説明

日立金属株式会社により出願された特許

2,001 - 2,010 / 2,051


本発明のナノコンポジット磁石は、組成式がRxyz(Fe1-mmbal(Rは1種以上の希土類元素、QはBおよびCからなる群から選択された1種以上の元素、Mは、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、Hf、Ta、W、Pt、AuおよびPbからなる群から選択された少なくとも1種の金属元素であってTiを必ず含む金属元素、TはCoおよびNiからなる群から選択された1種以上の元素、)で表現され、組成比率x、y、z、およびmが、それぞれ、6≦x<10原子%、10≦y≦17原子%、0.5≦z≦6原子%、および0≦m≦0.5を満足し、磁気的に結合した硬磁性相および軟磁性相を含有するナノコンポジット磁石であって、前記硬磁性相はR2Fe14B型化合物から構成され、前記軟磁性相はα−Fe相およびキュリー点が610℃以上700℃以下の結晶相(ω相)を主として含有する。 (もっと読む)


隔壁30により仕切られた多数の流路41,42,43を有する複数の多孔質セラミックハニカム構造体1A,1bが流路方向に接合され、所望の流路が目封止され、隔壁30に形成された細孔が排気ガスに通過されるセラミックハニカムフィルタにおいて、少なくとも一つのハニカム構造体1Aの隔壁31と、このハニカム構造体1Aに隣接するハニカム構造体1bの隔壁32とが目封止部50で流路方向に隙間54を有するように接合されており、隔壁30及び/又は目封止部50,52の少なくとも一部に触媒が担持されているセラミックハニカムフィルタ、及びセラミックハニカムフィルタとその上流に設けられた燃料供給装置とからなる排気ガス浄化装置、並びにセラミックハニカムフィルタを用いる排気ガス浄化方法。 (もっと読む)


(a)セラミック材料の粉末及び有機バインダを含有するスラリーを用いて低温焼結可能な基板用グリーンシートを作製し、(b)基板用グリーンシートに電極を形成した後、積層して未焼結多層セラミック基板を作製し、(c)未焼結多層セラミック基板の焼結温度では焼結しない無機粒子(0.3μm以上で、セラミック材料の粉末の平均粒径の0.3〜4倍の平均粒径を有する)と有機バインダとを含有する拘束層を、未焼結多層セラミック基板の外部電極を含む上面及び/又は下面に密着するように設けて一体的な積層体とし、(d)積層体を焼結し、(e)拘束層を焼結した積層体の表面から除去することにより、面内収縮率が1%以内(ばらつきは0.1%以内)で、外部電極上に残留する無機粒子が、外部電極を構成する金属と無機粒子を構成する金属の合計に対する無機粒子を構成する金属の割合として、20質量%以下である多層セラミック基板を製造する。
(もっと読む)


基本組成が一般式:A1−x−y+aCax+by+cFe2n−zCoz+d19(原子比率)(但し、a、b、c及びdはそれぞれ酸化物磁性材料の粉砕工程で添加されるA元素、Ca、R元素及びCoの量であり、0.03≦x≦0.4、0.1≦y≦0.6、0≦z≦0.4、4≦n≦10、x+y<1、0.03≦x+b≦0.4、0.1≦y+c≦0.6,0.1≦z+d≦0.4,0.50≦[(1−x−y+a)/(1−y+a+b)]≦0.97、1.1≦(y+c)/(z+d)≦1.8、1.0≦(y+c)/x≦20、及び0.1≦x/(z+d)≦1.2の条件を満たす数字である。)により表されるフェライト焼結磁石。 (もっと読む)


【課題】溶融した樹脂の飛散を防止することのできる回転融着部材を提供する。また不要な配管部を短くすることができる供給管処理方法を提供する。
【解決手段】回転融着部材5は、熱可塑性樹脂で形成された分岐継手2の分岐管部23の端面に当接する円環部5aと分岐管部23の内周面に対向するガイド部5bと円環部5aの内周側に形成されたガイド溝5cとを有し、全体が熱可塑性樹脂で形成されている。分岐管部23の端部を切断し、分岐管部23の端面に回転融着部材5を当接し、回転融着部材5を分岐管部23の端面に押圧しながら回転させることにより、不要となった配管の処理が行われる。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、常温付近〜温間域で熱膨張係数を他の部材に合わせるために30〜200℃までの平均熱膨張係数を低く制御し、かつ耐食性にも優れた低熱膨張耐食合金を提供することである。
【解決手段】本発明は質量%でC:0.15%以下、Cr:8.5%以上10.0%未満、Co:56.0%を越えて58.0%未満、残部は実質的にFeからなる低熱膨張耐食合金である。
本発明では質量%でC:0.01〜0.15%、Cr:9.0%以上9.5%未満、Co:56.5%を越えて57.0%以下、残部は実質的にFeからなり、かつ30℃〜200℃までの平均熱膨張係数が4.0×10-6/℃〜7.0×10-6/℃であることが好ましい。また、質量%でS:0.005%以上0.5%未満であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】一つの積層体内に構成し小型軽量化を図ると共に回路間の相互干渉による特性劣化を抑制した複合積層モジュールを提供する。
【解決手段】分波回路と、スイッチ回路と、ローパスフィルタとを有し、これらの回路を構成するLC回路と伝送線路の一部は誘電体層に電極パターンにより構成し、ダイオードは積層体上に配置したアンテナスイッチ積層モジュールと、トランジスタと電源供給回路と整合回路とを有し、これらの回路を構成する伝送線路及びLC回路の一部は誘電体層に電極パターンにより構成し、トランジスタは積層体上に配置した高周波増幅器積層モジュールと、増幅器とアンテナスイッチモジュールを繋ぐ位相調整回路を伝送線路あるいはLC回路で構成し、一部を誘電体層に電極パターンにより構成し、両者を積層体の誘電体層に設けたシールド電極あるいは縦列したスルーホール電極により2つの領域に分けて形成した。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、液体冷媒によって冷却できる構造を摩擦攪拌接合によって接合可能な構造とし、放熱特性が良く、高信頼度を有する絶縁回路基板とその冷却構造及ぴパワー半導体装置とその冷却構造を提供することにある。
【解決手段】本発明は、銅又は銅合金よりなる回路板、セラミックス基板及び銅又は鋼合金よりなる放熱板が順次ろう材で接合された絶縁回路基板において、放熱板はその全外周部を除き複数の平板状フィン又は棒状フィンを有し、平板状フィンの並びの両外側に前記フィンより厚肉の平板部が一体に形成されていること、又棒状フィンの並びの一方の両外側に棒状フィンの径より厚肉の平板部が一体に形成されていることを特徴とする。又、本発明は、絶縁回路基板の回路板に半導体パワー素子が搭載されたパワー半導体装置よりなる。 (もっと読む)


【課題】 ろう付け接合後のセラミックス基板に発生するクラックの防止と熱伝導性および温度サイクル寿命を改善したセラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 厚みが0.2〜0.9mmのセラミックス基板11の表面に活性金属を含むろう材14を介して厚み3mm以下の金属回路板12を設け、またセラミックス基板の裏面には活性金属を含むろう材14を介して金属放熱板13を設けた接合体であって、この接合体は−110℃以下で少なくとも1回の冷却処理を施したものであり、これにより接合体の室温における反り量は50mm当り100μm以下である。また、セラミックス基板に加わる残留応力が650MPa以下であるセラミックス回路基板。 (もっと読む)


【課題】使い勝手が良く、低熱抵抗で高信頼性の半導体パワー素子用の絶縁回路基板の提供。
【解決手段】回路板と放熱板の間に、セラミックス板を設けた熱拡散板を1層以上配置した基板で、前記熱拡散板を半導体パワー素子の通電路とし、必要に応じ熱拡散板中に冷却用の水路を設けた構造の絶縁回路基板。 (もっと読む)


2,001 - 2,010 / 2,051