電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置、並びに電子写真装置用プロセスカートリッジ
【課題】両極性帯電に対応できうる感光体が得られ、それらの感光体を用いることにより、感光体の交換が不要で、かつ高速印刷あるいは感光体の小径化に伴う装置の小型化を実現。
【解決手段】導電性支持体上に、感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層は、下記一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有するものであることを特徴とする電子写真感光体。
【解決手段】導電性支持体上に、感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層は、下記一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有するものであることを特徴とする電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光層中に特定の少なくとも１種のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有させた電子写真感光体、また、その電子写真感光体を使用した電子写真方法、電子写真装置、電子写真用プロセスカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子写真方式を用いた情報処理システム機の発展には目覚ましいものがある。特に、情報をデジタル信号に変換して光によって情報記録を行うレーザープリンターやデジタル複写機は、そのプリント品質、信頼性において向上が著しい。さらに、それらは高速化技術との融合によりフルカラー印刷が可能なレーザープリンターあるいはデジタル複写機へと応用されてきている。そのような背景から、要求される感光体の機能としては、高画質化と高耐久化を両立させることが特に重要な課題となっている。
【０００３】
これらの電子写真方式のレーザープリンターやデジタル複写機等に使用される感光体としては、有機系の感光材料（ＯＰＣ）を用いたものが、コスト、生産性及び無公害性等の理由から一般に広く応用されている。ＯＰＣ感光体の層構成は単層型と機能分離型積層構造に大別される。最初の実用化ＯＰＣであるＰＶＫ−ＴＮＦ電荷移動錯体型感光体は前者の単層型であった。
【０００４】
一方、１９６８年、林とRegensburgerにより各々独立してＰＶＫ／ａ−Ｓｅ積層感光体が発明され、後には１９７７年Melzらにより、また１９７８年 Schlosserにより有機顔料分散層と有機低分子分散ポリマー層という感光層全てが有機材料からなる積層感光体が発表された。これらは光を吸収して電荷を発生する電荷発生層（ＣＧＬ）と、ＣＧＬで生成した電荷を注入、輸送し、表面電荷を中和する電荷輸送層（ＣＴＬ）からなるという概念から、機能分離型積層感光体とも呼ばれる。
【０００５】
しかしながら有機系の感光体は無機系に比べ、繰り返し使用によって膜削れが大きく、感光層の膜削れが進むと、感光体の帯電電位の低下や光感度の劣化、感光体表面のキズなどによる地汚れ、画像濃度低下あるいは画質劣化が促進される傾向が強くなる。したがって、従来から有機感光体の耐摩耗性が大きな課題として挙げられていた。さらに、近年では電子写真装置の高速化あるいは装置の小型化に伴う感光体の小径化によって、感光体の高耐久化がより一層重要な課題となっている。
【０００６】
感光体の耐摩耗性向上を実現する方法としては、感光層に潤滑性を付与したり、硬化させたり、フィラーを含有させる方法、もしくは低分子電荷輸送物質（ＣＴＭ）分子分散ポリマー層のかわりに高分子電荷輸送物質を用いる方法が広く知られている。しかしながらこれらの方法により感光層の削れを抑えると、新たな問題がおこる。すなわち、感光層表面に繰り返し使用、周辺環境により生じるオゾンやＮＯｘ、その他の酸化性物質が吸着し、繰り返し使用や使用環境によっては、最表面の低抵抗化を招き、画像流れ（画像ボケ）等の問題を引き起こすことが知られている。従来はこのボケ発生物質が感光層と共に少しづつ削りとられることにより、問題はある程度回避されてきた。
【０００７】
しかしながら上述の通り、最近の更なる高解像、高耐久化要求に応えるには、新たな手法を付与しなければならなくなってきている。それらの影響を軽減させる１つの方法として感光体にヒーターを搭載する方法があるが、装置の小型化や消費電力の低減に対して大きな障害となっている。また、酸化防止剤等の添加剤も有効な手段ではあるが、単なる添加剤は光導電性を有しないものであるから、感光層への多量添加は、低感度化、残留電位上昇等の電子写真特性の問題をまねいてしまう。
【０００８】
以上のように、高耐摩耗性を付与、もしくは感光体周りのプロセス設計によって削れが少なくなった電子写真感光体は、副作用として画像ボケの発生、解像度の低下等、画質への影響が避けられず、高耐久化と高画質化を両立させることは困難とされてきた。これは、画像ボケの発生を抑制するには抵抗が高い方が、残留電位上昇を抑制するには抵抗が低い方が適していることから、双方でトレードオフの関係になっていることが問題の解決を困難にしている。
【０００９】
実用化された電子写真感光体のほとんどは導電性基体上に電荷発生層と電荷輸送層とを積層した機能分離型の電子写真感光体であり、電荷輸送層に含まれる電荷輸送物質としては正孔輸送材料が用いられる。これらはもっぱら負帯電の電子写真プロセスに用いられている。
【００１０】
また電子写真プロセスにおける信頼性の高い帯電方式はコロナ放電によるものであり、ほとんどの複写機、プリンターはこの方式が採用されている。しかしながら周知の如く、正極性と比べて負極性のコロナ放電は不安定であり、このためスコロトロンによる帯電方式が採用され、コストアップの一要因となっている。負極性のコロナ放電は化学的損傷を引き起こす物質であるオゾンの発生量をより多く伴うため、長時間使用することで帯電時に発生するオゾンによるバインダー樹脂及び電荷移動材料の酸化劣化や、帯電時に生成するイオン性化合物、例えば窒素酸化物イオン、イオウ酸化物イオン、アンモニウムイオン等が感光体表面に蓄積することによる、画質低下が発生し問題となる。このため、オゾンの外部排出を防ぐべく、負帯電方式の複写機、プリンターにはオゾンフィルターが用いられている場合が多く、これも装置のコストアップの要因となっている。また、多量に発生するオゾンは環境汚染の問題ともなる。
【００１１】
これらを解消するために、正帯電型の電子写真感光体の開発が進められている。正帯電方式であれば、オゾンや窒素酸化物イオンなどの発生量が少なく押さえられ、さらに現状では広く用いられている二成分系現像剤の使用では、電子写真感光体が正帯電の方が、環境変動が少なく安定な画像が得られ、この面からも正帯電型の電子写真感光体が望ましい。
【００１２】
しかしながら、正帯電型の単層型や逆層感光体は、オゾンや窒素酸化物イオンなどの酸化性物質に対して非常に影響を受けやすい電荷発生材料が、表面近傍にあるため周りの環境ガス、例えば石油ファンヒーターや車からの排気ガスによる特性変動が大きいという欠点を有している。
【００１３】
一方、高速複写プロセスの場合は前述のように正帯電型よりもむしろ負帯電型が用いることが好ましい。その理由は高速複写プロセスなどにおいても支障の無い程度の高い電荷移動度を示す有機材料としては、現在のところほとんどが正孔移動の性質のみを有する正孔輸送材料に限られており、そのため正孔輸送材料を用いて形成される電荷輸送層を表面側に配置した順層積層型電子写真感光体においては動作原理上、その帯電性は負帯電にかぎられるからである。
【００１４】
以上のように、帯電極性についていえば、電子写真感光体を正帯電及び負帯電の両方の極性で用いることができれば、感光体の応用範囲を更に広げることができ、感光体品種削減によるコスト低減、高速化対応などにおいて有利なものとなる。
【００１５】
このような状況から両極性帯電可能な電子写真感光体が特許第２７３２６９７号公報（特許文献１）に開示されているが、ここに用いられている電子輸送材料のジフェノキノン誘導体は電荷移動度がやや低いため複写機、プリンターの高速化、小型化を考えた場合、感光体感度特性は充分ではなく、更に繰り返し使用により画像ボケをひきおこすという欠点を有している。
【００１６】
また、特開２０００−２３１２０４号公報（特許文献２）には感光体へ酸掃去剤としてジアルキルアミノ基を有する芳香族系化合物が開示されている。この化合物は繰り返し使用後の画像品質に対して有効なものであるが、電荷輸送能が低いため高感度、高速化要求には対応が難しく、したがって、添加量においても限界がある。
【００１７】
更に、特開昭６０−１９６７６８号公報（特許文献３）、特許第２８８４３５３号公報（特許文献４）等に開示されているジアルキルアミノ基を有するスチルベン化合物も耐酸化性ガスによる画像ボケに対して効果があることが［伊丹ら、コニカテクニカルレポート、１３巻、３７頁、２０００年］に記載されている。
【００１８】
しかしながら、これは電荷輸送サイトであるトリアリールアミン構造の共鳴部位に強いメゾメリー効果（＋Ｍ効果）の置換基であるジアルキルアミノ基を有しているため、全体のイオン化ポテンシャル値は異常に小さくなる。それ故、正孔輸送物質として単独使用した感光層の帯電保持能は、初期から、もしくは繰り返し使用により著しく悪くなるため、実用化は非常に難しいという致命的な欠点を有し、他の電荷輸送物質と混合併用しても、上記スチルベン化合物のイオン化ポテンシャル値はそれらよりもかなり小さいため、スチルベン化合物が移動電荷のホールトラップサイトとなり、感度が著しく低く、かつ残留電位が大きな電子写真感光体となってしまう。
【００１９】
また、特開２００４−２５８２５３号公報（特許文献５）には、スチルベン化合物と特定のジアミン化合物とを含み感度低下を招くことなく繰り返し使用及び酸性ガスなどに対する環境耐性を向上させた感光体が提案されている。
しかし、高速印刷あるいは感光体の小径化に伴う装置の小型化を実現するには未だ充分でない。
【００２０】
また、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体自体は、電荷移動錯体形成のアクセプターとして用いること（特許文献６）や、抗ヘリコバクター作用を有する化合物（医薬品）としてもちいること（特許文献７）が開示されているが、電子写真感光体に用いることが示唆されていない。
【００２１】
【特許文献１】特許第２７３２６９７号公報
【特許文献２】特開２０００−２３１２０４号公報
【特許文献３】特開昭６０−１９６７６８号公報
【特許文献４】特許第２８８４３５３号公報
【特許文献５】特開２００４−２５８２５３号公報
【特許文献６】ＤＥ １２３００３１
【特許文献７】ＷＯ２００２０４０４７９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
本発明の目的は、長期間の繰り返し使用に対しても高耐久性を有し、かつ画像濃度低下、あるいは画像ボケの発生による画像劣化を抑制し、高画質画像が安定に得られる電子写真感光体を提供することにある。また、両極性帯電に対応できうる感光体が得られ、それらの感光体を用いることにより、感光体の交換が不要で、かつ高速印刷あるいは感光体の小径化に伴う装置の小型化を実現し、さらに繰り返し使用においても高画質画像が安定に得られる電子写真方法、電子写真装置、ならびに電子写真用プロセスカートリッジを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記課題は本発明における（１）「導電性支持体上に、少なくとも感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層は、下記一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有するものであることを特徴とする電子写真感光体；
【００２４】
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１とＲ２およびＲ３とＲ４は互いに結合し、窒素原子を含む置換もしくは無置換の複素環基を形成してもよい。］」、
（２）「前記感光層は、少なくとも電荷発生層、電荷輸送層を順次積層したものであることを特徴とする前記第（１）項記載の電子写真感光体」、
（３）「前記感光層は、少なくとも電荷輸送層、電荷発生層を順次積層したものであることを特徴とする前記第（１）項記載の電子写真感光体」、
（４）「前記感光層は、単層型の感光層であることを特徴とする前記第（１）項記載の電子写真感光体」、
（５）「前記感光層は、電荷輸送物質をさらに含むものであることを特徴とする前記第（１）項乃至第（４）項記載の電子写真感光体」、
（６）「前記電荷輸送物質が下記一般式（２）で表されるスチルベン誘導体であることを特徴とする前記第（５）項記載の電子写真感光体；
【００２５】
【化２】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１とＲ５は共同で環を形成しても良い。Ａは一般式（３）、一般式（４）、９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表す。
【００２６】
【化３】
【００２７】
【化４】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または一般式（５）を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い
【００２８】
【化５】
（ただし、Ｒ３およびＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を示し、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていてもよく、環を形成しても良い）。］」、
（７）「前記電荷輸送物質が下記一般式（６）で表されるアミノビフェニル誘導体であることを特徴とする前記第（５）項記載の電子写真感光体；
【００２９】
【化６】
［式中、Ｒ１、Ｒ３およびＲ４は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を、Ｒ２は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表す。また、ｋ，ｌ，ｍおよびｎは１、２、３または４の整数であり、それぞれが２、３または４の整数の時は、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていても良い。］」、
（８）「前記電荷輸送物質が下記一般式（７）で表されるジスチルベン誘導体であることを特徴とする前記第（５）項記載の電子写真感光体；
【００３０】
【化７】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、 Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ1は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ３は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１とＲ３は共同で環を形成しても良い。またＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ２は下記一般式（８）または一般式（９）を表す。
【００３１】
【化８】
【００３２】
【化９】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い。］」、
（９）「前記電荷輸送物質が下記一般式（１０）で表されるジビニル誘導体であることを特徴とする前記第（５）項記載の電子写真感光体；
【００３３】
【化１０】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、 Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ1は置換もしくは無置換の２価の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａは一般式（３）、一般式（４）、９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表す。
【００３４】
【化１１】
【００３５】
【化１２】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または一般式（５）を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い
【００３６】
【化１３】
（ただし、Ｒ３およびＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を示し、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていてもよく、環を形成しても良い）。］」、
（１０）「電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写が繰り返し行われる電子写真方法であって、該電子写真感光体は前記第（１）項乃至第（９）項記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真方法」、
（１１）「電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写を繰り返し行い、かつ画像露光の際にはＬＤあるいはＬＥＤ等によって感光体上に静電潜像の書き込みが行われる、デジタル方式の電子写真方法であって、該電子写真感光体は前記第（１）項乃至第（９）項記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真方法」、
（１２）「少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であって、該電子写真感光体は前記第（１）項乃至第（９）項記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置」、
（１３）「少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であって、画像露光手段にＬＤあるいはＬＥＤ等を使用することによって感光体上に静電潜像の書き込みが行われる、デジタル方式の電子写真装置であって、該電子写真感光体は前記第（１）項乃至第（９）項記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置」、
（１４）「少なくとも電子写真感光体を具備してなる電子写真装置用プロセスカートリッジであって、該電子写真感光体は前記第（１）項乃至第（９）項記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置用プロセスカートリッジ」により解決される。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有することにより、感度低下を招くことなく、繰り返し使用、および酸化性ガスなどに対する環境耐性が大幅に向上するため、高耐久性を有し、長期にわたって高解像度の画質が得られる感光体を得ることが可能となった。本発明によって、電子写真感光体の高耐久化と高画質化の両立が実現され、高画質画像が長期に渡って安定に得られ、更には両極性帯電に対応可能な電子写真感光体、及びそれを用いた電子写真方法、電子写真装置、電子写真装置用プロセスカートリッジが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
本発明者らは検討を進めた結果、感光層に下記一般式（１）で表される少なくとも１つのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有させることで、前記、酸化性ガス等のボケ発生物質による画像ボケ（画像流れ）等の問題を解決でき、両極性帯電に対応できうる感光体が得られることを見いだした。
【００３９】
【化１４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１とＲ２およびＲ３とＲ４は互いに結合し、窒素原子を含む置換もしくは無置換の複素環基を形成してもよい。］
【００４０】
本発明における、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体が繰り返し使用による画像品質維持に有効である理由は、現時点では明らかになっていないが、化学構造内に含まれるアミノ基は塩基性の強い基であるので、画像ボケの原因物質と考えられている酸化性ガスに対しての電気的な中和効果が推測される。
また、本発明におけるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体は、他の電荷輸送物質と併用することにより高感度、並びに繰り返し安定性等がさらに増すものである。
【００４１】
また、本発明におけるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体は電子輸送性物質のため、それを用いた感光体は層構成の種類および正孔輸送物質との混合により両極性帯電に対応可能な単層型感光体を得ることもできる。
したがって、以下の構成要件を満足することにより、高耐久性と高画質化の両立を可能とし、繰り返し使用に対しても高画質画像を安定に得られる両極性帯電に対応可能な電子写真感光体を提供、また、繰り返し使用においても高画質画像を安定に得られる電子写真方法、電子写真装置、ならびに電子写真用プロセスカートリッジを提供するに至った。
【００４２】
以下、本発明の電子写真感光体、及びそれを用いた電子写真方法、電子写真装置、ならびに電子写真用プロセスカートリッジの詳細を説明する。
【００４３】
まず、本発明にて感光層中に含有させる下記一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体の詳細を説明する。
【００４４】
【化１５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１とＲ２およびＲ３とＲ４は互いに結合し、窒素原子を含む置換もしくは無置換の複素環基を形成してもよい。］
【００４５】
前記一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体の製造方法としては、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体を、１，１−二置換ヒドラジン誘導体とを無溶媒、若しくは溶媒存在下で反応させることによって製造される。溶媒としては特に制限はないが、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロナフタレン、酢酸、ピリジン、メチルピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルエチレンウレア、ジメチルスルホキサイド等があげられる。反応温度は室温から２５０℃の間が好ましい。また反応促進のためにｐＨ調整しておこなうこともできる。ｐＨ調整には水酸化リチウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の塩基性水溶液をリン酸等の酸との混合により作製した緩衝液を用いる。
【００４６】
具体的には、例えば、第一工程で；ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体と１，１−二置換ヒドラジン誘導体とを反応させてモノイミド体を製造し、第二工程で；このモノイミド体と最初に反応させたものと置換基の異なるヒドラジン誘導体とを反応させることにより、一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体におけるＲ１、Ｒ２とＲ３、Ｒ４が異なる誘導体が製造できる。
【００４７】
【化１６】
【００４８】
あるいは、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物１モル当量とヒドラジン誘導体２モル当量以上を反応させて一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体におけるＲ１、Ｒ２とＲ３、Ｒ４が同じ誘導体が製造できる。
【００４９】
【化１７】
【００５０】
一般式（１）の説明にある、アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、及びウンデカニル基などを挙げることができる。また、芳香族炭化水素基としてはベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フルオレン及びピレンなどの芳香族環の基、並びにピリジン、キノリン、チオフェン、フラン、オキサゾール、オキサジアゾール、カルバゾールなど芳香族複素環の基が挙げられる。
また、これらの置換基としては、上記アルキル基の具体例で挙げたもの、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、またはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のハロゲン原子、ジアルキルアミノ基、ジフェニルアミノ基、前記芳香族炭化水素基、及びピロリジン、ピペリジン、ピペラジンなどの複素環の基などが挙げられる。
更に、Ｒ１，Ｒ２が互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成する場合、その複素環基としてはピロリジノ基、ピペリジノ基、ピペラジノ基などに芳香族炭化水素基が縮合した縮合複素環基を挙げることができる。
【００５１】
以下に一般式（１）の好ましい例を挙げる。但し、本発明は、これらの化合物に限定されるものではない。
【００５２】
【化１８】
【００５３】
【化１９】
【００５４】
【化２０】
【００５５】
【化２１】
【００５６】
【化２２】
【００５７】
次に、電子写真感光体の層構成に関して説明する。
第１図は、本発明の電子写真感光体を表わす断面図であり、導電性支持体３１上に、電荷発生物質と電荷輸送物質を主成分とする感光層３３が設けられている。
【００５８】
第２図は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５と、電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７とが、積層された構成をとっている。
【００５９】
第３図は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質と電荷輸送物質を主成分とする感光層３３が設けられ、更に感光層表面に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体が含有されても構わない。
【００６０】
第４図は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５と電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７とが積層された構成をとっており、更に電荷輸送層上に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体が含有されても構わない。
【００６１】
第５図は、導電性支持体３１上に、電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７と電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５とが積層された構成をとっている。
【００６２】
また、第６図は、導電性支持体３１上に、電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７と電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５とが積層された構成をとっており更に電荷発生層上に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体が含有されても構わない。
【００６３】
導電性支持体３１としては、体積抵抗１０１０ Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、あるいは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板およびそれらを、押し出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表面処理した管などを使用することができる。また、特開昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体３１として用いることができる。
【００６４】
この他、上記支持体上に導電性粉体を適当な結着樹脂に分散して塗工したものについても、本発明の導電性支持体３１として用いることができる。この導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化スズ、ＩＴＯなどの金属酸化物粉体などがあげられる。また、同時に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。このような導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエンなどに分散して塗布することにより設けることができる。
【００６５】
さらに、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン（登録商標）などの素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電性支持体３１として良好に用いることができる。
【００６６】
次に感光層について説明する。感光層は単層でも積層でもよいが、説明の都合上、先ず電荷発生層３５と電荷輸送層３７で構成される場合から述べる。
【００６７】
電荷発生層３５は、電荷発生物質を主成分とする層である。電荷発生層３５には、公知の電荷発生物質を用いることが可能であり、その代表として、シーアイピグメントブルー２５（カラーインデックスＣＩ ２１１８０）、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ ２１２００）、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ ４５１００）、シーアイベーシックレッド３（ＣＩ ４５２１０）、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４４５号公報）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２３４７号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４９６７号公報に記載）、ベンズアントロン骨格を有するアゾ顔料などのアゾ顔料。例えば、シーアイピグメントブルー１６（ＣＩ ７４１００）、Ｙ型オキソチタニウムフタロシアニン（特開昭６４−１７０６６号公報）、Ａ(β)型オキソチタニウムフタロシアニン、Ｂ(α)型オキソチタニウムフタロシアニン、Ｉ型オキソチタニウムフタロシアニン（特開平１１−２１４６６号公報に記載）、ＩＩ型クロロガリウムフタロシアニン（飯島他，日本化学会第６７春季年会，１Ｂ４，０４（１９９４））、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン（大門他，日本化学会第６７春季年会，１Ｂ４，０５（１９９４））、Ｘ型無金属フタロシアニン（米国特許第３，８１６，１１８号）などのフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウン５（ＣＩ ７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ ７３０３０）などのインジコ系顔料、アルゴスカーレットＢ（バイエル社製）、インタンスレンスカーレットＲ（バイエル社製）などのペリレン顔料などが挙げられる。なお、これらの材料は単独あるいは２種類以上が併用されても良い。
【００６８】
電荷発生層３５は、電荷発生物質を必要に応じて結着樹脂とともに適当な溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音波などを用いて分散し、これを導電性支持体上に塗布し、乾燥することにより形成される。
【００６９】
必要に応じて電荷発生層３５に用いられる結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。結着樹脂の量は、電荷発生物質１００重量部に対し０〜５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部が適当である。結着樹脂の添加は、分散前あるいは分散後どちらでも構わない。
【００７０】
ここで用いられる溶剤としては、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられるが、特にケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒が良好に使用される。これらは単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
【００７１】
電荷発生層３５は、電荷発生物質、溶媒及び結着樹脂を主成分とするが、その中には、増感剤、分散剤、界面活性剤、シリコーンオイル等のいかなる添加剤が含まれていても良い。
【００７２】
塗布液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の方法を用いることができる。
電荷発生層３５の膜厚は、０.０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０.１〜２μｍである。
【００７３】
電荷輸送層３７は、電荷輸送物質を主成分とする層である。電荷輸送物質は、正孔輸送物質と電子輸送物質、及び高分子電荷輸送物質に分け、以下に説明する。
【００７４】
正孔輸送物質としては、例えば、ポリ−Ｎ−カルバゾール及びその誘導体、ポリ-γ-カルバゾリルエチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、及び以下の一般式（１１）乃至（３４）で示される化合物がある。
【００７５】
【化２３】
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基または２−クロルエチル基を表し、Ｒ２はメチル基、エチル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、Ｒ３は水素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基またはニトロ基を表す。）
一般式（１１）で表される化合物には、例えば、９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド １−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド １、１−ジフェニルヒドラゾンなどがある
【００７６】
【化２４】
（式中、Ａｒはナフタレン環、アントラセン環、ピレン環及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン環、チオフェン環を表し、Ｒはアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表す。）
一般式（１２）で表される化合物には、例えば、４−ジエチルアミノスチリル−β−カルボアルデヒド １−メチル−１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタレン−１−カルボアルデヒド １−ベンジル−１−フェニルヒドラゾンなどがある。
【００７７】
【化２５】
（式中、Ｒ１はアルキル基、ベンジル基、フェニル基またはナフチル基を表し、 Ｒ２は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジアリールアミノ基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、ｎが２以上のときはＲ２は同じでも異なっていても良い。 Ｒ３は水素原子またはメトキシ基を表す。）
一般式（１３）で表される化合物には、例えば、４−メトキシベンズアルデヒド １−メチル−１−フェニルヒドラゾン、２、４−ジメトキシベンズアルデヒド １−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド １、１−ジフェニルヒドラゾン、４−メトキシベンズアルデヒド １−（４−メトキシ）フェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベンズアルデヒド １−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド １、１−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
【００７８】
【化２６】
（式中、 Ｒ１は炭素数１〜１１のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基または複素環基を表し、 Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、クロルアルキル基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表し、また、Ｒ２とＲ３は互いに結合し窒素を含む複素環を形成していても良い。 Ｒ４は同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。）
一般式（１４）で表される化合物には、例えば、１、１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、トリス（４−ジエチルアミノフェニル）メタン、１、１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、２，２’−ジメチル−４，４’−ビス（ジエチルアミノ）−トリフェニルメタンなどがある。
【００７９】
【化２７】
（式中、Ｒは水素原子またはハロゲン原子を表し、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリル基またはカルバゾリル基を表す。）
一般式（１５）で表される化合物には、例えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、９−ブロム−１０−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンなどがある。
【００８０】
【化２８】
（式中、 Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基または炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ａｒは下記一般式（１７）、一般式（１８）を表す。
【００８１】
【化２９】
【００８２】
【化３０】
Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基またはジアルキルアミノ基を表し、ｎは１または２であって、ｎが２のときはＲ３は同一でも異なっていてもよく、Ｒ４、Ｒ５は水素原子、炭素数１〜４の置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のベンジル基を表す。）
一般式（１６）で表される化合物には、例えば、９−（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオレン、３−（９−フルオレニリデン）−９−エチルカルバゾールなどがある。
【００８３】
【化３１】
（式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基、インドリル基、フリル基あるいはそれぞれ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基、またはアントリル基であって、これらの置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カルボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、アラルキルアミノ基、N-アルキル-N-アラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基及びアセチルアミノ基からなる群から選ばれた基を表す。）
一般式（１９）で表される化合物には、例えば、１、２−ビス（４−ジエチルアミノスチリル）ベンゼン、１、２−ビス（２、４−ジメトキシスチリル）ベンゼンなどがある。
【００８４】
【化３２】
（式中、 Ｒ１は低級アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、またはベンジル基を表し、 Ｒ２、Ｒ３は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級アルキル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を表し、ｎは１または２の整数を表す。）
一般式（２０）で表される化合物には、例えば、３−スチリル−９−エチルカルバゾール、３−（４−メトキシスチリル）−９−エチルカルバゾールなどがある。
【００８５】
【化３３】
（式中、 Ｒ１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、 Ｒ２およびＲ３は置換もしくは無置換のアリール基を表し、 Ｒ４は水素原子、低級アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を表し、また、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基またはナフチル基を表す。）
一般式（２１）で表される化合物には、例えば、４−ジフェニルアミノスチルベン、４−ジベンジルアミノスチルベン、４−ジトリルアミノスチルベン、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレン、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレンなどがある。
【００８６】
【化３４】
（式中、ｎは０または１の整数、 Ｒ１は水素原子、アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ１は置換もしくは未置換のアリール基を表し、Ｒ５は置換アルキル基を含むアルキル基、あるいは置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａは下記一般式（２３）、一般式（２４）、９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表す。また、ｎが０の時、ＡとＲ１は共同で環を形成しても良い。
【００８７】
【化３５】
【００８８】
【化３６】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または一般式（２５）を表し、一般式（２３）では、ｍは１〜５の整数を表し、一般式（２４）では、ｍは１〜７の整数を表し、ｍが２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い
【００８９】
【化３７】
（ただし、Ｒ３およびＲ４は置換もしくは無置換のアリール基を示し、 Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていてもよく、 Ｒ４は環を形成しても良い）。）
一般式（２２）で表される化合物には、例えば、４‘−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、４‘−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−α−フェニルスチルベンなどがある。
【００９０】
【化３８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子またはジアルキルアミノ基を表し、ｎは０または１を表す。）
一般式（２６）で表される化合物には、例えば、１−フェニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリンなどがある。
【００９１】
【化３９】
（式中、 Ｒ１およびＲ２は置換アルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは未置換のアリール基を表し、 Ａは置換アミノ基、置換もしくは未置換のアリール基またはアリル基を表す。）
一般式（２７）で表される化合物には、例えば、２、５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジメチルアミノフェニル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールなどがある。
【００９２】
【化４０】
（式中、Ｘは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン原子を表し、Ｒは置換アルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を表し、 Ａは置換アミノ基または置換もしくは無置換のアリール基を表す。）
一般式（２８）で表される化合物には、例えば、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジエチルアミノフェニル）−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾールなどがある。
【００９３】
【化４１】
（式中、 Ｒ１は低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ２、Ｒ３は同じでも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、ｌ、ｍ、ｎは０〜４の整数を表す。）
一般式（２９）で表されるベンジジン化合物には、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル− Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン、３，３’−ジメチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミンなどがある。
【００９４】
【化４２】
（式中、 Ｒ１、Ｒ３およびＲ４は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子または置換もしくは無置換のアリール基を、Ｒ２は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表す。ただし、 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はすべて水素原子である場合は除く。また、ｋ，ｌ，ｍおよびｎは１、２、３または４の整数であり、それぞれが２、３または４の整数の時は、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていても良い。）
一般式（３０）で表されるビフェニリルアミン化合物には、例えば、４’−メトキシ− Ｎ，Ｎ−ジフェニル−[１，１’−ビフェニル]−４−アミン、４’−メチル− Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−[１，１’−ビフェニル]−４−アミン、４’−メトキシ− Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−［１，１‘−ビフェニル］−4−アミンなどがある。
【００９５】
【化４３】
（式中、Ａｒは置換基を有してもよい炭素数１８個以下の縮合多環式炭化水素基を表し、また、 Ｒ１およびＲ２は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。ｎは１もしくは２の整数を表す。）
一般式（３１）で表されるトリアリールアミン化合物には、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ピレン−１−アミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−ピレン−１−アミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−１−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）−１−フェナントリルアミン、９，９−ジメチル−２−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フルオレン、Ｎ，Ｎ，Ｎ‘，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３−メチルフェニル）−ｍ−フェニレンジアミンなどがある。
【００９６】
【化４４】
（式中、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａは一般式（３３）を表す。
【００９７】
【化４５】
（ただし、Ａｒ’は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、 Ｒ１および
Ｒ２は置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基である。）
を表す。）
一般式（３２）で表されるジオレフィン芳香族化合物には、例えば、１、４−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ベンゼン、１、４−ビス[４−ジ（ｐ−トリル）アミノスチリル]ベンゼンなどがある。
【００９８】
【化４６】
（式中、 Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を、 Ｒは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を表す。ｎは０または１、ｍは１または２であって、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、 ＡｒとＲは共同で環を形成しても良い。）
一般式（３４）で表されるスチリルピレン化合物には、例えば、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ピレン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−p−トリル−４−アミノスチリル）ピレンなどがある。
【００９９】
なお、電子輸送材料としては、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−インデノ４Ｈ−インデノ[１、２−ｂ]チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどを挙げることができ、さらに下記一般式（３５）、（３６）、（３７）及び（３８）に挙げる電子輸送物質を好適に使用することができる。
これらの電荷輸送物質は単独または２種類以上混合して用いられる。
【０１００】
【化４７】
（式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。）
【０１０１】
【化４８】
（式中Ｒ１、Ｒ２は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。）
【０１０２】
【化４９】
（式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。）
【０１０３】
【化５０】
〔式中、Ｒ１ は置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ２ は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、または下記式一般式（３９）で表される基を示す。
【０１０４】
【化５１】
Ｒ３ は、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を示す。〕
【０１０５】
結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。
【０１０６】
電荷輸送物質と本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体は電荷輸送層内に混合含有される場合、この合計量は、結着樹脂１００重量部に対し、２０〜３００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部が適当である。また、電荷輸送層の膜厚は解像度・応答性の点から、２５μｍ以下とすることが好ましい。下限値に関しては、使用するシステム（特に帯電電位等）に異なるが、５μｍ以上が好ましい。
【０１０７】
また、本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体の量は、電荷輸送物質に対して０．０１ｗｔ％〜１５０ｗｔ％が好ましい。少ないと酸化性ガスに対する耐性が不足し、多すぎると、繰り返し使用による残留電位の上昇が大きくなる。
ここで用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられる。電荷輸送物質は単独で使用しても２種以上混合して使用しても良い。
【０１０８】
本発明に使用できる酸化防止剤としては、後述される一般の酸化防止剤が使用できるが、（ｃ）ハイドロキノン系、及び（ｆ）ヒンダードアミン系の化合物が特に効果的である。 但し、ここで用いられる酸化防止剤は、後述の目的と異なり、あくまでも本発明に用いられるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体の変質保護のために利用される。 このため、これらの酸化防止剤は、本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有させる前の工程で塗工液に含有させておくことが好ましく、添加量としては、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体に対して０．１〜２００ｗｔ％で十分な効果を発揮できる。
【０１０９】
電荷輸送層には電荷輸送物質としての機能とバインダー樹脂としての機能を持った高分子電荷輸送物質も良好に使用される。これらの高分子電荷輸送物質から構成される電荷輸送層は耐摩耗性に優れたものである。高分子電荷輸送物質としては、公知の材料が使用できるが、特に、トリアリールアミン構造を主鎖および／または側鎖に含むポリカーボネートが良好に用いられる。中でも、構造式（I）〜（XIII）式で表される高分子電荷輸送物質が良好に用いられる。これらを以下に例示し、具体例を示す。
【０１１０】
【化５２】
式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３ はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ４は水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ５ ，Ｒ６ は置換もしくは無置換のアリール基、ｏ，ｐ，ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ，ｊは組成を表し、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、または下記構造式（II）で表される２価基を表す。
【０１１１】
【化５３】
式中、Ｒ１０１，Ｒ１０２ は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表す。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）または、下記構造式（III）を表す。
【０１１２】
【化５４】
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ１０３、Ｒ１０４は置換または無置換のアルキル基又はアリール基を表す。）を表す。ここで、 Ｒ１０１ とＲ１０２，Ｒ１０３とＲ１０４は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【０１１３】
【化５５】
式中、Ｒ７, Ｒ８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１, Ａｒ２, Ａｒ３は同一あるいは異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１４】
【化５６】
式中、Ｒ９, Ｒ１０は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ４ ，Ａｒ５，Ａｒ６ は同一あるいは異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１５】
【化５７】
式中、Ｒ１１, Ｒ１２ は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ７, Ａｒ８, Ａｒ９は同一あるいは異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１６】
【化５８】
式中、Ｒ１３， Ｒ１４は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１０， Ａｒ１１， Ａｒ１２は同一あるいは異なるアリレン基、 Ｘ１， Ｘ２ は置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換もしくは無置換のビニレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１７】
【化５９】
式中、Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ１７，Ｒ１８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１３， Ａｒ１４，Ａｒ１５，Ａｒ１６は同一あるいは異なるアリレン基、 Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっても異なってもよい。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１８】
【化６０】
式中、Ｒ１９，Ｒ２０ は水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表し，Ｒ１９とＲ２０は環を形成していてもよい。Ａｒ１７，Ａｒ１８，Ａｒ１９ は同一あるいは異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１９】
【化６１】
式中、Ｒ２１は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２０，Ａｒ２１，Ａｒ２２，Ａｒ２３ は同一あるいは異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１２０】
【化６２】
式中、Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ２４，Ｒ２５は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２４，Ａｒ２５，Ａｒ２６，Ａｒ２７，Ａｒ２８は同一あるいは又は異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１２１】
【化６３】
式中、Ｒ２６，Ｒ２７ は置換もしくは無置換のアリール基、 Ａｒ２９，Ａｒ３０，Ａｒ３１は同一あるいは異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１２２】
【化６４】
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は置換もしくは無置換の芳香環基、Ｚは芳香環基または―Ａｒ６―Ｚａ―Ａｒ６―を表し、 Ａｒ６は置換もしくは無置換の芳香環基、ＺａはＯ、Ｓまたはアルキレン基、ＲおよびＲ’は直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を表す。 ｍは０または１を表す。ｋ、ｊ、ｎ及びＸは前式と同じ。）
【０１２３】
電荷輸送層３７は、電荷輸送物質単独もしくは結着樹脂と適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要により単独あるいは２種以上の可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
以上のようにして得られた塗工液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等、従来の塗工方法を用いることができる。
【０１２４】
次に感光層が単層構成３３の場合について述べる。上述した電荷発生物質を結着樹脂中に分散した感光体が使用できる。感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質および結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することによって形成できる。 また、必要により可塑剤やレベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
【０１２５】
結着樹脂としては、先に電荷輸送層３７で挙げた結着樹脂のほかに、電荷発生層３５で挙げた結着樹脂を混合して用いてもよい。もちろん、先に挙げた高分子電荷輸送物質も良好に使用できる。結着樹脂１００重量部に対する電荷発生物質の量は５〜４０重量部が好ましく、電荷輸送物質の量は０〜１９０重量部が好ましく、さらに好ましくは５０〜１５０重量部である。感光層は、電荷発生物質、結着樹脂を電荷輸送物質とともにテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロエタン、シクロヘキサン等の溶媒を用いて分散機等で分散した塗工液を、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート、リングコートなどで塗工して形成できる。感光層の膜厚は、５〜２５μｍ程度が適当である。
【０１２６】
本発明の感光体においては、導電性支持体３１と感光層との間に下引き層を設けることができる。下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。また、下引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。
【０１２７】
これらの下引き層は、前述の感光層の如く適当な溶媒及び塗工法を用いて形成することができる。更に本発明の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。この他、本発明の下引き層には、Ａｌ２Ｏ３を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＣｅＯ２等の無機物を真空薄膜作成法にて設けたものも良好に使用できる。このほかにも公知のものを用いることができる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１２８】
本発明の感光体においては、感光層保護の目的で、保護層３９が感光層の上に設けられることがある。保護層３９に使用される材料としてはＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリール樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルベンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ポリアリレート、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。フィラーの分散性、残留電位、塗膜欠陥の点から、特にポリカーボネートあるいはポリアリレートが有効かつ有用である。
【０１２９】
また、感光体の保護層には、耐摩耗性を向上する目的でフィラー材料を添加される。
用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなど、電荷輸送層３７で使用されるすべての溶剤を使用することができる。但し、分散時には粘度が高い溶剤が好ましいが、塗工時には揮発性が高い溶剤が好ましい。これらの条件を満たす溶剤がない場合には、各々の物性を有する溶剤を２種以上混合させて使用することが可能であり、フィラーの分散性や残留電位に対して大きな効果を有する場合がある。
【０１３０】
また、保護層に本発明のアミン化合物が含まれていてもよい。さらに電荷輸送層３７で挙げた低分子電荷輸送物質あるいは高分子電荷輸送物質を添加することは、残留電位の低減及び画質向上に対して有効かつ有用である。
【０１３１】
保護層の形成法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の従来方法を用いることができるが、特に塗膜の均一性の面からスプレーコートがより好ましい。
【０１３２】
本発明の感光体においては、感光層と保護層との間に中間層を設けることも可能である。中間層には、一般にバインダー樹脂を主成分として用いる。これら樹脂としては、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。中間層の形成法としては、前述のごとく一般に用いられる塗布法が採用される。なお、中間層の厚さは０．０５〜２μｍ程度が適当である。
【０１３３】
本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、電荷発生層、電荷輸送層、下引き層、保護層、中間層等の各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤およびレベリング剤を添加することが出来る。これらの化合物の代表的な材料を以下に記す。
【０１３４】
各層に添加できる酸化防止剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１３５】
（ａ）フェノ−ル系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾ−ル、ブチル化ヒドロキシアニソ−ル、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノ−ル、ｎ-オクタデシル-３-(４'-ヒドロキシ-３',５'-ジ-t-ブチルフェノール)、２，２'−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、２，２'−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４'−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４'−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３'，５'−ジ−ｔ−ブチル−４'−ヒドロキシフェニル）プロピオネ−ト］メタン、ビス［３，３'−ビス（４'−ヒドロキシ−３'−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］クリコ−ルエステル、トコフェロ−ル類など。
【０１３６】
（ｂ） パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ'−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジメチル−Ｎ，Ｎ'−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
【０１３７】
（ｃ） ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１３８】
（ｄ）有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３'−チオジプロピオネ−ト、ジステアリル−３，３'−チオジプロピオネ−ト、ジテトラデシル−３，３'−チオジプロピオネ−トなど。
【０１３９】
（ｅ）有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０１４０】
各層に添加できる可塑剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１４１】
（ａ）リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸トリフェニルなど。
【０１４２】
（ｂ）フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチルなど。
【０１４３】
（ｃ）芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−ｎ−オクチル、オキシ安息香酸オクチルなど。
【０１４４】
（ｄ）脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−ｎ−ヘキシル、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−ｎ−オクチル、アジピン酸−ｎ−オクチル−ｎ−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−ｎ−オクチル、セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−２−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−ｎ−オクチルなど。
【０１４５】
（ｅ）脂肪酸エステル誘導体
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリンなど。
【０１４６】
（ｆ）オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチルなど。
【０１４７】
（ｇ）エポキシ可塑剤
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシルなど。
【０１４８】
（ｈ）二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−２−エチルブチラートなど。
【０１４９】
（ｉ）含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチルなど。
【０１５０】
（ｊ）ポリエステル系可塑剤
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステルなど。
【０１５１】
（ｋ）スルホン酸誘導体
ｐ−トルエンスルホンアミド、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンエチルアミド、ｏ−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−Ｎ−エチルアミド、ｐ−トルエンスルホン−Ｎ−シクロヘキシルアミドなど。
【０１５２】
（ｌ）クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−２−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−ｎ−オクチルデシルなど。
【０１５３】
（ｍ）その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチルなど。
【０１５４】
各層に添加できる滑剤としては、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１５５】
（ａ）炭化水素系化合物
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレンなど。
【０１５６】
（ｂ）脂肪酸系化合物
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸など。
【０１５７】
（ｃ）脂肪酸アミド系化合物
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミドなど。
【０１５８】
（ｄ）エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステルなど。
【０１５９】
（ｅ）アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロールなど。
【０１６０】
（ｆ）金属石けん
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなど。
【０１６１】
（ｇ）天然ワックス
カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウなど。
【０１６２】
（ｈ）その他
シリコーン化合物、フッ素化合物など。
【０１６３】
各層に添加できる紫外線吸収剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１６４】
（ａ）ベンゾフェノン系
２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２'−ジヒドロキシ４−メトキシベンゾフェノンなど。
【０１６５】
（ｂ）サルシレート系
フェニルサルシレート、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートなど。
【０１６６】
（ｃ）ベンゾトリアゾール系
（２'−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ３'−ターシャリブチル５'−メチルフェニル）５−クロロベンゾトリアゾール
【０１６７】
（ｄ）シアノアクリレート系
エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、メチル２−カルボメトキシ３（パラメトキシ）アクリレートなど。
【０１６８】
（ｅ）クエンチャー（金属錯塩系）
ニッケル（２，２'チオビス（４−t−オクチル）フェノレート）ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェートなど。
【０１６９】
（ｆ）ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンなど。
【０１７０】
次に図面を用いて本発明の電子写真方法ならびに電子写真装置を詳しく説明する。
【０１７１】
第７図は、本発明の電子写真プロセス及び電子写真装置を説明するための概略図であり、下記のような例も本発明の範疇に属するものである。
第７図において、感光体１は少なくとも感光層が設けられ、最表面層にフィラーを含有してなる。感光体１はドラム状の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであっても良い。帯電チャージャー３、転写前チャージャー７、転写チャージャー１０、分離チャージャー１１、クリーニング前チャージャー１３には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャー）、帯電ローラ等が用いられ、公知の手段がすべて使用可能である。
転写手段には、一般に上記の帯電器が使用できるが、図に示されるように転写チャージャーと分離チャージャーを併用したものが効果的である。
また、画像露光部５、除電ランプ２等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いることができる。そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
光源等は、第７図に示される工程の他に光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光などの工程を設けることにより、感光体に光が照射される。
さて、現像ユニット６により感光体１上に現像されたトナーは、転写紙９に転写されるが、全部が転写されるわけではなく、感光体１上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーは、ファーブラシ１４およびブレード１５により、感光体より除去される。クリーニングは、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知のものが用いられる。
電子写真感光体に正(負)帯電を施し、画像露光を行うと、感光体表面上には正(負)の静電潜像が形成される。これを負(正)極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また正(負)極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。
かかる現像手段には、公知の方法が適用されるし、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。
【０１７２】
第８図には、本発明による電子写真プロセスの別の例を示す。感光体２１は少なくとも感光層を有し、さらに最表面層にフィラーを含有しており、駆動ローラ２２ａ，２２ｂにより駆動され、帯電器２３による帯電、光源２４による像露光、現像（図示せず）、帯電器２５を用いる転写、光源２６によるクリーニング前露光、ブラシ２７によるクリーニング、光源２８による除電が繰返し行なわれる。第８図においては、感光体２１(勿論この場合は支持体が透光性である)に支持体側よりクリーニング前露光の光照射が行なわれる。
【０１７３】
以上の図示した電子写真プロセスは、本発明における実施形態を例示するものであって、もちろん他の実施形態も可能である。例えば、第８図において支持体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは感光層側から行ってもよいし、また、像露光、除電光の照射を支持体側から行ってもよい。
【０１７４】
一方、光照射工程は、像露光、クリーニング前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露光、像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程を設けて、感光体に光照射を行うこともできる。
【０１７５】
以上に示すような画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段を含んだ１つの装置（部品）である。プロセスカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、第９図に示すものが挙げられる。
【実施例】
【０１７６】
以下、本発明について実施例を挙げて説明するが、本発明が実施例により制約を受けるものではない。なお、部はすべて重量部である。
【０１７７】
製造例１（例示化合物No．２０の製造）
ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物（東京化成試薬）２．６８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ‘−ジメチルホルムアミド３０ｍｌに１，１−ジフェニルヒドラジン（東京化成試薬）３．６８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン気流下、６０℃で２時間撹拌した。水１００ｍｌを加え、析出した結晶を濾過により採取し、減圧加熱乾燥器により乾燥して、褐色の粗結晶３．４３ｇ（収率５７．１％）を得た。これをシリカゲルカラム処理〔溶離液：トルエン／酢酸エチル（２０／１）ｖｏｌ混合溶媒〕し、トルエンにて再結晶、減圧加熱乾燥器により乾燥して、オレンジ赤色結晶の下記構造式の例示化合物No．２０を７．０２ｇ（収率２９．７％）を得た。またその元素分析値は下記の通りであった。分解点として示差熱熱量同時測定装置ＴＧ／ＤＴＡ６２００（セイコーインスツルメンツ（株）製）にて窒素気流下、室温から毎分１０℃で昇温させたときの、ＴＧ減量を伴うＤＴＡの発熱ピーク点温度を測定したところ３４１℃であった。
【０１７８】
【化６５】
Ｃ Ｈ Ｎ
実測値 ７６．０５ ４．０２ ９．２０
計算値 ７５．９９ ４．０３ ９．３３
この化合物の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１０に示す。
【０１７９】
製造例２〜５
ヒドラジン化合物を変える以外は製造例１と同様に操作して例示化合物Ｎｏ．１、１０、１５、３７のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を製造した。結果を表１に示す。またこれらの赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１１〜１４に示す。
【０１８０】
【表１】
【０１８１】
製造例６（例示化合物No．３８の製造）
アルゴン気流下、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物（東京化成試薬）２．６８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２５ｍｌを８０℃にて加熱撹拌した。これに１−メチル−１−フェニルヒドラジン（東京化成試薬）０．６１ｇ（１０ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０ｍｌの溶液を２時間かけ滴下した。８０℃で３０分間撹拌した後、１−ベンジル−１−フェニルヒドラジン（東京化成試薬）０．９９ｇ（１０ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５ｍｌの溶液を加え、更に８０℃で２時間撹拌をおこなった。内容物を水１００ｍｌに加え、析出した結晶を濾過により採取し、減圧加熱乾燥器により乾燥して、褐色の粗結晶を得た。これをシリカゲルカラム処理〔溶離液：トルエン／酢酸エチル（１０／１）ｖｏｌ混合溶媒〕し、トルエン／エタノール混合溶媒にて再結晶、減圧加熱乾燥器により乾燥して、えび茶色結晶の下記構造式の例示化合物No．３８を２．２９ｇ（収率４１．４％）を得た。融点は２７９．５〜２８０．５℃であったまたその元素分析値は下記の通りであった。
【０１８２】
【化６６】
Ｃ Ｈ Ｎ
実測値 ７３．７５ ４．１２ １０．２２
計算値 ７３．９０ ４．３８ １０．１４
この化合物の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１５に示す。
【０１８３】
（実施例１）
アルミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液を、浸漬塗工によって順次塗布、乾燥し、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２３μｍの電荷輸送層を形成した（感光体Ｎｏ．１）。
◎下引き層塗工液
二酸化チタン粉末（石原産業製、タイベークＣＲ−ＥＬ）：４００部
メラミン樹脂（大日本インキ製、スーパーベッカミンG821-60）：６５部
アルキッド樹脂（大日本インキ製、ベッコライトM6401-50）：１２０部
２−ブタノン：４００部
◎電荷発生層塗工液
下記構造のフルオレノン系ビスアゾ顔料：１２部
【０１８４】
【化６７】
ポリビニルブチラール（ユニオンカーバイド製、ＸＹＨＬ）：５部
２−ブタノン：２００部
シクロヘキサノン：４００部
◎電荷輸送層塗工液
ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ、帝人化成製）：１０部
例示化合物Ｎｏ．４のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体１０部
テトラヒドロフラン：１００部
【０１８５】
以上のように作製した電子写真感光体を、電子写真プロセス用カートリッジに装着し、帯電方式を正帯電コロナ帯電方式、画像露光光源を ６５５ ｎｍ の半導体レーザー（ＬＤ）に改造したリコー製ｉｍａｇｉｏ ＭＦ２２００改造機にて暗部電位８００（Ｖ）に設定した後、連続してトータル１０万枚印刷相当の繰り返し試験をおこなった。その際、初期画像及び繰り返し試験後の明部電位、及び画像について評価を行った。また、また、画像ボケ（ドット解像度）について、６００ｄｐｉ×６００ｄｐｉの画素密度で画像濃度が５％のドット画像を連続１０枚プリントアウトし、そのドット形状を実体顕微鏡で観察して、輪郭のシャープネスを以下の基準で５段階（５が優れ１が劣る）に分けて評価した。
【０１８６】
（ドット画像評価基準）
５：輪郭が明瞭で、良好。
４：輪郭のぼやけが極めてごく僅かに観察されるが、良好。
３：輪郭のぼやけがごく僅かに観察されるが実質的に良好。
２：輪郭のぼやけが観察され、画像の種類によっては問題となる。
１：ドット画像の判別できない。
結果を表２に示す。
【０１８７】
実施例２〜１５
実施例１において、例示化合物Ｎｏ．４のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を表２に示した化合物を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．２〜１５を作製し、評価した。結果を同様に表２に示す。
【０１８８】
【表２】
【０１８９】
実施例１６
実施例１における電荷輸送層塗工液を、下記組成のものに変更した以外は、すべて実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．１６を作製した。
また評価は実施例１において帯電方式を負帯電型コロナ放電（スコロトロン方式）に代えた以外は同様に操作しておこなった。結果を表３に示す。
【０１９０】
◎電荷輸送層塗工液
・ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ、帝人化成製）：１０部
・例示化合物４のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体１部
・下記構造式の電荷輸送物質Ｎｏ．１：９部
【０１９１】
【化６８】
・テトラヒドロフラン：１００部
【０１９２】
実施例１７〜３０
実施例１６において、例示化合物Ｎｏ．４のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体の代わりに表３に示したナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を用いた以外は、すべて実施例１６と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．１７〜３０を作製した。
結果を同様に表３に示す。
【０１９３】
【表３】
【０１９４】
実施例３１〜３４
含有されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体と電荷輸送物質Ｎｏ．１の量を下記の量に変更した以外は、実施例１６と同様にして、電子写真感光体３１〜３４を作製し、評価した。結果を同様に表４に示す。
・ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体：１部
・電荷輸送物質Ｎｏ．１：７部
【０１９５】
【表４】
【０１９６】
実施例３５〜３８
実施例３１〜３４において、電荷輸送物質Ｎｏ．１を下記電荷輸送物質Ｎｏ．２に変更した以外は、実施例３１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．３５〜３８を作製し、評価した。結果を同様に表５に示す。
電荷輸送物質Ｎｏ．２
【０１９７】
【化６９】
【０１９８】
【表５】
【０１９９】
実施例３９〜４２
実施例３１〜３４において、電荷輸送物質Ｎｏ．１を以下の電荷輸送物質Ｎｏ．３に変更した以外は、すべて実施例３１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．３９〜４２を作製し、評価した。結果を同様に表６に示す。
電荷輸送物質Ｎｏ．３化学構造式
【０２００】
【化７０】
【０２０１】
【表６】
【０２０２】
実施例４３〜４６
実施例３１〜３４において、電荷輸送物質Ｎｏ．１を以下の電荷輸送物質Ｎｏ．４に変更した以外は、すべて実施例３１と同様にして、電子写真感光体４３〜４６を作製し、評価した。結果を同様に表７に示す。
【０２０３】
【化７１】
【０２０４】
【表７】
【０２０５】
実施例４７，４８
実施例１６における電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を下記のものに変更した以外は、同様に操作して、電子写真感光体４７、４８を作製し、評価した。結果を同様に表８に示す。
【０２０６】
＜オキソチタニウムフタロシアニンの合成＞
特開２００１−０１９８７１号公報記載の合成例４と同様に、１，３−ジイミノイソインドリン２９．２ｇとスルホラン２００ｍｌを混合し、窒素気流下でチタニウムテトラブトキシド２０．４ｇを滴下する。滴下終了後、徐々に１８０℃まで昇温し、反応温度を１７０℃〜１８０℃の間に保ちながら５時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷した後析出物を濾過し、クロロホルムで粉体が青色になるまで洗浄し、つぎにメタノールで数回洗浄し、さらに８０℃の熱水で数回洗浄した後乾燥し、粗チタニルフタロシアニンを得た。粗チタニルフタロシアニンを２０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の氷水に撹拌しながら滴下し、析出した結晶を濾過、ついで洗浄液が中性になるまで水洗を繰り返し、チタニルフタロシアニン顔料のウェットケーキを得た。このケーキの乾燥品のＸ線回析スペクトルは図１６に示される。得られたウェットケーキ２ｇを二硫化炭素２０ｇに投入し、４時間撹拌を行なった。これにメタノール１００ｇを追加して、１時間撹拌を行なった後、濾過を行ない、乾燥して、オキソチタニウムフタロシアニン結晶粉末を得た。
【０２０７】
◎電荷発生層塗工液
図１６に示す粉末ＸＤスペクトルを有するオキソチタニウムフタロシアニン：８部
ポリビニルブチラール（ＢＸ−１）：５部
２−ブタノン：４００部
◎電荷輸送層塗工液
・ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ）：１０部
・ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体例示化合物Ｎｏ．４：１部
・下記構造式の電荷輸送物質Ｎｏ．１：７部
【０２０８】
【化７２】
・トルエン：７０部
【０２０９】
【表８】
【０２１０】
（実施例４９）
直径１００ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、下記組成の感光層用塗工液を塗布、乾燥することにより、３０μｍの単層感光層を形成し電子写真感光体を得た。（感光体Ｎｏ．４９）
［感光層用塗工液］
Ｘ型無金属フタロシアニン（ＦａｓｔｏｇｅｎＢｌｕｅ８１２０Ｂ：大日本インキ化学工業製） ２部
下記構造式で表わされる電荷輸送物質Ｎｏ．２： ３０部
【０２１１】
【化７３】
ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７： ２０部
ビスフェノールＺポリカーボネート（パンライトＴＳ−２０５０、帝人化成製）： ５０部
テトラヒドロフラン： ５００部
【０２１２】
作製した電子写真感光体を、帯電方式をコロナ帯電方式（スコロトロン型）、画像露光光源を７８０ｎｍの半導体レーザー（ＬＤ）を用いたリコー製ｉｍａｇｉｏ Ｎｅｏ ７５２改造機にてプラス帯電をおこない暗部表面電位＋７００（Ｖ）に設定した後、連続してトータル１０万枚印刷相当の繰り返し試験をおこなった。その際、初期画像及び繰り返し試験後の画像について評価を行った。また、初期及び繰り返し試験後の明部電位も測定した。また、画像ボケ（ドット解像度）について実施例１と同様に評価した。
その評価結果を表９に示す。
【０２１３】
（実施例５０〜５２）
実施例４９のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７を表９に示すものに代えた他は同様にして、本発明の電子写真感光体を作製し、評価した。
【０２１４】
【表９】
【０２１５】
（実施例５３）
直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、実施例４９と同様の感光層用塗工液を塗布、乾燥することにより、３０μｍの単層感光層を形成し電子写真感光体を得た（感光体Ｎｏ．５３）。
【０２１６】
また、実施例１６と同様にして感光体の評価をした。結果を表１０に示す。
【０２１７】
（実施例５４〜５６）
実施例５３のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７を表１０に示すものに代えた他は同様にして、本発明の電子写真感光体を作製し、評価した。
【０２１８】
【表１０】
【０２１９】
（実施例５７）
直径１００ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、下記組成の電荷輸送層用塗工液、電荷発生層用塗工液を順次、塗布、乾燥することにより２０μｍの電荷輸送層、０．１μｍの電荷発生層を形成し、電子写真感光体を作製し（感光体Ｎｏ．５７）、実施例５３と同様に評価した。評価結果を表１１に示す。
【０２２０】
〔電荷輸送層用塗工液の組成〕
・ビスフェノールＡポリカーボネート（パンライトＣ−１４００、帝人化成製）・・・１０部
・トルエン・・・１００部
・ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７：１０部
〔電荷発生層用塗工液の組成〕
・ポリビニルブチラール（ＸＹＨＬ、ＵＣＣ製）・・・０．５部
・シクロヘキサノン・・・２００部
・メチルエチルケトン・・・８０部
・Ｘ型無金属フタロシアニン（ＦａｓｔｏｇｅｎＢｌｕｅ８１２０Ｂ：大日本インキ化学工業製） ２部
【０２２１】
（実施例５８〜６０）
実施例５７のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７を表１１に示すものに代えた他は同様にして、本発明の電子写真感光体を作製し、評価した。
【０２２２】
【表１１】
【０２２３】
比較例１
実施例１において、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．４を下記のベンゾキノン誘導体に変えた以外は、すべて実施例１と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．１を作製し、評価した。結果を表１２に示す。
【０２２４】
【化７４】
【０２２５】
比較例２
実施例１６において、電荷輸送層形成用塗工液にナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を加えず、電荷輸送物質の重量を１０部とした以外は、すべて実施例１６と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．２を作製し、評価した。結果を表１２に示す。
【０２２６】
比較例３
実施例３５において、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を下記のテトラフェニルメタン化合物（特開２０００−２３１２０４号公報記載）にした以外は、すべて実施例３５と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．３を作製し、評価した。結果を表１２に示す。
【０２２７】
【化７５】
【０２２８】
比較例４
実施例４７において、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を下記のヒンダードアミン系酸化防止剤にした以外は、すべて実施例４７と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．４を作製し、評価した。結果を表１２に示す。
【０２２９】
【化７６】
【０２３０】
比較例５
実施例４９において、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７、２０部を下記電子輸送物質にした以外は、すべて実施例４９と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．５を作製し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０２３１】
下記構造式で表わされる電荷輸送物質 １８部
【０２３２】
【化７７】
下記構造式で表わされる電荷輸送物質 ２部
【０２３３】
【化７８】
【０２３４】
比較例６
実施例５７において、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７、１０部を下記電子輸送物質にした以外は、すべて実施例５７と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．６を作製し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
下記構造式で表わされる電荷輸送物質 ９部
【０２３５】
【化７９】
下記構造式で表わされる電荷輸送物質 １部
【０２３６】
【化８０】
【０２３７】
【表１２】
【０２３８】
以上の評価結果から、１０万枚印刷後においても明部電位上昇は少なく、本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有した感光体では高画質画像が安定に得られることが確認された。一方、比較感光体１、３，４は、明部電位が初期から非常に高く、画像濃度の低下や解像度の低下を引き起こしており、１０万枚印刷後では階調性が著しく低下したことによって画像の判別が不可能であった。さらには、表１，９の評価結果から、本発明の感光体は正帯電方式においても良好な画像が得られ、１０万枚印刷後においても画像品質は良好で画像ボケ（ドット解像度）評価結果も良好であった。また、比較感光体２、５，６は明部電位の上昇は比較的小さいものの、本発明の感光体と比べ、繰り返し使用による解像度低下が大きい。
【０２３９】
実施例６１〜６７、比較例７
また、本発明の電子写真感光体，及び比較感光体２について５０ｐｐｍの窒素酸化物（ＮＯｘ）ガス濃度に調整されたデシケータ中に４日間放置し、前後における画像評価を行った。
【０２４０】
【表１３】
【０２４１】
表１３の評価結果より、感光体に本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有させることによって、酸化性ガスに対する耐性、すなわち解像度低下抑止が大幅に向上することがわかる。一方、比較感光体２は、初期画像品質は良好であるが、酸化性ガスにより著しい解像度の低下がおこることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０２４２】
【図１】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図２】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図３】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図４】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図５】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図６】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図７】本発明の電子写真プロセス及び電子写真装置を説明するための概略図である。
【図８】本発明による電子写真プロセスの別の例である。
【図９】本発明による電子写真プロセスカートリッジを説明するための概略図である。
【図１０】化合物Ｎｏ２０の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１１】化合物Ｎｏ１の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１２】化合物Ｎｏ１０の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１３】化合物Ｎｏ１５の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１４】化合物Ｎｏ３７の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１５】化合物Ｎｏ３８の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１６】オキソチタニウムフタロシアニンの粉末ＸＤスペクトルを表す図である。
【符号の説明】
【０２４３】
１ 感光体
２ 除電ランプ
３ 帯電チャージャ
４ イレーサ
５ 画像露光部
６ 現像ユニット
７ 転写前チャージャ
８ レジストローラ
９ 転写紙
１０ 転写チャージャ
１１ 分離チャージャ
１２ 分離爪
１３ クリーニング前チャージャ
１４ ファーブラシ
１５ クリーニングブレード
１６ 感光体
１７ 帯電チャージャ
１８ クリーニングブラシ
１９ 画像露光部
２０ 現像ローラ
２１ 感光体
２２ａ 駆動ローラ
２２ｂ 駆動ローラ
２３ 帯電チャージャ
２４ 像露光源
２５ 転写チャージャ
２６ クリーニング前露光
２７ クリーニングブラシ
２８ 除電光源
３１ 導電性支持体
３３ 感光層
３５ 電荷発生層
３７ 電荷輸送層
３９ 保護層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光層中に特定の少なくとも１種のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有させた電子写真感光体、また、その電子写真感光体を使用した電子写真方法、電子写真装置、電子写真用プロセスカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子写真方式を用いた情報処理システム機の発展には目覚ましいものがある。特に、情報をデジタル信号に変換して光によって情報記録を行うレーザープリンターやデジタル複写機は、そのプリント品質、信頼性において向上が著しい。さらに、それらは高速化技術との融合によりフルカラー印刷が可能なレーザープリンターあるいはデジタル複写機へと応用されてきている。そのような背景から、要求される感光体の機能としては、高画質化と高耐久化を両立させることが特に重要な課題となっている。
【０００３】
これらの電子写真方式のレーザープリンターやデジタル複写機等に使用される感光体としては、有機系の感光材料（ＯＰＣ）を用いたものが、コスト、生産性及び無公害性等の理由から一般に広く応用されている。ＯＰＣ感光体の層構成は単層型と機能分離型積層構造に大別される。最初の実用化ＯＰＣであるＰＶＫ−ＴＮＦ電荷移動錯体型感光体は前者の単層型であった。
【０００４】
一方、１９６８年、林とRegensburgerにより各々独立してＰＶＫ／ａ−Ｓｅ積層感光体が発明され、後には１９７７年Melzらにより、また１９７８年 Schlosserにより有機顔料分散層と有機低分子分散ポリマー層という感光層全てが有機材料からなる積層感光体が発表された。これらは光を吸収して電荷を発生する電荷発生層（ＣＧＬ）と、ＣＧＬで生成した電荷を注入、輸送し、表面電荷を中和する電荷輸送層（ＣＴＬ）からなるという概念から、機能分離型積層感光体とも呼ばれる。
【０００５】
しかしながら有機系の感光体は無機系に比べ、繰り返し使用によって膜削れが大きく、感光層の膜削れが進むと、感光体の帯電電位の低下や光感度の劣化、感光体表面のキズなどによる地汚れ、画像濃度低下あるいは画質劣化が促進される傾向が強くなる。したがって、従来から有機感光体の耐摩耗性が大きな課題として挙げられていた。さらに、近年では電子写真装置の高速化あるいは装置の小型化に伴う感光体の小径化によって、感光体の高耐久化がより一層重要な課題となっている。
【０００６】
感光体の耐摩耗性向上を実現する方法としては、感光層に潤滑性を付与したり、硬化させたり、フィラーを含有させる方法、もしくは低分子電荷輸送物質（ＣＴＭ）分子分散ポリマー層のかわりに高分子電荷輸送物質を用いる方法が広く知られている。しかしながらこれらの方法により感光層の削れを抑えると、新たな問題がおこる。すなわち、感光層表面に繰り返し使用、周辺環境により生じるオゾンやＮＯｘ、その他の酸化性物質が吸着し、繰り返し使用や使用環境によっては、最表面の低抵抗化を招き、画像流れ（画像ボケ）等の問題を引き起こすことが知られている。従来はこのボケ発生物質が感光層と共に少しづつ削りとられることにより、問題はある程度回避されてきた。
【０００７】
しかしながら上述の通り、最近の更なる高解像、高耐久化要求に応えるには、新たな手法を付与しなければならなくなってきている。それらの影響を軽減させる１つの方法として感光体にヒーターを搭載する方法があるが、装置の小型化や消費電力の低減に対して大きな障害となっている。また、酸化防止剤等の添加剤も有効な手段ではあるが、単なる添加剤は光導電性を有しないものであるから、感光層への多量添加は、低感度化、残留電位上昇等の電子写真特性の問題をまねいてしまう。
【０００８】
以上のように、高耐摩耗性を付与、もしくは感光体周りのプロセス設計によって削れが少なくなった電子写真感光体は、副作用として画像ボケの発生、解像度の低下等、画質への影響が避けられず、高耐久化と高画質化を両立させることは困難とされてきた。これは、画像ボケの発生を抑制するには抵抗が高い方が、残留電位上昇を抑制するには抵抗が低い方が適していることから、双方でトレードオフの関係になっていることが問題の解決を困難にしている。
【０００９】
実用化された電子写真感光体のほとんどは導電性基体上に電荷発生層と電荷輸送層とを積層した機能分離型の電子写真感光体であり、電荷輸送層に含まれる電荷輸送物質としては正孔輸送材料が用いられる。これらはもっぱら負帯電の電子写真プロセスに用いられている。
【００１０】
また電子写真プロセスにおける信頼性の高い帯電方式はコロナ放電によるものであり、ほとんどの複写機、プリンターはこの方式が採用されている。しかしながら周知の如く、正極性と比べて負極性のコロナ放電は不安定であり、このためスコロトロンによる帯電方式が採用され、コストアップの一要因となっている。負極性のコロナ放電は化学的損傷を引き起こす物質であるオゾンの発生量をより多く伴うため、長時間使用することで帯電時に発生するオゾンによるバインダー樹脂及び電荷移動材料の酸化劣化や、帯電時に生成するイオン性化合物、例えば窒素酸化物イオン、イオウ酸化物イオン、アンモニウムイオン等が感光体表面に蓄積することによる、画質低下が発生し問題となる。このため、オゾンの外部排出を防ぐべく、負帯電方式の複写機、プリンターにはオゾンフィルターが用いられている場合が多く、これも装置のコストアップの要因となっている。また、多量に発生するオゾンは環境汚染の問題ともなる。
【００１１】
これらを解消するために、正帯電型の電子写真感光体の開発が進められている。正帯電方式であれば、オゾンや窒素酸化物イオンなどの発生量が少なく押さえられ、さらに現状では広く用いられている二成分系現像剤の使用では、電子写真感光体が正帯電の方が、環境変動が少なく安定な画像が得られ、この面からも正帯電型の電子写真感光体が望ましい。
【００１２】
しかしながら、正帯電型の単層型や逆層感光体は、オゾンや窒素酸化物イオンなどの酸化性物質に対して非常に影響を受けやすい電荷発生材料が、表面近傍にあるため周りの環境ガス、例えば石油ファンヒーターや車からの排気ガスによる特性変動が大きいという欠点を有している。
【００１３】
一方、高速複写プロセスの場合は前述のように正帯電型よりもむしろ負帯電型が用いることが好ましい。その理由は高速複写プロセスなどにおいても支障の無い程度の高い電荷移動度を示す有機材料としては、現在のところほとんどが正孔移動の性質のみを有する正孔輸送材料に限られており、そのため正孔輸送材料を用いて形成される電荷輸送層を表面側に配置した順層積層型電子写真感光体においては動作原理上、その帯電性は負帯電にかぎられるからである。
【００１４】
以上のように、帯電極性についていえば、電子写真感光体を正帯電及び負帯電の両方の極性で用いることができれば、感光体の応用範囲を更に広げることができ、感光体品種削減によるコスト低減、高速化対応などにおいて有利なものとなる。
【００１５】
このような状況から両極性帯電可能な電子写真感光体が特許第２７３２６９７号公報（特許文献１）に開示されているが、ここに用いられている電子輸送材料のジフェノキノン誘導体は電荷移動度がやや低いため複写機、プリンターの高速化、小型化を考えた場合、感光体感度特性は充分ではなく、更に繰り返し使用により画像ボケをひきおこすという欠点を有している。
【００１６】
また、特開２０００−２３１２０４号公報（特許文献２）には感光体へ酸掃去剤としてジアルキルアミノ基を有する芳香族系化合物が開示されている。この化合物は繰り返し使用後の画像品質に対して有効なものであるが、電荷輸送能が低いため高感度、高速化要求には対応が難しく、したがって、添加量においても限界がある。
【００１７】
更に、特開昭６０−１９６７６８号公報（特許文献３）、特許第２８８４３５３号公報（特許文献４）等に開示されているジアルキルアミノ基を有するスチルベン化合物も耐酸化性ガスによる画像ボケに対して効果があることが［伊丹ら、コニカテクニカルレポート、１３巻、３７頁、２０００年］に記載されている。
【００１８】
しかしながら、これは電荷輸送サイトであるトリアリールアミン構造の共鳴部位に強いメゾメリー効果（＋Ｍ効果）の置換基であるジアルキルアミノ基を有しているため、全体のイオン化ポテンシャル値は異常に小さくなる。それ故、正孔輸送物質として単独使用した感光層の帯電保持能は、初期から、もしくは繰り返し使用により著しく悪くなるため、実用化は非常に難しいという致命的な欠点を有し、他の電荷輸送物質と混合併用しても、上記スチルベン化合物のイオン化ポテンシャル値はそれらよりもかなり小さいため、スチルベン化合物が移動電荷のホールトラップサイトとなり、感度が著しく低く、かつ残留電位が大きな電子写真感光体となってしまう。
【００１９】
また、特開２００４−２５８２５３号公報（特許文献５）には、スチルベン化合物と特定のジアミン化合物とを含み感度低下を招くことなく繰り返し使用及び酸性ガスなどに対する環境耐性を向上させた感光体が提案されている。
しかし、高速印刷あるいは感光体の小径化に伴う装置の小型化を実現するには未だ充分でない。
【００２０】
また、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体自体は、電荷移動錯体形成のアクセプターとして用いること（特許文献６）や、抗ヘリコバクター作用を有する化合物（医薬品）としてもちいること（特許文献７）が開示されているが、電子写真感光体に用いることが示唆されていない。
【００２１】
【特許文献１】特許第２７３２６９７号公報
【特許文献２】特開２０００−２３１２０４号公報
【特許文献３】特開昭６０−１９６７６８号公報
【特許文献４】特許第２８８４３５３号公報
【特許文献５】特開２００４−２５８２５３号公報
【特許文献６】ＤＥ １２３００３１
【特許文献７】ＷＯ２００２０４０４７９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
本発明の目的は、長期間の繰り返し使用に対しても高耐久性を有し、かつ画像濃度低下、あるいは画像ボケの発生による画像劣化を抑制し、高画質画像が安定に得られる電子写真感光体を提供することにある。また、両極性帯電に対応できうる感光体が得られ、それらの感光体を用いることにより、感光体の交換が不要で、かつ高速印刷あるいは感光体の小径化に伴う装置の小型化を実現し、さらに繰り返し使用においても高画質画像が安定に得られる電子写真方法、電子写真装置、ならびに電子写真用プロセスカートリッジを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記課題は本発明における（１）「導電性支持体上に、少なくとも感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層は、下記一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有するものであることを特徴とする電子写真感光体；
【００２４】
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１とＲ２およびＲ３とＲ４は互いに結合し、窒素原子を含む置換もしくは無置換の複素環基を形成してもよい。］」、
（２）「前記感光層は、少なくとも電荷発生層、電荷輸送層を順次積層したものであることを特徴とする前記第（１）項記載の電子写真感光体」、
（３）「前記感光層は、少なくとも電荷輸送層、電荷発生層を順次積層したものであることを特徴とする前記第（１）項記載の電子写真感光体」、
（４）「前記感光層は、単層型の感光層であることを特徴とする前記第（１）項記載の電子写真感光体」、
（５）「前記感光層は、電荷輸送物質をさらに含むものであることを特徴とする前記第（１）項乃至第（４）項記載の電子写真感光体」、
（６）「前記電荷輸送物質が下記一般式（２）で表されるスチルベン誘導体であることを特徴とする前記第（５）項記載の電子写真感光体；
【００２５】
【化２】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１とＲ５は共同で環を形成しても良い。Ａは一般式（３）、一般式（４）、９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表す。
【００２６】
【化３】
【００２７】
【化４】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または一般式（５）を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い
【００２８】
【化５】
（ただし、Ｒ３およびＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を示し、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていてもよく、環を形成しても良い）。］」、
（７）「前記電荷輸送物質が下記一般式（６）で表されるアミノビフェニル誘導体であることを特徴とする前記第（５）項記載の電子写真感光体；
【００２９】
【化６】
［式中、Ｒ１、Ｒ３およびＲ４は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を、Ｒ２は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表す。また、ｋ，ｌ，ｍおよびｎは１、２、３または４の整数であり、それぞれが２、３または４の整数の時は、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていても良い。］」、
（８）「前記電荷輸送物質が下記一般式（７）で表されるジスチルベン誘導体であることを特徴とする前記第（５）項記載の電子写真感光体；
【００３０】
【化７】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、 Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ1は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ３は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１とＲ３は共同で環を形成しても良い。またＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ２は下記一般式（８）または一般式（９）を表す。
【００３１】
【化８】
【００３２】
【化９】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い。］」、
（９）「前記電荷輸送物質が下記一般式（１０）で表されるジビニル誘導体であることを特徴とする前記第（５）項記載の電子写真感光体；
【００３３】
【化１０】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、 Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ1は置換もしくは無置換の２価の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａは一般式（３）、一般式（４）、９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表す。
【００３４】
【化１１】
【００３５】
【化１２】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または一般式（５）を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い
【００３６】
【化１３】
（ただし、Ｒ３およびＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を示し、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていてもよく、環を形成しても良い）。］」、
（１０）「電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写が繰り返し行われる電子写真方法であって、該電子写真感光体は前記第（１）項乃至第（９）項記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真方法」、
（１１）「電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写を繰り返し行い、かつ画像露光の際にはＬＤあるいはＬＥＤ等によって感光体上に静電潜像の書き込みが行われる、デジタル方式の電子写真方法であって、該電子写真感光体は前記第（１）項乃至第（９）項記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真方法」、
（１２）「少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であって、該電子写真感光体は前記第（１）項乃至第（９）項記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置」、
（１３）「少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であって、画像露光手段にＬＤあるいはＬＥＤ等を使用することによって感光体上に静電潜像の書き込みが行われる、デジタル方式の電子写真装置であって、該電子写真感光体は前記第（１）項乃至第（９）項記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置」、
（１４）「少なくとも電子写真感光体を具備してなる電子写真装置用プロセスカートリッジであって、該電子写真感光体は前記第（１）項乃至第（９）項記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置用プロセスカートリッジ」により解決される。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有することにより、感度低下を招くことなく、繰り返し使用、および酸化性ガスなどに対する環境耐性が大幅に向上するため、高耐久性を有し、長期にわたって高解像度の画質が得られる感光体を得ることが可能となった。本発明によって、電子写真感光体の高耐久化と高画質化の両立が実現され、高画質画像が長期に渡って安定に得られ、更には両極性帯電に対応可能な電子写真感光体、及びそれを用いた電子写真方法、電子写真装置、電子写真装置用プロセスカートリッジが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
本発明者らは検討を進めた結果、感光層に下記一般式（１）で表される少なくとも１つのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有させることで、前記、酸化性ガス等のボケ発生物質による画像ボケ（画像流れ）等の問題を解決でき、両極性帯電に対応できうる感光体が得られることを見いだした。
【００３９】
【化１４】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１とＲ２およびＲ３とＲ４は互いに結合し、窒素原子を含む置換もしくは無置換の複素環基を形成してもよい。］
【００４０】
本発明における、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体が繰り返し使用による画像品質維持に有効である理由は、現時点では明らかになっていないが、化学構造内に含まれるアミノ基は塩基性の強い基であるので、画像ボケの原因物質と考えられている酸化性ガスに対しての電気的な中和効果が推測される。
また、本発明におけるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体は、他の電荷輸送物質と併用することにより高感度、並びに繰り返し安定性等がさらに増すものである。
【００４１】
また、本発明におけるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体は電子輸送性物質のため、それを用いた感光体は層構成の種類および正孔輸送物質との混合により両極性帯電に対応可能な単層型感光体を得ることもできる。
したがって、以下の構成要件を満足することにより、高耐久性と高画質化の両立を可能とし、繰り返し使用に対しても高画質画像を安定に得られる両極性帯電に対応可能な電子写真感光体を提供、また、繰り返し使用においても高画質画像を安定に得られる電子写真方法、電子写真装置、ならびに電子写真用プロセスカートリッジを提供するに至った。
【００４２】
以下、本発明の電子写真感光体、及びそれを用いた電子写真方法、電子写真装置、ならびに電子写真用プロセスカートリッジの詳細を説明する。
【００４３】
まず、本発明にて感光層中に含有させる下記一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体の詳細を説明する。
【００４４】
【化１５】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１とＲ２およびＲ３とＲ４は互いに結合し、窒素原子を含む置換もしくは無置換の複素環基を形成してもよい。］
【００４５】
前記一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体の製造方法としては、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体を、１，１−二置換ヒドラジン誘導体とを無溶媒、若しくは溶媒存在下で反応させることによって製造される。溶媒としては特に制限はないが、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロナフタレン、酢酸、ピリジン、メチルピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルエチレンウレア、ジメチルスルホキサイド等があげられる。反応温度は室温から２５０℃の間が好ましい。また反応促進のためにｐＨ調整しておこなうこともできる。ｐＨ調整には水酸化リチウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の塩基性水溶液をリン酸等の酸との混合により作製した緩衝液を用いる。
【００４６】
具体的には、例えば、第一工程で；ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物誘導体と１，１−二置換ヒドラジン誘導体とを反応させてモノイミド体を製造し、第二工程で；このモノイミド体と最初に反応させたものと置換基の異なるヒドラジン誘導体とを反応させることにより、一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体におけるＲ１、Ｒ２とＲ３、Ｒ４が異なる誘導体が製造できる。
【００４７】
【化１６】
【００４８】
あるいは、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物１モル当量とヒドラジン誘導体２モル当量以上を反応させて一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体におけるＲ１、Ｒ２とＲ３、Ｒ４が同じ誘導体が製造できる。
【００４９】
【化１７】
【００５０】
一般式（１）の説明にある、アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、及びウンデカニル基などを挙げることができる。また、芳香族炭化水素基としてはベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、アントラセン、フルオレン及びピレンなどの芳香族環の基、並びにピリジン、キノリン、チオフェン、フラン、オキサゾール、オキサジアゾール、カルバゾールなど芳香族複素環の基が挙げられる。
また、これらの置換基としては、上記アルキル基の具体例で挙げたもの、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、またはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のハロゲン原子、ジアルキルアミノ基、ジフェニルアミノ基、前記芳香族炭化水素基、及びピロリジン、ピペリジン、ピペラジンなどの複素環の基などが挙げられる。
更に、Ｒ１，Ｒ２が互いに結合し窒素原子を含む複素環基を形成する場合、その複素環基としてはピロリジノ基、ピペリジノ基、ピペラジノ基などに芳香族炭化水素基が縮合した縮合複素環基を挙げることができる。
【００５１】
以下に一般式（１）の好ましい例を挙げる。但し、本発明は、これらの化合物に限定されるものではない。
【００５２】
【化１８】
【００５３】
【化１９】
【００５４】
【化２０】
【００５５】
【化２１】
【００５６】
【化２２】
【００５７】
次に、電子写真感光体の層構成に関して説明する。
第１図は、本発明の電子写真感光体を表わす断面図であり、導電性支持体３１上に、電荷発生物質と電荷輸送物質を主成分とする感光層３３が設けられている。
【００５８】
第２図は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５と、電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７とが、積層された構成をとっている。
【００５９】
第３図は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質と電荷輸送物質を主成分とする感光層３３が設けられ、更に感光層表面に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体が含有されても構わない。
【００６０】
第４図は、導電性支持体３１上に、電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５と電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７とが積層された構成をとっており、更に電荷輸送層上に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体が含有されても構わない。
【００６１】
第５図は、導電性支持体３１上に、電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７と電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５とが積層された構成をとっている。
【００６２】
また、第６図は、導電性支持体３１上に、電荷輸送物質を主成分とする電荷輸送層３７と電荷発生物質を主成分とする電荷発生層３５とが積層された構成をとっており更に電荷発生層上に保護層３９が設けられてなる。この場合、保護層３９に本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体が含有されても構わない。
【００６３】
導電性支持体３１としては、体積抵抗１０１０ Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着またはスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、あるいは、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板およびそれらを、押し出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩などの表面処理した管などを使用することができる。また、特開昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体３１として用いることができる。
【００６４】
この他、上記支持体上に導電性粉体を適当な結着樹脂に分散して塗工したものについても、本発明の導電性支持体３１として用いることができる。この導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化スズ、ＩＴＯなどの金属酸化物粉体などがあげられる。また、同時に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。このような導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、メチルエチルケトン、トルエンなどに分散して塗布することにより設けることができる。
【００６５】
さらに、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン（登録商標）などの素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設けてなるものも、本発明の導電性支持体３１として良好に用いることができる。
【００６６】
次に感光層について説明する。感光層は単層でも積層でもよいが、説明の都合上、先ず電荷発生層３５と電荷輸送層３７で構成される場合から述べる。
【００６７】
電荷発生層３５は、電荷発生物質を主成分とする層である。電荷発生層３５には、公知の電荷発生物質を用いることが可能であり、その代表として、シーアイピグメントブルー２５（カラーインデックスＣＩ ２１１８０）、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ ２１２００）、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ ４５１００）、シーアイベーシックレッド３（ＣＩ ４５２１０）、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４４５号公報）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２３４７号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４９６７号公報に記載）、ベンズアントロン骨格を有するアゾ顔料などのアゾ顔料。例えば、シーアイピグメントブルー１６（ＣＩ ７４１００）、Ｙ型オキソチタニウムフタロシアニン（特開昭６４−１７０６６号公報）、Ａ(β)型オキソチタニウムフタロシアニン、Ｂ(α)型オキソチタニウムフタロシアニン、Ｉ型オキソチタニウムフタロシアニン（特開平１１−２１４６６号公報に記載）、ＩＩ型クロロガリウムフタロシアニン（飯島他，日本化学会第６７春季年会，１Ｂ４，０４（１９９４））、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン（大門他，日本化学会第６７春季年会，１Ｂ４，０５（１９９４））、Ｘ型無金属フタロシアニン（米国特許第３，８１６，１１８号）などのフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウン５（ＣＩ ７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ ７３０３０）などのインジコ系顔料、アルゴスカーレットＢ（バイエル社製）、インタンスレンスカーレットＲ（バイエル社製）などのペリレン顔料などが挙げられる。なお、これらの材料は単独あるいは２種類以上が併用されても良い。
【００６８】
電荷発生層３５は、電荷発生物質を必要に応じて結着樹脂とともに適当な溶剤中にボールミル、アトライター、サンドミル、超音波などを用いて分散し、これを導電性支持体上に塗布し、乾燥することにより形成される。
【００６９】
必要に応じて電荷発生層３５に用いられる結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。結着樹脂の量は、電荷発生物質１００重量部に対し０〜５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部が適当である。結着樹脂の添加は、分散前あるいは分散後どちらでも構わない。
【００７０】
ここで用いられる溶剤としては、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられるが、特にケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒が良好に使用される。これらは単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
【００７１】
電荷発生層３５は、電荷発生物質、溶媒及び結着樹脂を主成分とするが、その中には、増感剤、分散剤、界面活性剤、シリコーンオイル等のいかなる添加剤が含まれていても良い。
【００７２】
塗布液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の方法を用いることができる。
電荷発生層３５の膜厚は、０.０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０.１〜２μｍである。
【００７３】
電荷輸送層３７は、電荷輸送物質を主成分とする層である。電荷輸送物質は、正孔輸送物質と電子輸送物質、及び高分子電荷輸送物質に分け、以下に説明する。
【００７４】
正孔輸送物質としては、例えば、ポリ−Ｎ−カルバゾール及びその誘導体、ポリ-γ-カルバゾリルエチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、及び以下の一般式（１１）乃至（３４）で示される化合物がある。
【００７５】
【化２３】
（式中、Ｒ１はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基または２−クロルエチル基を表し、Ｒ２はメチル基、エチル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、Ｒ３は水素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基またはニトロ基を表す。）
一般式（１１）で表される化合物には、例えば、９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド １−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルボアルデヒド １、１−ジフェニルヒドラゾンなどがある
【００７６】
【化２４】
（式中、Ａｒはナフタレン環、アントラセン環、ピレン環及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン環、チオフェン環を表し、Ｒはアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表す。）
一般式（１２）で表される化合物には、例えば、４−ジエチルアミノスチリル−β−カルボアルデヒド １−メチル−１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタレン−１−カルボアルデヒド １−ベンジル−１−フェニルヒドラゾンなどがある。
【００７７】
【化２５】
（式中、Ｒ１はアルキル基、ベンジル基、フェニル基またはナフチル基を表し、 Ｒ２は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジアリールアミノ基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、ｎが２以上のときはＲ２は同じでも異なっていても良い。 Ｒ３は水素原子またはメトキシ基を表す。）
一般式（１３）で表される化合物には、例えば、４−メトキシベンズアルデヒド １−メチル−１−フェニルヒドラゾン、２、４−ジメトキシベンズアルデヒド １−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド １、１−ジフェニルヒドラゾン、４−メトキシベンズアルデヒド １−（４−メトキシ）フェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベンズアルデヒド １−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド １、１−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
【００７８】
【化２６】
（式中、 Ｒ１は炭素数１〜１１のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基または複素環基を表し、 Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、クロルアルキル基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表し、また、Ｒ２とＲ３は互いに結合し窒素を含む複素環を形成していても良い。 Ｒ４は同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。）
一般式（１４）で表される化合物には、例えば、１、１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、トリス（４−ジエチルアミノフェニル）メタン、１、１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、２，２’−ジメチル−４，４’−ビス（ジエチルアミノ）−トリフェニルメタンなどがある。
【００７９】
【化２７】
（式中、Ｒは水素原子またはハロゲン原子を表し、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリル基またはカルバゾリル基を表す。）
一般式（１５）で表される化合物には、例えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、９−ブロム−１０−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンなどがある。
【００８０】
【化２８】
（式中、 Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基または炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ａｒは下記一般式（１７）、一般式（１８）を表す。
【００８１】
【化２９】
【００８２】
【化３０】
Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基またはジアルキルアミノ基を表し、ｎは１または２であって、ｎが２のときはＲ３は同一でも異なっていてもよく、Ｒ４、Ｒ５は水素原子、炭素数１〜４の置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のベンジル基を表す。）
一般式（１６）で表される化合物には、例えば、９−（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオレン、３−（９−フルオレニリデン）−９−エチルカルバゾールなどがある。
【００８３】
【化３１】
（式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基、インドリル基、フリル基あるいはそれぞれ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基、またはアントリル基であって、これらの置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カルボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、アラルキルアミノ基、N-アルキル-N-アラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基及びアセチルアミノ基からなる群から選ばれた基を表す。）
一般式（１９）で表される化合物には、例えば、１、２−ビス（４−ジエチルアミノスチリル）ベンゼン、１、２−ビス（２、４−ジメトキシスチリル）ベンゼンなどがある。
【００８４】
【化３２】
（式中、 Ｒ１は低級アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、またはベンジル基を表し、 Ｒ２、Ｒ３は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級アルキル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を表し、ｎは１または２の整数を表す。）
一般式（２０）で表される化合物には、例えば、３−スチリル−９−エチルカルバゾール、３−（４−メトキシスチリル）−９−エチルカルバゾールなどがある。
【００８５】
【化３３】
（式中、 Ｒ１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、 Ｒ２およびＲ３は置換もしくは無置換のアリール基を表し、 Ｒ４は水素原子、低級アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を表し、また、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基またはナフチル基を表す。）
一般式（２１）で表される化合物には、例えば、４−ジフェニルアミノスチルベン、４−ジベンジルアミノスチルベン、４−ジトリルアミノスチルベン、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレン、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレンなどがある。
【００８６】
【化３４】
（式中、ｎは０または１の整数、 Ｒ１は水素原子、アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ１は置換もしくは未置換のアリール基を表し、Ｒ５は置換アルキル基を含むアルキル基、あるいは置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａは下記一般式（２３）、一般式（２４）、９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表す。また、ｎが０の時、ＡとＲ１は共同で環を形成しても良い。
【００８７】
【化３５】
【００８８】
【化３６】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または一般式（２５）を表し、一般式（２３）では、ｍは１〜５の整数を表し、一般式（２４）では、ｍは１〜７の整数を表し、ｍが２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い
【００８９】
【化３７】
（ただし、Ｒ３およびＲ４は置換もしくは無置換のアリール基を示し、 Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていてもよく、 Ｒ４は環を形成しても良い）。）
一般式（２２）で表される化合物には、例えば、４‘−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、４‘−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−α−フェニルスチルベンなどがある。
【００９０】
【化３８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子またはジアルキルアミノ基を表し、ｎは０または１を表す。）
一般式（２６）で表される化合物には、例えば、１−フェニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリンなどがある。
【００９１】
【化３９】
（式中、 Ｒ１およびＲ２は置換アルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは未置換のアリール基を表し、 Ａは置換アミノ基、置換もしくは未置換のアリール基またはアリル基を表す。）
一般式（２７）で表される化合物には、例えば、２、５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジメチルアミノフェニル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールなどがある。
【００９２】
【化４０】
（式中、Ｘは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン原子を表し、Ｒは置換アルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を表し、 Ａは置換アミノ基または置換もしくは無置換のアリール基を表す。）
一般式（２８）で表される化合物には、例えば、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジエチルアミノフェニル）−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾールなどがある。
【００９３】
【化４１】
（式中、 Ｒ１は低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ２、Ｒ３は同じでも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、ｌ、ｍ、ｎは０〜４の整数を表す。）
一般式（２９）で表されるベンジジン化合物には、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル− Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミン、３，３’−ジメチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミンなどがある。
【００９４】
【化４２】
（式中、 Ｒ１、Ｒ３およびＲ４は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子または置換もしくは無置換のアリール基を、Ｒ２は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表す。ただし、 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はすべて水素原子である場合は除く。また、ｋ，ｌ，ｍおよびｎは１、２、３または４の整数であり、それぞれが２、３または４の整数の時は、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていても良い。）
一般式（３０）で表されるビフェニリルアミン化合物には、例えば、４’−メトキシ− Ｎ，Ｎ−ジフェニル−[１，１’−ビフェニル]−４−アミン、４’−メチル− Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−[１，１’−ビフェニル]−４−アミン、４’−メトキシ− Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−［１，１‘−ビフェニル］−4−アミンなどがある。
【００９５】
【化４３】
（式中、Ａｒは置換基を有してもよい炭素数１８個以下の縮合多環式炭化水素基を表し、また、 Ｒ１およびＲ２は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。ｎは１もしくは２の整数を表す。）
一般式（３１）で表されるトリアリールアミン化合物には、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ピレン−１−アミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−ピレン−１−アミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリル−１−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）−１−フェナントリルアミン、９，９−ジメチル−２−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フルオレン、Ｎ，Ｎ，Ｎ‘，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３−メチルフェニル）−ｍ−フェニレンジアミンなどがある。
【００９６】
【化４４】
（式中、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａは一般式（３３）を表す。
【００９７】
【化４５】
（ただし、Ａｒ’は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、 Ｒ１および
Ｒ２は置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基である。）
を表す。）
一般式（３２）で表されるジオレフィン芳香族化合物には、例えば、１、４−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ベンゼン、１、４−ビス[４−ジ（ｐ−トリル）アミノスチリル]ベンゼンなどがある。
【００９８】
【化４６】
（式中、 Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を、 Ｒは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を表す。ｎは０または１、ｍは１または２であって、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、 ＡｒとＲは共同で環を形成しても良い。）
一般式（３４）で表されるスチリルピレン化合物には、例えば、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ピレン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−p−トリル−４−アミノスチリル）ピレンなどがある。
【００９９】
なお、電子輸送材料としては、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−インデノ４Ｈ−インデノ[１、２−ｂ]チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどを挙げることができ、さらに下記一般式（３５）、（３６）、（３７）及び（３８）に挙げる電子輸送物質を好適に使用することができる。
これらの電荷輸送物質は単独または２種類以上混合して用いられる。
【０１００】
【化４７】
（式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。）
【０１０１】
【化４８】
（式中Ｒ１、Ｒ２は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。）
【０１０２】
【化４９】
（式中Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。）
【０１０３】
【化５０】
〔式中、Ｒ１ は置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ２ は置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、または下記式一般式（３９）で表される基を示す。
【０１０４】
【化５１】
Ｒ３ は、置換基を有してもよいアルキル基、または置換基を有してもよいアリール基を示す。〕
【０１０５】
結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。
【０１０６】
電荷輸送物質と本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体は電荷輸送層内に混合含有される場合、この合計量は、結着樹脂１００重量部に対し、２０〜３００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部が適当である。また、電荷輸送層の膜厚は解像度・応答性の点から、２５μｍ以下とすることが好ましい。下限値に関しては、使用するシステム（特に帯電電位等）に異なるが、５μｍ以上が好ましい。
【０１０７】
また、本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体の量は、電荷輸送物質に対して０．０１ｗｔ％〜１５０ｗｔ％が好ましい。少ないと酸化性ガスに対する耐性が不足し、多すぎると、繰り返し使用による残留電位の上昇が大きくなる。
ここで用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられる。電荷輸送物質は単独で使用しても２種以上混合して使用しても良い。
【０１０８】
本発明に使用できる酸化防止剤としては、後述される一般の酸化防止剤が使用できるが、（ｃ）ハイドロキノン系、及び（ｆ）ヒンダードアミン系の化合物が特に効果的である。 但し、ここで用いられる酸化防止剤は、後述の目的と異なり、あくまでも本発明に用いられるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体の変質保護のために利用される。 このため、これらの酸化防止剤は、本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有させる前の工程で塗工液に含有させておくことが好ましく、添加量としては、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体に対して０．１〜２００ｗｔ％で十分な効果を発揮できる。
【０１０９】
電荷輸送層には電荷輸送物質としての機能とバインダー樹脂としての機能を持った高分子電荷輸送物質も良好に使用される。これらの高分子電荷輸送物質から構成される電荷輸送層は耐摩耗性に優れたものである。高分子電荷輸送物質としては、公知の材料が使用できるが、特に、トリアリールアミン構造を主鎖および／または側鎖に含むポリカーボネートが良好に用いられる。中でも、構造式（I）〜（XIII）式で表される高分子電荷輸送物質が良好に用いられる。これらを以下に例示し、具体例を示す。
【０１１０】
【化５２】
式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３ はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子、Ｒ４は水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基、Ｒ５ ，Ｒ６ は置換もしくは無置換のアリール基、ｏ，ｐ，ｑはそれぞれ独立して０〜４の整数、ｋ，ｊは組成を表し、０．１≦ｋ≦１、０≦ｊ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し５〜５０００の整数である。Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基、または下記構造式（II）で表される２価基を表す。
【０１１１】
【化５３】
式中、Ｒ１０１，Ｒ１０２ は各々独立して置換もしくは無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を表す。ｌ、ｍは０〜４の整数、Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ２−，−ＣＯ−，−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）または、下記構造式（III）を表す。
【０１１２】
【化５４】
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ１０３、Ｒ１０４は置換または無置換のアルキル基又はアリール基を表す。）を表す。ここで、 Ｒ１０１ とＲ１０２，Ｒ１０３とＲ１０４は、それぞれ同一でも異なってもよい。
【０１１３】
【化５５】
式中、Ｒ７, Ｒ８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１, Ａｒ２, Ａｒ３は同一あるいは異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１４】
【化５６】
式中、Ｒ９, Ｒ１０は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ４ ，Ａｒ５，Ａｒ６ は同一あるいは異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１５】
【化５７】
式中、Ｒ１１, Ｒ１２ は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ７, Ａｒ８, Ａｒ９は同一あるいは異なるアリレン基、ｐは１〜５の整数を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１６】
【化５８】
式中、Ｒ１３， Ｒ１４は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１０， Ａｒ１１， Ａｒ１２は同一あるいは異なるアリレン基、 Ｘ１， Ｘ２ は置換もしくは無置換のエチレン基、又は置換もしくは無置換のビニレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１７】
【化５９】
式中、Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ１７，Ｒ１８は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ１３， Ａｒ１４，Ａｒ１５，Ａｒ１６は同一あるいは異なるアリレン基、 Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換もしくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子、ビニレン基を表し同一であっても異なってもよい。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１８】
【化６０】
式中、Ｒ１９，Ｒ２０ は水素原子、置換もしくは無置換のアリール基を表し，Ｒ１９とＲ２０は環を形成していてもよい。Ａｒ１７，Ａｒ１８，Ａｒ１９ は同一あるいは異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１１９】
【化６１】
式中、Ｒ２１は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２０，Ａｒ２１，Ａｒ２２，Ａｒ２３ は同一あるいは異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１２０】
【化６２】
式中、Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ２４，Ｒ２５は置換もしくは無置換のアリール基、Ａｒ２４，Ａｒ２５，Ａｒ２６，Ａｒ２７，Ａｒ２８は同一あるいは又は異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１２１】
【化６３】
式中、Ｒ２６，Ｒ２７ は置換もしくは無置換のアリール基、 Ａｒ２９，Ａｒ３０，Ａｒ３１は同一あるいは異なるアリレン基を表す。 Ｘ，ｋ，ｊおよびｎは、上記構造式（I）式の場合と同じである。
【０１２２】
【化６４】
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４およびＡｒ５は置換もしくは無置換の芳香環基、Ｚは芳香環基または―Ａｒ６―Ｚａ―Ａｒ６―を表し、 Ａｒ６は置換もしくは無置換の芳香環基、ＺａはＯ、Ｓまたはアルキレン基、ＲおよびＲ’は直鎖又は分岐鎖のアルキレン基を表す。 ｍは０または１を表す。ｋ、ｊ、ｎ及びＸは前式と同じ。）
【０１２３】
電荷輸送層３７は、電荷輸送物質単独もしくは結着樹脂と適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要により単独あるいは２種以上の可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
以上のようにして得られた塗工液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等、従来の塗工方法を用いることができる。
【０１２４】
次に感光層が単層構成３３の場合について述べる。上述した電荷発生物質を結着樹脂中に分散した感光体が使用できる。感光層は、電荷発生物質および電荷輸送物質および結着樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥することによって形成できる。 また、必要により可塑剤やレベリング剤、酸化防止剤等を添加することもできる。
【０１２５】
結着樹脂としては、先に電荷輸送層３７で挙げた結着樹脂のほかに、電荷発生層３５で挙げた結着樹脂を混合して用いてもよい。もちろん、先に挙げた高分子電荷輸送物質も良好に使用できる。結着樹脂１００重量部に対する電荷発生物質の量は５〜４０重量部が好ましく、電荷輸送物質の量は０〜１９０重量部が好ましく、さらに好ましくは５０〜１５０重量部である。感光層は、電荷発生物質、結着樹脂を電荷輸送物質とともにテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロエタン、シクロヘキサン等の溶媒を用いて分散機等で分散した塗工液を、浸漬塗工法やスプレーコート、ビードコート、リングコートなどで塗工して形成できる。感光層の膜厚は、５〜２５μｍ程度が適当である。
【０１２６】
本発明の感光体においては、導電性支持体３１と感光層との間に下引き層を設けることができる。下引き層は一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。また、下引き層にはモアレ防止、残留電位の低減等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。
【０１２７】
これらの下引き層は、前述の感光層の如く適当な溶媒及び塗工法を用いて形成することができる。更に本発明の下引き層として、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。この他、本発明の下引き層には、Ａｌ２Ｏ３を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＣｅＯ２等の無機物を真空薄膜作成法にて設けたものも良好に使用できる。このほかにも公知のものを用いることができる。下引き層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【０１２８】
本発明の感光体においては、感光層保護の目的で、保護層３９が感光層の上に設けられることがある。保護層３９に使用される材料としてはＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリール樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルベンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ポリアリレート、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。フィラーの分散性、残留電位、塗膜欠陥の点から、特にポリカーボネートあるいはポリアリレートが有効かつ有用である。
【０１２９】
また、感光体の保護層には、耐摩耗性を向上する目的でフィラー材料を添加される。
用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなど、電荷輸送層３７で使用されるすべての溶剤を使用することができる。但し、分散時には粘度が高い溶剤が好ましいが、塗工時には揮発性が高い溶剤が好ましい。これらの条件を満たす溶剤がない場合には、各々の物性を有する溶剤を２種以上混合させて使用することが可能であり、フィラーの分散性や残留電位に対して大きな効果を有する場合がある。
【０１３０】
また、保護層に本発明のアミン化合物が含まれていてもよい。さらに電荷輸送層３７で挙げた低分子電荷輸送物質あるいは高分子電荷輸送物質を添加することは、残留電位の低減及び画質向上に対して有効かつ有用である。
【０１３１】
保護層の形成法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の従来方法を用いることができるが、特に塗膜の均一性の面からスプレーコートがより好ましい。
【０１３２】
本発明の感光体においては、感光層と保護層との間に中間層を設けることも可能である。中間層には、一般にバインダー樹脂を主成分として用いる。これら樹脂としては、ポリアミド、アルコール可溶性ナイロン、水溶性ポリビニルブチラール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。中間層の形成法としては、前述のごとく一般に用いられる塗布法が採用される。なお、中間層の厚さは０．０５〜２μｍ程度が適当である。
【０１３３】
本発明においては、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、電荷発生層、電荷輸送層、下引き層、保護層、中間層等の各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤およびレベリング剤を添加することが出来る。これらの化合物の代表的な材料を以下に記す。
【０１３４】
各層に添加できる酸化防止剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１３５】
（ａ）フェノ−ル系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾ−ル、ブチル化ヒドロキシアニソ−ル、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノ−ル、ｎ-オクタデシル-３-(４'-ヒドロキシ-３',５'-ジ-t-ブチルフェノール)、２，２'−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、２，２'−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４'−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、４，４'−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノ−ル）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３'，５'−ジ−ｔ−ブチル−４'−ヒドロキシフェニル）プロピオネ−ト］メタン、ビス［３，３'−ビス（４'−ヒドロキシ−３'−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］クリコ−ルエステル、トコフェロ−ル類など。
【０１３６】
（ｂ） パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ'−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ'−ジメチル−Ｎ，Ｎ'−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。
【０１３７】
（ｃ） ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。
【０１３８】
（ｄ）有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３'−チオジプロピオネ−ト、ジステアリル−３，３'−チオジプロピオネ−ト、ジテトラデシル−３，３'−チオジプロピオネ−トなど。
【０１３９】
（ｅ）有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィンなど。
【０１４０】
各層に添加できる可塑剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１４１】
（ａ）リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸トリフェニルなど。
【０１４２】
（ｂ）フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチルなど。
【０１４３】
（ｃ）芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−ｎ−オクチル、オキシ安息香酸オクチルなど。
【０１４４】
（ｄ）脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−ｎ−ヘキシル、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−ｎ−オクチル、アジピン酸−ｎ−オクチル−ｎ−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−ｎ−オクチル、セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−２−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−ｎ−オクチルなど。
【０１４５】
（ｅ）脂肪酸エステル誘導体
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリンなど。
【０１４６】
（ｆ）オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチルなど。
【０１４７】
（ｇ）エポキシ可塑剤
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシルなど。
【０１４８】
（ｈ）二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−２−エチルブチラートなど。
【０１４９】
（ｉ）含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチルなど。
【０１５０】
（ｊ）ポリエステル系可塑剤
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステルなど。
【０１５１】
（ｋ）スルホン酸誘導体
ｐ−トルエンスルホンアミド、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンエチルアミド、ｏ−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−Ｎ−エチルアミド、ｐ−トルエンスルホン−Ｎ−シクロヘキシルアミドなど。
【０１５２】
（ｌ）クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−２−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−ｎ−オクチルデシルなど。
【０１５３】
（ｍ）その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチルなど。
【０１５４】
各層に添加できる滑剤としては、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１５５】
（ａ）炭化水素系化合物
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレンなど。
【０１５６】
（ｂ）脂肪酸系化合物
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸など。
【０１５７】
（ｃ）脂肪酸アミド系化合物
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミドなど。
【０１５８】
（ｄ）エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステルなど。
【０１５９】
（ｅ）アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロールなど。
【０１６０】
（ｆ）金属石けん
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなど。
【０１６１】
（ｇ）天然ワックス
カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウなど。
【０１６２】
（ｈ）その他
シリコーン化合物、フッ素化合物など。
【０１６３】
各層に添加できる紫外線吸収剤として、例えば下記のものが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１６４】
（ａ）ベンゾフェノン系
２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２'，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２'−ジヒドロキシ４−メトキシベンゾフェノンなど。
【０１６５】
（ｂ）サルシレート系
フェニルサルシレート、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートなど。
【０１６６】
（ｃ）ベンゾトリアゾール系
（２'−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ５'−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２'−ヒドロキシ３'−ターシャリブチル５'−メチルフェニル）５−クロロベンゾトリアゾール
【０１６７】
（ｄ）シアノアクリレート系
エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、メチル２−カルボメトキシ３（パラメトキシ）アクリレートなど。
【０１６８】
（ｅ）クエンチャー（金属錯塩系）
ニッケル（２，２'チオビス（４−t−オクチル）フェノレート）ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェートなど。
【０１６９】
（ｆ）ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンなど。
【０１７０】
次に図面を用いて本発明の電子写真方法ならびに電子写真装置を詳しく説明する。
【０１７１】
第７図は、本発明の電子写真プロセス及び電子写真装置を説明するための概略図であり、下記のような例も本発明の範疇に属するものである。
第７図において、感光体１は少なくとも感光層が設けられ、最表面層にフィラーを含有してなる。感光体１はドラム状の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであっても良い。帯電チャージャー３、転写前チャージャー７、転写チャージャー１０、分離チャージャー１１、クリーニング前チャージャー１３には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャー）、帯電ローラ等が用いられ、公知の手段がすべて使用可能である。
転写手段には、一般に上記の帯電器が使用できるが、図に示されるように転写チャージャーと分離チャージャーを併用したものが効果的である。
また、画像露光部５、除電ランプ２等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いることができる。そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
光源等は、第７図に示される工程の他に光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光などの工程を設けることにより、感光体に光が照射される。
さて、現像ユニット６により感光体１上に現像されたトナーは、転写紙９に転写されるが、全部が転写されるわけではなく、感光体１上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーは、ファーブラシ１４およびブレード１５により、感光体より除去される。クリーニングは、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知のものが用いられる。
電子写真感光体に正(負)帯電を施し、画像露光を行うと、感光体表面上には正(負)の静電潜像が形成される。これを負(正)極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また正(負)極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。
かかる現像手段には、公知の方法が適用されるし、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。
【０１７２】
第８図には、本発明による電子写真プロセスの別の例を示す。感光体２１は少なくとも感光層を有し、さらに最表面層にフィラーを含有しており、駆動ローラ２２ａ，２２ｂにより駆動され、帯電器２３による帯電、光源２４による像露光、現像（図示せず）、帯電器２５を用いる転写、光源２６によるクリーニング前露光、ブラシ２７によるクリーニング、光源２８による除電が繰返し行なわれる。第８図においては、感光体２１(勿論この場合は支持体が透光性である)に支持体側よりクリーニング前露光の光照射が行なわれる。
【０１７３】
以上の図示した電子写真プロセスは、本発明における実施形態を例示するものであって、もちろん他の実施形態も可能である。例えば、第８図において支持体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは感光層側から行ってもよいし、また、像露光、除電光の照射を支持体側から行ってもよい。
【０１７４】
一方、光照射工程は、像露光、クリーニング前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露光、像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程を設けて、感光体に光照射を行うこともできる。
【０１７５】
以上に示すような画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段を含んだ１つの装置（部品）である。プロセスカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、第９図に示すものが挙げられる。
【実施例】
【０１７６】
以下、本発明について実施例を挙げて説明するが、本発明が実施例により制約を受けるものではない。なお、部はすべて重量部である。
【０１７７】
製造例１（例示化合物No．２０の製造）
ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物（東京化成試薬）２．６８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ‘−ジメチルホルムアミド３０ｍｌに１，１−ジフェニルヒドラジン（東京化成試薬）３．６８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン気流下、６０℃で２時間撹拌した。水１００ｍｌを加え、析出した結晶を濾過により採取し、減圧加熱乾燥器により乾燥して、褐色の粗結晶３．４３ｇ（収率５７．１％）を得た。これをシリカゲルカラム処理〔溶離液：トルエン／酢酸エチル（２０／１）ｖｏｌ混合溶媒〕し、トルエンにて再結晶、減圧加熱乾燥器により乾燥して、オレンジ赤色結晶の下記構造式の例示化合物No．２０を７．０２ｇ（収率２９．７％）を得た。またその元素分析値は下記の通りであった。分解点として示差熱熱量同時測定装置ＴＧ／ＤＴＡ６２００（セイコーインスツルメンツ（株）製）にて窒素気流下、室温から毎分１０℃で昇温させたときの、ＴＧ減量を伴うＤＴＡの発熱ピーク点温度を測定したところ３４１℃であった。
【０１７８】
【化６５】
Ｃ Ｈ Ｎ
実測値 ７６．０５ ４．０２ ９．２０
計算値 ７５．９９ ４．０３ ９．３３
この化合物の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１０に示す。
【０１７９】
製造例２〜５
ヒドラジン化合物を変える以外は製造例１と同様に操作して例示化合物Ｎｏ．１、１０、１５、３７のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を製造した。結果を表１に示す。またこれらの赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１１〜１４に示す。
【０１８０】
【表１】
【０１８１】
製造例６（例示化合物No．３８の製造）
アルゴン気流下、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物（東京化成試薬）２．６８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２５ｍｌを８０℃にて加熱撹拌した。これに１−メチル−１−フェニルヒドラジン（東京化成試薬）０．６１ｇ（１０ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０ｍｌの溶液を２時間かけ滴下した。８０℃で３０分間撹拌した後、１−ベンジル−１−フェニルヒドラジン（東京化成試薬）０．９９ｇ（１０ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５ｍｌの溶液を加え、更に８０℃で２時間撹拌をおこなった。内容物を水１００ｍｌに加え、析出した結晶を濾過により採取し、減圧加熱乾燥器により乾燥して、褐色の粗結晶を得た。これをシリカゲルカラム処理〔溶離液：トルエン／酢酸エチル（１０／１）ｖｏｌ混合溶媒〕し、トルエン／エタノール混合溶媒にて再結晶、減圧加熱乾燥器により乾燥して、えび茶色結晶の下記構造式の例示化合物No．３８を２．２９ｇ（収率４１．４％）を得た。融点は２７９．５〜２８０．５℃であったまたその元素分析値は下記の通りであった。
【０１８２】
【化６６】
Ｃ Ｈ Ｎ
実測値 ７３．７５ ４．１２ １０．２２
計算値 ７３．９０ ４．３８ １０．１４
この化合物の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図１５に示す。
【０１８３】
（実施例１）
アルミニウムシリンダー上に下記組成の下引き層塗工液、電荷発生層塗工液、および電荷輸送層塗工液を、浸漬塗工によって順次塗布、乾燥し、３．５μｍの下引き層、０．２μｍの電荷発生層、２３μｍの電荷輸送層を形成した（感光体Ｎｏ．１）。
◎下引き層塗工液
二酸化チタン粉末（石原産業製、タイベークＣＲ−ＥＬ）：４００部
メラミン樹脂（大日本インキ製、スーパーベッカミンG821-60）：６５部
アルキッド樹脂（大日本インキ製、ベッコライトM6401-50）：１２０部
２−ブタノン：４００部
◎電荷発生層塗工液
下記構造のフルオレノン系ビスアゾ顔料：１２部
【０１８４】
【化６７】
ポリビニルブチラール（ユニオンカーバイド製、ＸＹＨＬ）：５部
２−ブタノン：２００部
シクロヘキサノン：４００部
◎電荷輸送層塗工液
ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ、帝人化成製）：１０部
例示化合物Ｎｏ．４のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体１０部
テトラヒドロフラン：１００部
【０１８５】
以上のように作製した電子写真感光体を、電子写真プロセス用カートリッジに装着し、帯電方式を正帯電コロナ帯電方式、画像露光光源を ６５５ ｎｍ の半導体レーザー（ＬＤ）に改造したリコー製ｉｍａｇｉｏ ＭＦ２２００改造機にて暗部電位８００（Ｖ）に設定した後、連続してトータル１０万枚印刷相当の繰り返し試験をおこなった。その際、初期画像及び繰り返し試験後の明部電位、及び画像について評価を行った。また、また、画像ボケ（ドット解像度）について、６００ｄｐｉ×６００ｄｐｉの画素密度で画像濃度が５％のドット画像を連続１０枚プリントアウトし、そのドット形状を実体顕微鏡で観察して、輪郭のシャープネスを以下の基準で５段階（５が優れ１が劣る）に分けて評価した。
【０１８６】
（ドット画像評価基準）
５：輪郭が明瞭で、良好。
４：輪郭のぼやけが極めてごく僅かに観察されるが、良好。
３：輪郭のぼやけがごく僅かに観察されるが実質的に良好。
２：輪郭のぼやけが観察され、画像の種類によっては問題となる。
１：ドット画像の判別できない。
結果を表２に示す。
【０１８７】
実施例２〜１５
実施例１において、例示化合物Ｎｏ．４のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を表２に示した化合物を用いた以外は、すべて実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．２〜１５を作製し、評価した。結果を同様に表２に示す。
【０１８８】
【表２】
【０１８９】
実施例１６
実施例１における電荷輸送層塗工液を、下記組成のものに変更した以外は、すべて実施例１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．１６を作製した。
また評価は実施例１において帯電方式を負帯電型コロナ放電（スコロトロン方式）に代えた以外は同様に操作しておこなった。結果を表３に示す。
【０１９０】
◎電荷輸送層塗工液
・ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ、帝人化成製）：１０部
・例示化合物４のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体１部
・下記構造式の電荷輸送物質Ｎｏ．１：９部
【０１９１】
【化６８】
・テトラヒドロフラン：１００部
【０１９２】
実施例１７〜３０
実施例１６において、例示化合物Ｎｏ．４のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体の代わりに表３に示したナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を用いた以外は、すべて実施例１６と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．１７〜３０を作製した。
結果を同様に表３に示す。
【０１９３】
【表３】
【０１９４】
実施例３１〜３４
含有されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体と電荷輸送物質Ｎｏ．１の量を下記の量に変更した以外は、実施例１６と同様にして、電子写真感光体３１〜３４を作製し、評価した。結果を同様に表４に示す。
・ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体：１部
・電荷輸送物質Ｎｏ．１：７部
【０１９５】
【表４】
【０１９６】
実施例３５〜３８
実施例３１〜３４において、電荷輸送物質Ｎｏ．１を下記電荷輸送物質Ｎｏ．２に変更した以外は、実施例３１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．３５〜３８を作製し、評価した。結果を同様に表５に示す。
電荷輸送物質Ｎｏ．２
【０１９７】
【化６９】
【０１９８】
【表５】
【０１９９】
実施例３９〜４２
実施例３１〜３４において、電荷輸送物質Ｎｏ．１を以下の電荷輸送物質Ｎｏ．３に変更した以外は、すべて実施例３１と同様にして、電子写真感光体Ｎｏ．３９〜４２を作製し、評価した。結果を同様に表６に示す。
電荷輸送物質Ｎｏ．３化学構造式
【０２００】
【化７０】
【０２０１】
【表６】
【０２０２】
実施例４３〜４６
実施例３１〜３４において、電荷輸送物質Ｎｏ．１を以下の電荷輸送物質Ｎｏ．４に変更した以外は、すべて実施例３１と同様にして、電子写真感光体４３〜４６を作製し、評価した。結果を同様に表７に示す。
【０２０３】
【化７１】
【０２０４】
【表７】
【０２０５】
実施例４７，４８
実施例１６における電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を下記のものに変更した以外は、同様に操作して、電子写真感光体４７、４８を作製し、評価した。結果を同様に表８に示す。
【０２０６】
＜オキソチタニウムフタロシアニンの合成＞
特開２００１−０１９８７１号公報記載の合成例４と同様に、１，３−ジイミノイソインドリン２９．２ｇとスルホラン２００ｍｌを混合し、窒素気流下でチタニウムテトラブトキシド２０．４ｇを滴下する。滴下終了後、徐々に１８０℃まで昇温し、反応温度を１７０℃〜１８０℃の間に保ちながら５時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷した後析出物を濾過し、クロロホルムで粉体が青色になるまで洗浄し、つぎにメタノールで数回洗浄し、さらに８０℃の熱水で数回洗浄した後乾燥し、粗チタニルフタロシアニンを得た。粗チタニルフタロシアニンを２０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の氷水に撹拌しながら滴下し、析出した結晶を濾過、ついで洗浄液が中性になるまで水洗を繰り返し、チタニルフタロシアニン顔料のウェットケーキを得た。このケーキの乾燥品のＸ線回析スペクトルは図１６に示される。得られたウェットケーキ２ｇを二硫化炭素２０ｇに投入し、４時間撹拌を行なった。これにメタノール１００ｇを追加して、１時間撹拌を行なった後、濾過を行ない、乾燥して、オキソチタニウムフタロシアニン結晶粉末を得た。
【０２０７】
◎電荷発生層塗工液
図１６に示す粉末ＸＤスペクトルを有するオキソチタニウムフタロシアニン：８部
ポリビニルブチラール（ＢＸ−１）：５部
２−ブタノン：４００部
◎電荷輸送層塗工液
・ポリカーボネート樹脂（Ｚポリカ）：１０部
・ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体例示化合物Ｎｏ．４：１部
・下記構造式の電荷輸送物質Ｎｏ．１：７部
【０２０８】
【化７２】
・トルエン：７０部
【０２０９】
【表８】
【０２１０】
（実施例４９）
直径１００ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、下記組成の感光層用塗工液を塗布、乾燥することにより、３０μｍの単層感光層を形成し電子写真感光体を得た。（感光体Ｎｏ．４９）
［感光層用塗工液］
Ｘ型無金属フタロシアニン（ＦａｓｔｏｇｅｎＢｌｕｅ８１２０Ｂ：大日本インキ化学工業製） ２部
下記構造式で表わされる電荷輸送物質Ｎｏ．２： ３０部
【０２１１】
【化７３】
ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７： ２０部
ビスフェノールＺポリカーボネート（パンライトＴＳ−２０５０、帝人化成製）： ５０部
テトラヒドロフラン： ５００部
【０２１２】
作製した電子写真感光体を、帯電方式をコロナ帯電方式（スコロトロン型）、画像露光光源を７８０ｎｍの半導体レーザー（ＬＤ）を用いたリコー製ｉｍａｇｉｏ Ｎｅｏ ７５２改造機にてプラス帯電をおこない暗部表面電位＋７００（Ｖ）に設定した後、連続してトータル１０万枚印刷相当の繰り返し試験をおこなった。その際、初期画像及び繰り返し試験後の画像について評価を行った。また、初期及び繰り返し試験後の明部電位も測定した。また、画像ボケ（ドット解像度）について実施例１と同様に評価した。
その評価結果を表９に示す。
【０２１３】
（実施例５０〜５２）
実施例４９のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７を表９に示すものに代えた他は同様にして、本発明の電子写真感光体を作製し、評価した。
【０２１４】
【表９】
【０２１５】
（実施例５３）
直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、実施例４９と同様の感光層用塗工液を塗布、乾燥することにより、３０μｍの単層感光層を形成し電子写真感光体を得た（感光体Ｎｏ．５３）。
【０２１６】
また、実施例１６と同様にして感光体の評価をした。結果を表１０に示す。
【０２１７】
（実施例５４〜５６）
実施例５３のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７を表１０に示すものに代えた他は同様にして、本発明の電子写真感光体を作製し、評価した。
【０２１８】
【表１０】
【０２１９】
（実施例５７）
直径１００ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、下記組成の電荷輸送層用塗工液、電荷発生層用塗工液を順次、塗布、乾燥することにより２０μｍの電荷輸送層、０．１μｍの電荷発生層を形成し、電子写真感光体を作製し（感光体Ｎｏ．５７）、実施例５３と同様に評価した。評価結果を表１１に示す。
【０２２０】
〔電荷輸送層用塗工液の組成〕
・ビスフェノールＡポリカーボネート（パンライトＣ−１４００、帝人化成製）・・・１０部
・トルエン・・・１００部
・ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７：１０部
〔電荷発生層用塗工液の組成〕
・ポリビニルブチラール（ＸＹＨＬ、ＵＣＣ製）・・・０．５部
・シクロヘキサノン・・・２００部
・メチルエチルケトン・・・８０部
・Ｘ型無金属フタロシアニン（ＦａｓｔｏｇｅｎＢｌｕｅ８１２０Ｂ：大日本インキ化学工業製） ２部
【０２２１】
（実施例５８〜６０）
実施例５７のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７を表１１に示すものに代えた他は同様にして、本発明の電子写真感光体を作製し、評価した。
【０２２２】
【表１１】
【０２２３】
比較例１
実施例１において、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．４を下記のベンゾキノン誘導体に変えた以外は、すべて実施例１と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．１を作製し、評価した。結果を表１２に示す。
【０２２４】
【化７４】
【０２２５】
比較例２
実施例１６において、電荷輸送層形成用塗工液にナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を加えず、電荷輸送物質の重量を１０部とした以外は、すべて実施例１６と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．２を作製し、評価した。結果を表１２に示す。
【０２２６】
比較例３
実施例３５において、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を下記のテトラフェニルメタン化合物（特開２０００−２３１２０４号公報記載）にした以外は、すべて実施例３５と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．３を作製し、評価した。結果を表１２に示す。
【０２２７】
【化７５】
【０２２８】
比較例４
実施例４７において、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を下記のヒンダードアミン系酸化防止剤にした以外は、すべて実施例４７と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．４を作製し、評価した。結果を表１２に示す。
【０２２９】
【化７６】
【０２３０】
比較例５
実施例４９において、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７、２０部を下記電子輸送物質にした以外は、すべて実施例４９と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．５を作製し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０２３１】
下記構造式で表わされる電荷輸送物質 １８部
【０２３２】
【化７７】
下記構造式で表わされる電荷輸送物質 ２部
【０２３３】
【化７８】
【０２３４】
比較例６
実施例５７において、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体Ｎｏ．７、１０部を下記電子輸送物質にした以外は、すべて実施例５７と同様にして、比較電子写真感光体Ｎｏ．６を作製し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
下記構造式で表わされる電荷輸送物質 ９部
【０２３５】
【化７９】
下記構造式で表わされる電荷輸送物質 １部
【０２３６】
【化８０】
【０２３７】
【表１２】
【０２３８】
以上の評価結果から、１０万枚印刷後においても明部電位上昇は少なく、本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有した感光体では高画質画像が安定に得られることが確認された。一方、比較感光体１、３，４は、明部電位が初期から非常に高く、画像濃度の低下や解像度の低下を引き起こしており、１０万枚印刷後では階調性が著しく低下したことによって画像の判別が不可能であった。さらには、表１，９の評価結果から、本発明の感光体は正帯電方式においても良好な画像が得られ、１０万枚印刷後においても画像品質は良好で画像ボケ（ドット解像度）評価結果も良好であった。また、比較感光体２、５，６は明部電位の上昇は比較的小さいものの、本発明の感光体と比べ、繰り返し使用による解像度低下が大きい。
【０２３９】
実施例６１〜６７、比較例７
また、本発明の電子写真感光体，及び比較感光体２について５０ｐｐｍの窒素酸化物（ＮＯｘ）ガス濃度に調整されたデシケータ中に４日間放置し、前後における画像評価を行った。
【０２４０】
【表１３】
【０２４１】
表１３の評価結果より、感光体に本発明のナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有させることによって、酸化性ガスに対する耐性、すなわち解像度低下抑止が大幅に向上することがわかる。一方、比較感光体２は、初期画像品質は良好であるが、酸化性ガスにより著しい解像度の低下がおこることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０２４２】
【図１】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図２】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図３】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図４】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図５】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図６】本発明の電子写真感光体を表わす断面図である。
【図７】本発明の電子写真プロセス及び電子写真装置を説明するための概略図である。
【図８】本発明による電子写真プロセスの別の例である。
【図９】本発明による電子写真プロセスカートリッジを説明するための概略図である。
【図１０】化合物Ｎｏ２０の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１１】化合物Ｎｏ１の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１２】化合物Ｎｏ１０の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１３】化合物Ｎｏ１５の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１４】化合物Ｎｏ３７の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１５】化合物Ｎｏ３８の赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）である。
【図１６】オキソチタニウムフタロシアニンの粉末ＸＤスペクトルを表す図である。
【符号の説明】
【０２４３】
１ 感光体
２ 除電ランプ
３ 帯電チャージャ
４ イレーサ
５ 画像露光部
６ 現像ユニット
７ 転写前チャージャ
８ レジストローラ
９ 転写紙
１０ 転写チャージャ
１１ 分離チャージャ
１２ 分離爪
１３ クリーニング前チャージャ
１４ ファーブラシ
１５ クリーニングブレード
１６ 感光体
１７ 帯電チャージャ
１８ クリーニングブラシ
１９ 画像露光部
２０ 現像ローラ
２１ 感光体
２２ａ 駆動ローラ
２２ｂ 駆動ローラ
２３ 帯電チャージャ
２４ 像露光源
２５ 転写チャージャ
２６ クリーニング前露光
２７ クリーニングブラシ
２８ 除電光源
３１ 導電性支持体
３３ 感光層
３５ 電荷発生層
３７ 電荷輸送層
３９ 保護層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に、少なくとも感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層は、下記一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有するものであることを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１とＲ２およびＲ３とＲ４は互いに結合し、窒素原子を含む置換もしくは無置換の複素環基を形成してもよい。］
【請求項２】
前記感光層は、少なくとも電荷発生層、電荷輸送層を順次積層したものであることを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記感光層は、少なくとも電荷輸送層、電荷発生層を順次積層したものであることを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記感光層は、単層型の感光層であることを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記感光層は、電荷輸送物質をさらに含むものであることを特徴とする請求項１乃至４記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記電荷輸送物質が下記一般式（２）で表されるスチルベン誘導体であることを特徴とする請求項５記載の電子写真感光体。
【化２】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１とＲ５は共同で環を形成しても良い。Ａは一般式（３）、一般式（４）、９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表す。
【化３】
【化４】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または一般式（５）を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い
【化５】
（ただし、Ｒ３およびＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を示し、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていてもよく、環を形成しても良い）。］
【請求項７】
前記電荷輸送物質が下記一般式（６）で表されるアミノビフェニル誘導体であることを特徴とする請求項５記載の電子写真感光体。
【化６】
［式中、Ｒ１、Ｒ３およびＲ４は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を、Ｒ２は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表す。また、ｋ，ｌ，ｍおよびｎは１、２、３または４の整数であり、それぞれが２、３または４の整数の時は、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていても良い。］
【請求項８】
前記電荷輸送物質が下記一般式（７）で表されるジスチルベン誘導体であることを特徴とする請求項５記載の電子写真感光体。
【化７】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、 Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ1は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ３は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１とＲ３は共同で環を形成しても良い。またＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ２は下記一般式（８）または一般式（９）を表す。
【化８】
【化９】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い。］
【請求項９】
前記電荷輸送物質が下記一般式（１０）で表されるジビニル誘導体であることを特徴とする請求項５記載の電子写真感光体。
【化１０】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、 Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ1は置換もしくは無置換の２価の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａは一般式（３）、一般式（４）、９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表す。
【化１１】
【化１２】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または一般式（５）を表す。ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い
【化１３】
（ただし、Ｒ３およびＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を示し、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていてもよく、環を形成しても良い）。］
【請求項１０】
電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写が繰り返し行われる電子写真方法であって、該電子写真感光体は請求項１乃至９記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真方法。
【請求項１１】
電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写を繰り返し行い、かつ画像露光の際にはＬＤあるいはＬＥＤ等によって感光体上に静電潜像の書き込みが行われる、デジタル方式の電子写真方法であって、該電子写真感光体は請求項１乃至９記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真方法。
【請求項１２】
少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であって、該電子写真感光体は請求項１乃至９記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置。
【請求項１３】
少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であって、画像露光手段にＬＤあるいはＬＥＤ等を使用することによって感光体上に静電潜像の書き込みが行われる、デジタル方式の電子写真装置であって、該電子写真感光体は請求項１乃至９記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置。
【請求項１４】
少なくとも電子写真感光体を具備してなる電子写真装置用プロセスカートリッジであって、該電子写真感光体は請求項１乃至９記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置用プロセスカートリッジ。
【請求項１】
導電性支持体上に、少なくとも感光層を設けた電子写真感光体であって、前記感光層は、下記一般式（１）で表されるナフタレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体を含有するものであることを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１とＲ２およびＲ３とＲ４は互いに結合し、窒素原子を含む置換もしくは無置換の複素環基を形成してもよい。］
【請求項２】
前記感光層は、少なくとも電荷発生層、電荷輸送層を順次積層したものであることを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記感光層は、少なくとも電荷輸送層、電荷発生層を順次積層したものであることを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記感光層は、単層型の感光層であることを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記感光層は、電荷輸送物質をさらに含むものであることを特徴とする請求項１乃至４記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記電荷輸送物質が下記一般式（２）で表されるスチルベン誘導体であることを特徴とする請求項５記載の電子写真感光体。
【化２】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１とＲ５は共同で環を形成しても良い。Ａは一般式（３）、一般式（４）、９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表す。
【化３】
【化４】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または一般式（５）を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い
【化５】
（ただし、Ｒ３およびＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を示し、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていてもよく、環を形成しても良い）。］
【請求項７】
前記電荷輸送物質が下記一般式（６）で表されるアミノビフェニル誘導体であることを特徴とする請求項５記載の電子写真感光体。
【化６】
［式中、Ｒ１、Ｒ３およびＲ４は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を、Ｒ２は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表す。また、ｋ，ｌ，ｍおよびｎは１、２、３または４の整数であり、それぞれが２、３または４の整数の時は、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていても良い。］
【請求項８】
前記電荷輸送物質が下記一般式（７）で表されるジスチルベン誘導体であることを特徴とする請求項５記載の電子写真感光体。
【化７】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、 Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ1は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ３は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ１とＲ３は共同で環を形成しても良い。またＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ２は下記一般式（８）または一般式（９）を表す。
【化８】
【化９】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子を表し、ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い。］
【請求項９】
前記電荷輸送物質が下記一般式（１０）で表されるジビニル誘導体であることを特徴とする請求項５記載の電子写真感光体。
【化１０】
［式中、Ｘは単結合もしくはビニレン基を表し、 Ｒ１は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ1は置換もしくは無置換の２価の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ５は置換もしくは無置換のアルキル基、あるいは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａは一般式（３）、一般式（４）、９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表す。
【化１１】
【化１２】
ここでＲ２は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または一般式（５）を表す。ｍは１〜３の整数を表し、２以上の時Ｒ２は同一でも異なっても良い
【化１３】
（ただし、Ｒ３およびＲ４は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を示し、Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていてもよく、環を形成しても良い）。］
【請求項１０】
電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写が繰り返し行われる電子写真方法であって、該電子写真感光体は請求項１乃至９記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真方法。
【請求項１１】
電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写を繰り返し行い、かつ画像露光の際にはＬＤあるいはＬＥＤ等によって感光体上に静電潜像の書き込みが行われる、デジタル方式の電子写真方法であって、該電子写真感光体は請求項１乃至９記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真方法。
【請求項１２】
少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であって、該電子写真感光体は請求項１乃至９記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置。
【請求項１３】
少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段、転写手段および電子写真感光体を具備してなる電子写真装置であって、画像露光手段にＬＤあるいはＬＥＤ等を使用することによって感光体上に静電潜像の書き込みが行われる、デジタル方式の電子写真装置であって、該電子写真感光体は請求項１乃至９記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置。
【請求項１４】
少なくとも電子写真感光体を具備してなる電子写真装置用プロセスカートリッジであって、該電子写真感光体は請求項１乃至９記載の電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置用プロセスカートリッジ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００９−１５３０４（Ｐ２００９−１５３０４Ａ）
【公開日】平成２１年１月２２日（２００９．１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１１８０２０（Ｐ２００８−１１８０２０）
【出願日】平成２０年４月３０日（２００８．４．３０）
【出願人】（０００００６７４７）株式会社リコー (37,907)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１月２２日（２００９．１．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月３０日（２００８．４．３０）
【出願人】（０００００６７４７）株式会社リコー (37,907)
【Ｆターム（参考）】
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