第１電極と発光層との間に設けられ、発光層の発光波長帯域内に吸収帯域を有する有機半導体層と、上記有機半導体層に電気的に接続されている制御電極と、を有する。 （もっと読む）

レーザ光（ＬＢ）を照射することで記録情報を記録する第１記録層（Ｌ０層）と第１記録層を介してレーザ光を照射することで記録情報を記録する第２記録層（Ｌ１層）とを備える情報記録媒体（１００）に、レーザ光を照射することで記録情報を記録する記録手段（３５２）と、記録手段を用いて、第１記録層における記録情報が未記録の記録領域を介して第２記録層にレーザ光を照射することで試し記録用の試し情報を記録して、第１記録層における記録情報が記録された記録領域を介して第２記録層にレーザ光を照射して記録情報の記録を行う際のレーザ光の最適パワーを算出する算出手段（３５９）と、第２記録層へ記録情報を記録する際に、最適パワーでレーザ光を照射するように且つ第１記録層における記録情報が記録済である記録領域を介して第２記録層にレーザ光を照射するように、記録手段を制御する制御手段（３５４）とを備える。 （もっと読む）

カートリッジの挿入により自動的にシャッタの開閉を行うと共に、異音やガタツキ等、カートリッジの装填・排出に影響を与えないシャッタ開閉機構を提供する。
シャッタ開閉機構は、カートリッジ１０内で駆動してカートリッジ１０に設けられたシャッタ１５を開閉させる駆動体１３の一部に対しカートリッジ１０の開口部１１にて係合する従動体１８と、従動体１８の移動を規制し、従動体１８と駆動体１３の一部との係合が解放されるときに従動体１３とカートリッジ１０の開口部１１との接触を回避するように従動体１３の移動を規制するカム機構７、７ａと、を含んで構成されている。
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量産性等に優れた多波長半導体レーザ装置の製造方法を提供する。半導体基板ＳＵＢ１上に多層体から成る第１のレーザ発振部１ａと金属の接着層とを形成した第１の中間生成体と、支持基板上に第１のレーザ発振部１ａより小形の多層体から成る第２のレーザ発振部２ａとそれに隣接する溝とを形成して金属から成る接着層を形成した第２の中間生成体とを作製し、導波路１ｂ，２ｂを近接させて第１，第２の中間生成体の接着層同士を融着させ、一体化した接着層ＣＮＴを生じさせることによって、第１，第２のレーザ発振部１ａ，２ａを固着させた後、第２のレーザ発振部２ａから支持基板を剥離することにより、接着層ＣＮＴを部分的に露出させ、該露出した接着層ＣＮＴを共通電極とした半導体レーザ装置ＬＤを製造する。 （もっと読む）

ピンホールなどがなく優れたバリア性を有しながら、その可撓性も充分であり、また、被バリア物を傷つけることもないバリア薄膜を提供する。
バリア薄膜を一つの薄膜でありながら、その性質を均一とせず、一方の表面から他方の表面に向かってその性質を連続的に変化させる。 （もっと読む）

情報記録再生装置に搭載されるＬＤ等の固有特性のばらつきや使用される光ディスクの特性を考慮して、好ましい記録特性及び再生特性を得る。
情報記録再生装置において、外部から入力された記録データに応じた記録パワーレベル又は再生パワーレベルを有するレーザ駆動信号が、例えばライトストラテジの生成部により生成される。レーザ駆動信号によりレーザダイオードなどの光源を駆動することにより、記録又は再生のためのレーザ光が光源から出射される。また、レーザ駆動信号には、光ディスクからの戻り光の影響などを除去するために所定周波数の高周波信号が重畳される。情報記録再生装置に使用する光源としてのレーザダイオードの特性及び使用する光ディスクの特性によるが、最適な記録特性を得るために必要な高周波信号のレベルと、最適な再生特性を得るために必要な高周波信号のレベルとは必ずしも一致しない。よって、情報記録再生装置は、記録時における高周波信号のレベルと再生時における高周波信号のレベルとを異ならせて高周波信号の重畳を行うことにより、最適な記録特性と再生特性を同時に実現することが可能となる。

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暗号鍵の適用切り替わり時点を逐一算出する必要をなくし、円滑な処理を実行可能な情報記録媒体を提供する。ハードディスク１には、アプリケーションＧＯＰにより構成されるＭＰＥＧ２規格におけるトランスポートストリームを、当該アプリケーションＧＯＰと異な
るＣＢＣブロックの境界において暗号鍵を変更しつつ暗号化して得られた暗号化情報が記録されているＡＶストリーム情報３と、上記暗号化情報におけるアプリケーションＧＯＰに含まれるＩピクチャの解読に複数の暗号鍵が必要か否かを示す鍵変更情報が記録されている鍵変更フラグ１１と、が記録されている。
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情報記録装置（１）は、情報記録媒体（１００）に情報を記録する記録手段（５０１）と、情報の記録中におけるデトラックの発生を検出するデトラック検出手段（５５０）と、デトラックの発生が検出された場合に、該デトラックが発生した場所に戻り且つ記録を再開するように記録手段を制御する制御手段（５６０）とを備える。

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情報記録装置（３００）は、レーザ光を情報記録媒体（１００）に照射して情報を記録する記録手段（３５２）と、(i)第１記録速度にて、前記第１記録速度とは異なる第２記録速度で前記情報の記録を行なう際の前記レーザ光の最適レーザパワーを算出するために用いられる前記レーザ光の波形を規定する特別ＯＰＣストラテジ及び、(ii)前記第２記録速度にて前記情報の記録を行なうために用いられる前記レーザ光の波形を規定する記録ストラテジのうち少なくとも一方を取得する取得手段（３５４）と、第１記録速度にて、特別ＯＰＣストラテジを用いて最適レーザパワーを算出するパワー算出手段（３５４）と、算出された最適レーザパワー及び記録ストラテジを用いて、第２記録速度にて情報の記録を行なうように記録手段を制御する制御手段（３５４）とを備える。

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光の取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
サファイア基板ＳＳＢ上にＧａＮから成る下地層ＡＬＹ、下地層ＡＬＹ上に、表面が凹凸状のＧａＮから成る転写層ＴＬＹ、転写層ＴＬＹの凹凸状の表面に光吸収層ＢＬＹ、光吸収層ＢＬＹ上に平坦化層ＣＬＹと少なくとも活性層を有する発光構造層ＤＬＹから成る成長層４を形成し、成長層４側に支持基板２を取り付ける。サファイア基板ＳＳＢの裏面側からＹＡＧレーザの２倍波（波長５３２ｎｍ）の光を照射し、光吸収層ＢＬＹを分解させて、サファイア基板ＳＳＢを剥離することにより、表面が凹凸状となる平坦化層ＣＬＹを光取り出し面として露出させる。成長層４内の活性層から発生する光は、凹凸状の表面を有する平坦化層ＣＬＹを介して素子外部へ放射され、光の取り出し効率が向上する。
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