高音質のＬＰＣＭ方式で符号化して音楽情報が記録されている場合であっても、その取り扱いの利便性を向上させることが可能な情報記録装置等を提供する。
再生されるべき曲を非圧縮状態で符号化した音楽情報Ｍと、当該音楽情報Ｍを管理するための第１管理情報Ｇ１と、音楽情報Ｍの少なくともいずれかと同じ内容を含む圧縮音楽情報ＰＭと、圧縮音楽情報ＰＭを管理するための第２管理情報Ｇ２であって、音楽情報Ｍと圧縮音楽情報ＰＭとの対応関係を示す対応情報ＲＲを含む第２管理情報Ｇ２と、が記録されている。 （もっと読む）

情報記録媒体（１００）は、第１記録層（１０７）と、第１記録層に照射された記録用レーザ光の少なくとも一部を反射するための半透過反射膜（１０８）と、第１記録層と半透過反射膜とを介して記録用レーザ光が照射される第２記録層（２０７）と、第２記録層に照射された記録用レーザ光を反射するための反射膜（２０８）とを備え、第２記録層に記録用レーザ光が照射された時の第２記録層から反射膜への熱伝導と、第１記録層に記録用レーザ光が照射された時の第１記録層から半透過反射膜への熱伝導とが略同一である。 （もっと読む）

情報記録媒体（１００）は、記録情報を記録する第１記録層（Ｌ０層）と第２記録層（Ｌ１層）とを備えており、第１記録層の一部の記録領域（１０５ａ）と前記第２記録層の一部の記録領域（１１５ａ）とを夫々含むと共に記録情報が記録される単位であるブロックエリアを複数含んでなる。 （もっと読む）

第１記録情報（６０−１等）が再生動作に伴って再生不可能にならないように記録されている再生専用領域（１６０）と、第２記録情報（５０−１等）が所定回数の再生動作に伴って再生不可能となるように記録されている再生回数制限領域（１５０）とを有する情報記録媒体であって、第２記録情報（５０−１等）が第１記録情報（６０−１等）に関連付けられている。 （もっと読む）

記録情報を記録するための第１記録トラックパスが形成された第１記録層と、該第１記録層（Ｌ０層）上に積層されており、記録情報を記録するための第２記録トラックパスが第１記録トラックパスに対して反対の方向に形成された第２記録層（Ｌ１層）とを備えており、第１及び第２記録層のうち一方の記録層においては、レーザ光のフォーカス引き込みが行われる所定領域（ＣＤＺ）はレーザ光を反射する構成とされていると共に、第１及び第２記録層のうち他方の記録層においては、所定領域に対向する対向領域は前記レーザ光を反射しない構成（１０３−１ａ）とされている。 （もっと読む）

情報記録装置（１）は、第１（６ｘ）及び第２（８ｘ）の線速度に切替え可能であり、可変な記録パワーのレーザ光を照射して情報記録媒体（１００）に記録情報を記録する記録手段（３１０）と、第１の線速度から第２の線速度へ変化させる場合に、第１の線速度で記録された記録情報を再生して再生品質を測定する測定手段（３３０）と、第２の線速度における記録パワーと記録情報に係る再生品質との相関を表す相関情報に基づいて、測定された再生品質が第２の線速度において得られる記録パワーであるリンクパワーを算出する第１算出手段（４００）と、第１の線速度から第２の線速度へ変化させる場合に、リンクパワーから所望のターゲット品質が得られる記録パワーである基準パワーへと変化するように段階的に又は連続的に記録パワーを修正する修正手段（３２０）とを備える。 （もっと読む）

保護膜に生じた欠陥を高精度に検出せしめる封止構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。半導体装置１は、基板１０と、基板１０上に形成されている半導体素子１４と、半導体素子１４を封止する保護膜１７とを備えるとともに、保護膜１７の裏面と接する第１導電層１６と、保護膜１７の表面と接する第２導電層１８とを有する。 （もっと読む）

少なくともペアとなる第１及び第２記録層が積層されてなると共に該第１及び第２記録層に対する記録又は再生位置が未記録エリアへ外れることを防止するための緩衝用エリアを第１及び第２記録層の記録エリアに隣接する位置に配置したディスク状の情報記録媒体に対して、記録すべき情報のうち第１部分を、第１トラックパスに沿って第１記録層に書き込み可能であり、記録方向を折り返して記録すべき情報のうち第２部分を、第２トラックパスに沿って第２記録層に書き込み可能である書込手段と、（Ｉ）第１トラックパスに沿って、第１部分を第１記録層に書き込み、続いて、第１記録層の緩衝用エリアの一部において所定量の第１緩衝用データを第１記録層に書き込むと共に第１記録層から第２記録層への層間ジャンプを行ない、（ＩＩ）その後、第２記録層の緩衝用エリアの一部において所定量の第２緩衝用データを第２記録層に書き込み、続いて、第２部分を第２記録層に書き込むように、書込手段を制御する制御手段とを備える。 （もっと読む）

基板上部に形成される薄膜素子の上部に形成される保護膜であって、水素含有率が３０at％以上であることを特徴とする保護膜である。有機ＥＬ素子等のデバイスの保護膜として、信頼性の高い、厚膜の保護膜とすることができる。 （もっと読む）

情報を記録するための第１記録層（１０７）と第２記録層（２０７）とを備えており、第１記録層及び第２記録層は、同一のトラックピッチからなり前記情報を記録するためのグルーブトラック（ＧＴ）を有し、各層に記録される前記情報の記録密度が相異なるように、記録時のクロックを生成するためのプリフォーマット（１０９、ＬＰＰ）がなされている。

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