記録媒体、記録媒体製造方法
【課題】 規則性合金磁性微粒子を高充填密度で形成する。
【解決手段】 非磁性基板の上部に所定の厚さでＡｕ粒子層１２が積層され、積層されたＡｕ粒子層１２の上部に、所定の厚さのＦｅ粒子層と、所定の厚さのＰｔ粒子層が積層された後、高速昇温加熱法により非磁性基板１１上にＦｅＰｔ規則合金粒子層１３が形成されてなる。
【解決手段】 非磁性基板の上部に所定の厚さでＡｕ粒子層１２が積層され、積層されたＡｕ粒子層１２の上部に、所定の厚さのＦｅ粒子層と、所定の厚さのＰｔ粒子層が積層された後、高速昇温加熱法により非磁性基板１１上にＦｅＰｔ規則合金粒子層１３が形成されてなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録が可能な記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置等に使用される情報記録媒体における記録密度を高めるための技術開発が進められている。記録密度を向上するには、１ビットの記録サイズを小さくする必要がある。例えば、磁気記録媒体において、６４Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２の記録密度を実現するには、直径が約１００ｎｍの磁区を記録し再生する必要があり、また、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２程度の記録密度を実現するには、直径が約２５ｎｍの磁区を記録し再生する必要がある。しかし、記録ビットサイズを小さくすると、記録情報を保持している磁化状態が熱エネルギーによって不安定になって、熱揺らぎ等の原因により、記録情報が消えてしまい、安定に記録状態を保持することができなくなる。
【０００３】
したがって、記録ビットサイズを小さくして、情報を安定に記録するためには、磁気異方性の大きな材料を記録膜として用いる必要がある。
【０００４】
磁気異方性の大きな材料として、ＦｅＰｄ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＭｎＡｌ、ＳｍＣｏ５などが知られている。特に、ＦｅＰｔ（鉄プラチナ）合金は、Ｌ１０構造をとることで６．６〜１０×１０７（ｅｒｇ／ｃｃ）という高い結晶磁気異方性を持つことが知られている。
【０００５】
ＦｅＰｔ合金の磁気異方性は、Ｌ１０構造の（００１）軸方向に異方性軸を持っているが、ＦｅＰｔ合金は、（１１１）軸方向に成長する膜面の斜め方向に容易軸を持つので、ＦｅＰｔ合金による記録膜を形成するには、第１の条件として、Ｌ１０結晶構造を作ること、第２の条件として、（００１）軸を膜面垂直方向に制御すること、さらに、第３の条件として、記録された磁区と隣接する磁区との相互作用を小さくするために、結晶粒径を小さくすることが重要である。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３１９３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、従来から、規則性のあるＦｅＰｔ合金の作成に多くの研究開発が進められており、例えば、単結晶基板を用いた膜形成法や、化学的合成法や、高速昇温加熱法等が提案されている。
【０００８】
しかしながら、高価な単結晶基板を用いて規則性合金化する方法では、充填率の高い孤立微粒子の作成が困難であり、何よりもコストがかかる問題があり、また、化学的手法を用いて作成する方法では、微粒子間の結晶配向を揃え、かつ微粒子を広範囲に均一に配置することが困難であり、また、高速昇温加熱法を用いる方法では、微粒子の充填率が低い問題がある。
【０００９】
そこで、本発明では、安価な単結晶基板を用いて、ＦｅＰｔ微粒子の充填率が高く、かつＦｅＰｔ微粒子を広範囲に均一に配置されてなる記録媒体及びその製造方法を提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る記録媒体は、上述の課題を解決するために、非磁性基板の上部に所定の厚さで金（Ａｕ）粒子層が積層され、積層された上記Ａｕの上部に、所定の厚さの鉄（Ｆｅ）粒子層と、所定の厚さのプラチナ（Ｐｔ）粒子層が積層された後、高速昇温加熱法により上記非磁性基板上に鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層が形成されてなる。
【００１１】
また、本発明に係る記録媒体製造方法は、上述の課題を解決するために、非磁性基板の上部に所定の厚さの金（Ａｕ）粒子層を積層する第１の積層工程と、上記第１の積層工程により積層された上記Ａｕ粒子層の上部に、所定の厚さの鉄（Ｆｅ）粒子層と、所定の厚さのプラチナ（Ｐｔ）粒子層を積層する第２の積層工程と、上記第２の積層工程により上記Ａｕ粒子層の上部にＦｅ粒子層とＰｔ粒子層が積層された後、真空中で高速加熱処理を行い、上記非磁性基板上に鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層を形成する形成工程により記録媒体を製造する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、結晶粒径の小さなＦｅＰｔ規則性合金を形成することができ、かつ、ＦｅＰｔ規則性合金を記録媒体の平面方向に対して、高い充填率で形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１４】
本発明は、例えば図１に示すような構造の記録媒体１０に適用される。記録媒体１０は、シリコン（Ｓｉ）等の非磁性基板１１と、非磁性基板１１の上部に下地層１２を介して鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）の規則性粒子層１３が形成されてなる。
【００１５】
ここで、記録媒体１０の製造方法について図２に示すフローチャートを参照して説明する。
【００１６】
記録媒体１０は、非磁性基板１１上に所定の厚さの金（Ａｕ）粒子層１２を下地層として積層する第１の積層工程Ｐ１と、Ａｕ粒子層１２の上部に所定の厚さの鉄（Ｆｅ）粒子層とプラチナ（Ｐｔ）粒子層を積層する第２の積層工程Ｐ２と、高速昇温処理を行う高速昇温処理工程Ｐ３により製造される。
【００１７】
＜第１の積層工程Ｐ１＞
ここで、第１の積層工程Ｐ１について説明する。第１の積層工程Ｐ１において、例えば、スパッタ法により非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を積層する。なお、非磁性基板１１の上部に積層されるＡｕ粒子層１２は、後述する第２の積層工程Ｐ２において積層されるＦｅＰｔ粒子の充填率を増大するための下地層としての役割を果たすものである。
【００１８】
また、非磁性基板１１上に形成されるＦｅＰｔ粒子の結晶粒径は、約２０ｎｍとなるので、下地層としても概ね２０ｎｍ程度の結晶粒径となることが望ましい。
【００１９】
ここで、非磁性基板１１の上部に様々な厚さのＡｕ粒子層１２を積層したときの、Ａｕ粒子層１２の表面形状の変化の様子を図３Ａ、Ｂに示す。図３Ａ（Ａ）には、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を２ｎｍ積層させたときのＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）による画像を示し、図３Ａ（Ｂ）には、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を２．５ｎｍ積層させたときのＳＥＭ画像を示し、図３Ａ（Ｃ）には、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を３ｎｍ積層させたときのＳＥＭ画像を示し、図３Ｂ（Ｄ）には、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を３．５ｎｍ積層させたときのＳＥＭ画像を示し、図３Ｂ（Ｅ）には、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を４ｎｍ積層させたときのＳＥＭ画像を示す。
【００２０】
図３Ａ（Ａ）から、Ａｕ粒子層１２を２ｎｍ積層させたときには、結晶粒径は約１０ｎｍ程度となっていることが分かり、図３Ａ（Ｂ）から、Ａｕ粒子層１２を２．５ｎｍ積層させたときには、結晶粒径は約１５ｎｍ程度となっていることが分かり、図３Ａ（Ｃ）から、Ａｕ粒子層１２を３ｎｍ積層させたときには、結晶粒径は約２０ｎｍ程度となっていることが分かり、図３Ｂ（Ｄ）から、Ａｕ粒子層１２を３．５ｎｍ積層させたときには、結晶粒径は約２５ｎｍ程度となっていることが分かり、図３Ｂ（Ｅ）から、Ａｕ粒子層１２を４ｎｍ積層させたときには、結晶粒径は約３０ｎｍ程度となっていることが分かる。
【００２１】
また、Ａｕ粒子層１２は、積層量が多いほど、結晶粒径が大きく、積層量が少ないほど、結晶粒径が小さくなることが分かる。
【００２２】
＜第２の積層工程Ｐ２＞
つぎに、第２の積層工程Ｐ２について説明する。第２の積層工程Ｐ２において、例えば、スパッタ法により第１の積層工程Ｐ１により積層されたＡｕ粒子層１２の上部にＦｅ粒子層と、Ｐｔ粒子層をそれぞれ積層する。
【００２３】
ここで、積層パターンについて説明する。第１の積層パターンは、Ａｕ粒子層１２の上部に所定の厚さのＦｅ粒子層を積層し、次に、積層されたＦｅ粒子層の上部に所定の厚さのＰｔ粒子層を積層する。
【００２４】
第２のパターンは、Ａｕ粒子層１２の上部に所定の厚さのＦｅ粒子層と、所定の厚さのＰｔ粒子層を交互に複数層積層する。
【００２５】
なお、積層パターンは、Ａｕ粒子層１２の上部に、最初に、所定の厚さのＰｔ粒子層を積層し、次に、所定の厚さのＦｅ粒子層を積層するパターンであっても良い。
【００２６】
また、Ｆｅ粒子層及び／又はＰｔ粒子層に、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ等の元素を添加しても良い。Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ等は、規則化温度低減効果を有する元素であり、ＦｅＰｔ粒子層のＬ１０規則合金化温度低減に寄与する。
【００２７】
＜高速昇温処理工程Ｐ３＞
つぎに、高速昇温処理工程Ｐ３について説明する。高速昇温処理工程Ｐ３は、第１の積層工程Ｐ１及び第２の積層工程Ｐ２によって非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２、Ｆｅ粒子層、Ｐｔ粒子層の順番で積層されている記録媒体１０を真空中で熱処理を行う。本発明では、熱処理として、高速昇温熱処理（RTA,Rapid Thermal Annealing）法を用いる。
【００２８】
熱処理前の記録媒体１０表面は、気相冷却効果により不規則ｆｃｃ構造を有し、軟磁気特性を呈するが、高速加熱処理を行うことにより安定相である規則ｆｃｔ構造（Ｌ１０）を形成し、高い保持力を呈する鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層１３が形成される。
【００２９】
ここで、高速昇温熱処理法について説明し、併せて本発明で採用した当該方法の利用条件を以下に説明する。
【００３０】
高速昇温熱処理法は、主に、赤外線ランプによる熱パルスを用いて、真空炉内で、対象物を高速に昇温する昇温工程と、昇温工程により最高温度に達した場合に、数秒から数分間当該最高温度を維持し続ける維持工程と、維持工程により所定期間最高温度を維持し続けた後、所定の速度で降温（冷却）する降温工程からなる。また、昇温工程においては、昇温時の速度を８０℃／ｓとし、到達温度（最高温度）を５００℃とし、また、維持工程においては、約１秒間最高温度（５００℃）を維持し続けるものとし、降温工程においては、降温時の速度を約９℃／ｓとする。また、熱処理を行った対象物（記録媒体）は、炉内の温度が室温に戻るまで真空中において保存する。また、各工程におけるＲＴＡ真空炉の真空度は、５×１０−４Ｐａ以下とする。
【００３１】
上述の条件にしたがって、記録媒体１０に対して高速昇温熱処理をおこなうと、記録媒体１０の表面には、Ａｕ粒子層１２の結晶粒に沿って、結晶粒径が小さく、かつ充填率の高いＦｅＰｔ規則合金粒子層１３が形成される。
【００３２】
また、ＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３に、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ等の規則化温度低減効果を有する元素を添加することで、ＦｅＰｔＬ１０構造の規則化度を向上することができる。
【００３３】
ここで、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を積層しないで、Ｆｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温処理を行った場合の記録媒体１０の表面の様子（図４Ａ（Ａ））と、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を積層しないで、その上部にＣｕ原子を約２８%含むＦｅ粒子層と、更にその上部へＰｔ粒子層を積層し、高速昇温熱処理を行った場合の記録媒体１０の表面の様子（図４Ａ（Ｂ））を比較する。
【００３４】
図４Ａ（Ａ）、（Ｂ）から明らかなように、結晶粒サイズには、顕著な変化は見られない。一方、Ｃｕ原子を添加しなかった場合の記録媒体１０表面のＸ線回折パターンを図５に示し、Ｃｕ原子を添加した場合の記録媒体１０表面のＸ線回折パターンを図６に示す。図５及び図６から明らかなように、Ｃｕ原子を添加した場合には、（００１）配向性及び（００２）配向性の積分強度は増加するのに対し、（１１１）配向性の積分強度は減少していることが分かる。また、特に、（００１）配向性の積分強度は、大幅に向上していることが分かる。
【００３５】
次に、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を積層しないで、Ｆｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温処理を行った場合の記録媒体１０の表面の様子（図４Ａ（Ａ））と、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を積層し、その上部にＣｕを含むＦｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温熱処理を行った場合の記録媒体１０の表面の様子（図４Ｂ（Ｃ））を比較する。なお、図４Ａ（Ａ）は、非磁性基板１１上にＦｅ粒子層を２．０２ｎｍ積層し、Ｆｅ粒子層の上部にＰｔ粒子層を１．７３ｎｍ積層して、高速昇温熱処理を行ったものであり、図４Ａ（Ｂ）は、非磁性基板１１上にＦｅ粒子層（Ｃｕが添加されている）を２．０２ｎｍ積層し、Ｆｅ粒子層の上部にＰｔ粒子層を１．７３ｎｍ積層して、高速昇温熱処理を行ったものであり、図４Ｂ（Ｃ）は、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を３ｎｍ積層し、Ａｕ粒子層１２の上部にＣｕを含むＦｅ粒子層を２．０２ｎｍ積層し、Ｆｅ粒子層の上部にＰｔ粒子層を１．７３ｎｍ積層して、高速昇温熱処理を行ったものである。
【００３６】
また、図４Ａ、Ｂから明らかなように、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層しない場合には、形成されるＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３は、結晶粒径が大きく、充填率が低いことが分かる。一方、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層した場合には、形成されるＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３は、結晶粒径が小さく、かつ、充填率が高いことが分かる。
【００３７】
ここで、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層しなかった場合の記録媒体１０表面のＸ線回折パターンを図５に示し、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層した場合の記録媒体１０表面のＸ線回折パターンを図７に示す。図５及び図７から分かるように、（００１）配向性の積分強度及び（１１１）配向性の積分強度を比較すると、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層した場合の方が非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層しない場合に比べて強度比が大きくなっており、規則相ｆｃｔ（００１）構造及び規則相ｆｃｔ（００２）構造が顕著に表れ、（１１１）配向性の積分強度は著しく減少している。したがって、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層し、その上部にＦｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層して高速昇温処理を行った場合には、ＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３が、記録媒体１０の垂直方向（Ｚ軸方向）に対して、規則正しく形成されていると判断することができる。
【００３８】
また、非磁性基板１１の上部に様々な厚さのＡｕ粒子層１２を積層したときの記録媒体１０表面の様子と、Ａｕ粒子層１２の上部にＦｅ粒子層を２．１ｎｍ積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を２．１ｎｍ積層して、高速昇温処理した場合の記録媒体１０表面の様子を比較したものを図８Ａ、Ｂに示す。
【００３９】
図８Ａ（Ａ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を２ｎｍ積層したときの記録媒体１０表面のＳＥＭ画像であり、図８Ａ（Ｂ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を２ｎｍ積層し、その上部にＦｅ粒子層を２．１ｎｍ積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を２．１ｎｍ積層し、高速昇温処理をした場合の記録媒体１０表面のＳＥＭ画像であり、図８Ａ（Ｃ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を３ｎｍ積層したときの記録媒体１０の表面のＳＥＭ画像であり、図８Ｂ（Ｄ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を３ｎｍ積層し、その上部にＦｅ粒子層を２．１ｎｍ積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を２．１ｎｍ積層し、高速昇温処理をした場合の記録媒体１０表面のＳＥＭ画像であり、図８Ｂ（Ｅ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を４ｎｍ積層したときの記録媒体１０表面のＳＥＭ画像であり、図８Ｂ（Ｆ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を４ｎｍ積層し、その上部にＦｅ粒子層を２．１ｎｍ積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を２．１ｎｍ積層し、高速昇温処理をした場合の記録媒体１０表面のＳＥＭ画像である。
【００４０】
したがって、非磁性基板１１の上部に積層するＡｕ粒子層１２は、積層量が多いほど、ＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３が顕著に形成されることが分かる。
【００４１】
ゆえに、非磁性基板１１の上部に積層するＡｕ粒子層１２は、図３より、積層量が少ないほど結晶粒径が小さくなるが、一方で、図８Ａ、Ｂより、積層量が少ないとＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３が顕著に形成されない。したがって、非磁性基板１１の上部に積層するＡｕ粒子層１２は、３ｎｍ程度が適量であると推察される。
【００４２】
このようにして、本発明では、非磁性基板１１上に所定の厚さのＡｕ粒子層１２を積層する第１の積層工程Ｐ１と、Ａｕ粒子層１２の上部に所定の厚さのＦｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層する第２の積層工程Ｐ２と、高速昇温処理を行う高速昇温処理工程Ｐ３により記録媒体１０を製造するので、非磁性基板１１上に、結晶粒径の小さなＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３を形成することができ、かつ、ＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３を記録媒体の平面方向に対して、高い充填率で形成することができる。したがって、本発明に係る記録媒体１０は、熱的に安定なＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３を記録層とする超高密度安定記録が可能であり、例えば、超高記録密度の小型ハードディスクドライブの実現を可能とする。
【００４３】
なお、本発明は、図面を参照して説明した上述の実施例に限定されるものではなく、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な変更、置換又はその同等のものを行うことができることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に係る記録媒体の構造を示す断面図である。
【図２】本発明に係る記録媒体の製造工程を示すフローチャートである。
【図３Ａ】第１の積層工程により非磁性基板上に様々な厚さのＡｕ粒子層を積層したときの、媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【図３Ｂ】第１の積層工程により非磁性基板上に様々な厚さのＡｕ粒子層を積層したときの、媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【図４Ａ】（Ａ）は、非磁性基板の上部にＡｕ粒子層を積層しないで、Ｆｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温処理を行った場合の記録媒体の表面の様子をＳＥＭにより撮像した図であり、（Ｂ）は、非磁性基板の上部にＡｕ粒子層を積層しないで、その上部にＣｕを含むＦｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温熱処理を行った場合の記録媒体の表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【図４Ｂ】（Ｃ）は、非磁性基板の上部にＡｕ粒子層を積層し、その上部にＣｕを含むＦｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温熱処理を行った場合の記録媒体の表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【図５】図４Ａ（Ａ）の記録媒体表面のＸ線回折パターンを示す図である。
【図６】図４Ａ（Ｂ）の記録媒体表面のＸ線回折パターンを示す図である。
【図７】図４Ｂ（Ｃ）の記録媒体表面のＸ線回折パターンを示す図である。
【図８Ａ】非磁性基板の上部に様々な厚さのＡｕ粒子層を積層したときの記録媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図と、Ａｕ粒子層の上部にＦｅ粒子層を所定量積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を所定量積層して、高速昇温処理した場合の記録媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【図８Ｂ】非磁性基板の上部に様々な厚さのＡｕ粒子層を積層したときの記録媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図と、Ａｕ粒子層の上部にＦｅ粒子層を所定量積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を所定量積層して、高速昇温処理した場合の記録媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０ 記録媒体、１１ 非磁性基板、１２ Ａｕ粒子層、１３ 鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録が可能な記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置等に使用される情報記録媒体における記録密度を高めるための技術開発が進められている。記録密度を向上するには、１ビットの記録サイズを小さくする必要がある。例えば、磁気記録媒体において、６４Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２の記録密度を実現するには、直径が約１００ｎｍの磁区を記録し再生する必要があり、また、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２程度の記録密度を実現するには、直径が約２５ｎｍの磁区を記録し再生する必要がある。しかし、記録ビットサイズを小さくすると、記録情報を保持している磁化状態が熱エネルギーによって不安定になって、熱揺らぎ等の原因により、記録情報が消えてしまい、安定に記録状態を保持することができなくなる。
【０００３】
したがって、記録ビットサイズを小さくして、情報を安定に記録するためには、磁気異方性の大きな材料を記録膜として用いる必要がある。
【０００４】
磁気異方性の大きな材料として、ＦｅＰｄ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＭｎＡｌ、ＳｍＣｏ５などが知られている。特に、ＦｅＰｔ（鉄プラチナ）合金は、Ｌ１０構造をとることで６．６〜１０×１０７（ｅｒｇ／ｃｃ）という高い結晶磁気異方性を持つことが知られている。
【０００５】
ＦｅＰｔ合金の磁気異方性は、Ｌ１０構造の（００１）軸方向に異方性軸を持っているが、ＦｅＰｔ合金は、（１１１）軸方向に成長する膜面の斜め方向に容易軸を持つので、ＦｅＰｔ合金による記録膜を形成するには、第１の条件として、Ｌ１０結晶構造を作ること、第２の条件として、（００１）軸を膜面垂直方向に制御すること、さらに、第３の条件として、記録された磁区と隣接する磁区との相互作用を小さくするために、結晶粒径を小さくすることが重要である。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３１９３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、従来から、規則性のあるＦｅＰｔ合金の作成に多くの研究開発が進められており、例えば、単結晶基板を用いた膜形成法や、化学的合成法や、高速昇温加熱法等が提案されている。
【０００８】
しかしながら、高価な単結晶基板を用いて規則性合金化する方法では、充填率の高い孤立微粒子の作成が困難であり、何よりもコストがかかる問題があり、また、化学的手法を用いて作成する方法では、微粒子間の結晶配向を揃え、かつ微粒子を広範囲に均一に配置することが困難であり、また、高速昇温加熱法を用いる方法では、微粒子の充填率が低い問題がある。
【０００９】
そこで、本発明では、安価な単結晶基板を用いて、ＦｅＰｔ微粒子の充填率が高く、かつＦｅＰｔ微粒子を広範囲に均一に配置されてなる記録媒体及びその製造方法を提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る記録媒体は、上述の課題を解決するために、非磁性基板の上部に所定の厚さで金（Ａｕ）粒子層が積層され、積層された上記Ａｕの上部に、所定の厚さの鉄（Ｆｅ）粒子層と、所定の厚さのプラチナ（Ｐｔ）粒子層が積層された後、高速昇温加熱法により上記非磁性基板上に鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層が形成されてなる。
【００１１】
また、本発明に係る記録媒体製造方法は、上述の課題を解決するために、非磁性基板の上部に所定の厚さの金（Ａｕ）粒子層を積層する第１の積層工程と、上記第１の積層工程により積層された上記Ａｕ粒子層の上部に、所定の厚さの鉄（Ｆｅ）粒子層と、所定の厚さのプラチナ（Ｐｔ）粒子層を積層する第２の積層工程と、上記第２の積層工程により上記Ａｕ粒子層の上部にＦｅ粒子層とＰｔ粒子層が積層された後、真空中で高速加熱処理を行い、上記非磁性基板上に鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層を形成する形成工程により記録媒体を製造する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、結晶粒径の小さなＦｅＰｔ規則性合金を形成することができ、かつ、ＦｅＰｔ規則性合金を記録媒体の平面方向に対して、高い充填率で形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１４】
本発明は、例えば図１に示すような構造の記録媒体１０に適用される。記録媒体１０は、シリコン（Ｓｉ）等の非磁性基板１１と、非磁性基板１１の上部に下地層１２を介して鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）の規則性粒子層１３が形成されてなる。
【００１５】
ここで、記録媒体１０の製造方法について図２に示すフローチャートを参照して説明する。
【００１６】
記録媒体１０は、非磁性基板１１上に所定の厚さの金（Ａｕ）粒子層１２を下地層として積層する第１の積層工程Ｐ１と、Ａｕ粒子層１２の上部に所定の厚さの鉄（Ｆｅ）粒子層とプラチナ（Ｐｔ）粒子層を積層する第２の積層工程Ｐ２と、高速昇温処理を行う高速昇温処理工程Ｐ３により製造される。
【００１７】
＜第１の積層工程Ｐ１＞
ここで、第１の積層工程Ｐ１について説明する。第１の積層工程Ｐ１において、例えば、スパッタ法により非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を積層する。なお、非磁性基板１１の上部に積層されるＡｕ粒子層１２は、後述する第２の積層工程Ｐ２において積層されるＦｅＰｔ粒子の充填率を増大するための下地層としての役割を果たすものである。
【００１８】
また、非磁性基板１１上に形成されるＦｅＰｔ粒子の結晶粒径は、約２０ｎｍとなるので、下地層としても概ね２０ｎｍ程度の結晶粒径となることが望ましい。
【００１９】
ここで、非磁性基板１１の上部に様々な厚さのＡｕ粒子層１２を積層したときの、Ａｕ粒子層１２の表面形状の変化の様子を図３Ａ、Ｂに示す。図３Ａ（Ａ）には、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を２ｎｍ積層させたときのＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）による画像を示し、図３Ａ（Ｂ）には、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を２．５ｎｍ積層させたときのＳＥＭ画像を示し、図３Ａ（Ｃ）には、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を３ｎｍ積層させたときのＳＥＭ画像を示し、図３Ｂ（Ｄ）には、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を３．５ｎｍ積層させたときのＳＥＭ画像を示し、図３Ｂ（Ｅ）には、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を４ｎｍ積層させたときのＳＥＭ画像を示す。
【００２０】
図３Ａ（Ａ）から、Ａｕ粒子層１２を２ｎｍ積層させたときには、結晶粒径は約１０ｎｍ程度となっていることが分かり、図３Ａ（Ｂ）から、Ａｕ粒子層１２を２．５ｎｍ積層させたときには、結晶粒径は約１５ｎｍ程度となっていることが分かり、図３Ａ（Ｃ）から、Ａｕ粒子層１２を３ｎｍ積層させたときには、結晶粒径は約２０ｎｍ程度となっていることが分かり、図３Ｂ（Ｄ）から、Ａｕ粒子層１２を３．５ｎｍ積層させたときには、結晶粒径は約２５ｎｍ程度となっていることが分かり、図３Ｂ（Ｅ）から、Ａｕ粒子層１２を４ｎｍ積層させたときには、結晶粒径は約３０ｎｍ程度となっていることが分かる。
【００２１】
また、Ａｕ粒子層１２は、積層量が多いほど、結晶粒径が大きく、積層量が少ないほど、結晶粒径が小さくなることが分かる。
【００２２】
＜第２の積層工程Ｐ２＞
つぎに、第２の積層工程Ｐ２について説明する。第２の積層工程Ｐ２において、例えば、スパッタ法により第１の積層工程Ｐ１により積層されたＡｕ粒子層１２の上部にＦｅ粒子層と、Ｐｔ粒子層をそれぞれ積層する。
【００２３】
ここで、積層パターンについて説明する。第１の積層パターンは、Ａｕ粒子層１２の上部に所定の厚さのＦｅ粒子層を積層し、次に、積層されたＦｅ粒子層の上部に所定の厚さのＰｔ粒子層を積層する。
【００２４】
第２のパターンは、Ａｕ粒子層１２の上部に所定の厚さのＦｅ粒子層と、所定の厚さのＰｔ粒子層を交互に複数層積層する。
【００２５】
なお、積層パターンは、Ａｕ粒子層１２の上部に、最初に、所定の厚さのＰｔ粒子層を積層し、次に、所定の厚さのＦｅ粒子層を積層するパターンであっても良い。
【００２６】
また、Ｆｅ粒子層及び／又はＰｔ粒子層に、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ等の元素を添加しても良い。Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ等は、規則化温度低減効果を有する元素であり、ＦｅＰｔ粒子層のＬ１０規則合金化温度低減に寄与する。
【００２７】
＜高速昇温処理工程Ｐ３＞
つぎに、高速昇温処理工程Ｐ３について説明する。高速昇温処理工程Ｐ３は、第１の積層工程Ｐ１及び第２の積層工程Ｐ２によって非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２、Ｆｅ粒子層、Ｐｔ粒子層の順番で積層されている記録媒体１０を真空中で熱処理を行う。本発明では、熱処理として、高速昇温熱処理（RTA,Rapid Thermal Annealing）法を用いる。
【００２８】
熱処理前の記録媒体１０表面は、気相冷却効果により不規則ｆｃｃ構造を有し、軟磁気特性を呈するが、高速加熱処理を行うことにより安定相である規則ｆｃｔ構造（Ｌ１０）を形成し、高い保持力を呈する鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層１３が形成される。
【００２９】
ここで、高速昇温熱処理法について説明し、併せて本発明で採用した当該方法の利用条件を以下に説明する。
【００３０】
高速昇温熱処理法は、主に、赤外線ランプによる熱パルスを用いて、真空炉内で、対象物を高速に昇温する昇温工程と、昇温工程により最高温度に達した場合に、数秒から数分間当該最高温度を維持し続ける維持工程と、維持工程により所定期間最高温度を維持し続けた後、所定の速度で降温（冷却）する降温工程からなる。また、昇温工程においては、昇温時の速度を８０℃／ｓとし、到達温度（最高温度）を５００℃とし、また、維持工程においては、約１秒間最高温度（５００℃）を維持し続けるものとし、降温工程においては、降温時の速度を約９℃／ｓとする。また、熱処理を行った対象物（記録媒体）は、炉内の温度が室温に戻るまで真空中において保存する。また、各工程におけるＲＴＡ真空炉の真空度は、５×１０−４Ｐａ以下とする。
【００３１】
上述の条件にしたがって、記録媒体１０に対して高速昇温熱処理をおこなうと、記録媒体１０の表面には、Ａｕ粒子層１２の結晶粒に沿って、結晶粒径が小さく、かつ充填率の高いＦｅＰｔ規則合金粒子層１３が形成される。
【００３２】
また、ＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３に、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ等の規則化温度低減効果を有する元素を添加することで、ＦｅＰｔＬ１０構造の規則化度を向上することができる。
【００３３】
ここで、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を積層しないで、Ｆｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温処理を行った場合の記録媒体１０の表面の様子（図４Ａ（Ａ））と、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を積層しないで、その上部にＣｕ原子を約２８%含むＦｅ粒子層と、更にその上部へＰｔ粒子層を積層し、高速昇温熱処理を行った場合の記録媒体１０の表面の様子（図４Ａ（Ｂ））を比較する。
【００３４】
図４Ａ（Ａ）、（Ｂ）から明らかなように、結晶粒サイズには、顕著な変化は見られない。一方、Ｃｕ原子を添加しなかった場合の記録媒体１０表面のＸ線回折パターンを図５に示し、Ｃｕ原子を添加した場合の記録媒体１０表面のＸ線回折パターンを図６に示す。図５及び図６から明らかなように、Ｃｕ原子を添加した場合には、（００１）配向性及び（００２）配向性の積分強度は増加するのに対し、（１１１）配向性の積分強度は減少していることが分かる。また、特に、（００１）配向性の積分強度は、大幅に向上していることが分かる。
【００３５】
次に、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を積層しないで、Ｆｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温処理を行った場合の記録媒体１０の表面の様子（図４Ａ（Ａ））と、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を積層し、その上部にＣｕを含むＦｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温熱処理を行った場合の記録媒体１０の表面の様子（図４Ｂ（Ｃ））を比較する。なお、図４Ａ（Ａ）は、非磁性基板１１上にＦｅ粒子層を２．０２ｎｍ積層し、Ｆｅ粒子層の上部にＰｔ粒子層を１．７３ｎｍ積層して、高速昇温熱処理を行ったものであり、図４Ａ（Ｂ）は、非磁性基板１１上にＦｅ粒子層（Ｃｕが添加されている）を２．０２ｎｍ積層し、Ｆｅ粒子層の上部にＰｔ粒子層を１．７３ｎｍ積層して、高速昇温熱処理を行ったものであり、図４Ｂ（Ｃ）は、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を３ｎｍ積層し、Ａｕ粒子層１２の上部にＣｕを含むＦｅ粒子層を２．０２ｎｍ積層し、Ｆｅ粒子層の上部にＰｔ粒子層を１．７３ｎｍ積層して、高速昇温熱処理を行ったものである。
【００３６】
また、図４Ａ、Ｂから明らかなように、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層しない場合には、形成されるＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３は、結晶粒径が大きく、充填率が低いことが分かる。一方、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層した場合には、形成されるＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３は、結晶粒径が小さく、かつ、充填率が高いことが分かる。
【００３７】
ここで、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層しなかった場合の記録媒体１０表面のＸ線回折パターンを図５に示し、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層した場合の記録媒体１０表面のＸ線回折パターンを図７に示す。図５及び図７から分かるように、（００１）配向性の積分強度及び（１１１）配向性の積分強度を比較すると、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層した場合の方が非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層しない場合に比べて強度比が大きくなっており、規則相ｆｃｔ（００１）構造及び規則相ｆｃｔ（００２）構造が顕著に表れ、（１１１）配向性の積分強度は著しく減少している。したがって、非磁性基板１１上にＡｕ粒子層１２を積層し、その上部にＦｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層して高速昇温処理を行った場合には、ＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３が、記録媒体１０の垂直方向（Ｚ軸方向）に対して、規則正しく形成されていると判断することができる。
【００３８】
また、非磁性基板１１の上部に様々な厚さのＡｕ粒子層１２を積層したときの記録媒体１０表面の様子と、Ａｕ粒子層１２の上部にＦｅ粒子層を２．１ｎｍ積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を２．１ｎｍ積層して、高速昇温処理した場合の記録媒体１０表面の様子を比較したものを図８Ａ、Ｂに示す。
【００３９】
図８Ａ（Ａ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を２ｎｍ積層したときの記録媒体１０表面のＳＥＭ画像であり、図８Ａ（Ｂ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を２ｎｍ積層し、その上部にＦｅ粒子層を２．１ｎｍ積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を２．１ｎｍ積層し、高速昇温処理をした場合の記録媒体１０表面のＳＥＭ画像であり、図８Ａ（Ｃ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を３ｎｍ積層したときの記録媒体１０の表面のＳＥＭ画像であり、図８Ｂ（Ｄ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を３ｎｍ積層し、その上部にＦｅ粒子層を２．１ｎｍ積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を２．１ｎｍ積層し、高速昇温処理をした場合の記録媒体１０表面のＳＥＭ画像であり、図８Ｂ（Ｅ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を４ｎｍ積層したときの記録媒体１０表面のＳＥＭ画像であり、図８Ｂ（Ｆ）は、非磁性基板１１の上部にＡｕ粒子層１２を４ｎｍ積層し、その上部にＦｅ粒子層を２．１ｎｍ積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を２．１ｎｍ積層し、高速昇温処理をした場合の記録媒体１０表面のＳＥＭ画像である。
【００４０】
したがって、非磁性基板１１の上部に積層するＡｕ粒子層１２は、積層量が多いほど、ＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３が顕著に形成されることが分かる。
【００４１】
ゆえに、非磁性基板１１の上部に積層するＡｕ粒子層１２は、図３より、積層量が少ないほど結晶粒径が小さくなるが、一方で、図８Ａ、Ｂより、積層量が少ないとＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３が顕著に形成されない。したがって、非磁性基板１１の上部に積層するＡｕ粒子層１２は、３ｎｍ程度が適量であると推察される。
【００４２】
このようにして、本発明では、非磁性基板１１上に所定の厚さのＡｕ粒子層１２を積層する第１の積層工程Ｐ１と、Ａｕ粒子層１２の上部に所定の厚さのＦｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層する第２の積層工程Ｐ２と、高速昇温処理を行う高速昇温処理工程Ｐ３により記録媒体１０を製造するので、非磁性基板１１上に、結晶粒径の小さなＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３を形成することができ、かつ、ＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３を記録媒体の平面方向に対して、高い充填率で形成することができる。したがって、本発明に係る記録媒体１０は、熱的に安定なＦｅＰｔ規則性合金粒子層１３を記録層とする超高密度安定記録が可能であり、例えば、超高記録密度の小型ハードディスクドライブの実現を可能とする。
【００４３】
なお、本発明は、図面を参照して説明した上述の実施例に限定されるものではなく、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な変更、置換又はその同等のものを行うことができることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に係る記録媒体の構造を示す断面図である。
【図２】本発明に係る記録媒体の製造工程を示すフローチャートである。
【図３Ａ】第１の積層工程により非磁性基板上に様々な厚さのＡｕ粒子層を積層したときの、媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【図３Ｂ】第１の積層工程により非磁性基板上に様々な厚さのＡｕ粒子層を積層したときの、媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【図４Ａ】（Ａ）は、非磁性基板の上部にＡｕ粒子層を積層しないで、Ｆｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温処理を行った場合の記録媒体の表面の様子をＳＥＭにより撮像した図であり、（Ｂ）は、非磁性基板の上部にＡｕ粒子層を積層しないで、その上部にＣｕを含むＦｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温熱処理を行った場合の記録媒体の表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【図４Ｂ】（Ｃ）は、非磁性基板の上部にＡｕ粒子層を積層し、その上部にＣｕを含むＦｅ粒子層とＰｔ粒子層を積層し、高速昇温熱処理を行った場合の記録媒体の表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【図５】図４Ａ（Ａ）の記録媒体表面のＸ線回折パターンを示す図である。
【図６】図４Ａ（Ｂ）の記録媒体表面のＸ線回折パターンを示す図である。
【図７】図４Ｂ（Ｃ）の記録媒体表面のＸ線回折パターンを示す図である。
【図８Ａ】非磁性基板の上部に様々な厚さのＡｕ粒子層を積層したときの記録媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図と、Ａｕ粒子層の上部にＦｅ粒子層を所定量積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を所定量積層して、高速昇温処理した場合の記録媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【図８Ｂ】非磁性基板の上部に様々な厚さのＡｕ粒子層を積層したときの記録媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図と、Ａｕ粒子層の上部にＦｅ粒子層を所定量積層し、さらにその上部にＰｔ粒子層を所定量積層して、高速昇温処理した場合の記録媒体表面の様子をＳＥＭにより撮像した図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０ 記録媒体、１１ 非磁性基板、１２ Ａｕ粒子層、１３ 鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の上部に所定の厚さで金（Ａｕ）粒子層が積層され、
積層された上記Ａｕの上部に、所定の厚さの鉄（Ｆｅ）粒子層と、所定の厚さのプラチナ（Ｐｔ）粒子層が積層された後、高速昇温加熱法により上記非磁性基板上に鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層が形成されてなることを特徴とする記録媒体。
【請求項２】
上記鉄粒子層及び／又は上記プラチナ粒子層は、規則化温度低減効果を有する元素が添加されていることを特徴とする請求項１記載の記録媒体。
【請求項３】
非磁性基板の上部に所定の厚さの金（Ａｕ）粒子層を積層する第１の積層工程と、
上記第１の積層工程により積層された上記Ａｕ粒子層の上部に、所定の厚さの鉄（Ｆｅ）粒子層と、所定の厚さのプラチナ（Ｐｔ）粒子層を積層する第２の積層工程と、
上記第２の積層工程により上記Ａｕ粒子層の上部にＦｅ粒子層とＰｔ粒子層が積層された後、真空中で高速加熱処理を行い、上記非磁性基板上に鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層を形成する形成工程により記録媒体を製造することを特徴とする記録媒体製造方法。
【請求項４】
上記第２の積層工程は、上記Ａｕ粒子層の上部に、所定の厚さのＦｅ粒子層を積層し、上記Ｆｅ粒子層の上部にＰｔ粒子層を積層することを特徴とする請求項３記載の記録媒体製造方法。
【請求項５】
上記第２の積層工程は、上記Ａｕ粒子層の上部に、所定の厚さのＦｅ粒子層と、所定の厚さのＰｔ粒子層を交互に複数層積層することを特徴とする請求項３記載の記録媒体製造方法。
【請求項６】
上記第２の積層工程は、上記鉄粒子層及び／又は上記プラチナ粒子層に規則化温度低減効果を有する元素を添加することを特徴とする請求項３記載の記録媒体製造方法。
【請求項１】
非磁性基板の上部に所定の厚さで金（Ａｕ）粒子層が積層され、
積層された上記Ａｕの上部に、所定の厚さの鉄（Ｆｅ）粒子層と、所定の厚さのプラチナ（Ｐｔ）粒子層が積層された後、高速昇温加熱法により上記非磁性基板上に鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層が形成されてなることを特徴とする記録媒体。
【請求項２】
上記鉄粒子層及び／又は上記プラチナ粒子層は、規則化温度低減効果を有する元素が添加されていることを特徴とする請求項１記載の記録媒体。
【請求項３】
非磁性基板の上部に所定の厚さの金（Ａｕ）粒子層を積層する第１の積層工程と、
上記第１の積層工程により積層された上記Ａｕ粒子層の上部に、所定の厚さの鉄（Ｆｅ）粒子層と、所定の厚さのプラチナ（Ｐｔ）粒子層を積層する第２の積層工程と、
上記第２の積層工程により上記Ａｕ粒子層の上部にＦｅ粒子層とＰｔ粒子層が積層された後、真空中で高速加熱処理を行い、上記非磁性基板上に鉄プラチナ（ＦｅＰｔ）規則合金粒子層を形成する形成工程により記録媒体を製造することを特徴とする記録媒体製造方法。
【請求項４】
上記第２の積層工程は、上記Ａｕ粒子層の上部に、所定の厚さのＦｅ粒子層を積層し、上記Ｆｅ粒子層の上部にＰｔ粒子層を積層することを特徴とする請求項３記載の記録媒体製造方法。
【請求項５】
上記第２の積層工程は、上記Ａｕ粒子層の上部に、所定の厚さのＦｅ粒子層と、所定の厚さのＰｔ粒子層を交互に複数層積層することを特徴とする請求項３記載の記録媒体製造方法。
【請求項６】
上記第２の積層工程は、上記鉄粒子層及び／又は上記プラチナ粒子層に規則化温度低減効果を有する元素を添加することを特徴とする請求項３記載の記録媒体製造方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【公開番号】特開２００６−３４４３３６（Ｐ２００６−３４４３３６Ａ）
【公開日】平成１８年１２月２１日（２００６．１２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１７１５７０（Ｐ２００５−１７１５７０）
【出願日】平成１７年６月１０日（２００５．６．１０）
【出願人】（８９９００００５７）学校法人日本大学 (650)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１２月２１日（２００６．１２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年６月１０日（２００５．６．１０）
【出願人】（８９９００００５７）学校法人日本大学 (650)
【Ｆターム（参考）】
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