説明

記憶装置

【課題】本発明は、記憶部と制御部とが分離可能な記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の記憶装置は、第一インターフェースを介して電子装置に接続され、且つ第二インターフェース及びストレージコントローラーを有する制御部と、第三インターフェース及びストレージユニットを有する記憶部と、を備え、前記制御部及び前記記憶部は、前記第二インターフェース及び前記第三インターフェースを介して接続され、前記ストレージコントローラーは前記ストレージユニットのデータの読み書きを制御する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、記憶装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
図1に示されたように、従来のソリッドステートディスク(SSD)10のフラッシュコントローラー101及びフラッシュチップ102は、フラッシュバス103を介して接続され且つ1つのPCB基板に設置される。フラッシュチップ102が破壊されると、ソリッドステートディスク10は使用不能であるので、破壊されなかったフラッシュコントローラー101も続いて使用することができず、必要としない浪費を招く。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明の目的は、前記課題を解決し、記憶部と制御部とが分離可能な記憶装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明に係る記憶装置は、第一インターフェースを介して電子装置に接続され、且つ第二インターフェース及びストレージコントローラーを有する制御部と、第三インターフェース及びストレージユニットを有する記憶部と、を備え、前記制御部及び前記記憶部は、前記第二インターフェース及び前記第三インターフェースを介して接続され、前記ストレージコントローラーは前記ストレージユニットのデータの読み書きを制御する。
【発明の効果】
【0005】
従来の技術に比べて、本発明の記憶装置の制御部及び記憶部は、インターフェースを介して接続される2つの独立の装置であるので、前記制御部及び前記記憶部の中のいずれか1つが破壊されたら、破壊された装置を取り替えることを必要とするだけであり、浪費を減少して、コストを下げる。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】従来の技術に係る記憶装置の構造を示す図である。
【図2】本発明の実施形態に係る記憶装置の構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【0008】
図2を参照すると、本発明の実施形態に係わる記憶装置1は、制御部11及び記憶部12を備える。前記制御部11は、第一インターフェース111、第二インターフェース112及びストレージコントローラー113を備える。前記記憶装置1は、前記第一インターフェース111を介して電子装置(図示せず)に接続され、前記第一インターフェース111は、第一バス114を介して前記ストレージコントローラー113に接続され、前記第二インターフェース112は、第二バス115を介して前記ストレージコントローラー113に接続される。
【0009】
前記記憶部12は、第三インターフェース121及び少なくとも1つのストレージユニット122を備える。少なくとも1つの前記ストレージユニット122は、第三バス123を介して前記第三インターフェース121に接続される。前記制御部11及び前記記憶部12は、前記第二インターフェース112及び前記第三インターフェース121を介して接続され、前記第二インターフェース112及び前記第三インターフェース121は、ホットスワップできるインターフェースである。前記ストレージコントローラー113は、前記記憶部12のストレージユニット122のデータの読み書きを制御する。前記記憶部12が破壊されたら、前記記憶部12を取り替えることを必要とするだけで、前記制御部11は引き続き使用可能であり、又は前記制御部11が破壊されたら、前記制御部11を取り替えることを必要とするだけで、前記記憶部12は引き続き使用可能である。
【0010】
本実施形態において、前記記憶装置1はソリッドステートディスク(SSD)であり、前記第一インターフェース111はシリアルATA(Serial Advanced Technology Attachment,SATA)インターフェースであり、前記記憶部12のストレージユニット122はフラッシュメモリであり、前記第一バス114はSASAバスであり、前記第二バス115及び前記第三バス123は、フラッシュバスである。
【0011】
本実施形態において、前記第二インターフェース112及び前記第三インターフェース121は、データ信号ピン、アドレス信号ピン、制御信号ピン、電源信号ピン及び接地信号ピンを備える。
【0012】
以上、本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種種の変更が可能であることは勿論であって、本発明の技術的範囲は、以下の特許請求の範囲から決まる。
【符号の説明】
【0013】
1 記憶装置
10 ソリッドステートディスク
11 制御部
12 記憶部
101 フラッシュコントローラー
102 フラッシュチップ
103 フラッシュバス
111 第一インターフェース
112 第二インターフェース
113 ストレージコントローラー
114 第一バス
115 第二バス
121 第三インターフェース
122 ストレージユニット
123 第三バス

【特許請求の範囲】
【請求項1】
第一インターフェースを介して電子装置に接続される記憶装置であって、
第二インターフェース及びストレージコントローラーを有する制御部と、
第三インターフェース及びストレージユニットを有する記憶部と、
を備え、前記制御部及び前記記憶部は、前記第二インターフェース及び前記第三インターフェースを介して接続され、前記ストレージコントローラーは前記ストレージユニットのデータの読み書きを制御することを特徴とする記憶装置。
【請求項2】
前記第二インターフェースは、フラッシュバスを介して前記ストレージコントローラーに接続され、前記ストレージユニットは、フラッシュバスを介して前記第三インターフェースに接続されることを特徴とする請求項1に記載の記憶装置。
【請求項3】
前記第二インターフェース及び前記第三インターフェースは、データ信号ピン、アドレス信号ピン、制御信号ピン、電源信号ピン及び接地信号ピンを備えることを特徴とする請求項2に記載の記憶装置。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate


【公開番号】特開2013−84252(P2013−84252A)
【公開日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−205486(P2012−205486)
【出願日】平成24年9月19日(2012.9.19)
【出願人】(503023069)鴻富錦精密工業(深▲セン▼)有限公司 (399)
【出願人】(500080546)鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 (1,018)