【課題】発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進めることが可能な発光装置の作製方法および成膜用基板を提供することを目的の一とする。また、精度良くＥＬ層を成膜することが可能な発光装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板の一方の面に、互いに離間して形成された光吸収層と、光吸収層の一と、他の光吸収層との間に形成された、逆テーパ形状の隔壁層と、光吸収層及び隔壁層上にそれぞれ分離形成された材料層と、を少なくとも有する第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面と、を対向させ、第１の基板の他方の面側から光を照射し、光吸収層と重なる領域の材料層を選択的に加熱し、光吸収層と重なる領域の材料層を第２の基板の被成膜面に蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置の製造工程を大幅に簡略化する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上方に配置された絶縁層及び画素電極を有し、画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続され、表面に凹凸を有し、かつ、反射機能を有し、絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素及び有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造を有し、絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料及び顔料の少なくともいずれか一を含む遮光膜である表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】エレクトロルミネッセンス素子が発光する際のエレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を減少させることなく、エレクトロルミネッセンス素子の劣化によるエレクトロルミネッセンス素子の輝度の低下を制御する技術を提供する。
【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子の発光時に前記エレクトロルミネッセンス素子の電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積して保持し、該電荷から該電位差を検出し、検出された電位差に基づいて、前記エレクトロルミネッセンス素子の基準電位を変化させて、前記エレクトロルミネッセンス素子の輝度を補正する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を半導体膜に照射する半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】発振器からレーザー光を発振させ、シリンドリカル凹レンズ及び第一のシリンドリカル凸レンズを通過させることにより、レーザー光の断面の第一の方向に伸長させ、第一のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、第二のレンズアレイを通過させることにより、第一の方向と直交する第二の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、且つ第二の方向に伸長させ、第二のシリンドリカル凸レンズを通過させることにより、第一の方向に収束させ、第二のシリンドリカル凸レンズを通過したレーザー光を、半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のばらつきを抑制することが
できる照明装置を提供する。
【解決手段】透光性を有する基板上に透明導電膜からなる第１の電極を形成し、前記第１
の電極上に発光物質を含む層を形成し、前記発光物質を含む層上に第２の電極を形成し、
前記発光物質を含む層及び前記第２の電極に第１の開口部を形成して、前記第１の電極の
一部を露出させ、前記第２の電極及び前記第１の開口部を覆うように絶縁膜を形成し、前
記第１の開口部に形成された絶縁膜に第２の開口部を形成して、前記第１の電極の一部を
露出させ、前記第２の開口部において前記第１の電極と電気的に接続される第３の電極を
形成する。 （もっと読む）

【課題】浅い不純物領域を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体ならびにチャネル形成領域の上のフローティングゲート７６２およびコントロールゲート７６３によるゲート電極部７５２，７５３を含む半導体装置であって、ゲート電極部７５２，７５３の一方の側の半導体には、フローティングゲート７６２とオーバーラップする第１の不純物領域７５５が形成されており、フローティングゲート７６２の他方の側の半導体には、レーザドーピング処理により、深さが０．１μｍ以下で、且つフローティングゲート７６２とオーバーラップが無い第２の不純物領域７５７、７５８が形成されており、チャネル形成領域の長さは０．３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】薄型化を達成しながら、外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い発光装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程においても外部ストレスに起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く発光装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】繊維体に有機樹脂が含浸された第１及び第２の構造体によって、発光素子を封止することで、薄型化を達成しながら、強度を有する信頼性の高い発光装置を提供することができる。また、作製工程においても、形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く発光装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】表示画面からの入力処理を高速で正確に行える表示部を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】画素電極１つに対してフォトセンサが複数となる比率で画素部にフォトセンサを配置することにより、センサの解像度が高くなり、正確な位置を検出することができる。フォトセンサの制御回路や、表示のための駆動回路には単結晶半導体層を用いる。また、隣り合う画素電極の間に設けられた複数のフォトセンサにもカラーフィルタを重ねて配置することができ、フォトセンサと重ねるカラーフィルタを画素電極と重ねるカラーフィルタと同じ工程、且つ、同じアライメントを用いて重ねることができるため、製造プロセス上のメリットが得られる。 （もっと読む）

【課題】ベース基板としてガラス基板を用いた場合にも、実用に耐えうる半導体層を備えたＳＯＩ基板及びその作製方法を提供することを課題の一とする。または、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ＳＯＩ基板のベース基板として用いるガラス基板の少なくとも一方の面上に変質層を形成して、ＳＯＩ基板を作製する。変質層は、ガラス基板を塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液で洗浄することによって、ガラス基板の少なくとも一方の面上に形成する。変質層は、ガラス基板より、その組成において酸化シリコンの割合が大きく、密度が低い層である。 （もっと読む）