説明

日立電線株式会社により出願された特許

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【課題】順方向電圧を低くでき、且つ歩留り良く製造することのできる半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】気相成長法を用いて、第一導電型基板1上に、第一導電型クラッド層4、活性層5及び第二導電型クラッド層6で構成される発光部を形成し、その上に第二導電型の電流分散層7を形成するIII−V族半導体発光素子の製造方法において、前記第二導電型電流分散層7の第二導電型クラッド層側の部分(初期成長部分)の成長温度T2を前記発光部の成長温度T1よりも低く、且つ途中から該第二導電型電流分散層7の成長温度T3を前記発光部の成長温度T1よりも高くして成長する。 (もっと読む)


【課題】電気化学的に過酷な条件下である電池環境においても優れた耐食性および導電性を有し、かつセパレータの軽量化が可能であり、さらには良好な加工性を備えた燃料電池用セパレータとその製造方法、および当該燃料電池用セパレータ等に使用できる導電性耐食金属材を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金またはマグネシウム合金によるコア11の表面には、純アルミニウム、又はマグネシウムを含まないアルミニウム合金による接合金属層12A、12Bが形成され、その表面には耐食性を有するチタンまたはチタン合金による被覆層13A、13Bが形成され、更に、被覆層13A、13Bの表面には、導電性を有する保護被膜14A、14Bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】光ファイバテープを複数枚積層してシース内に収容した光ファイバケーブルにおいて、シースの長辺側側面から応力が生じたときの光ファイバの光損失の増加を抑制できる、耐側圧特性の優れた光ファイバケーブルを提供する。
【解決手段】光ファイバ心線を複数本並列に配列し、連結部材で連結した光ファイバテープを2枚以上積層してシース内に収容した光ファイバケーブルであり、前記光ファイバテープは隣り合う光ファイバ心線間に凹部を設けており、2枚以上の前記光ファイバテープはその凹部と凸部を嵌め合わせて積層し、シース内に収容している。 (もっと読む)


【課題】 センサケーブルの敷設が容易で、低コストに製造でき、センサケーブル長手方向に加わる振動を高い分解能で検出できる光ファイバ振動センサを提供する。
【解決手段】 光源15より出射し、第1の光カプラ18、偏光子21、第2の光カプラ19を順次伝搬して分岐した2つの光信号を、位相変調器22を含む光ファイバループ12に左右回りに入射し、その戻り光信号を第2の光カプラ19、偏光子21、第1の光カプラ18を介して受光器16で光電変換し、信号処理ユニット23で信号を検出してデータを出力するサニャック干渉型の光ファイバセンサにおいて、光ファイバループ12の一部を振動計測用のセンサケーブル12aとして用いた。 (もっと読む)


【課題】 大きな圧力が加わった場合にも破損しない光ファイバ圧力センサを提供する。
【解決手段】 変形によって光伝送特性が変化する光ファイバ1の周囲に、互いに外径が異なる複数種類の線状体4A,4Bを巻き付けたので、外圧が大きくなるとその外圧が分散される。 (もっと読む)


【課題】 レジスト膜によるマスクなしに、形状の制御された高密度の配線を有する配線板を製造する。
【解決手段】 絶縁基板上に銅配線を有する配線板の製造方法において、絶縁基板上の配線やバンプを形成する部分に凹凸形状を有する下地金属膜を形成する工程と、電気めっきによって下地金属膜の凹凸を有する部分に銅または銅合金のめっき膜を形成する工程とを含み、めっき液中にめっき反応を抑制する物質を加えることで、前記絶縁基板の表面とめっき膜側面との角度を90度以下とする。 (もっと読む)


【課題】光ファイバケーブルのシース内に収容された光ファイバテープユニットをシース内から容易に取り出すことができる光ファイバケーブルを提供する。
【解決手段】光ファイバテープユニットを1枚または2枚以上シースに収容した断面略長方形の光ファイバケーブルであり、前記シースの長辺側側面の両面にそれぞれ3箇所以上ノッチを形成し、該ノッチは下記(1)(2)の位置に形成している。
(1)光ファイバケーブル断面においてノッチ中心から短辺側側面に並行に線を引いたその線上に光ファイバテープユニットが存在する位置に1箇所または2箇所以上。
(2)光ファイバケーブル断面においてノッチ中心から短辺側側面に並行に線を引いたその線上に光ファイバテープユニットが存在しない位置であり、(1)の位置のノッチの両側にそれぞれ1箇所または2箇所以上。 (もっと読む)


【課題】 高出力、短パルスのレーザ光のような空間的或いは時間的に非常に高いピークパワーを持つレーザ光に対しても、破格閾値が格段に高く、しかも可視のガイド光を重畳して長距離伝送可能にする。
【解決手段】 伝送する光の波長よりも大きな直径を有する中空コア領域11と、該中空コア領域11を包囲する充実部12に複数の空孔13が設けられた内側クラッド領域14と、該内側クラッド領域14を包囲する外側クラッド領域15とを有する光ファイバ本体部10を備えたレーザエネルギー伝送用光ファイバであって、外側クラッド領域15の屈折率が上記内側クラッド領域14の充実部12の屈折率よりも小さくなるように構成した。 (もっと読む)


【課題】 フェンスのよじ登りや飛び越えの侵入を検知でき、しかも大掛かりな設備構成を不要にして広い範囲での侵入を検知する。
【解決手段】 光ファイバー12、13A、13Bの長さ方向に一定間隔でファイバーガラスの屈折率が異なる複数種類のFBG(グレーティング部)を設け、この光ファイバーをフェンス10の上部支柱間またはフェンス面に敷設し、光検出装置14、15A、15Bで光ファイバーへの光入力に対して各FBGからの反射波を導出し、波長シフト検出装置16にはフェンスに加えられた応力による光ファイバーの揺れによって、波長シフトを呈したFBGの位置を検出する。パターン認識装置19は、波長シフトした各FBGの位置をそれぞれパルス信号のタイミングの違いとして取り込み、パルス信号の出力パターンを基に、侵入によるフェンスの揺れと風などの他の要因によるフェンスの揺れを識別する。 (もっと読む)


【課題】 シリコン基板などに窒化物半導体膜を形成するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 第1の窒化物半導体基板11の表面近傍にイオンを注入する工程と、その第1の窒化物半導体基板11の表面側を第2の基板2に重ね合わせる工程と、重ね合わせた2枚の基板11,2を熱処理する工程と、イオン注入された層12(13)を境として第1の窒化物半導体基板11の大部分を第2の基板2から引き剥がす工程とを含む製造方法である。 (もっと読む)


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