）、図２６（ｂ）に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いてベース絶縁層２４を形成する。ベース絶縁層２４を形成するときに加熱部２３が形成される。その後、ベース絶縁層２４を選択的に開口する。
【０１１４】
次に、第１の下部シールド部形成工程を実行してリーディングシールド部４７を形成する。この場合、図１５に示すように、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてフレームめっき法により、下部シールド予定領域４７Ｂにリーディングシールド部４７を厚さ０．５μｍ〜１．０μｍ程度で形成する。下部シールド予定領域４７Ｂは後述する予定ラインを含む領域であり、図２６に示すように、開口した部分のＡＢＳ３０側に配置されている。また、開口した部分のＡＢＳ３０から離れた部分には第３の後側シールド部４６が形成される。
【０１１５】
すると、図１５に示すように、積層体の上面にリーディングシールド部４７が形成される。ただし、この時点では、まだ、ＡＢＳ３０が形成されていない。そのため、積層体の表面には、図１５に示すように予定ラインを想定することができる。図１５において、点線で示されたライン（“ＡＢＳ”で示されるライン）が予定ラインを示している。予定ラインは、後に形成されるＡＢＳ３０に沿った直線上に形成されている。この時点のリーディングシールド部４７は、予定ラインを含み、完成時点では除去されてしまう部分も含まれているので、完成時点よりも大きい大きさを有している。
【０１１６】
次に、下部シード層形成工程を実行することによって、部分下部シード層９１を形成する。本実施の形態において、下部シード層形成工程は、後述するワイド下部シード層形成工程と、下部シード層除去工程とを有している。
【０１１７】
そして、ワイド下部シード層形成工程では、図１６に示すように、積層体の上面にワイド下部シード層９１Ａを形成する。ワイド下部シード層９１Ａは、後にサイドシールド部４７Ａを電解めっきによって形成するときに下地として用いられる金属層である。ワイド下部シード層９１Ａは、積層体の上面の、後述する下部除外ゾーン９２Ａ１および下部形成ゾーン９２Ｂ上に配置されている。
【０１１８】
続いて、下部シード層除去工程を実行する。この工程では、図１７に示すようにワイド下部シード層９１Ａのうちの被除外下部シード層９１Ｂをエッチング等によって除去する。被除外下部シード層９１Ｂは図１６のドットを付された部分に対応している。被除外下部シード層９１Ｂは、ワイド下部シード層９１Ａのうちの下部除外ゾーン９２Ａ１上に形成された部分に対応している。被除外下部シード層９１Ｂが除去されたことによって、ワイド下部シード層９１Ａは部分下部シード層９１になる。被除外下部シード層９１Ｂを除去したときの積層体を予定ラインに沿って切断すると、図２４（ａ）に示すように、その切断面の背後にある部分下部シード層９１の端面９１ａが視認される。
【０１１９】
そして、下部シード層除去工程では、図１７に示すように、下部除外ゾーン９２Ａ１が予定ラインの全体を含むＡＢＳ３０に沿った帯状の領域に設定されている。また、図２１（ｂ）にも示すように、下部除外ゾーン９２Ａ１として、除外スタートラインＳ１から、奥行き方向に沿った奥行きＤ１を有する矩形状の領域を確保している（奥行きＤ１は奥行きＤ２よりも大きいので、Ｄ１＞Ｄ２）。奥行き方向とは、基板１上の（詳しくは積層体の表面上の）後に上部薄膜コイル５１が形成される位置に向かってＡＢＳ３０から離れる方向を意味している。除外スタートラインＳ１は、予定ラインよりも外側に（奥行き方向とは反対方向に向かって）例えば０．０１〜０．１μｍ程度移動した部分に設定されている。
【０１２０】
下部シード層除去工程が実行されたことにより、リーディングシールド部４７の表面のうちの予定ラインの全体を含む領域からシード層が除去され、シード層の存在しない領域（前述した下部不存在ゾーン９２Ａ２よりもやや広い領域）が予定ラインに沿って形成されている。この時点で、リーディングシールド部４７の予定ライン全体を含む領域において、表面がシード層によって覆われることなく露出している。
【０１２１】
次に、第２の下部シールド部形成工程を実行して、図１８、図２２（ａ）、図２４（ｂ）に示すように、サイドシールド部４７Ａ、４７Ａを形成する。この場合、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって、下部シールド予定領域４７Ａにサイドシールド部４７Ａ、４７Ａを厚さ０．５μｍ〜１．０μｍ程度で形成する。図１８において、ドットの付された部分がサイドシールド部４７Ａ、４７Ａに対応している。
【０１２２】
この場合、下部シード層除去工程が実行された後でも、下部シールド予定領域４７Ａの一部に部分下部シード層９１が形成されている。そのため、その部分下部シード層９１を下地とするめっき膜の成長によって、部分下部シード層９１上にサイドシールド部４７Ａ、４７Ａが形成される。
【０１２３】
なお、サイドシールド部４７Ａ、４７Ａは、図１８に示す極細領域９５には形成されていない。極細領域９５は、後に主磁極層２６の磁極端面２６ａが配置される幅の狭い領域を意味している。
【０１２４】
続いて、図１９、図２５（ａ）に示すように，ベース絶縁層２４およびサイドシールド部４７Ａ、４７Ａを被覆するようにして非磁性薄膜２５を形成する。非磁性薄膜２５はＲｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の非磁性金属材料や、アルミナ等の絶縁材料を用いてスパッタリングによって形成する。非磁性薄膜２５は極細領域９５にも形成される。
【０１２５】
ここで、図１８、図２２（ａ）に示すように、極細領域９５には、サイドシールド部４７Ａ、４７Ａの側面が出現している。その側面上、および極細領域９５内の部分下部シード層９１上にも非磁性薄膜２５が形成される。そのため、極細領域９５を通る奥行き方向に沿った積層体の断面を図示すると、図２２（ｂ）に示すように、その断面に非磁性薄膜２５の表面および断面が出現する。
【０１２６】
続いて、図２８（ａ）、図２８（ｂ）に示すように、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっきによって０．４〜０．８μｍ程度の厚さで磁性層７５を形成する。この磁性層７５によって後に主磁極層２６が形成される。
【０１２７】
その後、積層体の表面に例えばスパッタリングにより、Ｒｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の金属材料を用いて非磁性層７７（厚さは約０．０４〜０．１μｍ程度）を形成する。非磁性層７７は後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２７となる。さらに、積層体の表面全体に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン酸化物等の無機絶縁材料を用いて非磁性層７８（厚さは約０．１〜０．３μｍ程度）を形成する。非磁性層７８は、後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２８となる。
【０１２８】
続いて、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン８１をＡＢＳ３０の近傍に形成する。
【０１２９】
次に、レジストパターン８１をマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性層７８の一部を除去する。この場合のエッチングは、エッチングによって形成された溝の底部が非磁性層７７の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。そのため、非磁性層７８には、非磁性層７７と比べて非磁性層７８をエッチングする際のエッチングレートの小さい材料を用いる。
【０１３０】
それからレジストパターン８１を除去する。続いて、残された非磁性層７８をマスクに用いて例えばＩＢＥによって、非磁性層７７の一部をエッチングして除去する。さらに、残された非磁性層７７をマスクに用いて例えばＩＢＥにより、磁性層７５の一部をエッチングして除去する。この工程を経ることによって、磁性層７５のＡＢＳ側に上傾斜面２６ｃが形成され、図２５（ｂ）に示すように、主磁極層２６が形成される。
【０１３１】
続いて、図２７、図３２（ａ）、図３２（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料、好ましくは、Ｒｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いてスパッタ法またはＣＶＤによってギャップ層２９（厚さは約２５０Å〜３５０Å程度）を形成する。
【０１３２】
さらに、例えばスパッタ法により図示しないストッパ膜を形成し、その上に非磁性膜を形成する。その上で、積層体の表面全体に図示しないフォトレジストを塗布する。そして、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図示しないレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクに用いて、例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性膜をエッチングする。このエッチングはエッチングによって形成された溝の底部がストッパ膜の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。それから、図示しないレジストパターンを除去した後、残された非磁性膜をマスクに用いてＲＩＥ等のエッチングを行い、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去する。ここで、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去することによって、上部ヨーク層６５を形成するためのスペースを確保している。
【０１３３】
続いて、上部シールド層形成工程を実行することによって、ライトシールド層６０を形成する。本実施の形態において、上部シールド層形成工程は、後述する第１の上部シールド部形成工程と、第２の上部シールド部形成工程と、連結シールド部形成工程と、トリミング工程とを有している。
【０１３４】
まず、第１の上部シールド部形成工程を実行することによって、対向シールド部６１を形成する。この工程では、まず、ワイド上部シード層形成工程を実行することによって、図２９、図３０に示すように、ワイド上部シード層９３を積層体の表面の主磁極層２６上に形成する。続いて、このワイド上部シード層９３を下地とする電解めっきを行い、積層体の表面に磁性層を形成する。この磁性層は、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ，ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて、０．５〜１．２μｍ程度の厚さで形成する。この磁性層によって、後に対向シールド部６１および上部ヨーク層６５が形成される。
【０１３５】
続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層（厚さは１〜３μｍ程度）を形成する。さらに、磁性層の表面が露出するまで積層体の表面全体をＣＭＰにより研磨して積層体表面の平坦化を行う。すると、図３１、図３２（ａ），図３２（ｂ）に示すように、対向シールド部６１、上部ヨーク層６５および絶縁層３１が形成される。このとき、対向シールド部６１の厚さが０．５〜１．０μｍ程度になるようにして積層体の表面を研磨する。
【０１３６】
次に、第２の上部シールド部形成工程を実行する。この工程では、図３３（ａ），図３３（ｂ）に示すように、積層体の表面のうちの上部前側シールド部６２と後側シールド部６４とを形成しようとする部分にそれぞれトリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４とを形成する。このとき、トリム前前側シールド部６２ＡがＡＢＳ３０内に配置されるので、本発明の実施の形態に係る第２の上部シールド部に対応している。第２のシールド部形成工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてトリム前前側シールド部６２Ａおよび後側シールド部６４を例えばフレームめっき法によって形成する。このとき、トリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４との間隔が３．０μｍから３．５μｍ程度となるようにする。
【０１３７】
そして、トリム前前側シールド部６２Ａは対向シールド部６１に接続され、かつＡＢＳ３０内に配置されるように形成する。トリム前前側シールド部６２Ａは、図７の上側に示したような形状を有している。このトリム前前側シールド部６２Ａでは、前端面６２ａのすべてがＡＢＳ３０内に配置されている。
【０１３８】
それから、図３４（ａ），図３４（ｂ）に示すように、積層体の表面における第１のシールド部（トリム前前側シールド部６２Ａ）と後側シールド部６４との間に導体層７１を形成する。この導体層７１によって、後に上部薄膜コイル５１が形成される。導体層７１は２つの間隙部７１ａを備え、かつ第１のシールド部（トリム前前側シールド部６２Ａ）と後側シールド部６４に層間絶縁膜３２を介して隙間なく接触するようにして形成する。導体層７１は、間隙部７１ａを備えているから間欠導体層である。
【０１３９】
その後、導体層７１における２つの間隙部７１ａを覆うようにフォトレジスト層５５（膜厚は２μｍ〜３μｍ程度）を形成し、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて積層体の表面をカバーし得る図示しないカバー絶縁膜を３μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。それから、トリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。
【０１４０】
すると、図３５（ａ），図３５（ｂ）に示すように、上部薄膜コイル５１およびフォトレジスト層５５が形成される。このとき、上部薄膜コイル５１の厚さが１．０μｍ〜１．８μｍ程度となるように、積層体表面の平坦化を行う。また、積層体表面の平坦化が行われたことによって、前述した共通平坦面５９が形成される。
【０１４１】
続いて、図３６（ａ），図３６（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層３４を形成し、絶縁層３４を部分的に開口する。その後、連結シールド部形成工程を実行する。この工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって連結シールド部６３を形成する。連結シールド部６３は、トリム前シールド部６２Ａに接続されるように形成する。連結シールド部６３は、絶縁層３４を介して上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐようにして形成する。
【０１４２】
また、連結シールド部６３は前端面３０ｈから後退させて（ＡＢＳ３０からも後退させて）ＡＢＳ３０から離れた位置に形成する。すなわち、ＡＢＳ３０との間に後退スペース６３ｈが確保されるような位置に連結シールド部６３を形成する。後退スペース６３ｈはＡＢＳ３０に沿った例えば０．４μｍから０．７μｍ程度の幅を有し、かつ連結シールド部６３と同じ高さを備えた細長い部分になる。
【０１４３】
次に、トリミング工程を実行する。この工程では、図３７（ａ），図３７（ｂ）に示すように、連結シールド部６３をマスクに用いてイオンビームＩＢを上方向から照射してＩＢＥを行い、トリム前前側シールド部６２Ａの連結シールド部６３によって被覆されていない部分を切除する。トリム前前側シールド部６２Ａは、連結シールド部６３によってＡＢＳ３０側部分が被覆されていないので、ＩＢＥを行うとトリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０側の一部分が切除される。このとき、ＩＢＥは、トリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０内に配置されるトリム前前端面６２ａの一部を残すようにして実行する。こうすることで、図７に示したように、トリム前前端面６２ａのうち、切除されずに残された部分によって前述したシールド前端面６２ｂが形成される。さらに、ＩＢＥは前述の後退傾斜構造を備えたシールド接続部６２ｃが出現するようにして実行する。
【０１４４】
前述のトリミング工程では、連結シールド部６３自体をマスクに用いているが、連結シールド部６３を用いる代わりに連結シールド部６３の上面をカバーするフォトレジスト等のマスクを用いてもよい。すなわち、連結シールド部６３と大きさの等しいマスクをフォトレジスト等を用いて連結シールド部６３の上面に形成し、そのマスクを用いて、トリム前前側シールド部６２Ａの連結シールド部６３によって被覆されていない部分を切除してもよい。
【０１４５】
また、エッチングに用いるガスプラズマの化学的な作用が伴うと、トリム前前側シールド部６２Ａの垂直方向（図３７の縦方向）だけでなく、水平方向（（図３７の横方向）にもエッチングが進行するおそれがある。そのため、トリミング工程では、ノンリアクティブなＩＢＥ、すなわち、イオンミリングを行うことが好ましい。不活性なイオンを照射したときの物理的な衝撃を利用して行うエッチングをリアクティブイオンエッチングと区別するため、イオンミリングともいう。
【０１４６】
続いて、図１に示したように変位抑制層８５を形成する。それから、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて変位抑制層８５をカバーするようにして保護絶縁層９０を形成する。その後、前端面３０ｈに対する研磨加工や機械加工を行い、ＡＢＳ３０を形成すると、薄膜磁気ヘッド３００が完成する。
【０１４７】
保護絶縁層９０は、シールド接続部６２ｃの全体に接し、かつシールド接続部６２ｃとＡＢＳ３０との間に隙間なく埋め込まれるように形成する。
【０１４８】
（薄膜磁気ヘッド３００の作用効果）
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００はリーディングシールド部４７と、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａとが重なった多重シールド層を有する。そのサイドシールド部４７Ａ，４７Ａが部分下部シード層９１を介してリーディングシールド部４７上に形成されている。この部分下部シード層９１は、下部形成ゾーン９２Ｂだけに配置される部分配置構造を有し、ＡＢＳ３０から後退している。そのため、ＡＢＳ３０のリーディングシールド部４７とサイドシールド部４７Ａ，４７Ａとの接合部分には、部分下部シード層９１が出現していない。
【０１４９】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、リーディングシールド部４７とサイドシールド部４７Ａ，４７Ａとの間に下部不存在ゾーン９２Ａ２が形成され、部分下部シード層９１の端面９１ａがＡＢＳ３０に出現することなく下部不存在ゾーン９２Ａ２に出現している（図３１参照）。
【０１５０】
リーディングシールド部４７と、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａとは、主として電解めっきによって形成されているため、磁性材の結晶の方向が共通している。しかし、部分下部シード層９１はスパッタリング等によって形成されているため、リーディングシールド部４７およびサイドシールド部４７Ａ，４７Ａとは、磁性材の結晶の方向が異なり、磁気特性が異なっている。
【０１５１】
ところが、薄膜磁気ヘッド３００では、部分下部シード層９１が部分配置構造を有しているため、ＡＢＳ３０のリーディングシールド部４７とサイドシールド部４７Ａ，４７Ａとの間に、これらとは磁気特性の異なるシード層が存在していない。そのため、磁極端面２６ａから放出された磁束のうちのトラック幅方向の広がる成分がリーディングシールド部４７またはサイドシールド部４７Ａ，４７Ａによって吸収されずに残る現象（本実施の形態において、この現象を磁束の残留ともいう）が発生し難い。
【０１５２】
したがって、リーディングシールド部４７またはサイドシールド部４７Ａ，４７Ａによって吸収されずに残る磁束によって、記録媒体に記録されているデータが消去されたり、書きかえられる現象は発生し難い。
【０１５３】
このように、薄膜磁気ヘッド３００は、多重シールド層を有し、それがＡＢＳ３０に配置されているが、その多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善することができる。
【０１５４】
一方、シード層をＡＢＳ３０から部分的に後退させるだけでも、磁束の残留を防止する効果が得られる。しかし、磁束の残留をより確実に防止するためには、薄膜磁気ヘッド３００のように、下部不存在ゾーン９２Ａ２をＡＢＳ３０の幅方向全体にわたる帯状の領域に設定することが好ましい。このようにすると、部分下部シード層９１の端面９１ａのすべての部分が下部不存在ゾーン９２Ａ２に出現し、ＡＢＳ３０には出現しなくなる。そのため、リーディングシールド部４７と、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａとの間に、それらとは磁気特性が異なるシード層が一切存在していない構造が得られる。こうすると、確実に磁束の残留を防止することができるから、ＡＴＥやＷＡＴＥをより確実に改善することができる。
【０１５５】
一方、薄膜磁気ヘッド３００は、対向シールド部６１と、連結シールド部６３との間に配置される磁性層として、上部前側シールド部６２だけが形成されている。そのため、対向シールド部６１と連結シールド部６３との間に、２つの磁性層が形成されている場合に比べて、薄膜磁気ヘッド３００は、上下方向に沿った磁路の長さが短くなり、その分、磁路長を短縮することができる。
【０１５６】
よって、薄膜磁気ヘッド３００は記録ヘッドの磁束立ち上がり時間（Flux Rize Time）や、非線形トランジションシフト（Non-linear Transition Shift:NLTS)特性、重ね書き(Over Write)特性等を改善でき、周波数が高く変化の速い記録信号のすばやい変化に追従することが可能になる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、特にサーバに搭載されるハードディスク装置の記録ヘッドとして好適である。
【０１５７】
その上、上部前側シールド部６２は、ＡＢＳ３０から、層間絶縁膜３２を介して上部薄膜コイル５１に到達し得るだけの横幅を有している。そのため、ライトシールド層６０が異距離構造を有しているにもかかわらず、上部前側シールド部６２は対向シールド部６１と連結シールド部６３の双方に確実に接続されている。したがって、主磁極層２６に対向する対向シールド部６１と、上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐ連結シールド部６３とが１本につながり、１本につながった磁気回路を形成することができる。なお、異距離構造とは、対向シールド部６１がＡＢＳ３０内に配置され、かつ連結シールド部６３がＡＢＳ３０から後退していることによって、対向シールド部６１、連結シールド部６３それぞれのＡＢＳ３０からの距離が異なっている構造を意味している。
【０１５８】
ここで、ライトシールド層６０が異距離構造を有しているなかで、上部前側シールド部６２によって対向シールド部６１と連結シールド部６３の双方を確実に接続するための構造を考える。トリム前前側シールド部６２Ａのように、前端面のすべての部分がＡＢＳ３０内に配置されているときに上端面と下端面の大きさが最大になるから、前述の構造を実現するためには、トリム前前側シールド部６２Ａのように前端面のすべてがＡＢＳ３０内に配置されていることが望ましい。
【０１５９】
しかし、そうすると、トリム前前端面６２ａがＡＢＳ３０に大きく露出してしまう。上部前側シールド部６２もトリム前前側シールド部６２Ａも、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ、ＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材により形成されている。そのため、トリム前前側シールド部６２Ａのようにトリム前前端面６２ａの全体がＡＢＳ３０に露出していると、上部薄膜コイル５１の発熱によってフォトレジスト層５５が膨張したときの影響をトリム前前側シールド部６２Ａがより強く受けてしまう。
【０１６０】
フライングハイトは極めて微小なので、トリム前前端面６２ａの限られた微小部分が突出しただけでも、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生してしまう可能性がある。トリム前前端面６２ａの全体がＡＢＳ３０に露出しているということは、突出の対象となりえるそのような微小部分がＡＢＳ３０内にたくさん存在しているということを意味し、それだけ、記録媒体に衝突し得る突出の態様が多く、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生しやすいということを意味している。
【０１６１】
そこで、薄膜磁気ヘッド３００では、図７の下側に示したような構造の上部前側シールド部６２を形成している。こうして、ＡＢＳ３０に露出する部分がシールド前端面６２ｂになるようにしている。
【０１６２】
そして、上部前側シールド部６２では、シールド上端面６２ｆがシールド前端面６２ｂよりも基板１から離れた位置に配置されていて、そのシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを接続するシール接続部６２ｃを上部前側シールド部６２が有している。このような構造では、シールド上端面６２ｆがＡＢＳ３０に到達している場合、すなわち、図７の上側に示したようなトリム前前側シールド部６２ＡよりもＡＢＳ３０内に配置される前端面の大きさが小さくなる。そのため、上部前側シールド部６２を有することによって、薄膜磁気ヘッド３００が記録媒体と衝突する事態を抑制できるようになる。
【０１６３】
よって、薄膜磁気ヘッド３００では、特に上部薄膜コイル５１の発熱に伴いライトシールド層６０が突出することを抑制することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドの突出に伴う破損のおそれが極めて少なくなるから、記録メディアに接近させることができる。
【０１６４】
そして、薄膜磁気ヘッド３００は、図示しないスライダに組み込まれるが、そのスライダの記録媒体表面からの浮上量（フライングハイト）を縮小することができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドおよび再生ヘッドの解像度（resolution）を高め、信号対雑音比を向上させることができる。また、薄膜磁気ヘッド３００は、記録密度を高めることができる。
【０１６５】
一方、上部前側シールド部６２は、連結シールド部６３を形成した後、連結シールド部６３が接触していないＡＢＳ３０側の一部分を切除することによって形成されている。そのため、ＡＢＳ３０に露出する部分が小さいにもかかわらず、シールド上端面６２ｆが確実に確保されており、上部前側シールド部６２と連結シールド部６３とが確実に接続され得る構造となっている。
【０１６６】
また、上部前側シールド部６２のＡＢＳ３０側を切除する際、シールド前端面６２ｂが確保され、トリム前前端面６２ａのすべてが切除されることなくその一部がシールド前端面６２ｂとして残るようにしている。トリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０側を切除する際、シールド前端面６２ｂが確保されなくなるまでＩＢＥを進めると、シールド下端面６２ｒまでもが切除されるおそれがある。この場合、対向シールド部６１に接続される部分が小さくなってしまい、対向シールド部６１と、上部前側シールド部６２との接続が不十分になるおそれがある。しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、そのようなおそれは皆無である。
【０１６７】
そして、上部前側シールド部６２はシールド接続部６２ｃを有しているが、このシールド接続部６２ｃは傾斜構造を有している。そのため、上部前側シールド部６２は前述の上方向からのＩＢＥによって確実に形成できる構造を有している。傾斜構造を有していない場合、例えば、シールド前端面６２ｂからシールド上端面６２ｆにつながる表面部分がＳ字状に屈曲していると、ＩＢＥによって、上部前側シールド部６２を形成するのは困難である。しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、そのようなおそれは皆無であり、上方向からのＩＢＥによって確実に上部前側シールド部６２を形成することができる。
【０１６８】
また、シールド接続部６２ｃは後退傾斜構造を有しているため、後退傾斜構造を有していない場合に比べて上部前側シールド部６２の体積が縮減されている。したがって、上部前側シールド部６２が突出する可能性がいっそう抑制されている。
【０１６９】
さらに、シールド接続部６２ｃは横平坦部６２ｃ１を有している。横平坦部６２ｃ１は、概ねＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。したがって、横平坦部６２ｃ１を有していない場合よりも、保護絶縁層９０の埋込部９０ａから縦方向に受ける圧力をシールド接続部６２ｃがより確実に受け止めることができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００では、保護絶縁層９０の埋め込み状態が安定化している。
【０１７０】
しかも、シールド接続部６２ｃは縦平坦部６２ｃ２を有している。縦平坦部６２ｃ２は、概ねＡＢＳ３０に沿って形成されている。したがって、上部前側シールド部６２は、トリム前前側シールド部６２Ａに対する上方向からのＩＢＥ等によって確実に形成できる構造となっている。
【０１７１】
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００は、磁路長を短縮することができ、しかもＡＢＳ３０の一部が突出することを抑制できるから、媒体対向面の一部が突出することを抑制することと、磁路長の短縮とを両立できる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなくＡＢＳ３０の一部の突出を抑制できるようになっている。
【０１７２】
そして、下部薄膜コイル１１、上部薄膜コイル５１が上述のような可変幅構造を有しているから、電流の流れを妨げることが少なく、抵抗値の上昇を抑制することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、下部薄膜コイル１１、上部薄膜コイル５１の熱の発生を効果的に抑制することができる。
【０１７３】
（変形例１）
薄膜磁気ヘッド３００は、前述した上部前側シールド部６２の代わりに図８（ａ）に示すような上部前側シールド部６２Ｂを有していてもよい。上部前側シールド部６２Ｂは上部前側シールド部６２と比べてシールド接続部６２ｃの代わりにシールド接続部６２ｄを有する点で相違している。シールド接続部６２ｄは、シールド接続部６２ｃと比べて横平坦部６２ｃ１を有していない点で相違している。
【０１７４】
また、薄膜磁気ヘッド３００は、上部前側シールド部６２の代わりに図８（ｂ）に示すような上部前側シールド部６２Ｄを有していてもよい。上部前側シールド部６２Ｄは上部前側シールド部６２と比べてシールド接続部６２ｃの代わりにシールド接続部６２ｅを有する点で相違している。シールド接続部６２ｅは、シールド接続部６２ｃと比べて縦平坦部６２ｃ２を有していない点で相違している。
【０１７５】
上部前側シールド部６２Ｂを有する場合、上部前側シールド部６２Ｄを有する場合のいずれも、ＡＢＳ３０内にシールド前端面６２ｂが配置され、ＡＢＳ３０内に露出している部分の大きさがトリム前前側シールド部６２Ａよりも縮減されている。そのため、トリム前前側シールド部６２Ａよりも、上部前側シールド部６２Ｂ、６２Ｄが突出する可能性は確実に抑制されている。したがって、上部前側シールド部６２Ｂを有する場合、上部前側シールド部６２Ｄを有する場合のいずれも媒体対向面の一部の突出を抑制することと、磁路長の短縮とを両立することができる。
【０１７６】
（変形例２）
前述した実施形態では、ワイド下部シード層形成工程と、下部シード層除去工程とを実行することによって、部分下部シード層９１を形成している。すなわち、積層体の表面にワイド下部シード層９１Ａを形成したのち、そのワイド下部シード層９１Ａの不要な部分を除去することによって、部分下部シード層９１を形成している。
【０１７７】
しかしながら、部分下部シード層９１は、次のようにして形成することもできる。すなわち、フォトレジスト等を用いて下部除外ゾーン９２Ａ１に予めマスクを形成しておき、それからスパッタリングを行い、その後、マスクを除去する。こうすることで、必要とされる領域にだけシード層が形成されるため、その形成されたシード層を部分下部シード層９１とすることができる。こうすると、シード層の不要な部分を除去する必要がなくなるので、シード層の材料の無駄を防止することができる。
【０１７８】
第２の実施の形態
前述した薄膜磁気ヘッド３００はライトシールド層６０を有し、そのライトシールド層６０は対向シールド部６１を有していた。対向シールド部６１は、主磁極層２６上のワイド上部シード層９３上に形成されている。しかしながら、ワイド上部シード層９３は部分下部シード層９１のような部分配置構造を有していない。そのため、図３０、図３１に示したように、ＡＢＳ３０にワイド上部シード層９３が出現していた。
【０１７９】
このような薄膜磁気ヘッド３００の場合、主磁極層２６よりも基板１側の磁束の残留（下部残留ともいう）を防止できたしても、主磁極層２６よりも基板１から離れた側の磁束の残留（上部残留ともいう）を防止できないおそれがある。
【０１８０】
そこで、上部残留を防止するためには、主磁極層２６よりも基板１から離れた側についても部分配置構造を有するシード層を形成することが好ましい。例えば、前述したワイド上部シード層９３の代わりに、図３８に示す部分上部シード層９３Ａを形成することが好ましい。
【０１８１】
この部分上部シード層９３Ａは主磁極層２６と、対向シールド部６１との間の、ごく薄い厚さを有する上部薄膜状空間のうちの部分的な領域にだけ形成されている。また、部分上部シード層９３Ａの全体がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【０１８２】
部分上部シード層９３Ａは後述する上部形成ゾーン９４Ｂ上だけに配置された部分配置構造を有している。上部形成ゾーン９４Ｂは、ＡＢＳ３０の形成前の段階において、積層体の表面のうちの上部除外ゾーン９４Ａ１を除いた領域に対応している。ＡＢＳ３０の形成後の段階では、積層体の表面のうちの上部不存在ゾーン９４Ａ２を除いた領域に対応し、ＡＢＳ３０から後退している。本実施の形態では、上部不存在ゾーン９４Ａ２が下部不存在ゾーン９２Ａ２と形状が等しく大きさも等しい領域に設定されている。
【０１８３】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、この上部不存在ゾーン９４Ａ２の表面からシード層がすべて除去されている。上部不存在ゾーン９４Ａ２は、前述した上部薄膜状空間に配置されていて、この上部不存在ゾーン９４Ａ２に部分上部シード層９３Ａの端面９３ａが出現している。端面９３ａはＡＢＳ３０には出現していない（図４０参照）。
【０１８４】
薄膜磁気ヘッド３００が部分上部シード層９３Ａを有するときは、前述した上部シールド層形成工程において、後述する上部シード層形成工程を実行する。また、第１の上部シールド部形成工程において、部分上部シード層９３Ａ上に対向シールド部６１を形成する。さらに、上部シード層形成工程では、ワイド上部シード層形成工程と、上部シード層除去工程とを実行する。
【０１８５】
そして、ワイド上部シード層形成工程を第１の実施の形態の場合と同様に実行することによって、第１の実施の形態の場合と同様のワイド上部シード層９３を形成する。次に、上部シード層除去工程を実行することによって、図３９に示したように、ワイド上部シード層９３のうちの被除外上部シード層（図示せず）を除去する。被除外上部シード層は、ワイド上部シード層９３のうちの上部除外ゾーン９４Ａ１上に形成されている部分に対応している。上部除外ゾーン９４Ａ１は、前述した下部除外ゾーン９２Ａ１と形状が等しく大きさも等しい領域に設定されている。
【０１８６】
以上のようにすることで、部分上部シード層９３Ａが得られる。その後は、上記同様の工程を得て、薄膜磁気ヘッド３００を製造する。
【０１８７】
この薄膜磁気ヘッド３００の場合、部分上部シード層９３Ａが部分下部シード層９１と同様の部分配置構造を有しているから、ＡＢＳ３０には部分上部シード層９３Ａが出現していない。したがって、この薄膜磁気ヘッド３００は、下部残留はもちろん、上部残留も確実に防止できる。そのため、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥをより確実に改善することができる。
【０１８８】
この薄膜磁気ヘッド３００の場合、主磁極層２６上に部分上部シード層９３Ａが存在しない構造になる。このような構造において、対向シールド部６１が主磁極層２６上に形成されるように、めっき膜の成長を促進するため、ギャップ層２９はＲｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いて形成し、メタルギャップ層にすることが好ましい。
【０１８９】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について、図４１を参照して説明する。
【０１９０】
図４１の（ａ）は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。また、図４１の（ｂ）はＨＧＡ２１０の裏面側を示す斜視図である。図４１（ａ）に示すように、ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（磁気記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbals Assembly）２１０とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、データの記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では４枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド３００に対向している。
【０１９１】
ハードディスク装置２０１は、アセンブリキャリッジ装置２０３によって、図４１（ｂ）に示すスライダ２０８をトラック上に位置決めする。このスライダ２０８に薄膜磁気ヘッド３００が形成されている。また、ハードディスク装置２０１は、複数の駆動アーム２０９を有している。各駆動アームは、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２０５によってピボットベアリング軸２０６を中心に回動し、ピボットベアリング軸２０６に沿った方向にスタックされている。そして、各駆動アームの先端にＨＧＡ２１０が取りつけられている。
【０１９２】
さらに、ハードディスク装置２０１は、記録再生を制御する制御回路（control circuit）２０４を有している。
【０１９３】
次に、ＨＧＡ２１０について図４１（ｂ）を参照して説明する。ＨＧＡ２１０は、サスペンション２２０の先端部分にスライダ２０８が固着されている。また、ＨＧＡ２１０では、配線部材２２４の一端部がスライダ２０８の端子電極に電気的に接続されている。
【０１９４】
そして、サスペンション２２０は、ロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の基部に設けられているベースプレート２２１と、ロードビーム２２２上の先端側からベースプレート２２１の手前側にかけて固着して支持され、弾性を備えたフレクシャ２２３と、配線部材２２４とを有している。配線部材２２４はリード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドを有している。
【０１９５】
ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を回転させると、スライダ２０８がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【０１９６】
このようなＨＧＡ２１０およびハードディスク装置２０１は薄膜磁気ヘッド３００を有しているから、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善することができる。
【０１９７】
なお、以上の各実施の形態では、変位抑制層を有する薄膜磁気ヘッドを例にとって説明しているが、本発明は、変位抑制層を有しない薄膜磁気ヘッドについても適用することができる。また、薄膜コイルが下部シールド層４０、ライトシールド層６０の周りに平面渦巻き状に巻回されているが、主磁極層２６の周りに螺旋状に巻回されていてもよい。
【０１９８】
以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができる。又、各実施形態における構成要素、機能、特徴あるいは方法ステップを適宜組み合わせて構成される装置又は方法も本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１９９】
本発明を適用することにより、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善することができる。本発明は垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法およびその薄膜磁気ヘッド並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において利用することができる。
【符号の説明】
【０２００】
１…基板、１１…下部薄膜コイル、２６…主磁極層、２６ａ…磁極端面、２９…ギャップ層、３０…ＡＢＳ、４０…下部シールド層、４１…接続シールド部、４２…下部前側シールド部、４２ａ…シールド端面、４７…リーディングシールド部、４７Ａ…サイドシールド部、４７Ｂ…下部シールド予定領域、５１…上部薄膜コイル、６０…ライトシールド層、６１…対向シールド部、６１ａ…シールド端面、６２…上部前側シールド部、６５…上部ヨーク層、９１…部分下部シード層、９１Ａ…ワイド下部シード層、９２Ａ１…下部除外ゾーン、９２Ｂ…下部形成ゾーン、９２Ａ２…下部不存在ゾーン、９３…ワイド上部シード層、９３Ａ…部分上部シード層、９４Ａ２…上部不存在ゾーン、９４Ｂ…下部形成ゾーン、２０１…ハードディスク装置、２０２…ハードディスク、２１０…ＨＧＡ、３００…薄膜磁気ヘッド。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法およびその薄膜磁気ヘッド並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は、大容量の記録容量を備え、ストレージ装置の中心として広く用いられている。ハードディスク装置は、薄膜磁気ヘッドによってハードディスク（記録媒体）に対するデータの記録再生を行う。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、長手磁気記録方式と垂直磁気記録方式とに分けることができる。長手磁気記録方式はハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向にデータを記録する方式であり、垂直磁気記録方式はハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する方式である。このうち、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手磁気記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手磁気記録方式よりも有望視されている。
【０００４】
ところで、従来、垂直磁気記録方式の磁気ヘッド（perpendicular
magnetic recording head：以下「ＰＭＲ」ともいう）は、磁極層と薄膜コイルとを有し、磁極層に薄膜コイルを巻き回した電磁石の構造を有している。
従来のＰＭＲは、例えば記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、主磁極層の内部を通る磁界を発生する薄膜コイルと、連結部を介して主磁極層に連結されているリターン磁極層とを有している。
【０００５】
一方、従来、主磁極層の近くにシールド層が形成されているＰＭＲが知られていた。例えば、特許文献１には、主磁極層のリーディング側にシールド層が形成されたＰＭＲが開示されている。このＰＭＲでは、主磁極層の磁極端部とともに、シールド層の端面が媒体対向面内に配置されている。また、特許文献２には主磁極層のトレーリング側にシールド層が形成されたＰＭＲが開示されている。このＰＭＲも、主磁極層の磁極端部とともに、シールド層の端面が媒体対向面内に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１５７３０３号公報
【特許文献２】特開２００８−９７８２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述した従来のＰＭＲでは、主磁極層の近くに形成されているシールド層によって、磁極端面から放出された磁束が記録媒体上の記録対象となる領域とは別の領域に到達しないようにすることができる。そのため、前述した従来のＰＭＲでは、記録対象となる領域とは別の領域に対する誤ったデータの記録や記録されているデータの消去といった不具合を低減することができる。
【０００８】
しかし、前述した従来のＰＭＲでは、シールド層が複数のシールド部を重ねた構造（このようなシールド層を多重シールド層ともいう）を有し、かかるシールド層が媒体対向面内において主磁極層の近くに形成されていたため、次のような課題が解決されていなかった。
【０００９】
すなわち、多重シールド層を形成するときは、例えば、めっき法によって第１のシールド部を形成した後、その第１のシールド部に重なるように第２のシールド部をめっき法によって形成する。そして、第２のシールド部を形成するときは第２のシールド部の下地となるシード層を第１のシールド部上に形成し、そのシード層上にめっき膜を成長させて第２のシールド部を形成する。
【００１０】
そして、第１のシールド部および第２のシールド部を形成するときは主に電解めっきが採用される。この場合、基板をめっき液中に浸漬し、そのめっき液中に電流を流すことによって、磁性材のめっき膜を基板上に成長させ、そのめっき膜によって第１のシールド部および第２のシールド部を形成する。
【００１１】
これに対し、シード層はスパッタリング等により、溶液を用いないドライ環境下で形成される。そのため、第１のシールド部および第２のシールド部と、シード層とはそれぞれ同じ磁性材を用いて形成されていても、結晶の方向が異なっている。
【００１２】
一般に、磁性材の磁気特性は結晶の方向によって異なり、透過しやすい磁束の方向が結晶の方向によって異なっている。そのため、媒体対向面において、第１のシールド部と第２のシールド部との間に、その両者とは磁気特性の異なるシード層が存在していると、磁極端面から放出された磁束の成分が吸収され難くなることがあった。
【００１３】
つまり、記録磁界に応じた磁束が磁極端面から放出された後、その磁束のうちのトラック幅方向等に広がる成分が第１のシールド部または第２のシールド部によって吸収されずに残りやすくなることがあった。そうすると、その残った磁束によって、データを記録するトラックに隣接するトラックや、データを記録するトラックから数μｍ〜数十μｍ程度離れた位置にあるトラックに記録されているデータが消去される現象が生じやすくなる（これらの現象は隣接トラック消去（ＡＴＥ）、広域トラック消去（ＷＡＴＥ）ともいう）。
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法およびその薄膜磁気ヘッド並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明は記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、主磁極層、下部シールド層または上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、下部シールド層を形成する下部シールド層形成工程が、以下の（１）から（３）までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）基板上の、媒体対向面が後に形成される媒体対向面に沿った予定ラインを含む下部シールド予定領域に、下部シールド層を構成する第１の下部シールド部を形成する第１の下部シールド部形成工程
（２）下部シールド層を構成する第２の下部シールド部を形成するための下部シード層を第１の下部シールド部上に形成するときに、予定ラインを含む下部除外ゾーンを除いた下部形成ゾーン上に配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層を形成する下部シード層形成工程
（３）部分下部シード層上に第２の下部シールド部を形成する第２の下部シールド部形成工程
【００１６】
上記製造方法によると、第２の下部シールド部を形成するときの下地となる部分下部シード層が部分配置構造を備えているから、部分下部シード層は予定ライン上には配置されない。そのため、予定ラインに沿って媒体対向面を形成すると媒体対向面に部分下部シード層が出現しないようにすることができる。
【００１７】
上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上部シールド層を形成する上部シールド層形成工程が以下の（４）から（５）までの各工程を有し、第１の上部シールド部形成工程において、第１の上部シールド部を部分上部シード層上に形成することが好ましい。
（４）上部シールド層を構成する第１の上部シールド部を形成するための上部シード層を主磁極層上に形成するときに、予定ラインを含む上部除外ゾーンを除いた上部形成ゾーン上に配置される部分配置構造を備えた部分上部シード層を形成する上部シード層形成工程
（５）第１の上部シールド部を形成する第１の上部シールド部形成工程
【００１８】
上記製造方法によると、第１の上部シールド部を形成するときの下地となる部分上部シード層が部分配置構造を備えているから、部分上部シード層も予定ライン上には配置されない。そのため、部分上部シード層も媒体対向面に出現しないようにすることができる。
【００１９】
また、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部シード層形成工程が以下の（６）から（７）までの各工程を有することが好ましい。
（６）部分下部シード層を形成するときに、基板を含む積層体の上面の下部除外ゾーンおよび下部形成ゾーン上に配置されるワイド下部シード層を形成するワイド下部シード層形成工程
（７）ワイド下部シード層のうちの下部除外ゾーン上に形成された被除外下部シード層を除去する下部シード層除去工程
【００２０】
上記製造方法によると、積層体の上面にワイド下部シード層を形成し、その後、被除外下部シード層を除去することによって、部分下部シード層が形成される。
【００２１】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上部シード層形成工程が以下の（８）から（９）までの各工程を有することが好ましい。
（８）部分上部シード層を形成するときに、基板を含む積層体の上面の上部除外ゾーンおよび上部形成ゾーン上に配置されるワイド上部シード層を形成するワイド上部シード層形成工程
（９）ワイド上部シード層のうちの上部除外ゾーン上に形成された被除外上部シード層を除去する上部シード層除去工程
【００２２】
上記製造方法によると、積層体の上面にワイド上部シード層を形成し、その後、被除外上部シード層を除去することによって、部分上部シード層が形成される。
【００２３】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、下部シード層形成工程において、下部除外ゾーンを予定ライン全体を含む媒体対向面に沿った帯状の領域に設定することが好ましい。
【００２４】
この製造方法によると、予定ライン上のすべての部分に部分下部シード層が配置されなくなるため、媒体対向面に部分下部シード層が一切出現しないようにすることができる。
【００２５】
また、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上部シード層形成工程において、上部除外ゾーンを予定ライン全体を含む媒体対向面に沿った帯状の領域に設定することが好ましい。
【００２６】
この製造方法によると、予定ライン上のすべての部分に部分上部シード層が配置されなくなるため、媒体対向面に部分上部シード層が一切出現しないようにすることができる。
【００２７】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、基板上の、薄膜コイルが形成される位置に向かって媒体対向面から離れる方向を奥行き方向としたときに、下部シード層形成工程において、下部除外ゾーンを予定ラインよりも外側から奥行き方向に沿って確保することが好ましい。
【００２８】
また、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、基板上の、薄膜コイルが形成される位置に向かって媒体対向面から離れる方向を奥行き方向としたときに、上部シード層形成工程において、上部除外ゾーンを予定ラインよりも外側から奥行き方向に沿って確保することが好ましい。
【００２９】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法の場合、上部シールド層を形成する上部シールド層形成工程が、以下の（１０）から（１３）までの各工程を有することが好ましい。
（１０）上部シールド層を構成する第１の上部シールド部を形成する第１の上部シールド部形成工程
（１１）薄膜コイルを構成する導体層の媒体対向面側に、上部シールド層を構成する第２の上部シールド部を第１の上部シールド部に接続され、かつ媒体対向面内に配置されるように形成する第２の上部シールド部形成工程
（１２）上部シールド層を構成する連結シールド部を第２の上部シールド部に接続され、かつ薄膜コイルを跨ぎ、さらに媒体対向面から離れるように媒体対向面から後退させて形成する連結シールド部形成工程
（１３）第２の上部シールド部の連結シールド部によって被覆されていない媒体対向面側の一部分を切除するトリミング工程
【００３０】
上記製造方法の場合、トリミング工程は、連結シールド部形成工程によって形成された連結シールド部をマスクに用いて、第２の上部シールド部の連結シールド部によって被覆されていない媒体対向面側の一部分を切除することが好ましい。
【００３１】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、主磁極層、下部シールド層または上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、下部シールド層を構成し、かつ第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、その下部シード層が、媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されている薄膜磁気ヘッドを提供する。
【００３２】
また、上記薄膜磁気ヘッドの場合、上部シールド層を構成し、かつ主磁極層上に形成されている第１の上部シールド部と、主磁極層と第１の上部シールド部の間に配置され、第１の上部シールド部をめっきにより形成するための上部シード層とを更に有し、その上部シード層が、媒体対向面から後退している上部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分上部シード層として形成されていることが好ましい。
【００３３】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの場合、第１の下部シールド部と第２の下部シールド部との間に下部シード層の存在しない下部不存在ゾーンが形成され、部分下部シード層の端面が媒体対向面に出現することなく下部不存在ゾーンに出現していることが好ましい。
【００３４】
主磁極層と第１の上部シールド部との間に上部シード層の存在しない上部不存在ゾーンが形成され、部分上部シード層の端面が媒体対向面に出現することなく上部不存在ゾーンに出現しているようにすることができる。
【００３５】
また、上記薄膜磁気ヘッドの場合、下部不存在ゾーンが媒体対向面から下部形成ゾーンまでの間の媒体対向面に沿った媒体対向面の幅方向全体にわたる帯状の領域に設定されていることが好ましい。
【００３６】
上部不存在ゾーンが媒体対向面から上部形成ゾーンまでの間の媒体対向面に沿った媒体対向面の幅方向全体にわたる帯状の領域に設定されているようにすることができる。
【００３７】
そして、本発明は、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、主磁極層、下部シールド層または上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、下部シールド層を構成し、かつ第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、その下部シード層が、媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されているヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００３８】
また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、主磁極層、下部シールド層または上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、下部シールド層を構成し、かつ第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、その下部シード層が、媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されているハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００３９】
以上詳述したように、本発明によれば、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法およびその薄膜磁気ヘッド並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドのＡＢＳを示す正面図である。
【図３】下部薄膜コイルを示す平面図である。
【図４】上部薄膜コイルを示す平面図である。
【図５】下部薄膜コイルの要部を示す平面図である。
【図６】対向シールド部、上部前側シールド部および連結シールド部の要部を示す斜視図である。
【図７】トリム前シールド部と上部前側シールド部とを示す側面図である。
【図８】上部前側シールド部の変形例を示し、（ａ）は横平坦部を有しない場合、（ｂ）は縦平坦部を有しない場合の側面図である。
【図９】図１の要部を示す断面図である。
【図１０】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１１】図１０の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１２】図１１の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１３】図１２の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１４】図１３の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１５】第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図１６】図１５の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図１７】図１６の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図１８】図１７の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図１９】図１８の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図２０】図１９の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図２１】（ａ）は図１６の２１ａ−２１ａ線断面図、（ｂ）は図１７の２１ｂ−２１ｂ線断面図である。
【図２２】（ａ）は図１８の２２ａ−２２ａ線断面図、（ｂ）は図１９の２２ｂ−２２ｂ線断面図である。
【図２３】（ａ）は、第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図、（ｂ）は、図２３（ａ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図２４】（ａ）は、図２３（ｂ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図、（ｂ）は、図２４（ａ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図２５】（ａ）は、図２４（ｂ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図、（ｂ）は、図２５（ａ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図２６】図１４の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２７】図２５（ｂ）の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図２８】図２６の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２９】第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図３０】図２７の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図３１】図３０の後続の工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図３２】図２８の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３３】図３２の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３４】図３３の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３５】図３４の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３６】図３５の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３７】図３６の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３８】第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図３９】図３８の後続の工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図４０】第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。
【図４１】（ａ）は本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図、（ｂ）はＨＧＡの裏面側を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
まず、図１〜図９を参照して本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００のエアベアリング面（以下「ＡＢＳ」という）と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図、図２は薄膜磁気ヘッド３００のＡＢＳ３０を示す正面図である。図３は下部薄膜コイル１１を示す平面図、図４は上部薄膜コイル５１を示す平面図である。図５は下部薄膜コイル１１の要部を示す平面図である。図６は対向シールド部６１、上部前側シールド部６２および連結シールド部６３の要部を示す斜視図である。図７は、トリム前シールド部６２Ａと上部前側シールド部６２とを示す側面図である。図８は、上部前側シールド部６２の変形例を示し、（ａ）は横平坦部を有しない場合、（ｂ）は縦平坦部を有しない場合の側面図である。図９は図１の要部を示す断面図である。
【００４２】
薄膜磁気ヘッド３００は、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、記録媒体に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ３０を有している。なお、以下では、薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、主要部以外の部分の構造は後述する製造工程の中で説明する。
【００４３】
再生ヘッドは、ＡＢＳ３０の近傍に配置された磁気的信号検出用のＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッドは、基板１上に形成されている絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３と、ＭＲ素子５をシールドしているシールドギャップ膜４とを有している。さらに、再生ヘッドは、シールドギャップ膜４の上に形成されている磁性材料からなる上部シールド層６と、上部シールド層６の上に形成されている絶縁層７とを有している。再生ヘッドは、記録ヘッドよりも基板１に近い位置に配置されている。
【００４４】
ＭＲ素子５は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子などの磁気抵抗効果を示す感磁膜によって構成されている。
【００４５】
上部シールド層６は中間に絶縁部６ｂを有している。また、絶縁部６ｂよりも下側に第１のシールド部６ａが形成され、上側に第２のシールド部６ｃが形成されている。
【００４６】
薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８が絶縁層２に形成されている。加熱部８はＤＦＨ（Disk
flying heater）とも呼ばれ、電流が流されることによって発熱し、その熱を上部シールド層６などに伝達させる機能を有している。また、感熱部９が絶縁層７に形成されている。感熱部９はＨＤＩ（Head Disk Interlayer）センサとも呼ばれる。感熱部９は上部シールド層６付近の熱（温度）を感知し、その感知した熱に応じて抵抗値が変化する素子を用いて形成されている。
【００４７】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８によって上部シールド層６や下部シールド層３を加熱する。上部シールド層６や下部シールド層３は加熱部８から受けた熱によって体積が膨張する。その結果、上部シールド層６や下部シールド層３が図１には図示しない記録媒体に接触したとすると、上部シールド層６や下部シールド層３のＡＢＳ３０付近が摩擦によって熱を帯びる。薄膜磁気ヘッド３００ではこの摩擦熱に伴う感熱部９の抵抗値の変化を検出することによって、上部シールド層６や下部シールド層３が記録媒体に接触したかどうかの判定が行われる。また、その判定結果に応じて加熱部８に流れる電流値を制御しながらフライングハイトを制御している。
【００４８】
記録ヘッドは、下部薄膜コイル１１と、主磁極層２６と、ギャップ層２９と、下部シールド層４０と、上部薄膜コイル５１と、ライトシールド層６０と、上部ヨーク層６５、変位抑制層８５および保護絶縁層９０を有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。
【００４９】
薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とによって一連の薄膜コイルが形成されている。下部薄膜コイル１１は、この一連の薄膜コイルのうちの主磁極層２６と基板１との間に配置されている部分に対応している。
【００５０】
図３に示すように下部薄膜コイル１１は３つのターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを有している。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆは後述する接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４との間に配置されている。下部薄膜コイル１１はターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆがフォトレジスト層１５を介して並んだ構造を有している。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆのうち、ターン部１１ｂがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているので、ターン部１１ｂが前側ターン部に対応している。ターン部１１ｆが後側ターン部に対応している。
【００５１】
そして、下部薄膜コイル１１は、リード部１３Ａからターン部１１ｂにつながるループ部１１ａと、ターン部１１ｂからターン部１１ｄにつながるワンループ部１１ｃと、ターン部１１ｄからターン部１１ｆにつながるワンループ部１１ｅと、ターン部１１ｆから接続部１１ｈまでのハーフループ部１１ｇを有している。
【００５２】
下部薄膜コイル１１はリード部１３Ａから接続部１１ｈまでが一本につながることによって下部シールド層４０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で３ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図１では、下部薄膜コイル１１について、ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆ、接続部１１ｈのみが示されている。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆは横幅よりも厚さ（ＡＢＳ３０に沿った方向（上下方向）の高さ）の大きい縦長の構造を有している。なお、本実施の形態において、横幅とはＡＢＳ３０と交差する方向（交差方向）の幅を意味している。
【００５３】
また、下部薄膜コイル１１は、図５に示すように、ワンループ部１１ｃがＡＢＳ３０に接近するにしたがい漸次幅が狭まり、ＡＢＳ３０に最も近い箇所で最も幅が狭まる可変幅構造を有している。すなわち、図５に示すようにして、ワンループ部１１ｃの幅をＷｄ１、Ｗｄ２、Ｗｄ０を定めたときにＷｄ１＞Ｗｄ２＞Ｗｄ０となっている。そして、ワンループ部１１ｃのうちの最も幅の狭い部分がターン部１１ｄとなっている。ループ部１１ａおよびワンループ部１１ｅもワンループ部１１ｃと同様の可変幅構造を有し、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部１１ｂ、１１ｆとなっている。ここで、ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆの幅はそれぞれＷｂ０（約０．９μｍ）、Ｗｄ０（約０．９μｍ）、Ｗｆ０（約０．９μｍ）である。
【００５４】
そして、下部薄膜コイル１１は、次のような一連の３ターンループを形成している。すなわち、リード部１３Ａから、ループ部１１ａ、ワンループ部１１ｃ、ワンループ部１１ｅ、ハーフループ部１１ｇを通って接続部１１ｈにつながることによって、３ターンループが形成されている。
【００５５】
なお、図５において、ターン部１１ｂの前側面１１ｂｆからＡＢＳ３０までの距離は、下部薄膜コイル１１の前側距離を示している。また、ターン部１１ｆの後側面１１ｆｒからＡＢＳ３０までの距離は、下部薄膜コイル１１の後側距離を示している。
【００５６】
次に、上部薄膜コイル５１について説明する。図４に示すように、上部薄膜コイル５１は３つのターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃは、後述する上部前側シールド部６２と、後側シールド部６４との間に配置されている。上部薄膜コイル５１はターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃがフォトレジスト層５５を介して並んだ構造を有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃのうち、ターン部５１ｇがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているので、ターン部５１ｇが前側ターン部に対応している。ターン部５１ｃが後側ターン部に対応している。
【００５７】
そして、上部薄膜コイル５１は、接続部５１ａからターン部５１ｃにつながるループ部５１ｂと、ターン部５１ｃからターン部５１ｅにつながるワンループ部５１ｄと、ターン部５１ｅからターン部５１ｇにつながるワンループ部５１ｆと、ターン部５１ｇからリード部１４Ａまでのハーフループ部５１ｈを有している。
【００５８】
上部薄膜コイル５１は接続部５１ａからリード部１４Ａまでが一本につながることによってライトシールド層６０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で３ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図１では、上部薄膜コイル５１について、ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃ、接続部５１ａのみが示されている。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃはターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆと同様に縦長の構造および可変幅構造を有している。そして、ワンループ部５１ｆ、ワンループ部５１ｄ、ループ部５１ｂのうち、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃとなっている。
【００５９】
そして、上部薄膜コイル５１は、次のような一連の３ターンループを形成している。すなわち、接続部５１ａから、ループ部５１ｂ、ワンループ部５１ｄ、ワンループ部５１ｆ、ハーフループ部５１ｈを通ってリード部１４Ａにつながることにより、３ターンループが形成されている。
【００６０】
また、図１に示したように、上部薄膜コイル５１は上端面５１Ａを有している。上端面５１Ａは基板１から最も離れた位置に配置されている。この上端面５１Ａは後述するシールド上端面６２ｆと段差なく形成され、シールド上端面６２ｆとともに共通平坦面５９（図３５参照）を形成している。さらに、上部薄膜コイル５１は層間絶縁膜３２だけを介して後述する上部ヨーク層６５の上面に接続されている。上部薄膜コイル５１は磁性材からなる磁性層を介することなく上部ヨーク層６５に接続されている。
【００６１】
薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１の接続部１１ｈが上部薄膜コイル５１の接続部５１ａに接続されている。これにより、下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とは一連のコイルを形成している。下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とには、記録媒体に記録されるデータに応じた電流が流され、その電流によって記録磁界が発生する。
【００６２】
次に、主磁極層２６について説明する。主磁極層２６は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体は透磁率(magnetic permeability)が高い。したがって、主磁極層２６は、磁束が透過しやすく、より多くの磁束が通る。そのため、記録磁界に応じたより強い磁束が主磁極層２６からＡＢＳ３０に向かって放出される。
【００６３】
主磁極層２６は、図２、図９に示すように、ＡＢＳ３０側に磁極端面２６ａを有している。磁極端面２６ａは下部薄膜コイル１１側よりも上部薄膜コイル５１側の幅が広く、その幅が下部薄膜コイル１１に近づくにつれて漸次狭まるベベル形状に形成されている。磁極端面２６ａの上部薄膜コイル５１側の幅がトラック幅を規定している。トラック幅は例えば０．０６〜０．１２μｍ程度である。磁極端面２６ａはＡＢＳ３０内に配置されている。
【００６４】
主磁極層２６は磁極端面２６ａを有するトラック幅規定部と、幅広部と、拡幅部とを有している。トラック幅規定部はＡＢＳ３０からの距離に応じて変化しない一定の幅を有している。また、幅広部はトラック幅規定部よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、トラック幅規定部よりも幅広に形成されている。また、幅広部はトラック幅規定部との境界部分でトラック幅規定部と同じ大きさの幅を有するとともに、その幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がっている。拡幅部は幅広部よりも大きい一定の幅を有している。本実施の形態では、磁極端面２６ａから、幅が大きくなり始めるまでの部分をトラック幅規定部としている。
【００６５】
また、図９に示すように、主磁極層２６では、トラック幅規定部に、上傾斜面２６ｃと、下傾斜面２６ｅとが形成されている。
【００６６】
上傾斜面２６ｃはＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１から離れるような上り傾斜状に形成されている。上傾斜面２６ｃは磁極端面２６ａと、上端面２６ｄとに接続されている。
【００６７】
下傾斜面２６ｅはＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。下傾斜面２６ｅは磁極端面２６ａと、幅広部の下端面２６ｆとに接続されている。下傾斜面２６ｅは，トラック幅規定部から幅広部まで形成されている。下端面２６ｆは主磁極層２６の中で基板１に最も近い位置に配置されている。
【００６８】
また、図１にも示すように、主磁極層２６には、上端面２６ｄ上の、後述する対向シールド部６１と上部ヨーク層６５との間の部分に非磁性層２７，２８が積層されている。
【００６９】
なお、前述のトラック幅規定部におけるＡＢＳ３０からの長さをネックハイトという。ネックハイトは例えば０．０５〜０．３μｍ程度である。
【００７０】
ギャップ層２９は主磁極層２６の上傾斜面２６ｃおよび上端面２６ｄに沿って、対向シールド部６１および絶縁層３１と、主磁極層２６および非磁性層２７，２８との間に形成されている。ギャップ層２９は、上傾斜面２６ｃおよび上端面２６ｄを被覆するようにして形成されている。ギャップ層２９は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の非磁性の絶縁材やＲｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いて形成されている。
【００７１】
次に、下部シールド層４０とライトシールド層６０とについて説明する。図１、図９に示すように、下部シールド層４０と、ライトシールド層６０とは、主磁極層２６を挟むように配置されている。
【００７２】
そして、下部シールド層４０は主磁極層２６の基板１側に配置されている。この下部シールド層４０は、図２にも示すように、ＡＢＳ３０に配置されているリーディングシールド部４７およびサイドシールド部４７Ａを有し、その２つのシールド部が重なった多重シールド層である。
【００７３】
また、下部シールド層４０は、リーディングシールド部４７とサイドシールド部４７Ａとに加え、接続シールド部４１と、下部前側シールド部４２と、連結シールド部４３と、第１の後側シールド部４４と、第２の後側シールド部４５と、第３の後側シールド部４６と、部分下部シード層９１とを有している。下部シールド層４０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。
【００７４】
接続シールド部４１と、下部前側シールド部４２とは、下部薄膜コイル１１よりもＡＢＳ３０側に配置されている。また、接続シールド部４１の上に下部前側シールド部４２の一部分が重なっている。接続シールド部４１はＡＢＳ３０から離れた位置に形成されている。しかし、下部前側シールド部４２は、ＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面４２ａを有している（図９参照）。
【００７５】
連結シールド部４３は、下部薄膜コイル１１のターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを跨ぐようにして形成され、接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４とを接続している。連結シールド部４３は、主磁極層２６から放出された磁束を還流させるリターン磁極としての機能を有している。
【００７６】
第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６は、いずれも下部薄膜コイル１１のターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆよりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。また、第１の後側シールド部４４の上に第２の後側シールド部４５が重なり、第２の後側シールド部４５の上に第３の後側シールド部４６が重なっている。第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６はＡＢＳ３０に近い前側面からＡＢＳ３０までの距離の等しい三段構造を形成している。第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６は、連結シールド部４３を主磁極層２６に連結する連結部としての機能を有している。
【００７７】
リーディングシールド部４７は本発明の実施の形態にかかる第１の下部シールド部に対応している。リーディングシールド部４７は下部前側シールド部４２に接続され、その反対側上面にサイドシールド部４７Ａ，４７Ａが形成されている。リーディングシールド部４７はＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面４７ａを有している（図９参照）。
【００７８】
サイドシールド部４７Ａ，４７Ａは本発明の実施の形態にかかる第２の下部シールド部に対応している。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａはリーディングシールド部４７上に形成されている。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａのそれぞれが主磁極層２６のトラック幅方向の両側に配置されている。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａも、それぞれＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面４７Ａａを有している（図２参照）。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａおよびリーディングシールド部４７は非磁性薄膜２５を介して磁極端面２６ａを取り囲むように形成され、主磁極層２６の近傍に配置されている。
【００７９】
部分下部シード層９１は、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａをリーディングシールド部４７上に電解めっきによって形成するときに下地として用いられる金属層である。部分下部シード層９１は、スパッタリング等によってドライ環境下で形成されている。部分下部シード層９１は、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅといった磁性材を用いて形成されている。
【００８０】
また、部分下部シード層９１は、リーディングシールド部４７と、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａとによって挟まれたごく薄い厚さを有する下部薄膜状空間のうちの部分的な領域にだけ形成されている。部分下部シード層９１の全体がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【００８１】
さらに詳しくは、部分下部シード層９１は、部分配置構造を有している。すなわち、図１７、図１８に示すように、部分下部シード層９１は、後述する下部形成ゾーン９２Ｂ上だけに配置されている。下部形成ゾーン９２Ｂは、ＡＢＳ３０の形成前の段階において、積層体の表面のうちの下部除外ゾーン９２Ａ１を除いた領域に対応している。また、ＡＢＳ３０の形成後の段階では、積層体の表面のうちの下部不存在ゾーン９２Ａ２を除いた領域に対応し、ＡＢＳ３０から後退している。
【００８２】
薄膜磁気ヘッド３００では、この下部不存在ゾーン９２Ａ２の表面から、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａを形成するときの下地となるシード層がすべて除去されている。下部不存在ゾーン９２Ａ２は前述した下部薄膜状空間に配置されていて、後述する予定ライン（またはＡＢＳ３０）から後述する奥行き方向に沿った奥行きＤ２を有する矩形状の領域に対応している。この下部不存在ゾーン９２Ａ２に部分下部シード層９１の端面９１ａが出現している（図１７、図２１（ｂ）参照）。端面９１ａはＡＢＳ３０には出現していない（図２７、図３０、図３１参照）。
【００８３】
次に、ライトシールド層６０について説明する。ライトシールド層６０は、本発明の実施の形態に係る上部シールド層に対応している。ライトシールド層６０は対向シールド部６１と、上部前側シールド部６２と、連結シールド部６３と、後側シールド部６４と、ワイド上部シード層９３とを有している。
【００８４】
対向シールド部６１は本発明の実施の形態にかかる第１の上部シールド部に対応している。対向シールド部６１はＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面６１ａを有している（図９参照）。また、対向シールド部６１はＡＢＳ３０内においてリーディングシールド部４７に対峙している。また、対向シールド部６１のシールド端面６１ａにギャップ層２９が配置される微小スペースが形成されている。その微小スペースにギャップ層２９のＡＢＳ３０側部分が形成されている。対向シールド部６１はギャップ層２９を挟んでＡＢＳ３０側から順に主磁極層２６、非磁性層２７、非磁性層２８に対向するようにして形成されている。また、対向シールド部６１は上端面が平坦になっていて、その上端面に上部前側シールド部６２が接続されている。
【００８５】
上部前側シールド部６２は上部薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側に配置されている。この上部前側シールド部６２について、図６、図７を参照して詳しく説明する。
【００８６】
上部前側シールド部６２はシールド前端面６２ｂと、シールド上端面６２ｆと、シールド接続部６２ｃと、シールド下端面６２ｒとを有している。シールド前端面６２ｂはＡＢＳ３０内に配置されている。シールド前端面６２ｂはＡＢＳ３０内に露出している。図６において、網掛けした部分がシールド前端面６２ｂを示している。シールド上端面６２ｆはシールド前端面６２ｂよりも基板１から離れた位置に配置されている。基板１から離れる側を上側、基板１に近づく側を下側ともいう。シールド上端面６２ｆは、連結シールド部６３に接続されている。シールド上端面６２ｆは、ＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。しかも、シールド上端面６２ｆは、ＡＢＳ３０から離れて形成されている。シールド上端面６２ｆは、シールド下端面６２ｒよりも小さい大きさを有している。
【００８７】
シールド接続部６２ｃはシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを接続する部分である。シールド接続部６２ｃは、シールド前端面６２ｂとの接続部６２ｘを除くすべての部分がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【００８８】
シールド接続部６２ｃは接続部６２ｘから、シールド上端面６２ｆに接続される接続部６２ｙに近づくにしたがい、ＡＢＳ３０から漸次離れるように傾斜した傾斜構造を有している。接続部６２ｘはＡＢＳ３０内に配置されているが、接続部６２ｙはＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、ＡＢＳ３０から後退している。
【００８９】
そして、図７に示すように、この接続部６２ｘと接続部６２ｙとを結ぶ仮想的な平坦面９９を考えた場合、この平坦面９９はシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを最短距離で結ぶ平坦面である。この平坦面９９よりも、シールド接続部６２ｃはＡＢＳ３０から離れるように傾斜した後退傾斜構造を有している。さらに、シールド接続部６２ｃは横平坦部６２ｃ１と、縦平坦部６２ｃ２と、湾曲部６２ｃ３とを有し、これらが滑らかにつながり一体となった構造を有している。横平坦部６２ｃ１は概ねＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。縦平坦部６２ｃ２は概ねＡＢＳ３０に沿って形成されている。
【００９０】
シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０に達する大きさを有している。シールド下端面６２ｒはシールド上端面６２ｆよりも大きい大きさを有している。シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０側に対向シールド部６１が接続され、そのＡＢＳ３０から離れた後側に絶縁層３１が接続されている。
【００９１】
上部前側シールド部６２は以上のような構造を有しているので、トリム前前側シールド部６２Ａ（図７の上側）よりも、ＡＢＳ３０内に配置されている端面の大きさが小さく、体積も小さい。トリム前前側シールド部６２Ａは、後述するトリミング工程を実行することによって形成される直前の前側シールド部である。トリム前前側シールド部６２Ａは、シールド上端面６２ｆがＡＢＳ３０に達し、トリム前前端面６２ａを有している。そして、トリム前前端面６２ａとシールド前端面６２ｂの大きさを比較すると、シールド前端面６２ｂ＜トリム前前端面６２ａである。
【００９２】
次に、連結シールド部６３について説明する。連結シールド部６３は、上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐようにして形成されている。連結シールド部６３はＡＢＳ３０から離れて形成されている。連結シールド部６３は上部前側シールド部６２と、後側シールド部６４とに接続されている。
【００９３】
後側シールド部６４は上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃよりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。後側シールド部６４は、連結シールド部６３と、上部ヨーク層６５とに接続されている。後側シールド部６４は上部前側シールド部６２と等しい高さに形成されている。そのため、後側シールド部６４は、上部薄膜コイル５１およびシールド上端面６２ｆとともに共通平坦面５９を形成している。
【００９４】
上部ヨーク層６５は主磁極層２６の上端面２６ｄのうちの非磁性層２７，２８よりもＡＢＳ３０から離れた後側に接続されている。上部ヨーク層６５の上端面は対向シールド部６１の上端面と段差なく形成されている。上部ヨーク層６５の上端面は対向シールド部６１の上端面とともに共通平坦面５９Ａ(図３２参照)を形成している。
【００９５】
ワイド上部シード層９３は、対向シールド部６１を主磁極層２６上に電解めっきによって形成するときに下地として用いられる金属層である。ワイド上部シード層９３は、主磁極層２６および非磁性層２７，２８と、対向シールド部６１とによって挟まれたごく薄い厚さを有する上部薄膜状空間に形成されている。図３０、図３１に示すように、ワイド上部シード層９３は部分配置構造を有していないので、ＡＢＳ３０に出現している。
【００９６】
その他、薄膜磁気ヘッド３００は、変位抑制層８５を有している。変位抑制層８５は連結シールド部６３の上端面に接続されている。変位抑制層８５は線熱膨張係数の小さい非磁性材料によって形成されている。例えば、変位抑制層８５は無機材料または金属材料を用いることが好ましく、例えばＳｉＣ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ｗ（タングステン）を用いることができる。特に、変位抑制層８５は硬度の大きい非磁性材料を用いることが好ましい。例えば、ＳｉＣはアルミナに比べてビッカース硬度が大きいため、変位抑制層８５はＳｉＣを用いることが好ましい。
【００９７】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００は保護絶縁層９０を有している。保護絶縁層９０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて形成されている。保護絶縁層９０は埋込部９０ａと、カバー部９０ｂとを有し、埋込部９０ａとカバー部９０ｂとが一体となっている。埋込部９０ａは、シールド接続部６２ｃの全体に接し、かつシールド接続部６２ｃとＡＢＳ３０との間に隙間なく埋め込まれている。カバー部９０ｂは連結シールド部６３および変位抑制層８５を覆うように形成されている。
【００９８】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、前述の図１、図２、図９とともに、図１０（ａ），図１０（ｂ）〜図１４（ａ），図１４（ｂ）、図１５〜図２０、図２１（ａ），図２１（ｂ）〜図２６（ａ），図２６（ｂ）、図２７、図２８（ａ），図２８（ｂ）、図２９〜図３１、図３２（ａ），図３２（ｂ）〜図３７（ａ），図３７（ｂ）を参照して、前述の構造を有する薄膜磁気ヘッド３００の製造方法について説明する。
【００９９】
ここで、図１０（ａ）〜図１４（ａ），図２６（ａ）、図２８（ａ）、図３２（ａ）〜図３７（ａ）は、薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程における図１に対応した断面図である。また、図１０（ｂ）〜図１４（ｂ）、図２６（ｂ），図２８（ｂ）、図３２（ｂ）〜図３７（ｂ）は、同じく図２に対応した正面図である。図１５〜図２０、図２９は、薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程における積層体の要部を示す平面図である。図２１（ａ），図２１（ｂ）〜図２２（ａ），図２２（ｂ）はそれぞれ図１６〜図１９の２１ａ−２１ａ線、２１ｂ−２１ｂ線、２２ａ−２２ａ線、２２ｂ−２２ｂ線断面図である。図２３（ａ）、図２３（ｂ）〜図２５（ａ）、図２５（ｂ）、図２７、図３０〜図３１は薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程において、積層体を予定ラインに沿って切断したときの要部を示す断面図である。なお、各図において“ＡＢＳ”とは、ＡＢＳ３０が後に形成される予定ラインを示している。
【０１００】
まず、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板１を準備する。そして、図１０（ａ）、図１０（ｂ）に示すように、その基板１の上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなる絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３を順に形成する。絶縁層２を形成するときに加熱部８が形成される。
【０１０１】
次に、ＭＲ素子５をシールドするように絶縁材料を用いてシールドギャップ膜４を形成する。このとき、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードを形成し、ＭＲ素子５およびリードをシールドギャップ膜４で覆う。それから、磁性材料と絶縁材料とを用いてシールドギャップ膜４の上に上部シールド層６（第１のシールド部６ａ、絶縁部６ｂ、第２のシールド部６ｃ）を形成する。
【０１０２】
次に、上部シールド層６の上にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、上部シールド層６と、後に形成される記録ヘッドとを分離するための絶縁層７を形成する。絶縁層７を形成するときに感熱部９が形成される。これまでの工程で記録ヘッドを形成するための積層体が得られる。
【０１０３】
続いて、下部シールド層形成工程を実行することによって下部シールド層４０を形成する。本実施の形態において、下部シールド層形成工程は、後述する第１の下部シールド部形成工程と、下部シード層形成工程と、第２の下部シールド部形成工程とを有している。
【０１０４】
そして、下部シールド層４０を形成するときは、まず、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の磁性材を用いて連結シールド部４３を形成するための磁性層（厚さは０．６μｍ程度）を形成して、積層体表面に絶縁層を形成し、化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）によって積層体表面の平坦化を行う。すると、対向絶縁層１７と連結シールド部４３が形成される。このとき、連結シールド部４３はＡＢＳ３０から０．３μｍ〜１μｍ（本実施の形態では、０．５μｍ程度）離して形成する。
【０１０５】
続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の絶縁層１８（膜厚は０．１μｍ〜０．３μｍ程度）を形成する。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、絶縁層１８を選択的に開口する。
【０１０６】
次に、接続シールド部形成工程を実行する。この工程では、フレームめっき法により、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて接続シールド部４１，第１の後側シールド部４４を厚さ１〜１．５μｍ程度で形成する。
【０１０７】
次に、図１１（ａ）、図１１（ｂ）に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層１９（膜厚は０．０２μｍ〜０．３μｍ程度、好ましくは０．１μｍ〜０．２μｍ程度）をアトミックレイヤー法によるＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で積層体の表面全体に形成する。絶縁層１９は、接続シールド部４１、第１の後側シールド部４４を被覆するように形成される。
【０１０８】
それから、導体層形成工程を実行して導体層７０を形成する。導体層７０は、下部薄膜コイル１１を形成するために形成する。この工程では、まず、フレームめっき法によって、接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４との間に導体層７０を形成する。導体層７０は、２つの間隙部７０ａを備え、かつ絶縁層１９を介して接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４とに隙間なく接触するようにして形成する。導体層７０は間隙部７０ａを備えているから間欠導体層である。
【０１０９】
次に、図１２（ａ）、図１２（ｂ）に示すように、導体層７０における２つの間隙部７０ａを埋めるようにフォトレジスト層８０（膜厚は１．５μｍ〜２．５μｍ程度）を形成する。次いで、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて積層体の表面をカバーし得る絶縁膜２０を３μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。それから、接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。
【０１１０】
すると、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示すように、下部薄膜コイル１１が形成される。また、接続シールド部４１よりもＡＢＳ３０側に対向絶縁層２０も形成される。
【０１１１】
続いて、図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層２１（膜厚は０．３μｍ〜０．７μｍ程度）を形成する。その後、この絶縁層２１を選択的に開口する。
【０１１２】
ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって、開口した部分に重ねて下部前側シールド部４２と、第２の後側シールド部４５とをともに厚さ０．５μｍ〜１．２μｍ程度で形成する。その後、積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。
【０１１３】
それから、図２６（ａ）、図２６（ｂ）に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いてベース絶縁層２４を形成する。ベース絶縁層２４を形成するときに加熱部２３が形成される。その後、ベース絶縁層２４を選択的に開口する。
【０１１４】
次に、第１の下部シールド部形成工程を実行してリーディングシールド部４７を形成する。この場合、図１５に示すように、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてフレームめっき法により、下部シールド予定領域４７Ｂにリーディングシールド部４７を厚さ０．５μｍ〜１．０μｍ程度で形成する。下部シールド予定領域４７Ｂは後述する予定ラインを含む領域であり、図２６に示すように、開口した部分のＡＢＳ３０側に配置されている。また、開口した部分のＡＢＳ３０から離れた部分には第３の後側シールド部４６が形成される。
【０１１５】
すると、図１５に示すように、積層体の上面にリーディングシールド部４７が形成される。ただし、この時点では、まだ、ＡＢＳ３０が形成されていない。そのため、積層体の表面には、図１５に示すように予定ラインを想定することができる。図１５において、点線で示されたライン（“ＡＢＳ”で示されるライン）が予定ラインを示している。予定ラインは、後に形成されるＡＢＳ３０に沿った直線上に形成されている。この時点のリーディングシールド部４７は、予定ラインを含み、完成時点では除去されてしまう部分も含まれているので、完成時点よりも大きい大きさを有している。
【０１１６】
次に、下部シード層形成工程を実行することによって、部分下部シード層９１を形成する。本実施の形態において、下部シード層形成工程は、後述するワイド下部シード層形成工程と、下部シード層除去工程とを有している。
【０１１７】
そして、ワイド下部シード層形成工程では、図１６に示すように、積層体の上面にワイド下部シード層９１Ａを形成する。ワイド下部シード層９１Ａは、後にサイドシールド部４７Ａを電解めっきによって形成するときに下地として用いられる金属層である。ワイド下部シード層９１Ａは、積層体の上面の、後述する下部除外ゾーン９２Ａ１および下部形成ゾーン９２Ｂ上に配置されている。
【０１１８】
続いて、下部シード層除去工程を実行する。この工程では、図１７に示すようにワイド下部シード層９１Ａのうちの被除外下部シード層９１Ｂをエッチング等によって除去する。被除外下部シード層９１Ｂは図１６のドットを付された部分に対応している。被除外下部シード層９１Ｂは、ワイド下部シード層９１Ａのうちの下部除外ゾーン９２Ａ１上に形成された部分に対応している。被除外下部シード層９１Ｂが除去されたことによって、ワイド下部シード層９１Ａは部分下部シード層９１になる。被除外下部シード層９１Ｂを除去したときの積層体を予定ラインに沿って切断すると、図２４（ａ）に示すように、その切断面の背後にある部分下部シード層９１の端面９１ａが視認される。
【０１１９】
そして、下部シード層除去工程では、図１７に示すように、下部除外ゾーン９２Ａ１が予定ラインの全体を含むＡＢＳ３０に沿った帯状の領域に設定されている。また、図２１（ｂ）にも示すように、下部除外ゾーン９２Ａ１として、除外スタートラインＳ１から、奥行き方向に沿った奥行きＤ１を有する矩形状の領域を確保している（奥行きＤ１は奥行きＤ２よりも大きいので、Ｄ１＞Ｄ２）。奥行き方向とは、基板１上の（詳しくは積層体の表面上の）後に上部薄膜コイル５１が形成される位置に向かってＡＢＳ３０から離れる方向を意味している。除外スタートラインＳ１は、予定ラインよりも外側に（奥行き方向とは反対方向に向かって）例えば０．０１〜０．１μｍ程度移動した部分に設定されている。
【０１２０】
下部シード層除去工程が実行されたことにより、リーディングシールド部４７の表面のうちの予定ラインの全体を含む領域からシード層が除去され、シード層の存在しない領域（前述した下部不存在ゾーン９２Ａ２よりもやや広い領域）が予定ラインに沿って形成されている。この時点で、リーディングシールド部４７の予定ライン全体を含む領域において、表面がシード層によって覆われることなく露出している。
【０１２１】
次に、第２の下部シールド部形成工程を実行して、図１８、図２２（ａ）、図２４（ｂ）に示すように、サイドシールド部４７Ａ、４７Ａを形成する。この場合、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって、下部シールド予定領域４７Ａにサイドシールド部４７Ａ、４７Ａを厚さ０．５μｍ〜１．０μｍ程度で形成する。図１８において、ドットの付された部分がサイドシールド部４７Ａ、４７Ａに対応している。
【０１２２】
この場合、下部シード層除去工程が実行された後でも、下部シールド予定領域４７Ａの一部に部分下部シード層９１が形成されている。そのため、その部分下部シード層９１を下地とするめっき膜の成長によって、部分下部シード層９１上にサイドシールド部４７Ａ、４７Ａが形成される。
【０１２３】
なお、サイドシールド部４７Ａ、４７Ａは、図１８に示す極細領域９５には形成されていない。極細領域９５は、後に主磁極層２６の磁極端面２６ａが配置される幅の狭い領域を意味している。
【０１２４】
続いて、図１９、図２５（ａ）に示すように，ベース絶縁層２４およびサイドシールド部４７Ａ、４７Ａを被覆するようにして非磁性薄膜２５を形成する。非磁性薄膜２５はＲｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の非磁性金属材料や、アルミナ等の絶縁材料を用いてスパッタリングによって形成する。非磁性薄膜２５は極細領域９５にも形成される。
【０１２５】
ここで、図１８、図２２（ａ）に示すように、極細領域９５には、サイドシールド部４７Ａ、４７Ａの側面が出現している。その側面上、および極細領域９５内の部分下部シード層９１上にも非磁性薄膜２５が形成される。そのため、極細領域９５を通る奥行き方向に沿った積層体の断面を図示すると、図２２（ｂ）に示すように、その断面に非磁性薄膜２５の表面および断面が出現する。
【０１２６】
続いて、図２８（ａ）、図２８（ｂ）に示すように、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっきによって０．４〜０．８μｍ程度の厚さで磁性層７５を形成する。この磁性層７５によって後に主磁極層２６が形成される。
【０１２７】
その後、積層体の表面に例えばスパッタリングにより、Ｒｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の金属材料を用いて非磁性層７７（厚さは約０．０４〜０．１μｍ程度）を形成する。非磁性層７７は後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２７となる。さらに、積層体の表面全体に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン酸化物等の無機絶縁材料を用いて非磁性層７８（厚さは約０．１〜０．３μｍ程度）を形成する。非磁性層７８は、後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２８となる。
【０１２８】
続いて、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン８１をＡＢＳ３０の近傍に形成する。
【０１２９】
次に、レジストパターン８１をマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性層７８の一部を除去する。この場合のエッチングは、エッチングによって形成された溝の底部が非磁性層７７の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。そのため、非磁性層７８には、非磁性層７７と比べて非磁性層７８をエッチングする際のエッチングレートの小さい材料を用いる。
【０１３０】
それからレジストパターン８１を除去する。続いて、残された非磁性層７８をマスクに用いて例えばＩＢＥによって、非磁性層７７の一部をエッチングして除去する。さらに、残された非磁性層７７をマスクに用いて例えばＩＢＥにより、磁性層７５の一部をエッチングして除去する。この工程を経ることによって、磁性層７５のＡＢＳ側に上傾斜面２６ｃが形成され、図２５（ｂ）に示すように、主磁極層２６が形成される。
【０１３１】
続いて、図２７、図３２（ａ）、図３２（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料、好ましくは、Ｒｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いてスパッタ法またはＣＶＤによってギャップ層２９（厚さは約２５０Å〜３５０Å程度）を形成する。
【０１３２】
さらに、例えばスパッタ法により図示しないストッパ膜を形成し、その上に非磁性膜を形成する。その上で、積層体の表面全体に図示しないフォトレジストを塗布する。そして、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図示しないレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクに用いて、例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性膜をエッチングする。このエッチングはエッチングによって形成された溝の底部がストッパ膜の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。それから、図示しないレジストパターンを除去した後、残された非磁性膜をマスクに用いてＲＩＥ等のエッチングを行い、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去する。ここで、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去することによって、上部ヨーク層６５を形成するためのスペースを確保している。
【０１３３】
続いて、上部シールド層形成工程を実行することによって、ライトシールド層６０を形成する。本実施の形態において、上部シールド層形成工程は、後述する第１の上部シールド部形成工程と、第２の上部シールド部形成工程と、連結シールド部形成工程と、トリミング工程とを有している。
【０１３４】
まず、第１の上部シールド部形成工程を実行することによって、対向シールド部６１を形成する。この工程では、まず、ワイド上部シード層形成工程を実行することによって、図２９、図３０に示すように、ワイド上部シード層９３を積層体の表面の主磁極層２６上に形成する。続いて、このワイド上部シード層９３を下地とする電解めっきを行い、積層体の表面に磁性層を形成する。この磁性層は、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ，ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて、０．５〜１．２μｍ程度の厚さで形成する。この磁性層によって、後に対向シールド部６１および上部ヨーク層６５が形成される。
【０１３５】
続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層（厚さは１〜３μｍ程度）を形成する。さらに、磁性層の表面が露出するまで積層体の表面全体をＣＭＰにより研磨して積層体表面の平坦化を行う。すると、図３１、図３２（ａ），図３２（ｂ）に示すように、対向シールド部６１、上部ヨーク層６５および絶縁層３１が形成される。このとき、対向シールド部６１の厚さが０．５〜１．０μｍ程度になるようにして積層体の表面を研磨する。
【０１３６】
次に、第２の上部シールド部形成工程を実行する。この工程では、図３３（ａ），図３３（ｂ）に示すように、積層体の表面のうちの上部前側シールド部６２と後側シールド部６４とを形成しようとする部分にそれぞれトリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４とを形成する。このとき、トリム前前側シールド部６２ＡがＡＢＳ３０内に配置されるので、本発明の実施の形態に係る第２の上部シールド部に対応している。第２のシールド部形成工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてトリム前前側シールド部６２Ａおよび後側シールド部６４を例えばフレームめっき法によって形成する。このとき、トリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４との間隔が３．０μｍから３．５μｍ程度となるようにする。
【０１３７】
そして、トリム前前側シールド部６２Ａは対向シールド部６１に接続され、かつＡＢＳ３０内に配置されるように形成する。トリム前前側シールド部６２Ａは、図７の上側に示したような形状を有している。このトリム前前側シールド部６２Ａでは、前端面６２ａのすべてがＡＢＳ３０内に配置されている。
【０１３８】
それから、図３４（ａ），図３４（ｂ）に示すように、積層体の表面における第１のシールド部（トリム前前側シールド部６２Ａ）と後側シールド部６４との間に導体層７１を形成する。この導体層７１によって、後に上部薄膜コイル５１が形成される。導体層７１は２つの間隙部７１ａを備え、かつ第１のシールド部（トリム前前側シールド部６２Ａ）と後側シールド部６４に層間絶縁膜３２を介して隙間なく接触するようにして形成する。導体層７１は、間隙部７１ａを備えているから間欠導体層である。
【０１３９】
その後、導体層７１における２つの間隙部７１ａを覆うようにフォトレジスト層５５（膜厚は２μｍ〜３μｍ程度）を形成し、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて積層体の表面をカバーし得る図示しないカバー絶縁膜を３μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。それから、トリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。
【０１４０】
すると、図３５（ａ），図３５（ｂ）に示すように、上部薄膜コイル５１およびフォトレジスト層５５が形成される。このとき、上部薄膜コイル５１の厚さが１．０μｍ〜１．８μｍ程度となるように、積層体表面の平坦化を行う。また、積層体表面の平坦化が行われたことによって、前述した共通平坦面５９が形成される。
【０１４１】
続いて、図３６（ａ），図３６（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層３４を形成し、絶縁層３４を部分的に開口する。その後、連結シールド部形成工程を実行する。この工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって連結シールド部６３を形成する。連結シールド部６３は、トリム前シールド部６２Ａに接続されるように形成する。連結シールド部６３は、絶縁層３４を介して上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐようにして形成する。
【０１４２】
また、連結シールド部６３は前端面３０ｈから後退させて（ＡＢＳ３０からも後退させて）ＡＢＳ３０から離れた位置に形成する。すなわち、ＡＢＳ３０との間に後退スペース６３ｈが確保されるような位置に連結シールド部６３を形成する。後退スペース６３ｈはＡＢＳ３０に沿った例えば０．４μｍから０．７μｍ程度の幅を有し、かつ連結シールド部６３と同じ高さを備えた細長い部分になる。
【０１４３】
次に、トリミング工程を実行する。この工程では、図３７（ａ），図３７（ｂ）に示すように、連結シールド部６３をマスクに用いてイオンビームＩＢを上方向から照射してＩＢＥを行い、トリム前前側シールド部６２Ａの連結シールド部６３によって被覆されていない部分を切除する。トリム前前側シールド部６２Ａは、連結シールド部６３によってＡＢＳ３０側部分が被覆されていないので、ＩＢＥを行うとトリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０側の一部分が切除される。このとき、ＩＢＥは、トリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０内に配置されるトリム前前端面６２ａの一部を残すようにして実行する。こうすることで、図７に示したように、トリム前前端面６２ａのうち、切除されずに残された部分によって前述したシールド前端面６２ｂが形成される。さらに、ＩＢＥは前述の後退傾斜構造を備えたシールド接続部６２ｃが出現するようにして実行する。
【０１４４】
前述のトリミング工程では、連結シールド部６３自体をマスクに用いているが、連結シールド部６３を用いる代わりに連結シールド部６３の上面をカバーするフォトレジスト等のマスクを用いてもよい。すなわち、連結シールド部６３と大きさの等しいマスクをフォトレジスト等を用いて連結シールド部６３の上面に形成し、そのマスクを用いて、トリム前前側シールド部６２Ａの連結シールド部６３によって被覆されていない部分を切除してもよい。
【０１４５】
また、エッチングに用いるガスプラズマの化学的な作用が伴うと、トリム前前側シールド部６２Ａの垂直方向（図３７の縦方向）だけでなく、水平方向（（図３７の横方向）にもエッチングが進行するおそれがある。そのため、トリミング工程では、ノンリアクティブなＩＢＥ、すなわち、イオンミリングを行うことが好ましい。不活性なイオンを照射したときの物理的な衝撃を利用して行うエッチングをリアクティブイオンエッチングと区別するため、イオンミリングともいう。
【０１４６】
続いて、図１に示したように変位抑制層８５を形成する。それから、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて変位抑制層８５をカバーするようにして保護絶縁層９０を形成する。その後、前端面３０ｈに対する研磨加工や機械加工を行い、ＡＢＳ３０を形成すると、薄膜磁気ヘッド３００が完成する。
【０１４７】
保護絶縁層９０は、シールド接続部６２ｃの全体に接し、かつシールド接続部６２ｃとＡＢＳ３０との間に隙間なく埋め込まれるように形成する。
【０１４８】
（薄膜磁気ヘッド３００の作用効果）
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００はリーディングシールド部４７と、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａとが重なった多重シールド層を有する。そのサイドシールド部４７Ａ，４７Ａが部分下部シード層９１を介してリーディングシールド部４７上に形成されている。この部分下部シード層９１は、下部形成ゾーン９２Ｂだけに配置される部分配置構造を有し、ＡＢＳ３０から後退している。そのため、ＡＢＳ３０のリーディングシールド部４７とサイドシールド部４７Ａ，４７Ａとの接合部分には、部分下部シード層９１が出現していない。
【０１４９】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、リーディングシールド部４７とサイドシールド部４７Ａ，４７Ａとの間に下部不存在ゾーン９２Ａ２が形成され、部分下部シード層９１の端面９１ａがＡＢＳ３０に出現することなく下部不存在ゾーン９２Ａ２に出現している（図３１参照）。
【０１５０】
リーディングシールド部４７と、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａとは、主として電解めっきによって形成されているため、磁性材の結晶の方向が共通している。しかし、部分下部シード層９１はスパッタリング等によって形成されているため、リーディングシールド部４７およびサイドシールド部４７Ａ，４７Ａとは、磁性材の結晶の方向が異なり、磁気特性が異なっている。
【０１５１】
ところが、薄膜磁気ヘッド３００では、部分下部シード層９１が部分配置構造を有しているため、ＡＢＳ３０のリーディングシールド部４７とサイドシールド部４７Ａ，４７Ａとの間に、これらとは磁気特性の異なるシード層が存在していない。そのため、磁極端面２６ａから放出された磁束のうちのトラック幅方向の広がる成分がリーディングシールド部４７またはサイドシールド部４７Ａ，４７Ａによって吸収されずに残る現象（本実施の形態において、この現象を磁束の残留ともいう）が発生し難い。
【０１５２】
したがって、リーディングシールド部４７またはサイドシールド部４７Ａ，４７Ａによって吸収されずに残る磁束によって、記録媒体に記録されているデータが消去されたり、書きかえられる現象は発生し難い。
【０１５３】
このように、薄膜磁気ヘッド３００は、多重シールド層を有し、それがＡＢＳ３０に配置されているが、その多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善することができる。
【０１５４】
一方、シード層をＡＢＳ３０から部分的に後退させるだけでも、磁束の残留を防止する効果が得られる。しかし、磁束の残留をより確実に防止するためには、薄膜磁気ヘッド３００のように、下部不存在ゾーン９２Ａ２をＡＢＳ３０の幅方向全体にわたる帯状の領域に設定することが好ましい。このようにすると、部分下部シード層９１の端面９１ａのすべての部分が下部不存在ゾーン９２Ａ２に出現し、ＡＢＳ３０には出現しなくなる。そのため、リーディングシールド部４７と、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａとの間に、それらとは磁気特性が異なるシード層が一切存在していない構造が得られる。こうすると、確実に磁束の残留を防止することができるから、ＡＴＥやＷＡＴＥをより確実に改善することができる。
【０１５５】
一方、薄膜磁気ヘッド３００は、対向シールド部６１と、連結シールド部６３との間に配置される磁性層として、上部前側シールド部６２だけが形成されている。そのため、対向シールド部６１と連結シールド部６３との間に、２つの磁性層が形成されている場合に比べて、薄膜磁気ヘッド３００は、上下方向に沿った磁路の長さが短くなり、その分、磁路長を短縮することができる。
【０１５６】
よって、薄膜磁気ヘッド３００は記録ヘッドの磁束立ち上がり時間（Flux Rize Time）や、非線形トランジションシフト（Non-linear Transition Shift:NLTS)特性、重ね書き(Over Write)特性等を改善でき、周波数が高く変化の速い記録信号のすばやい変化に追従することが可能になる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、特にサーバに搭載されるハードディスク装置の記録ヘッドとして好適である。
【０１５７】
その上、上部前側シールド部６２は、ＡＢＳ３０から、層間絶縁膜３２を介して上部薄膜コイル５１に到達し得るだけの横幅を有している。そのため、ライトシールド層６０が異距離構造を有しているにもかかわらず、上部前側シールド部６２は対向シールド部６１と連結シールド部６３の双方に確実に接続されている。したがって、主磁極層２６に対向する対向シールド部６１と、上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐ連結シールド部６３とが１本につながり、１本につながった磁気回路を形成することができる。なお、異距離構造とは、対向シールド部６１がＡＢＳ３０内に配置され、かつ連結シールド部６３がＡＢＳ３０から後退していることによって、対向シールド部６１、連結シールド部６３それぞれのＡＢＳ３０からの距離が異なっている構造を意味している。
【０１５８】
ここで、ライトシールド層６０が異距離構造を有しているなかで、上部前側シールド部６２によって対向シールド部６１と連結シールド部６３の双方を確実に接続するための構造を考える。トリム前前側シールド部６２Ａのように、前端面のすべての部分がＡＢＳ３０内に配置されているときに上端面と下端面の大きさが最大になるから、前述の構造を実現するためには、トリム前前側シールド部６２Ａのように前端面のすべてがＡＢＳ３０内に配置されていることが望ましい。
【０１５９】
しかし、そうすると、トリム前前端面６２ａがＡＢＳ３０に大きく露出してしまう。上部前側シールド部６２もトリム前前側シールド部６２Ａも、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ、ＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材により形成されている。そのため、トリム前前側シールド部６２Ａのようにトリム前前端面６２ａの全体がＡＢＳ３０に露出していると、上部薄膜コイル５１の発熱によってフォトレジスト層５５が膨張したときの影響をトリム前前側シールド部６２Ａがより強く受けてしまう。
【０１６０】
フライングハイトは極めて微小なので、トリム前前端面６２ａの限られた微小部分が突出しただけでも、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生してしまう可能性がある。トリム前前端面６２ａの全体がＡＢＳ３０に露出しているということは、突出の対象となりえるそのような微小部分がＡＢＳ３０内にたくさん存在しているということを意味し、それだけ、記録媒体に衝突し得る突出の態様が多く、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生しやすいということを意味している。
【０１６１】
そこで、薄膜磁気ヘッド３００では、図７の下側に示したような構造の上部前側シールド部６２を形成している。こうして、ＡＢＳ３０に露出する部分がシールド前端面６２ｂになるようにしている。
【０１６２】
そして、上部前側シールド部６２では、シールド上端面６２ｆがシールド前端面６２ｂよりも基板１から離れた位置に配置されていて、そのシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを接続するシール接続部６２ｃを上部前側シールド部６２が有している。このような構造では、シールド上端面６２ｆがＡＢＳ３０に到達している場合、すなわち、図７の上側に示したようなトリム前前側シールド部６２ＡよりもＡＢＳ３０内に配置される前端面の大きさが小さくなる。そのため、上部前側シールド部６２を有することによって、薄膜磁気ヘッド３００が記録媒体と衝突する事態を抑制できるようになる。
【０１６３】
よって、薄膜磁気ヘッド３００では、特に上部薄膜コイル５１の発熱に伴いライトシールド層６０が突出することを抑制することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドの突出に伴う破損のおそれが極めて少なくなるから、記録メディアに接近させることができる。
【０１６４】
そして、薄膜磁気ヘッド３００は、図示しないスライダに組み込まれるが、そのスライダの記録媒体表面からの浮上量（フライングハイト）を縮小することができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドおよび再生ヘッドの解像度（resolution）を高め、信号対雑音比を向上させることができる。また、薄膜磁気ヘッド３００は、記録密度を高めることができる。
【０１６５】
一方、上部前側シールド部６２は、連結シールド部６３を形成した後、連結シールド部６３が接触していないＡＢＳ３０側の一部分を切除することによって形成されている。そのため、ＡＢＳ３０に露出する部分が小さいにもかかわらず、シールド上端面６２ｆが確実に確保されており、上部前側シールド部６２と連結シールド部６３とが確実に接続され得る構造となっている。
【０１６６】
また、上部前側シールド部６２のＡＢＳ３０側を切除する際、シールド前端面６２ｂが確保され、トリム前前端面６２ａのすべてが切除されることなくその一部がシールド前端面６２ｂとして残るようにしている。トリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０側を切除する際、シールド前端面６２ｂが確保されなくなるまでＩＢＥを進めると、シールド下端面６２ｒまでもが切除されるおそれがある。この場合、対向シールド部６１に接続される部分が小さくなってしまい、対向シールド部６１と、上部前側シールド部６２との接続が不十分になるおそれがある。しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、そのようなおそれは皆無である。
【０１６７】
そして、上部前側シールド部６２はシールド接続部６２ｃを有しているが、このシールド接続部６２ｃは傾斜構造を有している。そのため、上部前側シールド部６２は前述の上方向からのＩＢＥによって確実に形成できる構造を有している。傾斜構造を有していない場合、例えば、シールド前端面６２ｂからシールド上端面６２ｆにつながる表面部分がＳ字状に屈曲していると、ＩＢＥによって、上部前側シールド部６２を形成するのは困難である。しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、そのようなおそれは皆無であり、上方向からのＩＢＥによって確実に上部前側シールド部６２を形成することができる。
【０１６８】
また、シールド接続部６２ｃは後退傾斜構造を有しているため、後退傾斜構造を有していない場合に比べて上部前側シールド部６２の体積が縮減されている。したがって、上部前側シールド部６２が突出する可能性がいっそう抑制されている。
【０１６９】
さらに、シールド接続部６２ｃは横平坦部６２ｃ１を有している。横平坦部６２ｃ１は、概ねＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。したがって、横平坦部６２ｃ１を有していない場合よりも、保護絶縁層９０の埋込部９０ａから縦方向に受ける圧力をシールド接続部６２ｃがより確実に受け止めることができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００では、保護絶縁層９０の埋め込み状態が安定化している。
【０１７０】
しかも、シールド接続部６２ｃは縦平坦部６２ｃ２を有している。縦平坦部６２ｃ２は、概ねＡＢＳ３０に沿って形成されている。したがって、上部前側シールド部６２は、トリム前前側シールド部６２Ａに対する上方向からのＩＢＥ等によって確実に形成できる構造となっている。
【０１７１】
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００は、磁路長を短縮することができ、しかもＡＢＳ３０の一部が突出することを抑制できるから、媒体対向面の一部が突出することを抑制することと、磁路長の短縮とを両立できる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなくＡＢＳ３０の一部の突出を抑制できるようになっている。
【０１７２】
そして、下部薄膜コイル１１、上部薄膜コイル５１が上述のような可変幅構造を有しているから、電流の流れを妨げることが少なく、抵抗値の上昇を抑制することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、下部薄膜コイル１１、上部薄膜コイル５１の熱の発生を効果的に抑制することができる。
【０１７３】
（変形例１）
薄膜磁気ヘッド３００は、前述した上部前側シールド部６２の代わりに図８（ａ）に示すような上部前側シールド部６２Ｂを有していてもよい。上部前側シールド部６２Ｂは上部前側シールド部６２と比べてシールド接続部６２ｃの代わりにシールド接続部６２ｄを有する点で相違している。シールド接続部６２ｄは、シールド接続部６２ｃと比べて横平坦部６２ｃ１を有していない点で相違している。
【０１７４】
また、薄膜磁気ヘッド３００は、上部前側シールド部６２の代わりに図８（ｂ）に示すような上部前側シールド部６２Ｄを有していてもよい。上部前側シールド部６２Ｄは上部前側シールド部６２と比べてシールド接続部６２ｃの代わりにシールド接続部６２ｅを有する点で相違している。シールド接続部６２ｅは、シールド接続部６２ｃと比べて縦平坦部６２ｃ２を有していない点で相違している。
【０１７５】
上部前側シールド部６２Ｂを有する場合、上部前側シールド部６２Ｄを有する場合のいずれも、ＡＢＳ３０内にシールド前端面６２ｂが配置され、ＡＢＳ３０内に露出している部分の大きさがトリム前前側シールド部６２Ａよりも縮減されている。そのため、トリム前前側シールド部６２Ａよりも、上部前側シールド部６２Ｂ、６２Ｄが突出する可能性は確実に抑制されている。したがって、上部前側シールド部６２Ｂを有する場合、上部前側シールド部６２Ｄを有する場合のいずれも媒体対向面の一部の突出を抑制することと、磁路長の短縮とを両立することができる。
【０１７６】
（変形例２）
前述した実施形態では、ワイド下部シード層形成工程と、下部シード層除去工程とを実行することによって、部分下部シード層９１を形成している。すなわち、積層体の表面にワイド下部シード層９１Ａを形成したのち、そのワイド下部シード層９１Ａの不要な部分を除去することによって、部分下部シード層９１を形成している。
【０１７７】
しかしながら、部分下部シード層９１は、次のようにして形成することもできる。すなわち、フォトレジスト等を用いて下部除外ゾーン９２Ａ１に予めマスクを形成しておき、それからスパッタリングを行い、その後、マスクを除去する。こうすることで、必要とされる領域にだけシード層が形成されるため、その形成されたシード層を部分下部シード層９１とすることができる。こうすると、シード層の不要な部分を除去する必要がなくなるので、シード層の材料の無駄を防止することができる。
【０１７８】
第２の実施の形態
前述した薄膜磁気ヘッド３００はライトシールド層６０を有し、そのライトシールド層６０は対向シールド部６１を有していた。対向シールド部６１は、主磁極層２６上のワイド上部シード層９３上に形成されている。しかしながら、ワイド上部シード層９３は部分下部シード層９１のような部分配置構造を有していない。そのため、図３０、図３１に示したように、ＡＢＳ３０にワイド上部シード層９３が出現していた。
【０１７９】
このような薄膜磁気ヘッド３００の場合、主磁極層２６よりも基板１側の磁束の残留（下部残留ともいう）を防止できたしても、主磁極層２６よりも基板１から離れた側の磁束の残留（上部残留ともいう）を防止できないおそれがある。
【０１８０】
そこで、上部残留を防止するためには、主磁極層２６よりも基板１から離れた側についても部分配置構造を有するシード層を形成することが好ましい。例えば、前述したワイド上部シード層９３の代わりに、図３８に示す部分上部シード層９３Ａを形成することが好ましい。
【０１８１】
この部分上部シード層９３Ａは主磁極層２６と、対向シールド部６１との間の、ごく薄い厚さを有する上部薄膜状空間のうちの部分的な領域にだけ形成されている。また、部分上部シード層９３Ａの全体がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【０１８２】
部分上部シード層９３Ａは後述する上部形成ゾーン９４Ｂ上だけに配置された部分配置構造を有している。上部形成ゾーン９４Ｂは、ＡＢＳ３０の形成前の段階において、積層体の表面のうちの上部除外ゾーン９４Ａ１を除いた領域に対応している。ＡＢＳ３０の形成後の段階では、積層体の表面のうちの上部不存在ゾーン９４Ａ２を除いた領域に対応し、ＡＢＳ３０から後退している。本実施の形態では、上部不存在ゾーン９４Ａ２が下部不存在ゾーン９２Ａ２と形状が等しく大きさも等しい領域に設定されている。
【０１８３】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、この上部不存在ゾーン９４Ａ２の表面からシード層がすべて除去されている。上部不存在ゾーン９４Ａ２は、前述した上部薄膜状空間に配置されていて、この上部不存在ゾーン９４Ａ２に部分上部シード層９３Ａの端面９３ａが出現している。端面９３ａはＡＢＳ３０には出現していない（図４０参照）。
【０１８４】
薄膜磁気ヘッド３００が部分上部シード層９３Ａを有するときは、前述した上部シールド層形成工程において、後述する上部シード層形成工程を実行する。また、第１の上部シールド部形成工程において、部分上部シード層９３Ａ上に対向シールド部６１を形成する。さらに、上部シード層形成工程では、ワイド上部シード層形成工程と、上部シード層除去工程とを実行する。
【０１８５】
そして、ワイド上部シード層形成工程を第１の実施の形態の場合と同様に実行することによって、第１の実施の形態の場合と同様のワイド上部シード層９３を形成する。次に、上部シード層除去工程を実行することによって、図３９に示したように、ワイド上部シード層９３のうちの被除外上部シード層（図示せず）を除去する。被除外上部シード層は、ワイド上部シード層９３のうちの上部除外ゾーン９４Ａ１上に形成されている部分に対応している。上部除外ゾーン９４Ａ１は、前述した下部除外ゾーン９２Ａ１と形状が等しく大きさも等しい領域に設定されている。
【０１８６】
以上のようにすることで、部分上部シード層９３Ａが得られる。その後は、上記同様の工程を得て、薄膜磁気ヘッド３００を製造する。
【０１８７】
この薄膜磁気ヘッド３００の場合、部分上部シード層９３Ａが部分下部シード層９１と同様の部分配置構造を有しているから、ＡＢＳ３０には部分上部シード層９３Ａが出現していない。したがって、この薄膜磁気ヘッド３００は、下部残留はもちろん、上部残留も確実に防止できる。そのため、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥをより確実に改善することができる。
【０１８８】
この薄膜磁気ヘッド３００の場合、主磁極層２６上に部分上部シード層９３Ａが存在しない構造になる。このような構造において、対向シールド部６１が主磁極層２６上に形成されるように、めっき膜の成長を促進するため、ギャップ層２９はＲｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いて形成し、メタルギャップ層にすることが好ましい。
【０１８９】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について、図４１を参照して説明する。
【０１９０】
図４１の（ａ）は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。また、図４１の（ｂ）はＨＧＡ２１０の裏面側を示す斜視図である。図４１（ａ）に示すように、ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（磁気記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbals Assembly）２１０とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、データの記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では４枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド３００に対向している。
【０１９１】
ハードディスク装置２０１は、アセンブリキャリッジ装置２０３によって、図４１（ｂ）に示すスライダ２０８をトラック上に位置決めする。このスライダ２０８に薄膜磁気ヘッド３００が形成されている。また、ハードディスク装置２０１は、複数の駆動アーム２０９を有している。各駆動アームは、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２０５によってピボットベアリング軸２０６を中心に回動し、ピボットベアリング軸２０６に沿った方向にスタックされている。そして、各駆動アームの先端にＨＧＡ２１０が取りつけられている。
【０１９２】
さらに、ハードディスク装置２０１は、記録再生を制御する制御回路（control circuit）２０４を有している。
【０１９３】
次に、ＨＧＡ２１０について図４１（ｂ）を参照して説明する。ＨＧＡ２１０は、サスペンション２２０の先端部分にスライダ２０８が固着されている。また、ＨＧＡ２１０では、配線部材２２４の一端部がスライダ２０８の端子電極に電気的に接続されている。
【０１９４】
そして、サスペンション２２０は、ロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の基部に設けられているベースプレート２２１と、ロードビーム２２２上の先端側からベースプレート２２１の手前側にかけて固着して支持され、弾性を備えたフレクシャ２２３と、配線部材２２４とを有している。配線部材２２４はリード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドを有している。
【０１９５】
ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を回転させると、スライダ２０８がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【０１９６】
このようなＨＧＡ２１０およびハードディスク装置２０１は薄膜磁気ヘッド３００を有しているから、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善することができる。
【０１９７】
なお、以上の各実施の形態では、変位抑制層を有する薄膜磁気ヘッドを例にとって説明しているが、本発明は、変位抑制層を有しない薄膜磁気ヘッドについても適用することができる。また、薄膜コイルが下部シールド層４０、ライトシールド層６０の周りに平面渦巻き状に巻回されているが、主磁極層２６の周りに螺旋状に巻回されていてもよい。
【０１９８】
以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができる。又、各実施形態における構成要素、機能、特徴あるいは方法ステップを適宜組み合わせて構成される装置又は方法も本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１９９】
本発明を適用することにより、多重シールド層に起因したＡＴＥやＷＡＴＥを改善することができる。本発明は垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドの製造方法およびその薄膜磁気ヘッド並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において利用することができる。
【符号の説明】
【０２００】
１…基板、１１…下部薄膜コイル、２６…主磁極層、２６ａ…磁極端面、２９…ギャップ層、３０…ＡＢＳ、４０…下部シールド層、４１…接続シールド部、４２…下部前側シールド部、４２ａ…シールド端面、４７…リーディングシールド部、４７Ａ…サイドシールド部、４７Ｂ…下部シールド予定領域、５１…上部薄膜コイル、６０…ライトシールド層、６１…対向シールド部、６１ａ…シールド端面、６２…上部前側シールド部、６５…上部ヨーク層、９１…部分下部シード層、９１Ａ…ワイド下部シード層、９２Ａ１…下部除外ゾーン、９２Ｂ…下部形成ゾーン、９２Ａ２…下部不存在ゾーン、９３…ワイド上部シード層、９３Ａ…部分上部シード層、９４Ａ２…上部不存在ゾーン、９４Ｂ…下部形成ゾーン、２０１…ハードディスク装置、２０２…ハードディスク、２１０…ＨＧＡ、３００…薄膜磁気ヘッド。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ前記主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、前記主磁極層、前記下部シールド層または前記上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記下部シールド層を形成する下部シールド層形成工程が、
前記基板上の、前記媒体対向面が後に形成される前記媒体対向面に沿った予定ラインを含む下部シールド予定領域に、前記下部シールド層を構成する第１の下部シールド部を形成する第１の下部シールド部形成工程と、
前記下部シールド層を構成する第２の下部シールド部を形成するための下部シード層を前記第１の下部シールド部上に形成するときに、前記予定ラインを含む下部除外ゾーンを除いた下部形成ゾーン上に配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層を形成する下部シード層形成工程と、
前記部分下部シード層上に前記第２の下部シールド部を形成する第２の下部シールド部形成工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記上部シールド層を形成する上部シールド層形成工程が、
前記上部シールド層を構成する第１の上部シールド部を形成するための上部シード層を前記主磁極層上に形成するときに、前記予定ラインを含む上部除外ゾーンを除いた上部形成ゾーン上に配置される部分配置構造を備えた部分上部シード層を形成する上部シード層形成工程と、
前記第１の上部シールド部を形成する第１の上部シールド部形成工程とを有し、
該第１の上部シールド部形成工程において、前記第１の上部シールド部を前記部分上部シード層上に形成する請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記下部シード層形成工程は、
前記部分下部シード層を形成するときに、前記基板を含む積層体の上面の前記下部除外ゾーンおよび前記下部形成ゾーン上に配置されるワイド下部シード層を形成するワイド下部シード層形成工程と、
前記ワイド下部シード層のうちの前記下部除外ゾーン上に形成された被除外下部シード層を除去する下部シード層除去工程とを有する請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記上部シード層形成工程は、
前記部分上部シード層を形成するときに、前記基板を含む積層体の上面の前記上部除外ゾーンおよび前記上部形成ゾーン上に配置されるワイド上部シード層を形成するワイド上部シード層形成工程と、
前記ワイド上部シード層のうちの前記上部除外ゾーン上に形成された被除外上部シード層を除去する上部シード層除去工程とを有する請求項２または３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記下部シード層形成工程において、前記下部除外ゾーンを前記予定ライン全体を含む前記媒体対向面に沿った帯状の領域に設定する請求項１〜４のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記上部シード層形成工程において、前記上部除外ゾーンを前記予定ライン全体を含む前記媒体対向面に沿った帯状の領域に設定する請求項２〜５のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記基板上の、前記薄膜コイルが形成される位置に向かって前記媒体対向面から離れる方向を奥行き方向としたときに、前記下部シード層形成工程において、前記下部除外ゾーンを前記予定ラインよりも外側から前記奥行き方向に沿って確保する請求項１〜６のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記基板上の、前記薄膜コイルが形成される位置に向かって前記媒体対向面から離れる方向を奥行き方向としたときに、前記上部シード層形成工程において、前記上部除外ゾーンを前記予定ラインよりも外側から前記奥行き方向に沿って確保する請求項２〜７のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記上部シールド層を形成する上部シールド層形成工程が、
前記上部シールド層を構成する第１の上部シールド部を形成する第１の上部シールド部形成工程と、
前記薄膜コイルを構成する導体層の前記媒体対向面側に、前記上部シールド層を構成する第２の上部シールド部を前記第１の上部シールド部に接続され、かつ前記媒体対向面内に配置されるように形成する第２の上部シールド部形成工程と、
前記上部シールド層を構成する連結シールド部を前記第２の上部シールド部に接続され、かつ前記薄膜コイルを跨ぎ、さらに前記媒体対向面から離れるように前記媒体対向面から後退させて形成する連結シールド部形成工程と、
前記第２の上部シールド部の前記連結シールド部によって被覆されていない前記媒体対向面側の一部分を切除するトリミング工程とを有する請求項１〜８のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記トリミング工程は、前記連結シールド部形成工程によって形成された前記連結シールド部をマスクに用いて、前記第２の上部シールド部の前記連結シールド部によって被覆されていない前記媒体対向面側の一部分を切除する請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ前記主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、前記主磁極層、前記下部シールド層または前記上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、
前記下部シールド層を構成し、かつ前記第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、
前記第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、
該下部シード層が、前記媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記上部シールド層を構成し、かつ前記主磁極層上に形成されている第１の上部シールド部と、
前記主磁極層と前記第１の上部シールド部の間に配置され、前記第１の上部シールド部をめっきにより形成するための上部シード層とを更に有し、
該上部シード層が、前記媒体対向面から後退している上部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分上部シード層として形成されている請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記第１の下部シールド部と前記第２の下部シールド部との間に前記下部シード層の存在しない下部不存在ゾーンが形成され、
前記部分下部シード層の端面が前記媒体対向面に出現することなく前記下部不存在ゾーンに出現している請求項１１または１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記主磁極層と前記第１の上部シールド部との間に前記上部シード層の存在しない上部不存在ゾーンが形成され、
前記部分上部シード層の端面が前記媒体対向面に出現することなく前記上部不存在ゾーンに出現している請求項１２または１３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記下部不存在ゾーンが前記媒体対向面から前記下部形成ゾーンまでの間の前記媒体対向面に沿った前記媒体対向面の幅方向全体にわたる帯状の領域に設定されている請求項１３または１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記上部不存在ゾーンが前記媒体対向面から前記上部形成ゾーンまでの間の前記媒体対向面に沿った前記媒体対向面の幅方向全体にわたる帯状の領域に設定されている請求項１４または１５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ前記主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、前記主磁極層、前記下部シールド層または前記上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、
前記下部シールド層を構成し、かつ前記第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、
前記第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、
該下部シード層が、前記媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されているヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１８】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ前記主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、前記主磁極層、前記下部シールド層または前記上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、
前記下部シールド層を構成し、かつ前記第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、
前記第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、
該下部シード層が、前記媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されているハードディスク装置。
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ前記主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、前記主磁極層、前記下部シールド層または前記上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記下部シールド層を形成する下部シールド層形成工程が、
前記基板上の、前記媒体対向面が後に形成される前記媒体対向面に沿った予定ラインを含む下部シールド予定領域に、前記下部シールド層を構成する第１の下部シールド部を形成する第１の下部シールド部形成工程と、
前記下部シールド層を構成する第２の下部シールド部を形成するための下部シード層を前記第１の下部シールド部上に形成するときに、前記予定ラインを含む下部除外ゾーンを除いた下部形成ゾーン上に配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層を形成する下部シード層形成工程と、
前記部分下部シード層上に前記第２の下部シールド部を形成する第２の下部シールド部形成工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記上部シールド層を形成する上部シールド層形成工程が、
前記上部シールド層を構成する第１の上部シールド部を形成するための上部シード層を前記主磁極層上に形成するときに、前記予定ラインを含む上部除外ゾーンを除いた上部形成ゾーン上に配置される部分配置構造を備えた部分上部シード層を形成する上部シード層形成工程と、
前記第１の上部シールド部を形成する第１の上部シールド部形成工程とを有し、
該第１の上部シールド部形成工程において、前記第１の上部シールド部を前記部分上部シード層上に形成する請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記下部シード層形成工程は、
前記部分下部シード層を形成するときに、前記基板を含む積層体の上面の前記下部除外ゾーンおよび前記下部形成ゾーン上に配置されるワイド下部シード層を形成するワイド下部シード層形成工程と、
前記ワイド下部シード層のうちの前記下部除外ゾーン上に形成された被除外下部シード層を除去する下部シード層除去工程とを有する請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記上部シード層形成工程は、
前記部分上部シード層を形成するときに、前記基板を含む積層体の上面の前記上部除外ゾーンおよび前記上部形成ゾーン上に配置されるワイド上部シード層を形成するワイド上部シード層形成工程と、
前記ワイド上部シード層のうちの前記上部除外ゾーン上に形成された被除外上部シード層を除去する上部シード層除去工程とを有する請求項２または３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記下部シード層形成工程において、前記下部除外ゾーンを前記予定ライン全体を含む前記媒体対向面に沿った帯状の領域に設定する請求項１〜４のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記上部シード層形成工程において、前記上部除外ゾーンを前記予定ライン全体を含む前記媒体対向面に沿った帯状の領域に設定する請求項２〜５のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記基板上の、前記薄膜コイルが形成される位置に向かって前記媒体対向面から離れる方向を奥行き方向としたときに、前記下部シード層形成工程において、前記下部除外ゾーンを前記予定ラインよりも外側から前記奥行き方向に沿って確保する請求項１〜６のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記基板上の、前記薄膜コイルが形成される位置に向かって前記媒体対向面から離れる方向を奥行き方向としたときに、前記上部シード層形成工程において、前記上部除外ゾーンを前記予定ラインよりも外側から前記奥行き方向に沿って確保する請求項２〜７のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記上部シールド層を形成する上部シールド層形成工程が、
前記上部シールド層を構成する第１の上部シールド部を形成する第１の上部シールド部形成工程と、
前記薄膜コイルを構成する導体層の前記媒体対向面側に、前記上部シールド層を構成する第２の上部シールド部を前記第１の上部シールド部に接続され、かつ前記媒体対向面内に配置されるように形成する第２の上部シールド部形成工程と、
前記上部シールド層を構成する連結シールド部を前記第２の上部シールド部に接続され、かつ前記薄膜コイルを跨ぎ、さらに前記媒体対向面から離れるように前記媒体対向面から後退させて形成する連結シールド部形成工程と、
前記第２の上部シールド部の前記連結シールド部によって被覆されていない前記媒体対向面側の一部分を切除するトリミング工程とを有する請求項１〜８のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記トリミング工程は、前記連結シールド部形成工程によって形成された前記連結シールド部をマスクに用いて、前記第２の上部シールド部の前記連結シールド部によって被覆されていない前記媒体対向面側の一部分を切除する請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ前記主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、前記主磁極層、前記下部シールド層または前記上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、
前記下部シールド層を構成し、かつ前記第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、
前記第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、
該下部シード層が、前記媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記上部シールド層を構成し、かつ前記主磁極層上に形成されている第１の上部シールド部と、
前記主磁極層と前記第１の上部シールド部の間に配置され、前記第１の上部シールド部をめっきにより形成するための上部シード層とを更に有し、
該上部シード層が、前記媒体対向面から後退している上部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分上部シード層として形成されている請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記第１の下部シールド部と前記第２の下部シールド部との間に前記下部シード層の存在しない下部不存在ゾーンが形成され、
前記部分下部シード層の端面が前記媒体対向面に出現することなく前記下部不存在ゾーンに出現している請求項１１または１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記主磁極層と前記第１の上部シールド部との間に前記上部シード層の存在しない上部不存在ゾーンが形成され、
前記部分上部シード層の端面が前記媒体対向面に出現することなく前記上部不存在ゾーンに出現している請求項１２または１３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記下部不存在ゾーンが前記媒体対向面から前記下部形成ゾーンまでの間の前記媒体対向面に沿った前記媒体対向面の幅方向全体にわたる帯状の領域に設定されている請求項１３または１４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記上部不存在ゾーンが前記媒体対向面から前記上部形成ゾーンまでの間の前記媒体対向面に沿った前記媒体対向面の幅方向全体にわたる帯状の領域に設定されている請求項１４または１５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ前記主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、前記主磁極層、前記下部シールド層または前記上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、
前記下部シールド層を構成し、かつ前記第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、
前記第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、
該下部シード層が、前記媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されているヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１８】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたシールド端面をそれぞれ有し、かつ前記主磁極層を挟むように配置されている下部シールド層および上部シールド層と、前記主磁極層、前記下部シールド層または前記上部シールド層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記下部シールド層を構成する第１の下部シールド部と、
前記下部シールド層を構成し、かつ前記第１の下部シールド部上に形成されている第２の下部シールド部と、
前記第２の下部シールド部をめっきにより形成するための下部シード層とを有し、
該下部シード層が、前記媒体対向面から後退している下部形成ゾーン上だけに配置される部分配置構造を備えた部分下部シード層として形成されているハードディスク装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【公開番号】特開２０１３−９３０８９（Ｐ２０１３−９３０８９Ａ）
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１８１５６１（Ｐ２０１２−１８１５６１）
【出願日】平成２４年８月２０日（２０１２．８．２０）
【出願人】（５００４７５６４９）ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド (251)
【出願人】（５００３９３８９３）新科實業有限公司 (361)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＥ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ（Ｈ．Ｋ．）Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｒｅ， ６ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ Ｅａｓｔ Ａｖｅｎｕｅ， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ， Ｓｈａｔｉｎ， Ｎ．Ｔ．， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年８月２０日（２０１２．８．２０）
【出願人】（５００４７５６４９）ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド (251)
【出願人】（５００３９３８９３）新科實業有限公司 (361)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＥ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ（Ｈ．Ｋ．）Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】ＳＡＥ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｅｎｔｒｅ， ６ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ Ｅａｓｔ Ａｖｅｎｕｅ， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｐａｒｋ， Ｓｈａｔｉｎ， Ｎ．Ｔ．， Ｈｏｎｇ Ｋｏｎｇ
【Ｆターム（参考）】
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