高周波用電子部品の信号線路
【目的】 基板の複数の誘電体層間にそれぞれ備えたグランドプレーンで擬似同軸線路構造化したヴィアであって、基板に上下に貫通して備えたヴィアの上下端にそれぞれ接続した基板上下面の信号線路の各内端とその各内端に連なる基板上下面のマイクロストリップ線路構造化した信号線路との間をそれぞれ接続する中間信号線路部分をそれぞれ短縮した、高速信号を伝送損失少なく伝える高周波用信号線路を得る。
【構成】 グランドプレーン３０を、そのヴィア２０に対向する内周縁３２を基板１２上部からその下部に行くに従い基板の信号線路２２の逆側から基板下面の信号線路２４の逆側へと漸次階段状に偏心させて、基板の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設する。
【構成】 グランドプレーン３０を、そのヴィア２０に対向する内周縁３２を基板１２上部からその下部に行くに従い基板の信号線路２２の逆側から基板下面の信号線路２４の逆側へと漸次階段状に偏心させて、基板の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用電子部品の信号線路、特に１０ＧＨｚ以上等の超高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることのできる高周波用電子部品の信号線路（以下、高周波用信号線路という）に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記高周波用信号線路として、図５と図６に示したような信号線路がある。
【０００３】この信号線路は、セラミック等からなる誘電体層１０を複数（図では、４層としている）積層して形成した基板１２に、メタライズ等の導体ポールからなるヴィア（以下、ヴィアという）２０を基板１２に上下に貫通して備えて、そのヴィア２０を高速信号を伝える高周波用信号線路に形成している。
【０００４】それと共に、基板１２の複数の誘電体層１０間にヴィア２０を囲むメタライズ等からなるグランドプレーン３０を、図６に破線で示したように、ヴィア２０と円形状に所定間隔あけてそれぞれ広く層状に備えている。そして、それらの複数の誘電体層１０間にそれぞれ備えたグランドプレーン３０で、ヴィア２０からなる高周波用信号線路を擬似同軸線路構造化していて、そのヴィア２０からなる高周波用信号線路の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【０００５】基板１２上面とその下面とには、メタライズ等からなる細帯状の信号線路２２、２４をそれぞれ互いに逆方向（図では、左方向と右方向としている）に備えている。そして、それらの信号線路２２、２４を基板１２上部とその下部との誘電体層１０間にそれぞれ広く備えたグランドプレーン３０でそれぞれマイクロストリップ線路構造化していて、その信号線路２２、２４の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【０００６】基板１２上下面の信号線路２２、２４の各内端は、基板１２上面とその下面とに露出したヴィア２０上端とその下端とにそれぞれ接続している。
【０００７】そして、擬似同軸線路構造化したヴィア２０とそれに接続したストリップ線路構造化した信号線路２２、２４とからなる高周波用信号線路を高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができるようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記高周波用信号線路においては、ヴィア２０上端とその下端とにそれぞれ接続した信号線路２２、２４の各内端とその各内端に連なるマイクロストリップ線路構造化した信号線路２２、２４との間をそれぞれ接続する中間信号線路部分（以下、中間信号線路部分という）２２ａ、２４ａの下方又はその上方の基板１２の誘電体層１０間にグランドプレーンを備えておらず、それらの中間信号線路部分２２ａ、２４ａをマイクロストリップ線路構造化して、それらの中間信号線路部分２２ａ、２４ａの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせていなかった。
【０００９】そのため、ヴィア２０とそれに接続した基板１２上下面の信号線路２２、２４とからなる高周波用信号線路に高速信号を伝えた場合に、上記中間信号線路部分２２ａ、２４ａを伝わる高速信号の伝送損失が大きくて、その高周波用信号線路を高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができなかった。このことは特に、上記高周波用信号線路を１０ＧＨｚ以上等の超高速信号を伝えた場合に顕著であった。
【００１０】本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、上記中間信号線路部分を縮めて、高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることのできるようにした、高周波用信号線路を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明の第１の高周波用信号線路は、誘電体層を複数積層して形成した基板にヴィアを基板に上下に貫通して備えると共に、前記複数の誘電体層間に前記ヴィアを囲むグランドプレーンをヴィアと所定間隔あけてそれぞれ備えて、前記ヴィアを擬似同軸線路構造化し、かつ、前記基板上面とその下面とにそれぞれ互いに逆方向に備えた信号線路を基板上部とその下部との前記グランドプレーンでそれぞれマイクロストリップ線路構造化すると共に、それらの基板上下面の信号線路の各内端を前記ヴィア上端とその下端とにそれぞれ接続してなる高周波用電子部品の信号線路において、前記グランドプレーンを、そのヴィアに対向する内周縁を基板上部からその下部に行くに従い前記基板上面の信号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へと漸次階段状に偏心させて、前記複数の誘電体層間にそれぞれ配設したことを特徴としている。
【００１２】本発明の第２の高周波用信号線路は、誘電体層を複数積層して形成した基板にヴィアを基板上面側からその下面側に貫通して備えると共に、前記複数の誘電体層間に前記ヴィアを囲むグランドプレーンをヴィアと所定間隔あけてそれぞれ備えて、前記ヴィアを擬似同軸線路構造化し、かつ、前記基板上面とその下面とにそれぞれ互いに逆方向に備えた信号線路を基板上部とその下部との前記グランドプレーンでそれぞれマイクロストリップ線路構造化すると共に、それらの基板上下面の信号線路の各内端を前記ヴィア上端とその下端とにそれぞれ接続してなる高周波用電子部品の信号線路において、前記基板に前記ヴィアを基板上面の信号線路側から基板下面の信号線路側にかけて斜め上下に貫通して備えると共に、前記ヴィア周囲のグランドプレーンをそのヴィアに対向する内周縁がそれぞれ互いに上下に重なり合うように前記複数の誘電体層間にそれぞれ配設したことを特徴としている。
【００１３】
【作用】上記構成の第１の高周波用信号線路においては、グランドプレーンを、そのヴィアに対向する内周縁を基板上部からその下部に行くに従い基板上面の信号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へと漸次階段状に偏心させて、複数の誘電体層間にそれぞれ配設している。そして、ヴィアに対向する基板上部とその下部とのグランドプレーンの内周縁のうちの、基板上下面の信号線路側に位置する内周縁部分を、ヴィア上部とその下部とにそれぞれ接近させている。
【００１４】また、第２の高周波用信号線路においては、基板にヴィアを基板上面の信号線路側から基板下面の信号線路側にかけて斜め上下に貫通して備えると共に、ヴィア周囲のグランドプレーンをそのヴィアに対向する内周縁がそれぞれ互いに上下に重なり合うように複数の誘電体層間にそれぞれ配設している。そして、ヴィアに対向する基板上部とその下部とのグランドプレーンの内周縁のうちの、基板上下面の信号線路側に位置する内周縁部分を、ヴィア上部とその下部とにそれぞれ接近させている。
【００１５】そのため、上記第１、第２の高周波用信号線路においては、ヴィア上端とその下端とにそれぞれ接続した信号線路の各内端とその各内端に連なる信号線路であって、基板上部とその下部とのグランドプレーンでマイクロストリップ線路構造化した信号線路との間をそれぞれ接続した中間信号線路部分をそれぞれ短縮できる。そして、それらの中間信号線路部分を伝わる高速信号の伝送損失を少なく抑えることができる。
【００１６】また、上記構成の第１、第２の高周波用信号線路においては、基板の複数の誘電体層間にそれぞれ備えたグランドプレーンのヴィアを囲む内周縁の径をそれぞれ大小に調整したりその内周縁の形状をそれぞれ変化させたりして、それらの複数のグランドプレーンで擬似同軸線路構造化したヴィアの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせることができる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明する。図１と図２は本発明の高周波用信号線路の好適な実施例を示し、図１はその正面断面図、図２はその平面図である。以下に、この高周波用信号線路を説明する。
【００１８】図において、１２は、誘電体層１０を複数（図では、４層としている）一体に積層して形成した基板である。誘電体層１０は、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とする誘電率εが約９．５のセラミック等で形成している。
【００１９】基板１２には、メタライズ等の導体ポールからなるヴィア（以下、ヴィアという）２０を、基板１２に上下に貫通して備えている。
【００２０】基板１２を構成する複数の誘電体層１０間には、ヴィア２０を囲むメタライズ等からなるグランドプレーン３０を、図２に破線で示したように、ヴィア２０と円形状又は楕円形状等に所定間隔あけてそれぞれ備えている。そして、それらの複数のグランドプレーン３０で、ヴィア２０からなる信号線路を擬似同軸線路構造化していて、その特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２１】基板１２上面とその下面とには、メタライズ等からなる細帯状の信号線路２２、２４をそれぞれ互いに逆方向（図では、左方向と右方向としている）に備えている。そして、それらの信号線路２２、２４を、基板１２の上部とその下部との誘電体層１０間にそれぞれ広く備えたグランドプレーン３０で、それぞれマイクロストリップ線路構造化している。
【００２２】基板１２上下面にそれぞれ備えた信号線路２２、２４の各内端は、ヴィア２０上端とその下端とにそれぞれ接続している。詳しくは、ヴィア２０上端とその下端とを基板１２上下面の信号線路２２、２４の各内端でそれぞれ覆っている。
【００２３】以上の構成は、従来の高周波用信号線路と同様であるが、図の高周波用信号線路では、グランドプレーン３０を、そのヴィア２０に対向する内周縁３２を、基板１２上部からその下部に行くに従い、基板１２上面の信号線路２２の逆側から基板１２下面の信号線路２４の逆側へと漸次階段状に偏心させて、基板１２の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設している。言い換えれば、ヴィア２０に対向するグランドプレーンの内周縁３２が基板１２中に筒状体を斜め上下に断続的に形成するように、グランドプレーン３０を基板１２の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設している。
【００２４】そして、基板１２上部の誘電体層１０間に備えたグランドプレーン３０のヴィア２０に対向する内周縁３２のうちの、基板１２上面の信号線路２２側に位置する内周縁３２部分をヴィア２０上部に接近させていると共に、基板１２下部の誘電体層１０間に備えたグランドプレーン３０のヴィア２０に対向する内周縁３２のうちの、基板１２下面の信号線路２４側に位置する内周縁３２部分をヴィア２０下部に接近させている。そして、ヴィア２０上端に接続した信号線路２２内端とその内端に連なる基板１２上部のグランドプレーン３０でマイクロストリップ線路構造化した信号線路２２との間を接続する中間信号線路部分２２ａを短縮していると共に、ヴィア２０下端に接続した信号線路２４内端とその内端に連なる基板１２下部のグランドプレーン３０でマイクロストリップ線路構造化した信号線路２４との間を接続する中間信号線路部分２４ａを短縮している。
【００２５】ヴィア２０は、その周囲の複数の誘電体層１０間のグランドプレーン３０のヴィア２０に対向する内周縁３２の径をそれぞれ大小に調整したりその内周縁３２の形状をそれぞれ変化させたりして、その特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２６】図１と図２に示した高周波用信号線路は、以上のように構成していて、この高周波用信号線路では、基板１２上下面のマイクロストリップ線路構造化していない中間信号線路部分２２ａ、２４ａをそれぞれ短縮して、それらの中間信号線路部分２２ａ、２４ａを伝わる高速信号の伝送損失をそれぞれ少なく抑えることができる。
【００２７】図３と図４は本発明の第２の高周波用信号線路の好適な実施例を示し、図３はその正面断面図、図４はその平面図である。以下に、この高周波用信号線路を説明する。
【００２８】図の高周波用信号線路では、基板１２に基板１２上面側からその下面側にかけて貫通して備えたメタライズ等の導体ポールからなるヴィア（以下、ヴィアという）２００を、図３に示したように、基板１２上面の信号線路２２側から基板１２下面の信号線路２４側にかけて基板１２を斜め上下に貫通して備えている。
【００２９】それと共に、ヴィア２００周囲のグランドプレーン３０を、そのヴィア２００に対向する内周縁３２がそれぞれ互いに上下に重なり合うように、基板１２の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設している。言い換えれば、ヴィア２００に対向するグランドプレーンの内周縁３２が基板１２中に筒状体を上下に断続的に形成するように、グランドプレーン３０を基板１２の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設している。
【００３０】そして、基板１２上部の誘電体層１０間に備えたグランドプレーン３０のヴィア２００に対向する内周縁３２のうちの、基板１２上面の信号線路２２側に位置する内周縁３２部分をヴィア２００上部に接近させていると共に、基板１２下部の誘電体層１０間に備えたグランドプレーン３０のヴィア２００に対向する内周縁３２のうちの、基板１２下面の信号線路２４側に位置する内周縁３２部分をヴィア２００下部に接近させている。そして、ヴィア２００上端に接続した基板１２上面の信号線路２２内端とその内端に連なる基板１２上部のグランドプレーン３０でマイクロストリップ線路構造化した信号線路２２との間を接続する中間信号線路部分２２ａを短縮していると共に、ヴィア２００下端に接続した基板１２下面の信号線路２４内端とその内端に連なる基板１２下部のグランドプレーン３０でマイクロストリップ線路構造化した信号線路２４との間を接続する中間信号線路部分２４ａを短縮している。
【００３１】ヴィア２００は、その周囲の複数の誘電体層１０間のグランドプレーン３０のヴィア２００に対向する内周縁３２の径をそれぞれ大小に調整したりその内周縁３２の形状をそれぞれ変化させたりして、その特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００３２】この高周波用信号線路では、グランドプレーン３０を、多大な手数と時間をかけて、基板１２上部からその下部に行くに従い基板１２上面の信号線路２２の逆側から基板１２下面の信号線路２４の逆側へとそれぞれ漸次階段状に偏心させて、基板１２の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設することを不要とすることができる。
【００３３】その他は、前述図１と図２に示した第１の高周波用信号線路と同様に構成していて、その作用も前述図１と図２に示した第１の高周波用信号線路と同様であり、その同一部材には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１、第２の高周波用信号線路によれば、ヴィアの上下端にそれぞれ接続した信号線路の各内端とその各内端に連なるマイクロストリップ線路構造化した基板上下面の信号線路との間をそれぞれ接続する中間信号線路部分であって、マイクロストリップ線路構造化していない中間信号線路部分をそれぞれ短縮して、それらの中間信号線路部分を伝わる高速信号の伝送損失をそれぞれ少なく抑えることができる。
【００３５】それと共に、基板の複数の誘電体層間にそれぞれ備えたグランドプレーンのヴィアに対向する内周縁の径をそれぞれ大小に調整したりその内周縁の形状をそれぞれ変化させたりして、それらのグランドプレーンで擬似同軸線路構造化したヴィアの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等に的確にマッチングさせることができる。
【００３６】そして、その擬似同軸線路構造化したヴィアとそのヴィアの上下端に短い中間信号線路部分を介してそれぞれ接続したマイクロストリップ線路構造化した基板上下面の信号線路とからなる高周波用信号線路を、１０ＧＨｚ以上等の超高速信号を含む高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることが可能となる。
【００３７】また、本発明の第２の高周波用信号線路にあっては、グランドプレーンを、多大な手数と時間をかけて、基板上部からその下部に行くに従い基板上面の信号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へとそれぞれ漸次階段状に偏心させて、基板の複数の誘電体層間にそれぞれ配設することを不要として、基板の形成作業の容易化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の高周波用信号線路の正面断面図である。
【図２】本発明の第１の高周波用信号線路の平面図である。
【図３】本発明の第２の高周波用信号線路の正面断面図である。
【図４】本発明の第２の高周波用信号線路の平面図である。
【図５】従来の高周波用信号線路の正面断面図である。
【図６】従来の高周波用信号線路の平面図である。
【符号の説明】
１０ 誘電体層
１２ 基板
２０、２００ ヴィア
２２、２４ 信号線路
２２ａ、２４ａ 中間信号線路部分
３０ グランドプレーン
３２ 内周縁
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用電子部品の信号線路、特に１０ＧＨｚ以上等の超高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることのできる高周波用電子部品の信号線路（以下、高周波用信号線路という）に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記高周波用信号線路として、図５と図６に示したような信号線路がある。
【０００３】この信号線路は、セラミック等からなる誘電体層１０を複数（図では、４層としている）積層して形成した基板１２に、メタライズ等の導体ポールからなるヴィア（以下、ヴィアという）２０を基板１２に上下に貫通して備えて、そのヴィア２０を高速信号を伝える高周波用信号線路に形成している。
【０００４】それと共に、基板１２の複数の誘電体層１０間にヴィア２０を囲むメタライズ等からなるグランドプレーン３０を、図６に破線で示したように、ヴィア２０と円形状に所定間隔あけてそれぞれ広く層状に備えている。そして、それらの複数の誘電体層１０間にそれぞれ備えたグランドプレーン３０で、ヴィア２０からなる高周波用信号線路を擬似同軸線路構造化していて、そのヴィア２０からなる高周波用信号線路の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【０００５】基板１２上面とその下面とには、メタライズ等からなる細帯状の信号線路２２、２４をそれぞれ互いに逆方向（図では、左方向と右方向としている）に備えている。そして、それらの信号線路２２、２４を基板１２上部とその下部との誘電体層１０間にそれぞれ広く備えたグランドプレーン３０でそれぞれマイクロストリップ線路構造化していて、その信号線路２２、２４の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【０００６】基板１２上下面の信号線路２２、２４の各内端は、基板１２上面とその下面とに露出したヴィア２０上端とその下端とにそれぞれ接続している。
【０００７】そして、擬似同軸線路構造化したヴィア２０とそれに接続したストリップ線路構造化した信号線路２２、２４とからなる高周波用信号線路を高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができるようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記高周波用信号線路においては、ヴィア２０上端とその下端とにそれぞれ接続した信号線路２２、２４の各内端とその各内端に連なるマイクロストリップ線路構造化した信号線路２２、２４との間をそれぞれ接続する中間信号線路部分（以下、中間信号線路部分という）２２ａ、２４ａの下方又はその上方の基板１２の誘電体層１０間にグランドプレーンを備えておらず、それらの中間信号線路部分２２ａ、２４ａをマイクロストリップ線路構造化して、それらの中間信号線路部分２２ａ、２４ａの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせていなかった。
【０００９】そのため、ヴィア２０とそれに接続した基板１２上下面の信号線路２２、２４とからなる高周波用信号線路に高速信号を伝えた場合に、上記中間信号線路部分２２ａ、２４ａを伝わる高速信号の伝送損失が大きくて、その高周波用信号線路を高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができなかった。このことは特に、上記高周波用信号線路を１０ＧＨｚ以上等の超高速信号を伝えた場合に顕著であった。
【００１０】本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、上記中間信号線路部分を縮めて、高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることのできるようにした、高周波用信号線路を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明の第１の高周波用信号線路は、誘電体層を複数積層して形成した基板にヴィアを基板に上下に貫通して備えると共に、前記複数の誘電体層間に前記ヴィアを囲むグランドプレーンをヴィアと所定間隔あけてそれぞれ備えて、前記ヴィアを擬似同軸線路構造化し、かつ、前記基板上面とその下面とにそれぞれ互いに逆方向に備えた信号線路を基板上部とその下部との前記グランドプレーンでそれぞれマイクロストリップ線路構造化すると共に、それらの基板上下面の信号線路の各内端を前記ヴィア上端とその下端とにそれぞれ接続してなる高周波用電子部品の信号線路において、前記グランドプレーンを、そのヴィアに対向する内周縁を基板上部からその下部に行くに従い前記基板上面の信号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へと漸次階段状に偏心させて、前記複数の誘電体層間にそれぞれ配設したことを特徴としている。
【００１２】本発明の第２の高周波用信号線路は、誘電体層を複数積層して形成した基板にヴィアを基板上面側からその下面側に貫通して備えると共に、前記複数の誘電体層間に前記ヴィアを囲むグランドプレーンをヴィアと所定間隔あけてそれぞれ備えて、前記ヴィアを擬似同軸線路構造化し、かつ、前記基板上面とその下面とにそれぞれ互いに逆方向に備えた信号線路を基板上部とその下部との前記グランドプレーンでそれぞれマイクロストリップ線路構造化すると共に、それらの基板上下面の信号線路の各内端を前記ヴィア上端とその下端とにそれぞれ接続してなる高周波用電子部品の信号線路において、前記基板に前記ヴィアを基板上面の信号線路側から基板下面の信号線路側にかけて斜め上下に貫通して備えると共に、前記ヴィア周囲のグランドプレーンをそのヴィアに対向する内周縁がそれぞれ互いに上下に重なり合うように前記複数の誘電体層間にそれぞれ配設したことを特徴としている。
【００１３】
【作用】上記構成の第１の高周波用信号線路においては、グランドプレーンを、そのヴィアに対向する内周縁を基板上部からその下部に行くに従い基板上面の信号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へと漸次階段状に偏心させて、複数の誘電体層間にそれぞれ配設している。そして、ヴィアに対向する基板上部とその下部とのグランドプレーンの内周縁のうちの、基板上下面の信号線路側に位置する内周縁部分を、ヴィア上部とその下部とにそれぞれ接近させている。
【００１４】また、第２の高周波用信号線路においては、基板にヴィアを基板上面の信号線路側から基板下面の信号線路側にかけて斜め上下に貫通して備えると共に、ヴィア周囲のグランドプレーンをそのヴィアに対向する内周縁がそれぞれ互いに上下に重なり合うように複数の誘電体層間にそれぞれ配設している。そして、ヴィアに対向する基板上部とその下部とのグランドプレーンの内周縁のうちの、基板上下面の信号線路側に位置する内周縁部分を、ヴィア上部とその下部とにそれぞれ接近させている。
【００１５】そのため、上記第１、第２の高周波用信号線路においては、ヴィア上端とその下端とにそれぞれ接続した信号線路の各内端とその各内端に連なる信号線路であって、基板上部とその下部とのグランドプレーンでマイクロストリップ線路構造化した信号線路との間をそれぞれ接続した中間信号線路部分をそれぞれ短縮できる。そして、それらの中間信号線路部分を伝わる高速信号の伝送損失を少なく抑えることができる。
【００１６】また、上記構成の第１、第２の高周波用信号線路においては、基板の複数の誘電体層間にそれぞれ備えたグランドプレーンのヴィアを囲む内周縁の径をそれぞれ大小に調整したりその内周縁の形状をそれぞれ変化させたりして、それらの複数のグランドプレーンで擬似同軸線路構造化したヴィアの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせることができる。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明する。図１と図２は本発明の高周波用信号線路の好適な実施例を示し、図１はその正面断面図、図２はその平面図である。以下に、この高周波用信号線路を説明する。
【００１８】図において、１２は、誘電体層１０を複数（図では、４層としている）一体に積層して形成した基板である。誘電体層１０は、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とする誘電率εが約９．５のセラミック等で形成している。
【００１９】基板１２には、メタライズ等の導体ポールからなるヴィア（以下、ヴィアという）２０を、基板１２に上下に貫通して備えている。
【００２０】基板１２を構成する複数の誘電体層１０間には、ヴィア２０を囲むメタライズ等からなるグランドプレーン３０を、図２に破線で示したように、ヴィア２０と円形状又は楕円形状等に所定間隔あけてそれぞれ備えている。そして、それらの複数のグランドプレーン３０で、ヴィア２０からなる信号線路を擬似同軸線路構造化していて、その特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２１】基板１２上面とその下面とには、メタライズ等からなる細帯状の信号線路２２、２４をそれぞれ互いに逆方向（図では、左方向と右方向としている）に備えている。そして、それらの信号線路２２、２４を、基板１２の上部とその下部との誘電体層１０間にそれぞれ広く備えたグランドプレーン３０で、それぞれマイクロストリップ線路構造化している。
【００２２】基板１２上下面にそれぞれ備えた信号線路２２、２４の各内端は、ヴィア２０上端とその下端とにそれぞれ接続している。詳しくは、ヴィア２０上端とその下端とを基板１２上下面の信号線路２２、２４の各内端でそれぞれ覆っている。
【００２３】以上の構成は、従来の高周波用信号線路と同様であるが、図の高周波用信号線路では、グランドプレーン３０を、そのヴィア２０に対向する内周縁３２を、基板１２上部からその下部に行くに従い、基板１２上面の信号線路２２の逆側から基板１２下面の信号線路２４の逆側へと漸次階段状に偏心させて、基板１２の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設している。言い換えれば、ヴィア２０に対向するグランドプレーンの内周縁３２が基板１２中に筒状体を斜め上下に断続的に形成するように、グランドプレーン３０を基板１２の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設している。
【００２４】そして、基板１２上部の誘電体層１０間に備えたグランドプレーン３０のヴィア２０に対向する内周縁３２のうちの、基板１２上面の信号線路２２側に位置する内周縁３２部分をヴィア２０上部に接近させていると共に、基板１２下部の誘電体層１０間に備えたグランドプレーン３０のヴィア２０に対向する内周縁３２のうちの、基板１２下面の信号線路２４側に位置する内周縁３２部分をヴィア２０下部に接近させている。そして、ヴィア２０上端に接続した信号線路２２内端とその内端に連なる基板１２上部のグランドプレーン３０でマイクロストリップ線路構造化した信号線路２２との間を接続する中間信号線路部分２２ａを短縮していると共に、ヴィア２０下端に接続した信号線路２４内端とその内端に連なる基板１２下部のグランドプレーン３０でマイクロストリップ線路構造化した信号線路２４との間を接続する中間信号線路部分２４ａを短縮している。
【００２５】ヴィア２０は、その周囲の複数の誘電体層１０間のグランドプレーン３０のヴィア２０に対向する内周縁３２の径をそれぞれ大小に調整したりその内周縁３２の形状をそれぞれ変化させたりして、その特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２６】図１と図２に示した高周波用信号線路は、以上のように構成していて、この高周波用信号線路では、基板１２上下面のマイクロストリップ線路構造化していない中間信号線路部分２２ａ、２４ａをそれぞれ短縮して、それらの中間信号線路部分２２ａ、２４ａを伝わる高速信号の伝送損失をそれぞれ少なく抑えることができる。
【００２７】図３と図４は本発明の第２の高周波用信号線路の好適な実施例を示し、図３はその正面断面図、図４はその平面図である。以下に、この高周波用信号線路を説明する。
【００２８】図の高周波用信号線路では、基板１２に基板１２上面側からその下面側にかけて貫通して備えたメタライズ等の導体ポールからなるヴィア（以下、ヴィアという）２００を、図３に示したように、基板１２上面の信号線路２２側から基板１２下面の信号線路２４側にかけて基板１２を斜め上下に貫通して備えている。
【００２９】それと共に、ヴィア２００周囲のグランドプレーン３０を、そのヴィア２００に対向する内周縁３２がそれぞれ互いに上下に重なり合うように、基板１２の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設している。言い換えれば、ヴィア２００に対向するグランドプレーンの内周縁３２が基板１２中に筒状体を上下に断続的に形成するように、グランドプレーン３０を基板１２の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設している。
【００３０】そして、基板１２上部の誘電体層１０間に備えたグランドプレーン３０のヴィア２００に対向する内周縁３２のうちの、基板１２上面の信号線路２２側に位置する内周縁３２部分をヴィア２００上部に接近させていると共に、基板１２下部の誘電体層１０間に備えたグランドプレーン３０のヴィア２００に対向する内周縁３２のうちの、基板１２下面の信号線路２４側に位置する内周縁３２部分をヴィア２００下部に接近させている。そして、ヴィア２００上端に接続した基板１２上面の信号線路２２内端とその内端に連なる基板１２上部のグランドプレーン３０でマイクロストリップ線路構造化した信号線路２２との間を接続する中間信号線路部分２２ａを短縮していると共に、ヴィア２００下端に接続した基板１２下面の信号線路２４内端とその内端に連なる基板１２下部のグランドプレーン３０でマイクロストリップ線路構造化した信号線路２４との間を接続する中間信号線路部分２４ａを短縮している。
【００３１】ヴィア２００は、その周囲の複数の誘電体層１０間のグランドプレーン３０のヴィア２００に対向する内周縁３２の径をそれぞれ大小に調整したりその内周縁３２の形状をそれぞれ変化させたりして、その特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００３２】この高周波用信号線路では、グランドプレーン３０を、多大な手数と時間をかけて、基板１２上部からその下部に行くに従い基板１２上面の信号線路２２の逆側から基板１２下面の信号線路２４の逆側へとそれぞれ漸次階段状に偏心させて、基板１２の複数の誘電体層１０間にそれぞれ配設することを不要とすることができる。
【００３３】その他は、前述図１と図２に示した第１の高周波用信号線路と同様に構成していて、その作用も前述図１と図２に示した第１の高周波用信号線路と同様であり、その同一部材には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１、第２の高周波用信号線路によれば、ヴィアの上下端にそれぞれ接続した信号線路の各内端とその各内端に連なるマイクロストリップ線路構造化した基板上下面の信号線路との間をそれぞれ接続する中間信号線路部分であって、マイクロストリップ線路構造化していない中間信号線路部分をそれぞれ短縮して、それらの中間信号線路部分を伝わる高速信号の伝送損失をそれぞれ少なく抑えることができる。
【００３５】それと共に、基板の複数の誘電体層間にそれぞれ備えたグランドプレーンのヴィアに対向する内周縁の径をそれぞれ大小に調整したりその内周縁の形状をそれぞれ変化させたりして、それらのグランドプレーンで擬似同軸線路構造化したヴィアの特性インピーダンスを一定値の５０Ω等に的確にマッチングさせることができる。
【００３６】そして、その擬似同軸線路構造化したヴィアとそのヴィアの上下端に短い中間信号線路部分を介してそれぞれ接続したマイクロストリップ線路構造化した基板上下面の信号線路とからなる高周波用信号線路を、１０ＧＨｚ以上等の超高速信号を含む高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることが可能となる。
【００３７】また、本発明の第２の高周波用信号線路にあっては、グランドプレーンを、多大な手数と時間をかけて、基板上部からその下部に行くに従い基板上面の信号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へとそれぞれ漸次階段状に偏心させて、基板の複数の誘電体層間にそれぞれ配設することを不要として、基板の形成作業の容易化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の高周波用信号線路の正面断面図である。
【図２】本発明の第１の高周波用信号線路の平面図である。
【図３】本発明の第２の高周波用信号線路の正面断面図である。
【図４】本発明の第２の高周波用信号線路の平面図である。
【図５】従来の高周波用信号線路の正面断面図である。
【図６】従来の高周波用信号線路の平面図である。
【符号の説明】
１０ 誘電体層
１２ 基板
２０、２００ ヴィア
２２、２４ 信号線路
２２ａ、２４ａ 中間信号線路部分
３０ グランドプレーン
３２ 内周縁
【特許請求の範囲】
【請求項１】 誘電体層を複数積層して形成した基板にヴィアを基板に上下に貫通して備えると共に、前記複数の誘電体層間に前記ヴィアを囲むグランドプレーンをヴィアと所定間隔あけてそれぞれ備えて、前記ヴィアを擬似同軸線路構造化し、かつ、前記基板上面とその下面とにそれぞれ互いに逆方向に備えた信号線路を基板上部とその下部との前記グランドプレーンでそれぞれマイクロストリップ線路構造化すると共に、それらの基板上下面の信号線路の各内端を前記ヴィア上端とその下端とにそれぞれ接続してなる高周波用電子部品の信号線路において、前記グランドプレーンを、そのヴィアに対向する内周縁を基板上部からその下部に行くに従い前記基板上面の信号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へと漸次階段状に偏心させて、前記複数の誘電体層間にそれぞれ配設したことを特徴とする高周波用電子部品の信号線路。
【請求項２】 誘電体層を複数積層して形成した基板にヴィアを基板上面側からその下面側に貫通して備えると共に、前記複数の誘電体層間に前記ヴィアを囲むグランドプレーンをヴィアと所定間隔あけてそれぞれ備えて、前記ヴィアを擬似同軸線路構造化し、かつ、前記基板上面とその下面とにそれぞれ互いに逆方向に備えた信号線路を基板上部とその下部との前記グランドプレーンでそれぞれマイクロストリップ線路構造化すると共に、それらの基板上下面の信号線路の各内端を前記ヴィア上端とその下端とにそれぞれ接続してなる高周波用電子部品の信号線路において、前記基板に前記ヴィアを基板上面の信号線路側から基板下面の信号線路側にかけて斜め上下に貫通して備えると共に、前記ヴィア周囲のグランドプレーンをそのヴィアに対向する内周縁がそれぞれ互いに上下に重なり合うように前記複数の誘電体層間にそれぞれ配設したことを特徴とする高周波用電子部品の信号線路。
【請求項１】 誘電体層を複数積層して形成した基板にヴィアを基板に上下に貫通して備えると共に、前記複数の誘電体層間に前記ヴィアを囲むグランドプレーンをヴィアと所定間隔あけてそれぞれ備えて、前記ヴィアを擬似同軸線路構造化し、かつ、前記基板上面とその下面とにそれぞれ互いに逆方向に備えた信号線路を基板上部とその下部との前記グランドプレーンでそれぞれマイクロストリップ線路構造化すると共に、それらの基板上下面の信号線路の各内端を前記ヴィア上端とその下端とにそれぞれ接続してなる高周波用電子部品の信号線路において、前記グランドプレーンを、そのヴィアに対向する内周縁を基板上部からその下部に行くに従い前記基板上面の信号線路の逆側から基板下面の信号線路の逆側へと漸次階段状に偏心させて、前記複数の誘電体層間にそれぞれ配設したことを特徴とする高周波用電子部品の信号線路。
【請求項２】 誘電体層を複数積層して形成した基板にヴィアを基板上面側からその下面側に貫通して備えると共に、前記複数の誘電体層間に前記ヴィアを囲むグランドプレーンをヴィアと所定間隔あけてそれぞれ備えて、前記ヴィアを擬似同軸線路構造化し、かつ、前記基板上面とその下面とにそれぞれ互いに逆方向に備えた信号線路を基板上部とその下部との前記グランドプレーンでそれぞれマイクロストリップ線路構造化すると共に、それらの基板上下面の信号線路の各内端を前記ヴィア上端とその下端とにそれぞれ接続してなる高周波用電子部品の信号線路において、前記基板に前記ヴィアを基板上面の信号線路側から基板下面の信号線路側にかけて斜め上下に貫通して備えると共に、前記ヴィア周囲のグランドプレーンをそのヴィアに対向する内周縁がそれぞれ互いに上下に重なり合うように前記複数の誘電体層間にそれぞれ配設したことを特徴とする高周波用電子部品の信号線路。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開平６−２１２５３
【公開日】平成６年（１９９４）１月２８日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平４−１９６２７３
【出願日】平成４年（１９９２）６月２９日
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【公開日】平成６年（１９９４）１月２８日
【国際特許分類】
【出願日】平成４年（１９９２）６月２９日
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
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