電気光学装置用基板の製造方法
【課題】例えば、プリズム等の光反射部の光反射面から曲面を取り除き、光利用効率を向上させる。
【解決手段】被転写用基板６００から見て光反射部２３０が形成された側から光反射部２３０及び被転写用基板５００をＣＭＰ法等の研磨法を用いて研磨することによって、光反射面２３２のうち被転写用基板６００の表面に対して光反射面２３２が曲面をなして交わる部分を除去する。これにより、プリズムとして機能する光反射部２３０が有する光反射面２３２の曲面部分が除去されるため、対向基板２０を透過する透過光のうち曲面部分で反射される光を低減でき、光利用効率を高めることが可能である。
【解決手段】被転写用基板６００から見て光反射部２３０が形成された側から光反射部２３０及び被転写用基板５００をＣＭＰ法等の研磨法を用いて研磨することによって、光反射面２３２のうち被転写用基板６００の表面に対して光反射面２３２が曲面をなして交わる部分を除去する。これにより、プリズムとして機能する光反射部２３０が有する光反射面２３２の曲面部分が除去されるため、対向基板２０を透過する透過光のうち曲面部分で反射される光を低減でき、光利用効率を高めることが可能である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶装置等の電気光学装置を構成する複数の構成要素のうち画素電極が形成された素子基板に対向するように配置された対向基板等の電気光学装置用基板を製造するための電気光学装置用基板の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、各画素に対応して対向基板にプリズムが作り込まれる場合がある。このようなプリズムによれば、対向基板を透過する透過光を画素に集光することができ、光の利用効率を向上させることによって明るい表示が実現可能になる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２１５４２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された技術によれば、プリズムの断面形状を素子基板に向かって幅が広がるＶ字型に形成することが困難であり、光利用効率を十分に高めることができない問題点がある。より具体的には、プリズムが型押し技術を応用して形成された場合、プリズムの表面のうち素子基板に臨み、且つ素子基板の基板面に沿った一の面と、プリズムの表面のうち当該一の面に斜めに交わる光反射面とが交わる部分が曲面をなし、対向基板を透過する透過光のうち当該曲面で反射された光が画素に集光されない場合がある。したがって、このような曲面は、液晶装置における光利用効率を低下させてしまう。特に、型押し成型技術を応用してプリズムを形成した場合、正確なＶ字型を有する成型体を形成することが困難であるため、光利用効率を低下させてしまう曲面をプリズムからなくすことは困難である。
【０００５】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、プリズム等の光反射部の光反射面から曲面を取り除き、光利用効率を向上させることが可能な電気光学装置用基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は上記課題を解決するために、変調すべき光が入射する側に斜面を向けて当該光を画素の開口領域に向けて導く断面楔形形状の偏向部が形成された電気光学装置用基板の製造方法であって、前記偏向部に対応して設けられた隙間を有するレジスト膜を第１基板の表面に形成する工程と、前記第１基板のうち前記隙間に臨む部分を部分的に除去することによって、前記第１基板の表面から前記第１基板の裏面に向かって幅が狭まる断面楔型形状を有する複数の第１凹部を形成する工程と、前記第１凹部から前記楔形形状を転写してなる複数の凸部を表面に有する転写用部材を形成する工程と、前記楔形形状の転写先であり、且つ前記電気光学装置用基板になるべき被転写用基板に透光性の被転写層を形成する工程と、前記被転写層の表面に前記転写用部材を押しつける工程と、前記転写用部材を前記被転写用基板から離すことによって、前記楔形形状を各々有する複数の第２凹部を前記被転写用基板に形成する工程と、前記被転写用基板より屈折率が低い低屈折率材料から構成されており、前記被転写用基板を透過する透過光を前記第２凹部の表面に沿った光反射面によって前記開口領域に反射する光反射部を前記第２凹部に形成する工程と、前記被転写用基板の前記光反射部が形成された側から前記光反射部及び前記被転写層を研磨することによって、前記光反射面のうち前記被転写用基板の表面に対して前記光反射面が曲面をなして交わる部分を除去する工程とを備える。
【０００７】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法によれば、例えば、第１基板の表面にレジスト膜を一様に形成した後、当該レジスト膜をパターニングすることによって、第１基板とは別の素子基板上の複数の画素の夫々の開口領域を囲む非開口領域に対応して設けられた隙間をレジスト膜に形成する。
【０００８】
前記第１基板のうち前記隙間に臨む部分を部分的に除去することによって第１基板を部分的に堀込み、楔型形状を有する複数の第１凹部を形成する。「部分的に」とは、第１基板の表面から第１基板の裏面に貫通しないように当該第１凹部を形成することをいう。
【０００９】
例えば、電気メッキ法（電鋳法）を用いてＮｉ等の金属を第１凹部内に成膜し、前記第１凹部から前記楔形形状を転写してなる複数の凸部を表面に有する転写用部材を形成する。
【００１０】
後述する光反射部が作り込まれた電気光学装置用基板となるべき被転写用基板の表面に前記転写用部材を押しつけ、前記転写用部材を前記被転写用基板から離すことによって、前記楔形形状を各々有する複数の第２凹部が前記被転写用基板に形成される。被転写用基板は、例えば、凸部が埋め込み可能なように、エポキシ樹脂、或いはアクリル樹脂等の樹脂材料、若しくは低融点ガラスの層が形成されたガラス基板である。
【００１１】
上述のエポキシ樹脂等を含んで構成された前記被転写用基板より屈折率が低いＳｉＯ２等の低屈折率材料から第２凹部に充填、或るは、成膜することによって、電気光学装置を組み上げた後に前記被転写用基板を透過する透過光を前記第２凹部の表面に沿った光反射面によって前記開口領域に反射する光反射部を形成する。この段階では、光反射面に曲面部分が残っている。
【００１２】
前記被転写用基板から見て前記光反射部が形成された側から前記光反射部及び前記被転写用基板をＣＭＰ法等の研磨法を用いて研磨することによって、前記光反射面のうち前記被転写用基板の表面に対して前記光反射面が曲面をなして交わる部分を除去する。
【００１３】
したがって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、プリズム等の光反射部が有する光反射面における曲面部分が除去されるため、電気光学装置用基板を透過する透過光のうち曲面部分で反射される光を低減でき、光利用効率を高めることが可能である。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の一の態様では、前記研磨された光反射部の研磨面に対向電極を形成する工程と、前記対向電極上に配向膜を形成する工程とを備えていてもよい。
【００１５】
この態様によれば、研磨によって形成された平坦な面に直接対向電極及び配向膜を順次形成できるため、平坦な対向電極及び配向膜を形成するために別途平坦化膜を形成する必要がなく、電気光学装置用基板の製造プロセスを効率良く、且つ簡便に製造可能である。加えて、平坦化膜を形成することなく、対向電極及び配向膜を形成できるため、光反射部から見て素子基板の側に対向電極及び配向膜以外の層構造を形成する必要がない。したがって、光反射部から液晶層等の電気光学物質までの距離を短くすることができ、光反射面によって反射された光を拡散させることなく、効率良く開口領域に集光することが可能である。
【００１６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の一実施形態を説明する。本実施形態では、本発明の電気光学装置用基板の製造方法を液晶装置の製造方法に適用した例を挙げる。
【００１８】
＜１；液晶装置＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、後述する電気光学装置用基板の製造方法を用いて製造される液晶装置１の構成を説明する。図１は、本発明の「素子基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に、本発明の「電気光学装置用基板」の一例である対向基板２０の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。尚、液晶装置１は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採用している。
【００１９】
図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、本発明の「電気光学物質」の一例である液晶からなる液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材（図示省略）が散布されている。即ち、本実施形態の液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００２０】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２１】
シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００２２】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子（図示せず）が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００２３】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上では、ガラス基板等からなる基板本体に画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor；以下適宜、“ＴＦＴ”と称する）や走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。対向基板２０上には、対向電極の他、最上層部分に配向膜２２が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々の対向面の背面側には配向方向に応じた偏光板（図示省略）が設けられる。
【００２４】
次に、図３乃至図４を参照しながら、対向基板２０の構成を詳細に説明する。図３は、対向基板２０のコーナー部付近における４つの画素部に着目して、対向基板２０の構成を示す部分拡大斜視図である。図４は、図３に示した４つの画素部の平面図である。図５は、図３及び図４の夫々のＶ−Ｖ´断面部分を拡大して示した拡大断面図である。
【００２５】
図３及び図５に示すように、対向基板２０は、透明基板２１０、光反射部２３０、埋め込み層２４０、対向電極２１及び配向膜２２を備えて構成されている。より具体的には、石英基板等からなる透明基板２１０上に光反射部２３０が形成されると共に、光反射部２３０の各開口を埋めて凸部２２０が透明基板２１０に形成されることにより構成される。尚、図３には、光反射部２３０に埋もれた凸部２２０の一部の形状を点線にて示してある。後述するように、凸部２２０は、本発明の「凸部」の一例ではないことに留意されたい。
【００２６】
図３及び図４に示すように、光反射部２３０は、透明基板２１０上で平面的に見て、各画素部において非開口領域の少なくとも一部に重畳するパターンとして平面的に見て格子状に形成されている。光反射部２３０は、例えば、各画素部の非開口領域を規定するパターンとして形成され、図中点線にて示すように、光反射部２３０の開口における領域が開口領域７００となる。
【００２７】
尚、対向基板２０上において、ＴＦＴアレイ基板１０と対向する側に、光反射部２３０とは別途、非開口領域を規定する格子状又はストライプ状のブラックマトリクスを形成し、このブラックマトリクスと光反射部２３０、更には、これらに加えて、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられる、後述するデータ線等の各種構成要素と共に、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００２８】
光反射部２３０は、埋め込み層２４０を構成する透明材料の屈折率より低い低屈折率材料で構成されている。より具体的には、例えば、埋め込み層２４０がエポキシ樹脂、或いはアクリル樹脂等の樹脂材料、若しくは低融点ガラス等の透明材料から構成されている場合には、光反射部２３０は、これら透明材料より屈折率が低いＳｉＯ２等の透明材料から構成されている。
【００２９】
尚、図４において、図中Ｘ方向及びＹ方向の夫々の方向は、本発明の「配列方向」の一例であり、ＴＦＴアレイ基板１０に形成された複数の画素電極９ａは、Ｘ方向及びＹ方向に夫々に沿って配列されている。
【００３０】
図３及び図５に示すように、光反射部２３０の側面である光反射面２３２は、ＴＦＴアレイ基板１０に対向するように配置される対向基板２０の基板面、より具体的には、当該基板面に沿った透明基板２１０の基板面に対して斜めに延びており、凸部２２０の表面に対して斜めに交わる。加えて、光反射部２３０は、埋め込み層２４０の一部である凸部２２０より屈折率が低いため、液晶装置１の動作時に、画素領域において図５中下側から上側に向かって対向基板２０を透過する透過光が光反射面２３２によって反射され、開口領域７００に集光される。したがって、光反射部２３０によれば、隣接する画素部間で、非開口領域に向かう光を各々の開口領域７００に反射により集光することが可能となり、バックライト等の光源から出射された光を画像表示に利用する際の光利用効率を高めることができる。加えて、対向基板２０は、後述する電気光学装置用基板の製造方法によって製造されているため、光反射面２３２のうち埋め込み層２４０の表面に交わる部分（図５中、光反射面２３２のうち領域Ｃ１で示した領域に延びる部分）が曲面にならない。したがって、光反射部２３０によれば、光反射面２３２全体で光をより確実に開口領域７００に反射でき、光利用効率をより一層高めることが可能である。
【００３１】
次に、図６を参照しながら、液晶装置１の回路構成及び動作を説明する。図６は、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００３２】
図４において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３３】
ＴＦＴ３０は、そのゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａを介して当該ゲートにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加されるように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３４】
画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学パネルからは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００３５】
保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００３６】
図１又は図２において、走査線駆動回路１０４は、上述の如く走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを所定タイミングで走査線１１ａに供給し（図４参照）、データ線駆動回路１０１は、上述の如く画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定タイミングでデータ線６ａに供給する（図４参照）。
【００３７】
次に、図７を参照しながら、液晶装置１における対向基板２０の機能を説明する。図７は、図２に示す断面の構成をより詳細に示す断面図である。
【００３８】
図７において、画素部では、既に説明したように、透明基板２１０上において、光反射部２３０によって非開口領域が規定されると共に、開口領域７００に凸部２２０が配置されている。対向基板２０上には、透明導電膜からなる対向電極２１が形成され、更に、配向膜２２が対向電極２１上（図７中、対向電極２１より下側）に形成されている。
【００３９】
画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上の各開口領域７００に対応する領域に形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０上において、画素スイッチング用のＴＦＴ３０や、画素電極９ａを駆動するための走査線１１ａやデータ線６ａ等の各種配線並びに蓄積容量７０等の電子素子が、非開口領域に形成されている。このように構成すれば、液晶装置１の画素領域における開口率、即ち、画素領域のうち開口領域７００が占める割合を比較的大きくすることが可能である。画素電極９ａ上には配向膜１６が設けられている。
【００４０】
図７において、一点鎖線によって、バックライト等の光源から対向基板２０に入射される入射光Ｌの光路を模式的に示している。入射光Ｌのうち、各画素部において、非開口領域に向かう光は、光反射面２３２に入射され、開口領域７００に集光される。入射光Ｌのうち、各画素部において、開口領域７００に向かって進行する光は、集光されることなく凸部２２０を透過して、液晶層５０に向かって対向基板２０を透過する。したがって、各画素部には、開口領域７００に、光反射面２３０によって集光された光が入射されると共に、当該開口領域７００に進行する光が凸部２２０をそのまま透過して入射されることとなる。
【００４１】
したがって、液晶装置１によれば、非開口領域に入射する光が光反射面２３２によって開口領域７００に反射されるため、ＴＦＴ３０に光が照射されることがなく、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を低減できる。特に、本実施形態に係る対向基板２０によれば、図５を参照して説明したように、光反射面２３２のうち埋め込み層２４０の表面に交わる部分が曲面でないため、光反射面２３２全体で入射光Ｌを開口領域７００に集光でき、光利用効率を高めることが可能である。
【００４２】
加えて、対向基板２０によれば、対向基板２０に光反射部２３０や凸部２２０が作り込まれる構成であるため、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０に臨む側の面に別途光学シートを貼り付けるような構成と比較して、光の通過する異なる媒質の界面の数を減らすことが可能となり、このような界面を通過することによる光の損失を低減できると共に、部品点数を低減して、低コストで対向基板２０を製造することができる。また、対向基板２０によれば、光反射部２３０及び液晶層５０までの距離ｔは、対向電極２１及び配向膜２２の膜厚のみで規定される。したがって、他の光学シートを対向基板２０に貼り付けたり、光反射部２３０を対向基板２０に作り込む際に必要となる各種層構造が対向基板２０に残されたりしないため、光反射部２３０及びＴＦＴ３０を距離を近づけることができ、光反射面２３２で反射された光がＴＦＴ３０に照射される割合をより効果的に低減できる。
【００４３】
＜２；液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を応用した液晶装置１の製造方法を説明する。以下では、液晶装置１の製造方法の製造工程のうち対向基板２０を製造する製造工程を中心に説明する。図８乃至図１０は、液晶装置１の製造工程のうち対向基板２０を製造する工程を順に示した工程断面図である。
【００４４】
図８（ａ）に示すように、複数の画素７２ｇ（図４参照。）の夫々の開口領域を囲む非開口領域に対応して設けられた隙間９０１を有するレジスト膜９００を第１基板４００の表面に形成する（第１工程）。より具体的には、第１基板４００の表面にレジスト膜９００を一様に形成した後、レジスト膜９００をパターニングすることによって、第１基板４００とは別のＴＦＴアレイ基板上の複数の画素７２ｇの夫々の開口領域を囲む非開口領域に対応して設けられた隙間９０１をレジスト膜９００に形成する。
【００４５】
次に、図８（ｂ）に示すように、第１基板４００のうち隙間９０１に臨む部分を部分的に除去することによって第１基板４００を部分的に堀込む。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０上のＸ方向又はＹ方向に対応する一方向に沿った平面で第１基板４００を切った断面において第１基板４００の表面から第１基板４００の裏面に向かって幅が狭まる楔型形状を有する複数の第１凹部４１０を形成する（第２工程）。尚、第１凹部４１０は、第１基板４００の表面から第１基板４００の裏面に貫通しないように形成される。
【００４６】
次に、図８（ｃ）に示すように、第１凹部４１０内から第１基板４００の表面に渡って電気メッキ法（電鋳法）を用いてＮｉ等の金属を成膜し、第１凹部４１０の楔形形状を転写してなる複数の凸部５１０を表面に有する転写用部材５００を形成する（第３工程）。次に、図８（ｄ）に示すように、転写用部材５００を第１基板４００から分離する。
【００４７】
次に、図９（ｅ）に示すように、楔形形状の転写先であり、且つ対向基板２０になるべき被転写用基板６００の表面から被転写用基板６００に凸部５１０が埋め込まれるように被転写用基板６００の表面に転写用部材５００を押しつける（第４工程）。尚、被転写用基板６００は、透明基板２１０及び埋め込み層２４０を含んで構成されている。
【００４８】
次に、図９（ｆ）に示すように、転写用部材５００を被転写用基板６００から離すことによって、楔形形状を各々有する複数の第２凹部６１０を被転写用基板６００に形成する（第５工程）。
【００４９】
次に、図９（ｇ）に示すように、被転写用基板６００、より具体的には埋め込み層２４０より屈折率が低いＳｉＯ２等の低屈折率材料をＣＶＤ法を用いて第２凹部６１０内に供給し、第２凹部６１０内に当該低屈折率材料を充填又は成膜する。これにより、次工程を経て対向基板２０になる被転写用基板６００を透過する透過光を第２凹部６１０の表面に沿った光反射面２３２によって開口領域７００に反射する光反射部２３０を第２凹部６１０に形成する（第６工程）。但し、この段階では、光反射面２３２のうち埋め込み層２４０の表面に交わる部分（図中領域Ｃ１に延びる部分）に曲面部分が残っている。このような曲面部分は、第１凹部４１０を形成する際に生じた曲面形状がそのまま除去されることなく、埋め込み層２４０に転写されることに起因する。
【００５０】
次に、図９（ｈ）及び図１０（ｉ）に示すように、被転写用基板６００から見て光反射部２３０が形成された側から光反射部２３０及び被転写用基板５００をＣＭＰ法等の研磨法を用いて研磨することによって、光反射面２３２のうち被転写用基板６００の表面に対して光反射面２３２が曲面をなして交わる部分を除去する（第７工程）。これにより、プリズムとして機能する光反射部２３０が有する光反射面２３２の曲面部分が除去されるため、対向基板２０を透過する透過光のうち曲面部分で反射される光を低減でき、光利用効率を高めることが可能である。
【００５１】
次に、図１０（ｊ）に示すように、研磨された光反射部２３０の研磨面に対向電極２１を形成し（第８工程）、対向電極２１上に配向膜２２を形成する（第９工程）。これにより、対向基板２０が形成される。その後、別途形成されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０を封入することによって液晶装置１が製造される。
【００５２】
したがって、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一部を構成する対向基板の製造方法によれば、研磨によって形成された平坦な面に直接対向電極２１及び配向膜２２を順次形成できるため、平坦な対向電極２１及び配向膜２２を形成するために別途平坦化膜を形成する必要がなく、対向基板２０の製造プロセスを簡便にすることができる。加えて、平坦化膜を形成することなく対向電極２１及び配向膜２２を形成できるため、光反射部２３０から見てＴＦＴアレイ基板１０の側に対向電極２１及び配向膜２２以外の層構造を形成する必要がない。よって、光反射部２３０から液晶層５０までの距離を短くすることができ、光反射面２３２によって反射された光を拡散させることなく、効率良く開口領域７００に集光することが可能な対向基板２０を製造可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の一部を構成する対向基板を拡大して示した部分拡大斜視図である。
【図４】図３に示した４つの画素部の平面図である。
【図５】図３及び図４の夫々のＶ−Ｖ´断面部分を拡大して示した拡大断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置１の画像表示領域における等価回路である。
【図７】図２に示す断面の構成をより詳細に示す断面図である。
【図８】本実施形態に係る対向基板の製造方法の工程断面図（その１）である。
【図９】本実施形態に係る対向基板の製造方法の工程断面図（その２）である。
【図１０】本実施形態に係る対向基板の製造方法の工程断面図（その３）である。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・液晶装置、２０・・・対向基板、３０・・・ＴＦＴ、２４０・・・埋め込み層、４００・・・第１基板、４１０・・・第１凹部、５００・・・転写用部材、５１０・・・凸部、６００・・・被転写用部材、９００・・・レジスト膜、９０１・・・隙間
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶装置等の電気光学装置を構成する複数の構成要素のうち画素電極が形成された素子基板に対向するように配置された対向基板等の電気光学装置用基板を製造するための電気光学装置用基板の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、各画素に対応して対向基板にプリズムが作り込まれる場合がある。このようなプリズムによれば、対向基板を透過する透過光を画素に集光することができ、光の利用効率を向上させることによって明るい表示が実現可能になる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２１５４２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された技術によれば、プリズムの断面形状を素子基板に向かって幅が広がるＶ字型に形成することが困難であり、光利用効率を十分に高めることができない問題点がある。より具体的には、プリズムが型押し技術を応用して形成された場合、プリズムの表面のうち素子基板に臨み、且つ素子基板の基板面に沿った一の面と、プリズムの表面のうち当該一の面に斜めに交わる光反射面とが交わる部分が曲面をなし、対向基板を透過する透過光のうち当該曲面で反射された光が画素に集光されない場合がある。したがって、このような曲面は、液晶装置における光利用効率を低下させてしまう。特に、型押し成型技術を応用してプリズムを形成した場合、正確なＶ字型を有する成型体を形成することが困難であるため、光利用効率を低下させてしまう曲面をプリズムからなくすことは困難である。
【０００５】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、プリズム等の光反射部の光反射面から曲面を取り除き、光利用効率を向上させることが可能な電気光学装置用基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は上記課題を解決するために、変調すべき光が入射する側に斜面を向けて当該光を画素の開口領域に向けて導く断面楔形形状の偏向部が形成された電気光学装置用基板の製造方法であって、前記偏向部に対応して設けられた隙間を有するレジスト膜を第１基板の表面に形成する工程と、前記第１基板のうち前記隙間に臨む部分を部分的に除去することによって、前記第１基板の表面から前記第１基板の裏面に向かって幅が狭まる断面楔型形状を有する複数の第１凹部を形成する工程と、前記第１凹部から前記楔形形状を転写してなる複数の凸部を表面に有する転写用部材を形成する工程と、前記楔形形状の転写先であり、且つ前記電気光学装置用基板になるべき被転写用基板に透光性の被転写層を形成する工程と、前記被転写層の表面に前記転写用部材を押しつける工程と、前記転写用部材を前記被転写用基板から離すことによって、前記楔形形状を各々有する複数の第２凹部を前記被転写用基板に形成する工程と、前記被転写用基板より屈折率が低い低屈折率材料から構成されており、前記被転写用基板を透過する透過光を前記第２凹部の表面に沿った光反射面によって前記開口領域に反射する光反射部を前記第２凹部に形成する工程と、前記被転写用基板の前記光反射部が形成された側から前記光反射部及び前記被転写層を研磨することによって、前記光反射面のうち前記被転写用基板の表面に対して前記光反射面が曲面をなして交わる部分を除去する工程とを備える。
【０００７】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法によれば、例えば、第１基板の表面にレジスト膜を一様に形成した後、当該レジスト膜をパターニングすることによって、第１基板とは別の素子基板上の複数の画素の夫々の開口領域を囲む非開口領域に対応して設けられた隙間をレジスト膜に形成する。
【０００８】
前記第１基板のうち前記隙間に臨む部分を部分的に除去することによって第１基板を部分的に堀込み、楔型形状を有する複数の第１凹部を形成する。「部分的に」とは、第１基板の表面から第１基板の裏面に貫通しないように当該第１凹部を形成することをいう。
【０００９】
例えば、電気メッキ法（電鋳法）を用いてＮｉ等の金属を第１凹部内に成膜し、前記第１凹部から前記楔形形状を転写してなる複数の凸部を表面に有する転写用部材を形成する。
【００１０】
後述する光反射部が作り込まれた電気光学装置用基板となるべき被転写用基板の表面に前記転写用部材を押しつけ、前記転写用部材を前記被転写用基板から離すことによって、前記楔形形状を各々有する複数の第２凹部が前記被転写用基板に形成される。被転写用基板は、例えば、凸部が埋め込み可能なように、エポキシ樹脂、或いはアクリル樹脂等の樹脂材料、若しくは低融点ガラスの層が形成されたガラス基板である。
【００１１】
上述のエポキシ樹脂等を含んで構成された前記被転写用基板より屈折率が低いＳｉＯ２等の低屈折率材料から第２凹部に充填、或るは、成膜することによって、電気光学装置を組み上げた後に前記被転写用基板を透過する透過光を前記第２凹部の表面に沿った光反射面によって前記開口領域に反射する光反射部を形成する。この段階では、光反射面に曲面部分が残っている。
【００１２】
前記被転写用基板から見て前記光反射部が形成された側から前記光反射部及び前記被転写用基板をＣＭＰ法等の研磨法を用いて研磨することによって、前記光反射面のうち前記被転写用基板の表面に対して前記光反射面が曲面をなして交わる部分を除去する。
【００１３】
したがって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、プリズム等の光反射部が有する光反射面における曲面部分が除去されるため、電気光学装置用基板を透過する透過光のうち曲面部分で反射される光を低減でき、光利用効率を高めることが可能である。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の一の態様では、前記研磨された光反射部の研磨面に対向電極を形成する工程と、前記対向電極上に配向膜を形成する工程とを備えていてもよい。
【００１５】
この態様によれば、研磨によって形成された平坦な面に直接対向電極及び配向膜を順次形成できるため、平坦な対向電極及び配向膜を形成するために別途平坦化膜を形成する必要がなく、電気光学装置用基板の製造プロセスを効率良く、且つ簡便に製造可能である。加えて、平坦化膜を形成することなく、対向電極及び配向膜を形成できるため、光反射部から見て素子基板の側に対向電極及び配向膜以外の層構造を形成する必要がない。したがって、光反射部から液晶層等の電気光学物質までの距離を短くすることができ、光反射面によって反射された光を拡散させることなく、効率良く開口領域に集光することが可能である。
【００１６】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法の一実施形態を説明する。本実施形態では、本発明の電気光学装置用基板の製造方法を液晶装置の製造方法に適用した例を挙げる。
【００１８】
＜１；液晶装置＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、後述する電気光学装置用基板の製造方法を用いて製造される液晶装置１の構成を説明する。図１は、本発明の「素子基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に、本発明の「電気光学装置用基板」の一例である対向基板２０の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。尚、液晶装置１は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採用している。
【００１９】
図１及び図２において、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、本発明の「電気光学物質」の一例である液晶からなる液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材（図示省略）が散布されている。即ち、本実施形態の液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００２０】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２１】
シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００２２】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子（図示せず）が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００２３】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上では、ガラス基板等からなる基板本体に画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor；以下適宜、“ＴＦＴ”と称する）や走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。対向基板２０上には、対向電極の他、最上層部分に配向膜２２が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々の対向面の背面側には配向方向に応じた偏光板（図示省略）が設けられる。
【００２４】
次に、図３乃至図４を参照しながら、対向基板２０の構成を詳細に説明する。図３は、対向基板２０のコーナー部付近における４つの画素部に着目して、対向基板２０の構成を示す部分拡大斜視図である。図４は、図３に示した４つの画素部の平面図である。図５は、図３及び図４の夫々のＶ−Ｖ´断面部分を拡大して示した拡大断面図である。
【００２５】
図３及び図５に示すように、対向基板２０は、透明基板２１０、光反射部２３０、埋め込み層２４０、対向電極２１及び配向膜２２を備えて構成されている。より具体的には、石英基板等からなる透明基板２１０上に光反射部２３０が形成されると共に、光反射部２３０の各開口を埋めて凸部２２０が透明基板２１０に形成されることにより構成される。尚、図３には、光反射部２３０に埋もれた凸部２２０の一部の形状を点線にて示してある。後述するように、凸部２２０は、本発明の「凸部」の一例ではないことに留意されたい。
【００２６】
図３及び図４に示すように、光反射部２３０は、透明基板２１０上で平面的に見て、各画素部において非開口領域の少なくとも一部に重畳するパターンとして平面的に見て格子状に形成されている。光反射部２３０は、例えば、各画素部の非開口領域を規定するパターンとして形成され、図中点線にて示すように、光反射部２３０の開口における領域が開口領域７００となる。
【００２７】
尚、対向基板２０上において、ＴＦＴアレイ基板１０と対向する側に、光反射部２３０とは別途、非開口領域を規定する格子状又はストライプ状のブラックマトリクスを形成し、このブラックマトリクスと光反射部２３０、更には、これらに加えて、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられる、後述するデータ線等の各種構成要素と共に、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００２８】
光反射部２３０は、埋め込み層２４０を構成する透明材料の屈折率より低い低屈折率材料で構成されている。より具体的には、例えば、埋め込み層２４０がエポキシ樹脂、或いはアクリル樹脂等の樹脂材料、若しくは低融点ガラス等の透明材料から構成されている場合には、光反射部２３０は、これら透明材料より屈折率が低いＳｉＯ２等の透明材料から構成されている。
【００２９】
尚、図４において、図中Ｘ方向及びＹ方向の夫々の方向は、本発明の「配列方向」の一例であり、ＴＦＴアレイ基板１０に形成された複数の画素電極９ａは、Ｘ方向及びＹ方向に夫々に沿って配列されている。
【００３０】
図３及び図５に示すように、光反射部２３０の側面である光反射面２３２は、ＴＦＴアレイ基板１０に対向するように配置される対向基板２０の基板面、より具体的には、当該基板面に沿った透明基板２１０の基板面に対して斜めに延びており、凸部２２０の表面に対して斜めに交わる。加えて、光反射部２３０は、埋め込み層２４０の一部である凸部２２０より屈折率が低いため、液晶装置１の動作時に、画素領域において図５中下側から上側に向かって対向基板２０を透過する透過光が光反射面２３２によって反射され、開口領域７００に集光される。したがって、光反射部２３０によれば、隣接する画素部間で、非開口領域に向かう光を各々の開口領域７００に反射により集光することが可能となり、バックライト等の光源から出射された光を画像表示に利用する際の光利用効率を高めることができる。加えて、対向基板２０は、後述する電気光学装置用基板の製造方法によって製造されているため、光反射面２３２のうち埋め込み層２４０の表面に交わる部分（図５中、光反射面２３２のうち領域Ｃ１で示した領域に延びる部分）が曲面にならない。したがって、光反射部２３０によれば、光反射面２３２全体で光をより確実に開口領域７００に反射でき、光利用効率をより一層高めることが可能である。
【００３１】
次に、図６を参照しながら、液晶装置１の回路構成及び動作を説明する。図６は、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００３２】
図４において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３３】
ＴＦＴ３０は、そのゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａを介して当該ゲートにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加されるように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３４】
画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学パネルからは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００３５】
保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００３６】
図１又は図２において、走査線駆動回路１０４は、上述の如く走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを所定タイミングで走査線１１ａに供給し（図４参照）、データ線駆動回路１０１は、上述の如く画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定タイミングでデータ線６ａに供給する（図４参照）。
【００３７】
次に、図７を参照しながら、液晶装置１における対向基板２０の機能を説明する。図７は、図２に示す断面の構成をより詳細に示す断面図である。
【００３８】
図７において、画素部では、既に説明したように、透明基板２１０上において、光反射部２３０によって非開口領域が規定されると共に、開口領域７００に凸部２２０が配置されている。対向基板２０上には、透明導電膜からなる対向電極２１が形成され、更に、配向膜２２が対向電極２１上（図７中、対向電極２１より下側）に形成されている。
【００３９】
画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上の各開口領域７００に対応する領域に形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０上において、画素スイッチング用のＴＦＴ３０や、画素電極９ａを駆動するための走査線１１ａやデータ線６ａ等の各種配線並びに蓄積容量７０等の電子素子が、非開口領域に形成されている。このように構成すれば、液晶装置１の画素領域における開口率、即ち、画素領域のうち開口領域７００が占める割合を比較的大きくすることが可能である。画素電極９ａ上には配向膜１６が設けられている。
【００４０】
図７において、一点鎖線によって、バックライト等の光源から対向基板２０に入射される入射光Ｌの光路を模式的に示している。入射光Ｌのうち、各画素部において、非開口領域に向かう光は、光反射面２３２に入射され、開口領域７００に集光される。入射光Ｌのうち、各画素部において、開口領域７００に向かって進行する光は、集光されることなく凸部２２０を透過して、液晶層５０に向かって対向基板２０を透過する。したがって、各画素部には、開口領域７００に、光反射面２３０によって集光された光が入射されると共に、当該開口領域７００に進行する光が凸部２２０をそのまま透過して入射されることとなる。
【００４１】
したがって、液晶装置１によれば、非開口領域に入射する光が光反射面２３２によって開口領域７００に反射されるため、ＴＦＴ３０に光が照射されることがなく、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を低減できる。特に、本実施形態に係る対向基板２０によれば、図５を参照して説明したように、光反射面２３２のうち埋め込み層２４０の表面に交わる部分が曲面でないため、光反射面２３２全体で入射光Ｌを開口領域７００に集光でき、光利用効率を高めることが可能である。
【００４２】
加えて、対向基板２０によれば、対向基板２０に光反射部２３０や凸部２２０が作り込まれる構成であるため、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０に臨む側の面に別途光学シートを貼り付けるような構成と比較して、光の通過する異なる媒質の界面の数を減らすことが可能となり、このような界面を通過することによる光の損失を低減できると共に、部品点数を低減して、低コストで対向基板２０を製造することができる。また、対向基板２０によれば、光反射部２３０及び液晶層５０までの距離ｔは、対向電極２１及び配向膜２２の膜厚のみで規定される。したがって、他の光学シートを対向基板２０に貼り付けたり、光反射部２３０を対向基板２０に作り込む際に必要となる各種層構造が対向基板２０に残されたりしないため、光反射部２３０及びＴＦＴ３０を距離を近づけることができ、光反射面２３２で反射された光がＴＦＴ３０に照射される割合をより効果的に低減できる。
【００４３】
＜２；液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態に係る電気光学装置用基板の製造方法を応用した液晶装置１の製造方法を説明する。以下では、液晶装置１の製造方法の製造工程のうち対向基板２０を製造する製造工程を中心に説明する。図８乃至図１０は、液晶装置１の製造工程のうち対向基板２０を製造する工程を順に示した工程断面図である。
【００４４】
図８（ａ）に示すように、複数の画素７２ｇ（図４参照。）の夫々の開口領域を囲む非開口領域に対応して設けられた隙間９０１を有するレジスト膜９００を第１基板４００の表面に形成する（第１工程）。より具体的には、第１基板４００の表面にレジスト膜９００を一様に形成した後、レジスト膜９００をパターニングすることによって、第１基板４００とは別のＴＦＴアレイ基板上の複数の画素７２ｇの夫々の開口領域を囲む非開口領域に対応して設けられた隙間９０１をレジスト膜９００に形成する。
【００４５】
次に、図８（ｂ）に示すように、第１基板４００のうち隙間９０１に臨む部分を部分的に除去することによって第１基板４００を部分的に堀込む。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０上のＸ方向又はＹ方向に対応する一方向に沿った平面で第１基板４００を切った断面において第１基板４００の表面から第１基板４００の裏面に向かって幅が狭まる楔型形状を有する複数の第１凹部４１０を形成する（第２工程）。尚、第１凹部４１０は、第１基板４００の表面から第１基板４００の裏面に貫通しないように形成される。
【００４６】
次に、図８（ｃ）に示すように、第１凹部４１０内から第１基板４００の表面に渡って電気メッキ法（電鋳法）を用いてＮｉ等の金属を成膜し、第１凹部４１０の楔形形状を転写してなる複数の凸部５１０を表面に有する転写用部材５００を形成する（第３工程）。次に、図８（ｄ）に示すように、転写用部材５００を第１基板４００から分離する。
【００４７】
次に、図９（ｅ）に示すように、楔形形状の転写先であり、且つ対向基板２０になるべき被転写用基板６００の表面から被転写用基板６００に凸部５１０が埋め込まれるように被転写用基板６００の表面に転写用部材５００を押しつける（第４工程）。尚、被転写用基板６００は、透明基板２１０及び埋め込み層２４０を含んで構成されている。
【００４８】
次に、図９（ｆ）に示すように、転写用部材５００を被転写用基板６００から離すことによって、楔形形状を各々有する複数の第２凹部６１０を被転写用基板６００に形成する（第５工程）。
【００４９】
次に、図９（ｇ）に示すように、被転写用基板６００、より具体的には埋め込み層２４０より屈折率が低いＳｉＯ２等の低屈折率材料をＣＶＤ法を用いて第２凹部６１０内に供給し、第２凹部６１０内に当該低屈折率材料を充填又は成膜する。これにより、次工程を経て対向基板２０になる被転写用基板６００を透過する透過光を第２凹部６１０の表面に沿った光反射面２３２によって開口領域７００に反射する光反射部２３０を第２凹部６１０に形成する（第６工程）。但し、この段階では、光反射面２３２のうち埋め込み層２４０の表面に交わる部分（図中領域Ｃ１に延びる部分）に曲面部分が残っている。このような曲面部分は、第１凹部４１０を形成する際に生じた曲面形状がそのまま除去されることなく、埋め込み層２４０に転写されることに起因する。
【００５０】
次に、図９（ｈ）及び図１０（ｉ）に示すように、被転写用基板６００から見て光反射部２３０が形成された側から光反射部２３０及び被転写用基板５００をＣＭＰ法等の研磨法を用いて研磨することによって、光反射面２３２のうち被転写用基板６００の表面に対して光反射面２３２が曲面をなして交わる部分を除去する（第７工程）。これにより、プリズムとして機能する光反射部２３０が有する光反射面２３２の曲面部分が除去されるため、対向基板２０を透過する透過光のうち曲面部分で反射される光を低減でき、光利用効率を高めることが可能である。
【００５１】
次に、図１０（ｊ）に示すように、研磨された光反射部２３０の研磨面に対向電極２１を形成し（第８工程）、対向電極２１上に配向膜２２を形成する（第９工程）。これにより、対向基板２０が形成される。その後、別途形成されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０を封入することによって液晶装置１が製造される。
【００５２】
したがって、本実施形態に係る液晶装置の製造方法の一部を構成する対向基板の製造方法によれば、研磨によって形成された平坦な面に直接対向電極２１及び配向膜２２を順次形成できるため、平坦な対向電極２１及び配向膜２２を形成するために別途平坦化膜を形成する必要がなく、対向基板２０の製造プロセスを簡便にすることができる。加えて、平坦化膜を形成することなく対向電極２１及び配向膜２２を形成できるため、光反射部２３０から見てＴＦＴアレイ基板１０の側に対向電極２１及び配向膜２２以外の層構造を形成する必要がない。よって、光反射部２３０から液晶層５０までの距離を短くすることができ、光反射面２３２によって反射された光を拡散させることなく、効率良く開口領域７００に集光することが可能な対向基板２０を製造可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の一部を構成する対向基板を拡大して示した部分拡大斜視図である。
【図４】図３に示した４つの画素部の平面図である。
【図５】図３及び図４の夫々のＶ−Ｖ´断面部分を拡大して示した拡大断面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置１の画像表示領域における等価回路である。
【図７】図２に示す断面の構成をより詳細に示す断面図である。
【図８】本実施形態に係る対向基板の製造方法の工程断面図（その１）である。
【図９】本実施形態に係る対向基板の製造方法の工程断面図（その２）である。
【図１０】本実施形態に係る対向基板の製造方法の工程断面図（その３）である。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・液晶装置、２０・・・対向基板、３０・・・ＴＦＴ、２４０・・・埋め込み層、４００・・・第１基板、４１０・・・第１凹部、５００・・・転写用部材、５１０・・・凸部、６００・・・被転写用部材、９００・・・レジスト膜、９０１・・・隙間
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調すべき光が入射する側に斜面を向けて当該光を画素の開口領域に向けて導く断面楔形形状の偏向部が形成された電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記偏向部に対応して設けられた隙間を有するレジスト膜を第１基板の表面に形成する工程と、
前記第１基板のうち前記隙間に臨む部分を部分的に除去することによって、前記第１基板の表面から前記第１基板の裏面に向かって幅が狭まる断面楔型形状を有する複数の第１凹部を形成する工程と、
前記第１凹部から前記楔形形状を転写してなる複数の凸部を表面に有する転写用部材を形成する工程と、
前記楔形形状の転写先であり、且つ前記電気光学装置用基板になるべき被転写用基板に透光性の被転写層を形成する工程と、
前記被転写層の表面に前記転写用部材を押しつける工程と、
前記転写用部材を前記被転写用基板から離すことによって、前記楔形形状を各々有する複数の第２凹部を前記被転写用基板に形成する工程と、
前記被転写用基板より屈折率が低い低屈折率材料から構成されており、前記被転写用基板を透過する透過光を前記第２凹部の表面に沿った光反射面によって前記開口領域に反射する光反射部を前記第２凹部に形成する工程と、
前記被転写用基板の前記光反射部が形成された側から前記光反射部及び前記被転写層を研磨することによって、前記光反射面のうち前記被転写用基板の表面に対して前記光反射面が曲面をなして交わる部分を除去する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記研磨された光反射部の研磨面に対向電極を形成する工程と、
前記対向電極上に配向膜を形成する第９工程と
を更に備えたことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１】
変調すべき光が入射する側に斜面を向けて当該光を画素の開口領域に向けて導く断面楔形形状の偏向部が形成された電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記偏向部に対応して設けられた隙間を有するレジスト膜を第１基板の表面に形成する工程と、
前記第１基板のうち前記隙間に臨む部分を部分的に除去することによって、前記第１基板の表面から前記第１基板の裏面に向かって幅が狭まる断面楔型形状を有する複数の第１凹部を形成する工程と、
前記第１凹部から前記楔形形状を転写してなる複数の凸部を表面に有する転写用部材を形成する工程と、
前記楔形形状の転写先であり、且つ前記電気光学装置用基板になるべき被転写用基板に透光性の被転写層を形成する工程と、
前記被転写層の表面に前記転写用部材を押しつける工程と、
前記転写用部材を前記被転写用基板から離すことによって、前記楔形形状を各々有する複数の第２凹部を前記被転写用基板に形成する工程と、
前記被転写用基板より屈折率が低い低屈折率材料から構成されており、前記被転写用基板を透過する透過光を前記第２凹部の表面に沿った光反射面によって前記開口領域に反射する光反射部を前記第２凹部に形成する工程と、
前記被転写用基板の前記光反射部が形成された側から前記光反射部及び前記被転写層を研磨することによって、前記光反射面のうち前記被転写用基板の表面に対して前記光反射面が曲面をなして交わる部分を除去する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記研磨された光反射部の研磨面に対向電極を形成する工程と、
前記対向電極上に配向膜を形成する第９工程と
を更に備えたことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００９−２０４６４９（Ｐ２００９−２０４６４９Ａ）
【公開日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４３９４１（Ｐ２００８−４３９４１）
【出願日】平成２０年２月２６日（２００８．２．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２６日（２００８．２．２６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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