【課題】ｐ型コンタクト層からｐ型クラッド層や活性層へのＺｎの拡散量をコントロールできる半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、及びその半導体発光素子用エピタキシャルウェハを用いて作製される半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板（１）上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる混晶により構成されたｎ型クラッド層（４）、活性層（６）、及びＭｇをドーピングしたｐ型クラッド層と、ｐ型コンタクト層（１３）とを順次積層し、前記ｐ型コンタクト層（１３）が、前記ｎ型ＧａＡｓ基板（１）側から順にＭｇをドーピングしたコンタクト層（１３ｂ）とＺｎをドーピングしたコンタクト層（１３ａ）との少なくとも二層を有する半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記Ｍｇをドーピングしたｐ型クラッド層（８，１０）と前記ｐ型コンタクト層（１３）との間に、ＺｎをドーピングしたＺｎドープ層（１１）を備える。 （もっと読む）

【課題】電気的クロストークを低減する光伝送アセンブリを提供する。
【解決手段】発光素子４と受光素子５とが同じ基板６に実装され、基板６が発光素子４と受光素子５の実装箇所間に可撓性部分６ａを有し、可撓性部分６ａが曲げられて、受光素子５が波長フィルタ３の入射光透過側に臨み、発光素子４が入射光に交わる方向から波長フィルタ３に臨んでいる。 （もっと読む）

【課題】 高い導電率、耐応力緩和性、曲げ加工性を兼ね備えた電気・電子部品用銅合金材を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系の電気・電子部品用銅合金材であって、当該合金としての組成が、０．１質量％以上〜０．４質量％以下のＣｒと、０．０２質量％以上〜０．２質量％以下のＺｒとを含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなるものであり、かつ当該合金としての集合組織におけるBrass方位の方位分布密度が２０以下であると共
に、Brass方位とS方位とCopper方位との方位分布密度の合計が１０以上〜５０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時に種結晶に加わる応力を緩和すると共に、種結晶、成長結晶、及びルツボの破損を防止して、低欠陥密度の半導体単結晶を再現性よく製造することのできる半導体結晶成長方法及び半導体結晶成長装置を提供する。
【解決手段】半導体融液３２を収容したルツボ２０内の半導体融液３２の表面に、ルツボ２０又はルツボ２０に設置される支持部材により支持されている種結晶３０を接触させた状態で半導体融液３２の温度を降下させて、種結晶３０の側からルツボ２０の他端、すなわち、ルツボ２０の開口部と反対側のルツボ２０の底部に向けて半導体融液３２を徐々に固化させ、化合物半導体結晶を成長させる。このとき、種結晶３０がチャンバー８０等のサセプタ５０の外部の部材に固定されていないので、種結晶３０を結晶成長に伴って自由に成長装置１の上下方向に移動させることができ、成長した結晶に加わる応力を大幅に軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に均一な窒化物半導体層を成長できる窒化物半導体自立基板、並びに、この基板を用いて作製される特性の優れた窒化物半導体発光デバイス及び窒化物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】Ｃ面からθ＝０.０３°〜１.０°傾斜した表面を有する窒化物半導体自立基板であって、前記窒化物半導体自立基板の表面全体の各点でのＣ軸と表面の接線との成す角度が最大となる方向であるＯＦＦ方向が、６回対称であるＭ軸のうちある特定のＭ軸方向からφ＝０.５°〜１６°の範囲でずれており、かつ前記ＯＦＦ方向の前記特定のＭ軸方向からのずれ角をφとしたとき、−０．５°＜φ＜＋０．５°の領域を含まない窒化物半導体自立基板である。 （もっと読む）

【課題】ダブルクラッドファイバへ側面励起を高効率に行える光ファイバレーザを提供する。
【解決手段】希土類元素が添加されたコア２２の周囲にクラッド２３を有する光ファイバ２１と、その光ファイバ２１の側面より励起光を入射する励起光源とを備えた光ファイバレーザにおいて、光ファイバ２１は、クラッド２３の外周部に長手方向に沿って凹凸形状を有すると共に、クラッド２３の側面同士が互いに接するように巻き回されて集束されているものである。 （もっと読む）

【課題】コネクタ嵌合方向及び嵌合直交方向のがたを規制することができ、部品点数が少なく製造コストの低減が図れるコネクタを提供する。
【解決手段】電気的接続を行うための雄端子２を収容するインナーハウジング５と、該インナーハウジング５を収容するアウターハウジング７とを有する雄コネクタ１ａと、電気的接続を行うための雌端子３を収容するインナーハウジング６と、該インナーハウジング６を収容するアウターハウジング８とを有する雌コネクタ１ｂと、上記雄コネクタ１ａと上記雌コネクタ１ｂを嵌合する嵌合部材２０とから成るコネクタ１において、上記雄コネクタ１ａと雌コネクタ１ｂの嵌合時に、上記雄コネクタ１ａのインナーハウジング５及び上記雌コネクタ１ｂのインナーハウジング６と面接触するがた規制部材４が雄コネクタ１ａのアウターハウジング７又は雌コネクタ１ｂのアウターハウジング８の内部に配設されている。 （もっと読む）

【課題】歯車の一体成型が容易な絶対角検出装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】外側メイン歯車２の歯底を結ぶ歯底円の直径Ｄ１よりも内側メイン歯車３の歯先を結ぶ歯先円の直径Ｄ２が小さくなるように形成されると共に、外側メイン歯車２と内側メイン歯車３とが一体的に形成される。 （もっと読む）

【課題】伝搬速度の低下や損失の増加を抑制することが可能なフィルタ機能付き伝送線路を提供する。
【解決手段】フィルタ機能付き伝送線路は、絶縁性シート（５）と、絶縁性シート（５）上に複数列設けられた導体（１，２）と、前記複数列の導体（１，２）のうち信号線となる導体（１）の外周に間隙（Ａ）を隔てて覆う導電性シート（６）とを有し、導電性シート（６）は、絶縁性シート（５）の両面側にそれぞれ設けられると共に、複数列の導体（１，２）のうちグランド線となる導体（２）に電気的に接続され、且つ所定の幅を有するスリット（７）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ファイバレーザにおける光ファイバの温度上昇を抑え、レーザ光の高出力化を図ったファイバレーザ用光ファイバを提供する。
【解決手段】希土類元素が添加された希土類添加コア２と、その希土類添加コア２の周囲に形成されたクラッド３とを備え、そのクラッド３に励起光Ｌｅを入射し、希土類元素を励振させて高出力のレーザ発振光Ｌを出力するファイバレーザ用光ファイバ１において、希土類添加コア２とクラッド３の外径比が長手方向に沿って異なるものである。 （もっと読む）